JPS62204514A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPS62204514A JPS62204514A JP4797986A JP4797986A JPS62204514A JP S62204514 A JPS62204514 A JP S62204514A JP 4797986 A JP4797986 A JP 4797986A JP 4797986 A JP4797986 A JP 4797986A JP S62204514 A JPS62204514 A JP S62204514A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
- capacitor
- solid
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 44
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 16
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 23
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N iso-quinoline Natural products C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 18
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- -1 Mn Q2 Chemical class 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 8
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 3
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XWSORTDXXONREX-UHFFFAOYSA-N 1-propyl-2h-quinoline Chemical class C1=CC=C2N(CCC)CC=CC2=C1 XWSORTDXXONREX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- BTUGGGLMQBJCBN-UHFFFAOYSA-N 1-iodo-2-methylpropane Chemical compound CC(C)CI BTUGGGLMQBJCBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACYHWHAJAANUCX-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yl-1h-isoquinoline Chemical class C1=CC=C2C=CN(C(C)C)CC2=C1 ACYHWHAJAANUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は７．７，８．８−テトラシアノキノジメタンの
錯塩（ＴＣＮＱ錯塩）を用いた有は半導体を固体電Ｗ？
質とする固体電解コンデンナに関する。
錯塩（ＴＣＮＱ錯塩）を用いた有は半導体を固体電Ｗ？
質とする固体電解コンデンナに関する。
（従来の技術）
一般に、電解コンデンリーはアルミニウム（Ａ［＞、タ
ンタル（Ｔａ ）のような弁金属を陽極とし、その表面
に形成した陽（ル酸化皮膜（以下酸化皮膜という）を誘
電体として用い、更にその酸化皮膜上に電解質層を介在
して陰極を対向前行した構造とされている。このような
電解コンデサンは、電解質として液体電解質（以下電解
液という）を用いたものと固体電解質を用いたｂのとに
大別され、何れも大容量化が可能であることから種々の
電子回路に使用されている。
ンタル（Ｔａ ）のような弁金属を陽極とし、その表面
に形成した陽（ル酸化皮膜（以下酸化皮膜という）を誘
電体として用い、更にその酸化皮膜上に電解質層を介在
して陰極を対向前行した構造とされている。このような
電解コンデサンは、電解質として液体電解質（以下電解
液という）を用いたものと固体電解質を用いたｂのとに
大別され、何れも大容量化が可能であることから種々の
電子回路に使用されている。
電解コンデンサを評価する上での重要な特性は、静電容
０、ｔａｎδ及び漏れ電流である。静電容量Ｃ，ｔａｎ
δは一般的に次式で表わされる。
０、ｔａｎδ及び漏れ電流である。静電容量Ｃ，ｔａｎ
δは一般的に次式で表わされる。
Ｃ＝Ｋｘ （Ｓ／ｄ ） ＝Ｋ −ｘ （Ｓ／Ｖ）−（
１）ｔａｎδ＝ωＣＲ＝ωＣ（Ｒｔ＋Ｒ２） −（２
）但し、Ｋ、に−は定数１、Ｓは電極面積、ｄは酸化皮
膜厚さ、■は酸化皮膜耐電圧、ωは角周波数、Ｒは等価
直列抵抗、Ｒ１は酸化皮膜に起因する抵抗、Ｒ２は電解
質及び電極等に起因する抵抗である。
１）ｔａｎδ＝ωＣＲ＝ωＣ（Ｒｔ＋Ｒ２） −（２
）但し、Ｋ、に−は定数１、Ｓは電極面積、ｄは酸化皮
膜厚さ、■は酸化皮膜耐電圧、ωは角周波数、Ｒは等価
直列抵抗、Ｒ１は酸化皮膜に起因する抵抗、Ｒ２は電解
質及び電極等に起因する抵抗である。
上記の（１）式で明らかなように、小型で大容量の電解
コンデンサを実現するには、電極面積Ｓを大ぎくし、酸
化皮膜耐電圧■をできる限りコンデンサの定格電圧に近
づけることが必要である。
コンデンサを実現するには、電極面積Ｓを大ぎくし、酸
化皮膜耐電圧■をできる限りコンデンサの定格電圧に近
づけることが必要である。
電極面積Ｓについては、これを大ぎくするために陽極体
の表面は微細な凹凸を右する構造に設計されるのが一般
的である。また、コンデンサの損失分であるｔａｎδに
ついては、これを低下させるために、上記（２）式に示
７１等価直列抵抗Ｒを小さくすることが必要である。等
価直列抵抗Ｒの内、酸化皮膜に起因する抵抗Ｒ１は酸化
皮膜自体の性質及び形成条件に依存するものであり、こ
れを低Ｆさせることは簡単ではない。ざらに、高周波領
域における等価直列抵抗Ｒは電解質等に起因する抵抗Ｒ
２によって支配されるため、この抵抗Ｒ２を小さくする
ことができれば広い周波数領域にわたるｔａｎδの低下
が可能となる。抵抗Ｒ２は電解質の電導度に依存してい
る。
の表面は微細な凹凸を右する構造に設計されるのが一般
的である。また、コンデンサの損失分であるｔａｎδに
ついては、これを低下させるために、上記（２）式に示
７１等価直列抵抗Ｒを小さくすることが必要である。等
価直列抵抗Ｒの内、酸化皮膜に起因する抵抗Ｒ１は酸化
皮膜自体の性質及び形成条件に依存するものであり、こ
れを低Ｆさせることは簡単ではない。ざらに、高周波領
域における等価直列抵抗Ｒは電解質等に起因する抵抗Ｒ
２によって支配されるため、この抵抗Ｒ２を小さくする
ことができれば広い周波数領域にわたるｔａｎδの低下
が可能となる。抵抗Ｒ２は電解質の電導度に依存してい
る。
ところで、高周波領域においてもコンデンサ特性の優れ
たコンデンサとしてプラスチックフィルムコンデンサ、
マイカコンデンサ、積層セラミックコンデンυ等が知ら
れている。しかし、これらのコンデンサでも容ω値を大
きくしようとするなら、コンデンサの外形寸法は非常に
大きくなり、コスト的にも不利となる。
たコンデンサとしてプラスチックフィルムコンデンサ、
マイカコンデンサ、積層セラミックコンデンυ等が知ら
れている。しかし、これらのコンデンサでも容ω値を大
きくしようとするなら、コンデンサの外形寸法は非常に
大きくなり、コスト的にも不利となる。
一方、大音量を１！′７られるコンデンサとして弁作用
を有する金属、例えば△１．Ｔａ等の金属酸化皮膜上に
、二酸化マンガン（Ｍｎ ０２ ）などの無機半導体を
固体電解質としたものがある。
を有する金属、例えば△１．Ｔａ等の金属酸化皮膜上に
、二酸化マンガン（Ｍｎ ０２ ）などの無機半導体を
固体電解質としたものがある。
ところが、Ｍｎ Ｑ２などの金属酸化物からなる無機半
導体を形成する場合、硝酸マンガンを熱分解しているた
めその熱分解反応時に発生ずる酸化性の強い酸化物（Ｎ
Ｏｘ ）などのガ、スや熱分解時の高温によって皮膜形
成性金属の陽極酸化皮膜が４Ｑ傷を受けることと、Ｍｎ
０２の比抵抗が高いことなどから高周波領域の損失が
大きくなる。また、Ｍｎ ０２による陽極酸化皮膜の修
復性が乏しいことなどによって、漏れ電流が増大し、耐
電圧が低下げる等の欠点があった。
導体を形成する場合、硝酸マンガンを熱分解しているた
めその熱分解反応時に発生ずる酸化性の強い酸化物（Ｎ
Ｏｘ ）などのガ、スや熱分解時の高温によって皮膜形
成性金属の陽極酸化皮膜が４Ｑ傷を受けることと、Ｍｎ
０２の比抵抗が高いことなどから高周波領域の損失が
大きくなる。また、Ｍｎ ０２による陽極酸化皮膜の修
復性が乏しいことなどによって、漏れ電流が増大し、耐
電圧が低下げる等の欠点があった。
そこで、近年、Ｍｎ ０２などのような無機半導体に代
わってＴＣＮＱと称される７、７．８．８−テ１〜ラシ
アノキノジメタンの錯塩等を用いた有機半導体を固体電
解質とする固体電解コンデンサーが種々提案されている
。このような有義半導体は１０〜１００ｃｍの低抵抗を
示し、さらに酸化皮膜に対する陽極酸化性をも有してい
るが、通常、微粉末状の微細結晶であるため、これを如
何にして固体電解質層として形成するかが問題であった
。
わってＴＣＮＱと称される７、７．８．８−テ１〜ラシ
アノキノジメタンの錯塩等を用いた有機半導体を固体電
解質とする固体電解コンデンサーが種々提案されている
。このような有義半導体は１０〜１００ｃｍの低抵抗を
示し、さらに酸化皮膜に対する陽極酸化性をも有してい
るが、通常、微粉末状の微細結晶であるため、これを如
何にして固体電解質層として形成するかが問題であった
。
この問題点を解決する手段として、特開昭５７−１７３
９３２号、特開昭５８−１７５８１９＠、特開昭５９−
６３６０４号公報等にＴＣＮＱ錯塩の溶融成形法が提案
されている。この方法は、ＴＣＮＱ錯塩を加熱融解させ
、これが熱分解するまでの間に冷却固化させることによ
り任意形状のＴＣＮＱ錯塩からなる固体電解質を得よう
とするもので、多孔質の金属酸化皮膜」−へのイ」着力
も強く、かつ含浸率も高いというものである。
９３２号、特開昭５８−１７５８１９＠、特開昭５９−
６３６０４号公報等にＴＣＮＱ錯塩の溶融成形法が提案
されている。この方法は、ＴＣＮＱ錯塩を加熱融解させ
、これが熱分解するまでの間に冷却固化させることによ
り任意形状のＴＣＮＱ錯塩からなる固体電解質を得よう
とするもので、多孔質の金属酸化皮膜」−へのイ」着力
も強く、かつ含浸率も高いというものである。
しかしながら、従来使用されているＴ ＣＮ Ｑ 錯塩
即ちＮ−イソプロピルイソキノリンやＮ−ｎ−プロピル
キノリンのＴＣＮＱ錯塩は２００℃以上の高温における
熱安定性に乏しいため多孔質のＡＪ、Ｔａなどへの含浸
が十分に行なわれない。したがって、十分な静電容量を
得られないばかりか高周波領域に対しても１Ω失の小さ
い固体電解コンデンサを得ることが難かしいという不具
合点があった。
即ちＮ−イソプロピルイソキノリンやＮ−ｎ−プロピル
キノリンのＴＣＮＱ錯塩は２００℃以上の高温における
熱安定性に乏しいため多孔質のＡＪ、Ｔａなどへの含浸
が十分に行なわれない。したがって、十分な静電容量を
得られないばかりか高周波領域に対しても１Ω失の小さ
い固体電解コンデンサを得ることが難かしいという不具
合点があった。
（発明が解決しようとする問題点）
上記の如く、従来のＴＣＮＱ錯塩の固体電解質を用いた
固体電解コンデンサでは、高温においで熱安定性に乏し
いため静電容量や高周波旧失について十分な特性を示す
コンデンサを得ることができなかった。
固体電解コンデンサでは、高温においで熱安定性に乏し
いため静電容量や高周波旧失について十分な特性を示す
コンデンサを得ることができなかった。
そこで、本発明は上記の問題を除去するために成された
もので、十分大きい静電容ヱ値が１′７られると共に高
周波領域に対して損失の低い固体電解コンデンサを提供
することを目的とする。
もので、十分大きい静電容ヱ値が１′７られると共に高
周波領域に対して損失の低い固体電解コンデンサを提供
することを目的とする。
（問題点を解決するための手段と作用）本発明の固体電
解コンデンサは、Ｎ位をイソブチル基で置換したＮ−イ
ソブチルイソキノリンをカチオンとし、７．７．８．８
−テトラシアノキノジメタンアニオンラジカルと７．７
．８．８−テトラシアノキノジメタンとからなる錯塩を
固体電解質としたものであり、この固体型＠質は十分な
熱安定性を右すると其に高周波領域に対する損失も小ざ
い。
解コンデンサは、Ｎ位をイソブチル基で置換したＮ−イ
ソブチルイソキノリンをカチオンとし、７．７．８．８
−テトラシアノキノジメタンアニオンラジカルと７．７
．８．８−テトラシアノキノジメタンとからなる錯塩を
固体電解質としたものであり、この固体型＠質は十分な
熱安定性を右すると其に高周波領域に対する損失も小ざ
い。
（実施例）
以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
図は本発明に係る固体電解コンデン勺の構造を示す断面
図で、コンデンサ素子の一部を破断して示しである。こ
の図に４３いて、コンデンサ素子１は、エツチング処理
したアルミニウム的の表面に酸化皮膜を形成した陽極箔
２とエツチング処理された陰極箔３との間に、セパレー
タ４を重ねて巻回した構造となっており、陽極箔２及び
陰極箔３には内部リード部５．６が接続され、これら内
部リード部５．６には夫々引出しり一部７．８が接続さ
れている。このようなコンデンサ素子１では、電極芯の
端部や内部リード部には酸化皮膜が形成されていないた
め、コンデンサ素子１を公知の電解液を用いて素子の状
態で陽極酸化処理を行ない、酸化皮膜を形成後乾燥させ
る。そして、このコンデンサ素子１をＴＣＮＱ錯塩を溶
融状態に収納した外装クース（例えばアルミニウムケー
ス）９内に浸漬し、その後冷却固化させて固体電解質層
１０を形成する。この状態でエージングを行なった後、
ケース開口部を樹脂等の封口体１１で宗封して固体電解
コンデンサとする。
図で、コンデンサ素子の一部を破断して示しである。こ
の図に４３いて、コンデンサ素子１は、エツチング処理
したアルミニウム的の表面に酸化皮膜を形成した陽極箔
２とエツチング処理された陰極箔３との間に、セパレー
タ４を重ねて巻回した構造となっており、陽極箔２及び
陰極箔３には内部リード部５．６が接続され、これら内
部リード部５．６には夫々引出しり一部７．８が接続さ
れている。このようなコンデンサ素子１では、電極芯の
端部や内部リード部には酸化皮膜が形成されていないた
め、コンデンサ素子１を公知の電解液を用いて素子の状
態で陽極酸化処理を行ない、酸化皮膜を形成後乾燥させ
る。そして、このコンデンサ素子１をＴＣＮＱ錯塩を溶
融状態に収納した外装クース（例えばアルミニウムケー
ス）９内に浸漬し、その後冷却固化させて固体電解質層
１０を形成する。この状態でエージングを行なった後、
ケース開口部を樹脂等の封口体１１で宗封して固体電解
コンデンサとする。
上記の工程において、固体電解質層を構成するＴ ＣＮ
Ｑ 錯塩は次のようにして合成される。
Ｑ 錯塩は次のようにして合成される。
１モルのヨウ化イソブチルと１モルのイソキノリンを無
溶媒又は適当な右橢溶媒中で混合し、溶媒の沸点〜１２
０℃の温度で１５分〜１０時間反応させた後に、冷却し
、反応液の処理後に適当な溶媒で再結晶して１モルのヨ
ウ化Ｎ−イソプチルイソギノリンを得た。さらに、アセ
トニトリルにＴＣＮＱ約１．３モルを加温溶解し、これ
に上記のヨウ化Ｎ−イソブチルイソキノリン１モルを溶
解したアセトニトリル溶液を滴下し、１時間還流を行な
った。冷却後、析出した結晶を濾取し、アセトニトリル
より再結晶してＮ−イソブチルイソキノリンのＴＣＮＱ
錯塩を得た。
溶媒又は適当な右橢溶媒中で混合し、溶媒の沸点〜１２
０℃の温度で１５分〜１０時間反応させた後に、冷却し
、反応液の処理後に適当な溶媒で再結晶して１モルのヨ
ウ化Ｎ−イソプチルイソギノリンを得た。さらに、アセ
トニトリルにＴＣＮＱ約１．３モルを加温溶解し、これ
に上記のヨウ化Ｎ−イソブチルイソキノリン１モルを溶
解したアセトニトリル溶液を滴下し、１時間還流を行な
った。冷却後、析出した結晶を濾取し、アセトニトリル
より再結晶してＮ−イソブチルイソキノリンのＴＣＮＱ
錯塩を得た。
次に、上記のＮ−イソブチルイソキノリンのＴＣＮＱ錯
塩を固体電解質として用いてアルミニウム電解コンデン
サを製造する場合の実施例を説明する。
塩を固体電解質として用いてアルミニウム電解コンデン
サを製造する場合の実施例を説明する。
まず、第１の実施例について説明する。
即ち、直径４ｍのアルミニウムケースに、Ｎ−イソブチ
ルイソキノリンのＴＣＮＱＩ塩（微粉末のＴ ＣＮ Ｑ
錯塩若しくはベレット状のＴＣＮＱ錯塩）２５＃１９
を適度の加圧下で収納し、約２６０℃で加熱溶融させ、
直らにこの溶融しているＴＣＮＱ１！塩中に予め加熱し
であるコンデンサ素子を浸漬させ、浸漬後約１０秒で冷
却固化させて陽陰極箔間に固体電解質層を形成した。続
いて、固体電解質層が形成されたコンデンサ素子に公知
の方法によりエージングを行なう。このエージングによ
って、陽極酸化皮膜の往復及び漏れ電流の低減と安定化
が図られる。最後に、アルミニウムケースの間口部をエ
ポキシ樹脂等で封口し、定格電圧１６Ｖ、定格静電容量
１μＦの固体電解コンデンサを作製した。この固体電解
コンデンサについて、静電容ｆｆｉ （ＣＡＰ） 、
ｔａｎδ、 漏ｔＬ？ｕ流（ＬＣ）。
ルイソキノリンのＴＣＮＱＩ塩（微粉末のＴ ＣＮ Ｑ
錯塩若しくはベレット状のＴＣＮＱ錯塩）２５＃１９
を適度の加圧下で収納し、約２６０℃で加熱溶融させ、
直らにこの溶融しているＴＣＮＱ１！塩中に予め加熱し
であるコンデンサ素子を浸漬させ、浸漬後約１０秒で冷
却固化させて陽陰極箔間に固体電解質層を形成した。続
いて、固体電解質層が形成されたコンデンサ素子に公知
の方法によりエージングを行なう。このエージングによ
って、陽極酸化皮膜の往復及び漏れ電流の低減と安定化
が図られる。最後に、アルミニウムケースの間口部をエ
ポキシ樹脂等で封口し、定格電圧１６Ｖ、定格静電容量
１μＦの固体電解コンデンサを作製した。この固体電解
コンデンサについて、静電容ｆｆｉ （ＣＡＰ） 、
ｔａｎδ、 漏ｔＬ？ｕ流（ＬＣ）。
等価直列抵抗（Ｅ Ｓ Ｒ）を１２０Ｈｚと１０ＫＨ２
について測定した結果は第１表のようになる。
について測定した結果は第１表のようになる。
また、従来例と比較するため、同様の条件で、Ｎ−イソ
プロピルインキノリンやＮ−ｎ−プロピルキノリンのＴ
ＣＮＱ錯塩を固体電解質層とした固体電解コンデンサを
作製し、その特性を第１表に示した。
プロピルインキノリンやＮ−ｎ−プロピルキノリンのＴ
ＣＮＱ錯塩を固体電解質層とした固体電解コンデンサを
作製し、その特性を第１表に示した。
以下余白
なお、上表のコンデンサ特性は温度２０℃における初期
特性を示しており、ＬＣ（μＡ）は１６Ｖ印加１分後の
漏れ電流である。
特性を示しており、ＬＣ（μＡ）は１６Ｖ印加１分後の
漏れ電流である。
次に、第２の実施例について説明する。
即ち、直径６．３ｍｍのアルミニウムケースに、Ｎ−イ
ソブチルイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩１００ ｍｙを用
いて上記第１の実施例と同様の方法でコンデンサ素子に
含浸させ、定格電圧６．３Ｖ、定格静電容ｆｆ１４７μ
Ｆの固体電解コンデンサを作製した。この固体電解コン
デンナの特性を第２表に示す。また、従来例として、Ｎ
−イソプロピルイソキノリンやＮ−ｎ−プロピルキノリ
ンのＴＣＮＱ錯塩を用いて同様の条件で固体電解質層を
形成させた場合の特性を第２表に示した。
ソブチルイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩１００ ｍｙを用
いて上記第１の実施例と同様の方法でコンデンサ素子に
含浸させ、定格電圧６．３Ｖ、定格静電容ｆｆ１４７μ
Ｆの固体電解コンデンサを作製した。この固体電解コン
デンナの特性を第２表に示す。また、従来例として、Ｎ
−イソプロピルイソキノリンやＮ−ｎ−プロピルキノリ
ンのＴＣＮＱ錯塩を用いて同様の条件で固体電解質層を
形成させた場合の特性を第２表に示した。
以下余白
なお、上表のコンデンサ特性も温度２０℃における初期
特性を示しており、ＬＣ（μＡ）は６゜３■印加１分後
の漏れ電流である。
特性を示しており、ＬＣ（μＡ）は６゜３■印加１分後
の漏れ電流である。
尚、上記実施例では、コンデンサ素子として電極箔を用
いた巻回構造のものを使用した場合について説明してい
るが、焼結体を用いた構造のものであってもよく、また
陽極体としてはアルミニウムに限らず、タンクルやチタ
ン等の弁金属を使用づることも可能であり、陰極体とし
ては上記弁金属以外の他の金属を使用Ｊ゛ることも可能
である。
いた巻回構造のものを使用した場合について説明してい
るが、焼結体を用いた構造のものであってもよく、また
陽極体としてはアルミニウムに限らず、タンクルやチタ
ン等の弁金属を使用づることも可能であり、陰極体とし
ては上記弁金属以外の他の金属を使用Ｊ゛ることも可能
である。
また、陽陰極体聞に固体電解質層を形成する方法は電解
質溶融成形法によりコンデンサ素子に電解質を引する方
法以外に、その形成方法は陽極体に電解質溶液を塗布す
ることにより行なってもよい。
質溶融成形法によりコンデンサ素子に電解質を引する方
法以外に、その形成方法は陽極体に電解質溶液を塗布す
ることにより行なってもよい。
（発明の効果）
以上ｊ１べたように本発明の構成にＪ、れば、Ｎ−イソ
ブチルイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩を使用づることによ
り、静電容量値が高くかつ高周波領域に６３ける１（１
失の少ない固体電解コンデンサ°を提供することができ
る。
ブチルイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩を使用づることによ
り、静電容量値が高くかつ高周波領域に６３ける１（１
失の少ない固体電解コンデンサ°を提供することができ
る。
図は本発明に係る固体電解コンデンサの内部構造をコン
デンサ素子の一部を破断した状態で示す断面図である。 １・・・コンデンサ素子、２・・・陽極箔、３・・・陰
極箔、 ４・・・セパレータ、１０・・・固体
電解質層。
デンサ素子の一部を破断した状態で示す断面図である。 １・・・コンデンサ素子、２・・・陽極箔、３・・・陰
極箔、 ４・・・セパレータ、１０・・・固体
電解質層。
Claims (1)
- Ｎ位をイソブチル基で置換したイソキノリンをカチオ
ンとし７，７，８，８−テトラシアノキノジメタンアニ
オンラジカルと７，７，８，８−テトラシアノキノジメ
タンからなる錯塩を用いたことを特徴とする固体電解コ
ンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4797986A JPS62204514A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4797986A JPS62204514A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204514A true JPS62204514A (ja) | 1987-09-09 |
Family
ID=12790429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4797986A Pending JPS62204514A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62204514A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4916855A (ja) * | 1972-06-13 | 1974-02-14 | ||
| JPS5963604A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-11 | 三洋電機株式会社 | 有機半導体物質の処理方法 |
| JPS62152118A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-07 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサ |
-
1986
- 1986-03-04 JP JP4797986A patent/JPS62204514A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4916855A (ja) * | 1972-06-13 | 1974-02-14 | ||
| JPS5963604A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-11 | 三洋電機株式会社 | 有機半導体物質の処理方法 |
| JPS62152118A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-07 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920009178B1 (ko) | 유기반도체 전해질 콘덴서 및 그의 제조방법 | |
| JPS62204514A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| US4828738A (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| JPH0337854B2 (ja) | ||
| JPH0374028B2 (ja) | ||
| JPS61107716A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS6151910A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0550125B2 (ja) | ||
| JPH0666237B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS6065520A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS6151909A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0374029B2 (ja) | ||
| JPH0260047B2 (ja) | ||
| JPH0410729B2 (ja) | ||
| JPS6151906A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS62139312A (ja) | 固体電解コンデンサの製法 | |
| JPH02239609A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS6151908A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS617618A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPS593916A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS61163627A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0552659B2 (ja) | ||
| JPH026209B2 (ja) | ||
| JPS60171717A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPS62119913A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 |