JPS62190836A - 高融点金属シリサイドの形成方法 - Google Patents
高融点金属シリサイドの形成方法Info
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- JPS62190836A JPS62190836A JP3439686A JP3439686A JPS62190836A JP S62190836 A JPS62190836 A JP S62190836A JP 3439686 A JP3439686 A JP 3439686A JP 3439686 A JP3439686 A JP 3439686A JP S62190836 A JPS62190836 A JP S62190836A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分計〕
本発明は半導体装置の配線や電極として用いる高融点金
属シリサイドの形成方法に関する。
属シリサイドの形成方法に関する。
ＶＬＳ Ｉ等の半導体装置の配線や電極として用いる高
融点金員シリサイド膜を形成するには従来、高融点金属
とシリコンとを同時に蒸着した佐、高温のアニールを行
ってシリサイド形成を行う方法、又はシリコンの表面に
高融点金属を蒸着した後、アニールを行ってシリサイド
形成を行う方法（熱アニール法）等が行われている。
融点金員シリサイド膜を形成するには従来、高融点金属
とシリコンとを同時に蒸着した佐、高温のアニールを行
ってシリサイド形成を行う方法、又はシリコンの表面に
高融点金属を蒸着した後、アニールを行ってシリサイド
形成を行う方法（熱アニール法）等が行われている。
しかしながら、上記の方法で形成した高融点金属シリサ
イド膜は電気抵抗値がバルクの値に比して高く、表面の
平滑性や膜の均一性が悪い問題点がある。
イド膜は電気抵抗値がバルクの値に比して高く、表面の
平滑性や膜の均一性が悪い問題点がある。
本発明の目的は従来法で得られる高融点金属シリサイド
膜の示す高い電気抵抗値を減少せしめ、かつ表面の平滑
性や膜の均一性を改善した新規な高融点金属シリサイド
の形成方法を提供することにある。
膜の示す高い電気抵抗値を減少せしめ、かつ表面の平滑
性や膜の均一性を改善した新規な高融点金属シリサイド
の形成方法を提供することにある。
本発明は少なくとも表面にＳｉＩ＠を有する基板上に高
融点金１ｌＸｔｌ−堆槓し、さらにその高融点金属膜上
に炭素膜を形成した後、少なくとも前記Ｓｉ層を融解す
る条件の下でレーザー光線又は電子線等によって表面の
Ｓｉ及び高融点金属膜をアニールしてシリサイド化反応
を生じせしめることを特徴と丁る高融点金属シリサイド
の形成方法である。
融点金１ｌＸｔｌ−堆槓し、さらにその高融点金属膜上
に炭素膜を形成した後、少なくとも前記Ｓｉ層を融解す
る条件の下でレーザー光線又は電子線等によって表面の
Ｓｉ及び高融点金属膜をアニールしてシリサイド化反応
を生じせしめることを特徴と丁る高融点金属シリサイド
の形成方法である。
高融点金属シリサイド膜の電気抵抗を小さくするために
は、結晶粒径を大きくし、できつれば単結晶として膜形
成することで最も電気抵抗を小さくできると考えられる
。
は、結晶粒径を大きくし、できつれば単結晶として膜形
成することで最も電気抵抗を小さくできると考えられる
。
一般に、結晶粒径を大きくするには固相成長より液相成
長の力が有利である。しかし、ＶＬＳＩ等の半導体装置
の製造過程では下地の基板に微細な構造を有し、長時間
高温にすると微細な構造が破壊される。
長の力が有利である。しかし、ＶＬＳＩ等の半導体装置
の製造過程では下地の基板に微細な構造を有し、長時間
高温にすると微細な構造が破壊される。
本発明の方法ではレーザー光線や電子線等によって極め
て短時間の高温処理による結晶粒の液相成長を行うもの
で、下地の＠細な構造への影＃は小さく、かつ電気抵抗
値の小さな高融点金属シリサイド族が形成できる。
て短時間の高温処理による結晶粒の液相成長を行うもの
で、下地の＠細な構造への影＃は小さく、かつ電気抵抗
値の小さな高融点金属シリサイド族が形成できる。
また、単に５ｉＩＩｌｉ上へ高融点金属を堆積したのみ
でレーザー光線や電子線によって８１層を融解すれば、
その表面は極めて凹凸の激しいものになってしまう。
でレーザー光線や電子線によって８１層を融解すれば、
その表面は極めて凹凸の激しいものになってしまう。
本発明では高融点金属膜上に炭素膜を形成し、Ｓｉ／ｉ
ｆ融屏時に薄い高融点金属の炭素化物膜を均一に形成す
るとともに、形成した炭素化物膜によって表面が荒れる
のを防ぐもので、平滑性の良い高融点金属シリサイド膜
が得られる。
ｆ融屏時に薄い高融点金属の炭素化物膜を均一に形成す
るとともに、形成した炭素化物膜によって表面が荒れる
のを防ぐもので、平滑性の良い高融点金属シリサイド膜
が得られる。
以下に本発明の実施例を図を用いて説明する。
図は本発明によってＰ型Ｓｉ基板１上にＷＳｉ、膜５を
作成する工程を示す、第１図（α）において、通常の酸
洗浄及び希釈弗酸処理により清浄表面としたＰ型Ｓ五基
板１上に、Ｗｔスパッタして約ｘｏｏｏＡのＷ膜２を堆
積した後、炭素膜３を真空蒸着によって１ｏｏｏ大堆積
した０次に上記Ｓｉ基板ｌをシリサイド化反応開始温度
以下の約６００℃に加熱保持した状態で、ビーム短辺０
．３ｍ＋ビーム長辺５ｍの線状電子線アニール装置を用
いて、ビーム短辺方向の走査速［８０ｃｍ／ｓ 、ビー
ム！１１１１１．８５ｍＡ 、加速電圧１５ＫＶの条件
の下でアニールし、Ｓｉ＆板ｌのＷ膜２と接している界
面から深さ１μｍの５ｉｔ−融解することにより第１図
（ｂ）のように約１００ＯＡの炭素化物膜４及び約１５
００人のＷＳｉ、膜５を形成した。
作成する工程を示す、第１図（α）において、通常の酸
洗浄及び希釈弗酸処理により清浄表面としたＰ型Ｓ五基
板１上に、Ｗｔスパッタして約ｘｏｏｏＡのＷ膜２を堆
積した後、炭素膜３を真空蒸着によって１ｏｏｏ大堆積
した０次に上記Ｓｉ基板ｌをシリサイド化反応開始温度
以下の約６００℃に加熱保持した状態で、ビーム短辺０
．３ｍ＋ビーム長辺５ｍの線状電子線アニール装置を用
いて、ビーム短辺方向の走査速［８０ｃｍ／ｓ 、ビー
ム！１１１１１．８５ｍＡ 、加速電圧１５ＫＶの条件
の下でアニールし、Ｓｉ＆板ｌのＷ膜２と接している界
面から深さ１μｍの５ｉｔ−融解することにより第１図
（ｂ）のように約１００ＯＡの炭素化物膜４及び約１５
００人のＷＳｉ、膜５を形成した。
上記処理によって形成したｗｓｔｔ膜５は極めて平滑な
表面を有し、かつ２０〜３０μΩ・αの低抵抗な膜であ
った。この電気抵抗値は従来法による場合に比して約１
７２程度である。
表面を有し、かつ２０〜３０μΩ・αの低抵抗な膜であ
った。この電気抵抗値は従来法による場合に比して約１
７２程度である。
他の高融点金属シリサイドについても本発明の方法によ
って、従来法に比して低抵抗で平滑がり均一な高融点金
属シリサイド膜が形成できた。
って、従来法に比して低抵抗で平滑がり均一な高融点金
属シリサイド膜が形成できた。
本発明によれば、平滑で低抵抗な高融点金属シリサイド
膜を形成することができる。
膜を形成することができる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の方法によってＷＳ
ｉ２膜を形成する工程を工程順に示す１ｉｔ１面模式図
である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・Ｗ膜、３・・・炭
素膜、４・・・炭化物質、５・・・ｗＳｉ、膜特許出願
人 日本電気株式会社 （（Ｌ”） （ｂ） 第１図
ｉ２膜を形成する工程を工程順に示す１ｉｔ１面模式図
である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・Ｗ膜、３・・・炭
素膜、４・・・炭化物質、５・・・ｗＳｉ、膜特許出願
人 日本電気株式会社 （（Ｌ”） （ｂ） 第１図
Claims (1)
- （１）少なくとも表面にＳｉ層を有する基板上に高融点
金属を堆積し、さらにその高融点金属膜上に炭素膜を形
成した後、少なくともＳｉ層を融解する条件の下でレー
ザー光線又は電子線等によつて表面のＳｉ及び高融点金
属膜をアニールしてシリサイド化反応を生じせしめるこ
とを特徴とする高融点金属シリサイドの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3439686A JPS62190836A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 高融点金属シリサイドの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3439686A JPS62190836A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 高融点金属シリサイドの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190836A true JPS62190836A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12413022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3439686A Pending JPS62190836A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 高融点金属シリサイドの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190836A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007060837A1 (ja) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Success International Corporation | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP3439686A patent/JPS62190836A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007060837A1 (ja) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Success International Corporation | 半導体装置の製造方法 |
| JPWO2007060837A1 (ja) * | 2005-11-22 | 2009-05-07 | サクセスインターナショナル株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8067296B2 (en) | 2005-11-22 | 2011-11-29 | Success International Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
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