JPS619885A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents

磁気バブルメモリ素子

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JPS619885A
JPS619885A JP12929184A JP12929184A JPS619885A JP S619885 A JPS619885 A JP S619885A JP 12929184 A JP12929184 A JP 12929184A JP 12929184 A JP12929184 A JP 12929184A JP S619885 A JPS619885 A JP S619885A
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transfer pattern
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degree turn
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JP12929184A
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JPH0638312B2 (ja
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Masahiro Yanai
雅弘 箭内
Hironori Kondo
裕則 近藤
Minoru Hiroshima
實 廣島
Tetsuaki Suzuki
鈴木 哲昭
Hisaya Keida
慶田 久彌
Seiichi Nishiyama
西山 清一
Mitsuru Sekino
充 関野
Toshiya Kadoyama
俊哉 門山
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ素子に係わシ、特に折シ重ね
形マイナループを構成する磁気バブル転送路の構造に関
するものである。
〔発明の背景〕
第1図は磁気バブルメモリ素子のメモリ領域を形成する
一本のマイナループを示したものであシ、磁気バブルメ
モリ素子のメモリ領域にはこの種のマイナループを多数
個並列に配列して構成されている。同図において、磁気
バブル転送路を実線で簡略化して示してアシ、矢印P方
向は磁気バブルの転送方向を示す。このようなマイナル
ープは同図に示すように閉ループ状の転送路で構成され
る。
この閉ループ転送路の形状としては同図(&)に示す単
純ループ形マイナループ1から最近では高密度磁気バブ
ルメモリ素子の実現に最適な同図(b) + (c)、
(d)に示す折シ重ね形マイナループ2,3.4が良く
用いられるようになった。この折シ重ね形ループの形状
として第1図(b) l (C) 、 (d)に示した
以外にも種々のタイプのものがある。このよう々折シ重
ね形マイナルーズの例としては例えばI EEETra
ns、 MAG −15、No、6. P1691〜P
1696に開示されている。
このようなマイナルーブを構成するパーマロイ方式転送
路の基本要素パターンとしては、第2図(、)に示す非
対称シェブロンパターン5.同図(b)に示すハーフデ
ィスクパターン6、同図(C)に示すCバター/Tある
いは同図(d)に示すクラブフットバターン8が用いら
れる。
このように構成されるマイナループにおいては、第1図
に点線の丸印で示すように磁気バブルの転送方向Pを逆
方向とするためのターンコーナ部がそれぞれ設けられて
おシ、これらのターンコーナ部には図中に示す順180
度ターンコーナ部aおよび逆180度ターンコーナ部す
がある。
第3図は前述した逆180度ターンコーナ部す周辺の転
送路の一例を示す要部拡大パターン平面図である。同図
において、10a、10b、10c、10d、10a’
は1本の折り重ね形マイナループを構成する磁気バブル
転送路、11は転送路10a、10b。
10c、10d、10a’ を構成する第1の基本転送
パターン、12は第2の転送パターン、13は第3の転
送パターン、14は第4の転送パターン、15は第5の
転送パターンでアシ、これらの伝送パターン11,12
,13,14.15はゲート部G方向に番号が大きくな
るにともなってパターン周期およびそのパターンの背の
高さを比例して大きく形成し、転送路10a、10b、
10a’  とその各ゲート部Gとの間を接続させる転
送路を構成している。また、16は逆180度ターンコ
ーナパターン、1γはその転送補助パターンであシ、こ
の逆180度ターンコーナパターン16と転送路10c
、10d  との間にも、前述と同様に逆180度ター
ンコーナパターン16側にパターン周期およびそのパタ
ーンの背の高さを比例して大きく形成された転送パター
ン11,12,13.15が接続されている。なお、P
は磁気バブル転送方向を示す。
このような構成において、基本転送パターン11からな
る転送路10dを転送されてきた磁気バブルは、第1の
転送パターン11、第3の転送パターン13、第5の転
送パターン15を順次転送し、逆180度ターンコーナ
パターン16に転送され、さらにこの逆180度ターン
コーナパターン16によシ転送方向Pを時計回シに18
0度方向に転換され、第3の転送パターン13、第2の
転送パターン12、第1の転送パターン11を順次転送
して転送路10bへ転送される。一方、逆180度ター
ンコーナパターン16の左側に順次配列された第5.第
4.第3.第2の転送パターン15゜14.13.12
はゲート部Gから基本転送パターン11で構成される転
送路10a′へ磁気バブルを矢印P方向へ転送させてい
る。さらに逆180度ターンコーナパターン16の右側
に順次配列された第4.第5.第3.第2の転送パター
ン14,15゜13.12は基本転送パターン11で構
成される転送路10bからゲート部Gへ磁気バブルを矢
印P方向へ転送させている。
このように構成される逆180度ター ンコーナ部は、
磁気バブル転送特性を向上させるため、逆180度ター
ンコーナ部を構成する転送パターンの周期を、転送路を
構成する基本転送パターン11のパターン周期と同等と
した転送パターンと、それよりも長くした第2.第3.
第4.第5の転送パターン12,13,14.15  
とを混在させた構成となっている。例えば第3図中の第
4の転送パターン14のパターン周期λ′は第1の基本
転送パターン11のパターン周期λに対してλ〈λ′な
る関係を有している。このようにパターン周期が基本転
送パターン周期よりも大きい第2.第3.第4、第5の
転送パターンi2,13.14.15は、基本的にその
パターン形状が基本転送パターン11を比例拡大した形
状となっているため、そのパターンの背高さが基本転送
パターンの背の高さよりも高くなっている。すなわち、
第4図k) l (b)にそれぞれ示すように基本転送
パターン20の背の高さhlと、逆180度ターンコー
ナパターン周辺部のパターン周期の長い転送パターン3
0の背の高さh2とがhlくh2の関係を有して形成さ
れている0 しかしながら、このように構成される逆180度ターン
コーナ部は、そのコーナ部周辺がパターン周期の長い転
送パターンで構成されているため、バイアス磁界の下限
値側で転送エラーを起しやすいことがわかった。例えば
、第3図において、第4の転送パターン14に転送され
た磁気バブルBが対向する第5の転送パターン15ヘス
トリツプアウトするエラーが発生する。そして、このエ
ラーの発生によp1磁気バブルメモリ素子の綜合バイア
ス磁界マージンが大きく制限され、第5図に示すように
回転磁界Hnが大きくなるfユどこのエラー領域Eが拡
大され、磁気パブルメそり素子の特性を損なうという大
きな問題となっていた。また、前述した順180度ター
ンコーナ部周辺においても同様の問題があった。
〔発明の目的〕
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものでアシ、その目的とするところは、180度タ
ーンコーナ部周辺で発生する転送エラーを除去し、転送
特性を向上させた磁気バブルメモリ素子を提供すること
にある。
〔発明の概要〕
このような目的を達成するだめに本発明は、180度タ
ーンコーナ部にパターン周期が基本転送パターン周期よ
りも長い転送パターンが混在する磁気バブル転送路にお
いて、パターン周期が基本転送パターンよりも長い転送
パターンの背の高さを、基本転送パターンの背の高さよ
りも低くさせたものである。
〔発明の実施例〕
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第6図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一実施例
を説明するための逆180度ターンコーナ部の要部拡大
パターン平面図であシ、第3図と同一部分は同一符号を
付しその説明は省略する。
同図において、逆180度ターンコーナパターン16周
辺部に配列される例えばパターン周期の長い第、4の転
送パターン14′および第5の転送パターン15′は、
そのパターンの高さが第1の基本転送パターン11の高
さよりも低く形成されている。
すなわち、第7図(’) + (b)にそれぞれ拡大平
面図で示すように基本転送パターン2oの背の高さhl
とパターン周期の長い転送パターン30’の背の高すh
2′とがhl)hz’ の関係を有して形成されている
このよう力構成によれば、第6図に示すように第4の転
送パターン14′め頂点部とこの第4の転送パターン1
4′に対向する第5の転送パターン15′の足部との間
の距離lが大きくなるので、第5の転送パターン15′
の足部に発生ずる吸引磁極に引き付けられて、第4の転
送パターン14′上の磁気バブルがストリップアウトす
る転送エラーが発生しなくなる。つまシ他の転送パター
ンに発生する吸引磁極に影響されることなく、第4の転
送パターン14′の頂点部に発生する吸引磁極のみによ
って保持され、この第4の転送パターン14′上を転送
方向Pへ転送されることになる。したがってバイアス磁
界マージンを拡大させることができるO なお、前述した実施例においては、パターン周期の長い
転送パターンの背の高さを、基本転送パターンの背の高
さよりも低くした場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、パターン周期の長い転送
パターンの頂点部を、磁気バブル転送方向もしくはその
反対方向に偏心させた転送パターンを用い、前述した距
@lを拡大させても前述と全く同等の効果が得られるこ
とは勿論である。
また、前述した実施例においては、逆180度ターンコ
ーナ部分について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、順180度ターンコーナ部に適用して
も前述と全く同等の効果が得られることは勿論である。
さらに前述した実施例においては、転送パターンニジエ
プロンパターンを用いた場合について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、第2図(b) +
 (c) + (d)にそれぞれ示したハーフディスパ
ターン6、Cパターンγ、クラブフットパターン8で構
成される転送路に適用しても前述と全く同等の効果が得
られることは勿論である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、180度ターンコ
ーナ部に発生する転送エラーを除去し、バイアス磁界マ
ージンを拡大させることができるので、品質、信頼性の
高い磁気バブルメモリ素子が得られるという極めて優れ
た効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図はマイナループの構成例を示す図、第2図はその
転送パターン例を示す図、第3図は従来の逆180度タ
ーンコーナ部周辺の一例を示す要部拡大パターン平面図
、第4図は従来の転送パターンの一例を示す拡大平面図
、第5図は従来の逆180度ターンコーナ部の転送特性
を示す図、第6図は本発明による磁気バブルメモリ素子
の一実施例を説明するだめの逆180度ターンコーナ部
周辺を示す要部拡大パターン平面図、第7図は本発明に
係わる転送パターンの一例を示す拡大平面図である。 1・・・・単純ループ形マイナループ、2,3.4・・
・・折シ重ね形マイナループ、5・・ψe非対称シェブ
ロンパターン、6・・@・ハーフディスクパターン、7
mm**cパターン、8゜・・・クラブフットパターン
、10a、10a’、10b、10c、10d・・−・
磁気バブル転送路、11ψ・・・第1の基本転送パター
ン、12・・0・第2の転送パターン、13・・・・第
3の転送パターy、14・・・会第4の転送パターン、
15φΦ会・第5の転送パターン、20◆も一拳基本転
送パターン、30′・@吻・パターンの背の高さが低い
パターン周期の長い転送パターン0第1図 (a)   (b)    代)(d)第2図 (a)      (b) (c)       (d) 第3図 10a’ 10d 10c 10b 100第4図 第5図 □ 回転&号HR(〉) 第7図 (a)      (b) 第6図 G     GG I                1     11
I  II  1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 磁気バブルの転送方向を転換させる180度ターンコー
    ナ部周辺に、パターン周期がマイナループ基本パターン
    周期よりも長い転送パターンが混在する磁気バブル転送
    路を有する磁気バブルメモリ素子において、前記パター
    ン周期が長い転送パターンの背の高さを、マイナループ
    基本転送パターンの背の高さよりも低く形成したことを
    特徴とする磁気バブルメモリ素子。
JP12929184A 1984-06-25 1984-06-25 磁気バブルメモリ素子 Expired - Lifetime JPH0638312B2 (ja)

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JPS619885A true JPS619885A (ja) 1986-01-17
JPH0638312B2 JPH0638312B2 (ja) 1994-05-18

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