JPS62188236A - 半導体ウエハ−用チヤツキング装置 - Google Patents
半導体ウエハ−用チヤツキング装置Info
- Publication number
- JPS62188236A JPS62188236A JP2931486A JP2931486A JPS62188236A JP S62188236 A JPS62188236 A JP S62188236A JP 2931486 A JP2931486 A JP 2931486A JP 2931486 A JP2931486 A JP 2931486A JP S62188236 A JPS62188236 A JP S62188236A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- vacuum
- semiconductor wafer
- suction
- grooves
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は半導体ウェハーの表面に薬液を塗布し、或いは
水を噴射して水洗する際、半導体ウェハーを吸着して回
転するために用いるチャッキング装置の改良に関する。
水を噴射して水洗する際、半導体ウェハーを吸着して回
転するために用いるチャッキング装置の改良に関する。
(従来の技術)
従来の半導体ウェハー用チャッキング装置は、第4図お
よび第5図に示す構造を有している。第4図は縦断面図
、第5図は平面図である。
よび第5図に示す構造を有している。第4図は縦断面図
、第5図は平面図である。
これらの図において、1は回転軸である。該回転軸の頂
部にはウェハー載置部2が設けられている。また、回転
軸1の内部にはバキューム吸引路3が形成されており、
該吸引路は前記ウェハー載置部2の表面中央部に開口さ
れている。そして、ウェハー載置部2の表面には、この
開口部から放射状凹溝4・・・が形成されると共に、同
心円状凹溝5・・・が形成されている。
部にはウェハー載置部2が設けられている。また、回転
軸1の内部にはバキューム吸引路3が形成されており、
該吸引路は前記ウェハー載置部2の表面中央部に開口さ
れている。そして、ウェハー載置部2の表面には、この
開口部から放射状凹溝4・・・が形成されると共に、同
心円状凹溝5・・・が形成されている。
例えば、上記チャッキング装置を用いて半導体ウェハー
の水洗を行なう場合、ウェハー載置部2上に半導体ウェ
ハーを載せ、バキューム吸引路3から減圧吸引を行なう
。このとき、ウェハー載置部2に形成した満4.5は載
置された半導体ウェハーで開口部が塞がれているから、
バキューム吸引路として機能する。従って、バキューム
吸引による陰圧はこの凹溝を通ってウェハー載置部2の
全体に及び、半導体ウェハーを効果的に吸着固定する。
の水洗を行なう場合、ウェハー載置部2上に半導体ウェ
ハーを載せ、バキューム吸引路3から減圧吸引を行なう
。このとき、ウェハー載置部2に形成した満4.5は載
置された半導体ウェハーで開口部が塞がれているから、
バキューム吸引路として機能する。従って、バキューム
吸引による陰圧はこの凹溝を通ってウェハー載置部2の
全体に及び、半導体ウェハーを効果的に吸着固定する。
こうしてチャッキング@霞に固定された半導体ウェハー
は、回転軸1を回転させることにより高速で回転され、
その表面に水を噴射されて水洗される。
は、回転軸1を回転させることにより高速で回転され、
その表面に水を噴射されて水洗される。
なお、薬剤を塗布する場合も同様で、上記のようにして
高速回転させている半導体ウェハーの表面に薬液を滴下
すればよい。
高速回転させている半導体ウェハーの表面に薬液を滴下
すればよい。
(発明が解決しようとする問題点)
従来のウェハーチャンキング装置では、上記のように載
置した半導体ウェハーが凹溝4,5の開孔部を塞ぐこと
によって効果的な吸着固定が行なわれるから、載置部1
の外周凸部表面の傷または加工精度不良等で凹溝4,5
の開口部閉塞が不十分になると、そこから空気が漏れて
バキューム吸引効果が著しく低下してしまう。また、半
導体ウェハーに反りが生じた場合も同様である。
置した半導体ウェハーが凹溝4,5の開孔部を塞ぐこと
によって効果的な吸着固定が行なわれるから、載置部1
の外周凸部表面の傷または加工精度不良等で凹溝4,5
の開口部閉塞が不十分になると、そこから空気が漏れて
バキューム吸引効果が著しく低下してしまう。また、半
導体ウェハーに反りが生じた場合も同様である。
このように吸着が不十分な状態で高速回転を行なうと、
載置された半導体ウェハーの位置ズレが起きたり、ひど
いときには遠心力でウェハーが飛出してしまう等の問題
を生じることになる。こうした問題は、半導体ウェハー
の大口径化が進むと共に一段と顕著に現われるものと考
えられる。
載置された半導体ウェハーの位置ズレが起きたり、ひど
いときには遠心力でウェハーが飛出してしまう等の問題
を生じることになる。こうした問題は、半導体ウェハー
の大口径化が進むと共に一段と顕著に現われるものと考
えられる。
そこで、本発明では半導体ウェハーに反りが生じたり、
またチャッキング装置のウェハー載置面に傷等が発生し
た場合にも、充分なバキューム吸引力で半導体ウェハー
を吸着固定できるようにすることを課題としてなされた
ものである。
またチャッキング装置のウェハー載置面に傷等が発生し
た場合にも、充分なバキューム吸引力で半導体ウェハー
を吸着固定できるようにすることを課題としてなされた
ものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明では、従来の装置と同様、ウェハー載置部表面に
放射状凹溝および同心円状凹溝を形成すると共に、これ
ら凹溝で囲まれた凸部表面に開口する真空吸引路をウェ
ハー載置部の内部に形成することとした。
放射状凹溝および同心円状凹溝を形成すると共に、これ
ら凹溝で囲まれた凸部表面に開口する真空吸引路をウェ
ハー載置部の内部に形成することとした。
即ち、本発明による半導体ウェハー用チャッキング装置
は、半導体ウェハーが載置される略円形の表面を有する
ウェハー載置部と、該ウェハー載置部の中央部裏側に一
体に枢着された回転軸と、該回転軸の内部に設けられて
前記ウェハー載置部の中央部表面に開口されている真空
吸引路と、該真空吸引路の開孔部から前記ウェハー載置
部の外周近傍に亙ってウェハー載置部表面に放射状に形
成された放射状凹溝と、前記ウェハー載置部表面の前記
真空吸引路開口部を中心として同心円状に複数形成され
た同心円状凹溝と、該同心状凹溝および前記放射状凹溝
で囲まれた凸部表面に開口し、且つ前記回転軸内の真空
吸引路に連通して前記ウェハー載置部内に形成された真
空吸引路とを具備したことを特徴とするものである。
は、半導体ウェハーが載置される略円形の表面を有する
ウェハー載置部と、該ウェハー載置部の中央部裏側に一
体に枢着された回転軸と、該回転軸の内部に設けられて
前記ウェハー載置部の中央部表面に開口されている真空
吸引路と、該真空吸引路の開孔部から前記ウェハー載置
部の外周近傍に亙ってウェハー載置部表面に放射状に形
成された放射状凹溝と、前記ウェハー載置部表面の前記
真空吸引路開口部を中心として同心円状に複数形成され
た同心円状凹溝と、該同心状凹溝および前記放射状凹溝
で囲まれた凸部表面に開口し、且つ前記回転軸内の真空
吸引路に連通して前記ウェハー載置部内に形成された真
空吸引路とを具備したことを特徴とするものである。
(作用)
上記の構成からなるチャッキング装置においては、ウェ
ハー載置部表面に形成された放射状凹溝および同心円状
凹溝を介しての従来と同じ吸着作用に加えて、これら凹
溝で囲まれた凸部表面に開口した真空吸引路による直接
の吸着作用が働く。
ハー載置部表面に形成された放射状凹溝および同心円状
凹溝を介しての従来と同じ吸着作用に加えて、これら凹
溝で囲まれた凸部表面に開口した真空吸引路による直接
の吸着作用が働く。
ウェハー載置部内に形成されてその表面凸部に開口した
吸引路による吸着作用は、半導体ウェハーの反りやウェ
ハー載置部外周の傷等があったとしても全部が一度に低
下することはなく、ウェハーに接触している凸部では充
分に作用する。従って、ウェハーの反り等で前記凹溝を
介しての吸引作用が全体的に著しく低下したとしても、
半導体ウェハーを充分に吸着することができる。
吸引路による吸着作用は、半導体ウェハーの反りやウェ
ハー載置部外周の傷等があったとしても全部が一度に低
下することはなく、ウェハーに接触している凸部では充
分に作用する。従って、ウェハーの反り等で前記凹溝を
介しての吸引作用が全体的に著しく低下したとしても、
半導体ウェハーを充分に吸着することができる。
(実施例)
第1図は本発明の一実浦例になる半導体ウェハー用チャ
ッキング装置の平面図であり、第2図は第1図■−■線
に沿う断面図である。これらの図において、第4図およ
び第5図と同じ部分には同一の参照番号を付しである。
ッキング装置の平面図であり、第2図は第1図■−■線
に沿う断面図である。これらの図において、第4図およ
び第5図と同じ部分には同一の参照番号を付しである。
即ち、1は回転軸、2はウェハー載置部、3は真空吸引
路、4・・・放射状凹溝、5・・・は同心円状凹溝であ
る。ここまでの構成については従来と殆ど同じである。
路、4・・・放射状凹溝、5・・・は同心円状凹溝であ
る。ここまでの構成については従来と殆ど同じである。
これらに加えて、この実施例ではウェハー載置部2の内
部に第二の真空吸引路6が設けられている。該第二の真
空吸引路6は前記回転軸1内の吸引路3に連通して形成
され、且つ前記凹溝4.5で囲まれた夫々の凸部表面に
開口して形成されている。
部に第二の真空吸引路6が設けられている。該第二の真
空吸引路6は前記回転軸1内の吸引路3に連通して形成
され、且つ前記凹溝4.5で囲まれた夫々の凸部表面に
開口して形成されている。
上記実施例になるチャラッキング装置は、第5図に示し
た態様で使用される。図示のように、チャッキング装置
には薬液等の飛散防止用に容器11が付設され、更に回
転軸1はエアシール12を介してモター13の駆動シャ
フト14に連結される。駆動シャフト14にも吸引路が
設けられ、エアシール12に連結されたバキューム管1
5からの吸引により真空引きが行なわれるようになって
いる。処理すべき半導体ウェハー10は、図示のように
チャッキング装置のウェハー載置部2上に載置される。
た態様で使用される。図示のように、チャッキング装置
には薬液等の飛散防止用に容器11が付設され、更に回
転軸1はエアシール12を介してモター13の駆動シャ
フト14に連結される。駆動シャフト14にも吸引路が
設けられ、エアシール12に連結されたバキューム管1
5からの吸引により真空引きが行なわれるようになって
いる。処理すべき半導体ウェハー10は、図示のように
チャッキング装置のウェハー載置部2上に載置される。
上記第3図の状態で真空引きすると、従来のチャッキン
グ装置と同様、吸引路3を介して凹溝4゜5内が全体に
減圧され、半導体ウェハー3はこの凹溝空間の陽圧で吸
着される。これに加えて、上記実施例ではウェハー載置
部表面の夫々の凸部に開口した真空吸引路6が独立に作
用し、その分だけ吸着効果を増大することができる。し
かも、この新たな吸引路6による作用は、半導体ウェハ
ー10の反り等で凹溝4.5の陽圧が破れた場合にも充
分に機能する。従って、凹溝5.6を介しての吸着が不
十分な状態でモータ13を駆動させ、チャッキング装置
を高速回転させたとしても、ウェハー10のセンターズ
レや飛出しを防止することができる。これは、半導体ウ
ェハーの大口径化が著しい今日、極めて大きな意義を有
するものである。
グ装置と同様、吸引路3を介して凹溝4゜5内が全体に
減圧され、半導体ウェハー3はこの凹溝空間の陽圧で吸
着される。これに加えて、上記実施例ではウェハー載置
部表面の夫々の凸部に開口した真空吸引路6が独立に作
用し、その分だけ吸着効果を増大することができる。し
かも、この新たな吸引路6による作用は、半導体ウェハ
ー10の反り等で凹溝4.5の陽圧が破れた場合にも充
分に機能する。従って、凹溝5.6を介しての吸着が不
十分な状態でモータ13を駆動させ、チャッキング装置
を高速回転させたとしても、ウェハー10のセンターズ
レや飛出しを防止することができる。これは、半導体ウ
ェハーの大口径化が著しい今日、極めて大きな意義を有
するものである。
以上詳述したように、本発明による半導体ウェハー用チ
ャッキング装置は、半導体ウェハーに反りが生じたり、
またチャッキング装置のウェハー載置面に傷等が発生し
た場合にも、充分なバキュウム吸引力で半導体ウェハー
を吸着固定できる等、顕著な効果を奏するものである。
ャッキング装置は、半導体ウェハーに反りが生じたり、
またチャッキング装置のウェハー載置面に傷等が発生し
た場合にも、充分なバキュウム吸引力で半導体ウェハー
を吸着固定できる等、顕著な効果を奏するものである。
第1図は本発明の一実施例になる半導体ウェハー用チャ
ッキング装置の平i?i′irIであり、第2図はその
■−■線に沿う断面図、第3図は第1図および第2図の
実施例になるチャッキング装置の使用態様を示す説明図
、第4図は従来の半導体ウェハー用チャッキング装置の
断面図であり、第5図はその平面図である。 1・・・回転軸、2・・・ウェハー載置部、3.6・・
・真空吸引路、4・・・放射状凹溝、5・・・同心円状
凹溝、10・・・半導体ウェハー、11・・・容器、1
2・・・エアシール、13・・・モータ、14・・・駆
動軸、15・・・バキューム管。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 1 図 第2図 第3図 s4図 jIS図
ッキング装置の平i?i′irIであり、第2図はその
■−■線に沿う断面図、第3図は第1図および第2図の
実施例になるチャッキング装置の使用態様を示す説明図
、第4図は従来の半導体ウェハー用チャッキング装置の
断面図であり、第5図はその平面図である。 1・・・回転軸、2・・・ウェハー載置部、3.6・・
・真空吸引路、4・・・放射状凹溝、5・・・同心円状
凹溝、10・・・半導体ウェハー、11・・・容器、1
2・・・エアシール、13・・・モータ、14・・・駆
動軸、15・・・バキューム管。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 1 図 第2図 第3図 s4図 jIS図
Claims (1)
- 半導体ウェハーが載置される略円形の表面を有するウェ
ハー載置部と、該ウェハー載置部の中央部裏側に一体に
枢着された回転軸と、該回転軸の内部に設けられて前記
ウェハー載置部の中央部表面に開口されている真空吸引
路と、該真空吸引路の開孔部から前記ウェハー載置部の
外周近傍に亙つてウェハー載置部表面に放射状に形成さ
れた放射状凹溝と、前記ウェハー載置部表面の前記真空
吸引路開口部を中心として同心円状に複数形成された同
心円状凹溝と、該同心状凹溝および前記放射状凹溝で囲
まれた凸部表面に開口し、且つ前記回転軸内の真空吸引
路に連通して前記ウェハー載置部内に形成された真空吸
引路とを具備したことを特徴とする半導体ウェハー用チ
ャッキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2931486A JPS62188236A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 半導体ウエハ−用チヤツキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2931486A JPS62188236A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 半導体ウエハ−用チヤツキング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188236A true JPS62188236A (ja) | 1987-08-17 |
Family
ID=12272756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2931486A Pending JPS62188236A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 半導体ウエハ−用チヤツキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62188236A (ja) |
-
1986
- 1986-02-13 JP JP2931486A patent/JPS62188236A/ja active Pending
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