JPS6151909A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPS6151909A JPS6151909A JP17435584A JP17435584A JPS6151909A JP S6151909 A JPS6151909 A JP S6151909A JP 17435584 A JP17435584 A JP 17435584A JP 17435584 A JP17435584 A JP 17435584A JP S6151909 A JPS6151909 A JP S6151909A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fuel Cell (AREA)
- Primary Cells (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
この発明は、固体電解コンデンサに係るもので、特にを
搬物半導体からなる固体電解質の改良に関するものであ
る。
搬物半導体からなる固体電解質の改良に関するものであ
る。
固体電解コンデンサは、アルミニウム、クンタル等の被
膜形成性金属を陽極に用い、この陽極を波面化するため
に箔状の陽極体の表面をエツチング処理あるいは、前記
金属の粉、末物を焼結して多孔質化させ、この表面に誘
電体となる酸化被膜層を陽極酸化処理等の手段により形
成し、さらにこの上面に固体電解質層を形成し、さらに
この固体電解質層から陰極引出しのための電気的接続手
段を具備して構成されている。
膜形成性金属を陽極に用い、この陽極を波面化するため
に箔状の陽極体の表面をエツチング処理あるいは、前記
金属の粉、末物を焼結して多孔質化させ、この表面に誘
電体となる酸化被膜層を陽極酸化処理等の手段により形
成し、さらにこの上面に固体電解質層を形成し、さらに
この固体電解質層から陰極引出しのための電気的接続手
段を具備して構成されている。
この固体電解質層には、従来は二酸化マンガンが用いら
れていた。この二酸化マンガンをFi N体酸化被膜層
の上に形成する手段としては、液状の61′j酸マンガ
ン中に陽極電極を含浸し、その後300°C前後の温度
でIl+)’i酸マンガンを熱分解して二酸化マンガン
に変性させていた。
れていた。この二酸化マンガンをFi N体酸化被膜層
の上に形成する手段としては、液状の61′j酸マンガ
ン中に陽極電極を含浸し、その後300°C前後の温度
でIl+)’i酸マンガンを熱分解して二酸化マンガン
に変性させていた。
しかし、この方法の電解質形成は、一度の工程での二酸
化マンガンの付着は僅かであるため、同じ処理を数置な
いし士装置繰り返す必要があった。
化マンガンの付着は僅かであるため、同じ処理を数置な
いし士装置繰り返す必要があった。
このため、製造工程が極めて複雑になるとともに、勢分
解時の高温や発生ガスにより、誘電体酸化被膜を劣化さ
せてしまう欠点があった。
解時の高温や発生ガスにより、誘電体酸化被膜を劣化さ
せてしまう欠点があった。
そこで最近は、この二酸化マンガンに代えて、導電性の
有機物を電解質として用いることが提案されている。
有機物を電解質として用いることが提案されている。
この有機物電解質として、知られているのがテトラシア
ノキノジメタン(以下TCNQという)の各種錯塩を用
いたものである。
ノキノジメタン(以下TCNQという)の各種錯塩を用
いたものである。
TCNQ錯塩は、有機物でありながら適度の電導度を持
ち、固体電解コンデンサの電解質層に好適なものとして
、その使用が試みられている。
ち、固体電解コンデンサの電解質層に好適なものとして
、その使用が試みられている。
TCNQ錯塩は、常温で固形物であるので〜これを電解
質として、誘電体酸化被膜上にいかに付着させるかが課
題となる。
質として、誘電体酸化被膜上にいかに付着させるかが課
題となる。
例えば、従来から提案されているものとして、(米国特
許第3214648号)などにみられるように、有機溶
媒中にTCNQ錯塩を溶解し、この溶液中に陽極体を含
浸し、その後溶液から引き上げ、有機溶媒を蒸発させて
陽極体の表面にTCNQ錯塩層全塩層することが知られ
ている。しかしこの方法では、溶媒中のTCNQ錯塩の
濃度が低いことから、一度の含浸では十分なTCNQt
V塩を付着させることができず、二酸化マンガン層の形
成と同様にこの工程を数置ないし士装置繰り返す必要が
あり、製造工程の複雑さは回避できなかった。
許第3214648号)などにみられるように、有機溶
媒中にTCNQ錯塩を溶解し、この溶液中に陽極体を含
浸し、その後溶液から引き上げ、有機溶媒を蒸発させて
陽極体の表面にTCNQ錯塩層全塩層することが知られ
ている。しかしこの方法では、溶媒中のTCNQ錯塩の
濃度が低いことから、一度の含浸では十分なTCNQt
V塩を付着させることができず、二酸化マンガン層の形
成と同様にこの工程を数置ないし士装置繰り返す必要が
あり、製造工程の複雑さは回避できなかった。
また、(特公昭51−32303号)のように、高分子
物質と、TCNQ錯塩の微粉末とからなる分散体を電極
表面に付着させる方法も提案されている。
物質と、TCNQ錯塩の微粉末とからなる分散体を電極
表面に付着させる方法も提案されている。
しかしこれらの方法では、溶媒の蒸発後TCNQ鉗塩が
錯塩化したり、あるいはTCNQ諸塩が結晶状態のまま
分散しているので、波面化処理された複雑な凹凸を持つ
陽極体表面の誘電体酸化被膜との間に十分な接触が得ら
れず、所望の静電容量をえることができない欠点があっ
た。
錯塩化したり、あるいはTCNQ諸塩が結晶状態のまま
分散しているので、波面化処理された複雑な凹凸を持つ
陽極体表面の誘電体酸化被膜との間に十分な接触が得ら
れず、所望の静電容量をえることができない欠点があっ
た。
最近では(特開昭57−173928号)のごとく、T
CNQ錯塩のみをその融点以上に加熱融解し、ここに陽
極体を含浸し、その後引き上げて冷却し、TCNQ錯塩
を付着させた固体電解コンデンサが提案されている。
CNQ錯塩のみをその融点以上に加熱融解し、ここに陽
極体を含浸し、その後引き上げて冷却し、TCNQ錯塩
を付着させた固体電解コンデンサが提案されている。
この方法で作成された固体電解コンデンサは、濃度の高
いTCNQ錯塩自体を陽極体に付着させるので、一度の
含浸作業で十分なT CN Q tM塩層を形成するこ
とができる。
いTCNQ錯塩自体を陽極体に付着させるので、一度の
含浸作業で十分なT CN Q tM塩層を形成するこ
とができる。
しかし、この方法による固体電解質層は、前述したよう
に、TCNQ錯塩が結晶化しており、誘電体酸化被膜層
との十分な接触がとれず所望の静電容量を得ることがで
きない。
に、TCNQ錯塩が結晶化しており、誘電体酸化被膜層
との十分な接触がとれず所望の静電容量を得ることがで
きない。
しかも、TCNQ錯塩自体、加熱に極めて弱く、?8融
状態を維持すると短時間で熱分解を起こし、絶縁体と化
してしまう。またTCNQ錯塩の中には融点に達しない
温度から熱分解を起こし、実質的にこの方法による固体
電解質層の形成できないものもある。例えばイソプロピ
ル−イソキノリニウムTCNQ錯塩は、加熱融解による
含浸が可能であるが、溶融状態を維持できる時間は極め
て僅かである。また、メチルイソキノリニウムTCNQ
錯塩、4,4′−ジメチルビピリジニウムTCNQ錯塩
、4,4′−イソプロピルビピリジニウムTCNQ錯塩
などは融解前の加熱段階から熱分解を起こし、融解によ
る電解質含浸は実質的に不可能である。
状態を維持すると短時間で熱分解を起こし、絶縁体と化
してしまう。またTCNQ錯塩の中には融点に達しない
温度から熱分解を起こし、実質的にこの方法による固体
電解質層の形成できないものもある。例えばイソプロピ
ル−イソキノリニウムTCNQ錯塩は、加熱融解による
含浸が可能であるが、溶融状態を維持できる時間は極め
て僅かである。また、メチルイソキノリニウムTCNQ
錯塩、4,4′−ジメチルビピリジニウムTCNQ錯塩
、4,4′−イソプロピルビピリジニウムTCNQ錯塩
などは融解前の加熱段階から熱分解を起こし、融解によ
る電解質含浸は実質的に不可能である。
この発明は、このような従来の欠点を改良したもので、
従来溶融含浸不能なTCNQ錯塩あるいば溶融含浸可能
であっても極めて僅かな時間のうちに含浸作業を終わら
せなければならないTCNQ錯塩を固体電解質として、
陽極体表面に形成させるとともに、TCNQ錯塩の含浸
後の結晶化による誘電体酸化液l模との接触の不充分さ
を改善し、含浸効率の高い、優れた特性を存する固体電
解コンデンサを得ることを目的としたものである。
従来溶融含浸不能なTCNQ錯塩あるいば溶融含浸可能
であっても極めて僅かな時間のうちに含浸作業を終わら
せなければならないTCNQ錯塩を固体電解質として、
陽極体表面に形成させるとともに、TCNQ錯塩の含浸
後の結晶化による誘電体酸化液l模との接触の不充分さ
を改善し、含浸効率の高い、優れた特性を存する固体電
解コンデンサを得ることを目的としたものである。
この発明は、陽極金属表面に誘電体酸化被膜を形成し、
さらにこの上面に固体電解質層が形成された固体電解コ
ンデンサにおいて、前記固体電解質層が、イソプロピル
−イソキノリニウム、メチルイソキノリニラlい 4.
4′−ジメチルビビリジニウム、4,4′−イソプロピ
ルビピリジニウムの群から選ばれた、いずれか一種もし
くは二種以上とTCNQとからなる錯塩に、1,3−ジ
メチル−2−イミダゾリジノンを添加した混合物を融解
固化させて形成されたものであることを特徴とする固体
電解コンデンサである。
さらにこの上面に固体電解質層が形成された固体電解コ
ンデンサにおいて、前記固体電解質層が、イソプロピル
−イソキノリニウム、メチルイソキノリニラlい 4.
4′−ジメチルビビリジニウム、4,4′−イソプロピ
ルビピリジニウムの群から選ばれた、いずれか一種もし
くは二種以上とTCNQとからなる錯塩に、1,3−ジ
メチル−2−イミダゾリジノンを添加した混合物を融解
固化させて形成されたものであることを特徴とする固体
電解コンデンサである。
以下この発明を実施例に基づき詳細に説明する。
まず、この発明による固体電解コンデンサを、その製造
手順の一例にそって説明する。
手順の一例にそって説明する。
第1図は、この実施例により作られた完成状態の固体電
解コンデンサをあられした断面図であり、第2図はこの
実施例で用いた陽極体、すなわちコンデンサ素子をあら
れしている。
解コンデンサをあられした断面図であり、第2図はこの
実施例で用いた陽極体、すなわちコンデンサ素子をあら
れしている。
第2図のコンデンサ素子1は、帯状の電極体を巻回して
形成されており、陽極2は、高純度のアルミニウム箔か
らなっている。この陽極2には、表面に誘電体酸化被膜
が陽極酸化処理により、形成されている。
形成されており、陽極2は、高純度のアルミニウム箔か
らなっている。この陽極2には、表面に誘電体酸化被膜
が陽極酸化処理により、形成されている。
そして、この帯状の陽極2は、はぼ同じ大きさの集電極
3を対抗配置し、陽極2と集電極3との間には、これら
電極2.3より僅かに幅の広いセパレータ紙4を挟み込
んだものを、−万端から巻回して円筒状のコンデンサ素
子1としている。なお陽極2.1!電極3の各々には、
外部との電気的接続を得るためのタブ5.6が熔接等の
手段により接続され、一方の端面から並行して突出して
いる。そしてさらにこれらのタブの先端には、外部リー
ド7.8が熔接により接続されている。
3を対抗配置し、陽極2と集電極3との間には、これら
電極2.3より僅かに幅の広いセパレータ紙4を挟み込
んだものを、−万端から巻回して円筒状のコンデンサ素
子1としている。なお陽極2.1!電極3の各々には、
外部との電気的接続を得るためのタブ5.6が熔接等の
手段により接続され、一方の端面から並行して突出して
いる。そしてさらにこれらのタブの先端には、外部リー
ド7.8が熔接により接続されている。
第3図は、前記コンデンサ素子1に固体電解質層を含浸
させる一例を示したもので、図の左側には予備加熱ブロ
ック10が置かれている。この子6iN加熱ブロンク1
0は、内部に加熱用のヒーターが埋設され、上面に凹部
11が設けられており、コンデンサ素子1を凹部11内
に載置してコンデンサ素子1を予め加熱し、高温状態を
維持させておく。
させる一例を示したもので、図の左側には予備加熱ブロ
ック10が置かれている。この子6iN加熱ブロンク1
0は、内部に加熱用のヒーターが埋設され、上面に凹部
11が設けられており、コンデンサ素子1を凹部11内
に載置してコンデンサ素子1を予め加熱し、高温状態を
維持させておく。
次に、同図右側には、含浸用ブロック12が置かれてお
り、この含浸用ブロック12も内部に加熱用ヒーターが
埋め込まれ、上面には凹部13が形成されている。そし
てこの凹部13には、TCNQ錯塩と添加物である1、
3−ジメチル−2〜イミダゾリジノンとからなる粉末の
混合物14が注入さ、 れ、加熱により前
記混合物14が融解する。そしてここへ、予備加熱ブロ
ック10に待機させておいたコンデンサ素子1を移動さ
せ所定時間含浸を行い、その後コンデンサ素子1を凹部
13から引き上げ、自然冷却により液状の混合物14を
固化させて固体電解質層を形成する。
り、この含浸用ブロック12も内部に加熱用ヒーターが
埋め込まれ、上面には凹部13が形成されている。そし
てこの凹部13には、TCNQ錯塩と添加物である1、
3−ジメチル−2〜イミダゾリジノンとからなる粉末の
混合物14が注入さ、 れ、加熱により前
記混合物14が融解する。そしてここへ、予備加熱ブロ
ック10に待機させておいたコンデンサ素子1を移動さ
せ所定時間含浸を行い、その後コンデンサ素子1を凹部
13から引き上げ、自然冷却により液状の混合物14を
固化させて固体電解質層を形成する。
このようにして、固体電解質層の形成されたコンデンサ
素子1は、第1図に示すように、育成筒状の外装ケース
20に収納し、外装ケース20の開口端部を弾性封口体
21で閉じ、外装ケース20の開口端を巻き締めして密
封を行う。なお、コンデンサ素子1から引き出されされ
た外部リード7.8は前記弾性封口体21に設けられた
貫通孔から外部に突出し、コンデンサ素子1と外部との
電気的接続がおこなえるようになっている。
素子1は、第1図に示すように、育成筒状の外装ケース
20に収納し、外装ケース20の開口端部を弾性封口体
21で閉じ、外装ケース20の開口端を巻き締めして密
封を行う。なお、コンデンサ素子1から引き出されされ
た外部リード7.8は前記弾性封口体21に設けられた
貫通孔から外部に突出し、コンデンサ素子1と外部との
電気的接続がおこなえるようになっている。
次に、上記のような手順により実際の固体電解コンデン
サを作製し、その特性を求めた結果を示す。
サを作製し、その特性を求めた結果を示す。
まずコンデンサ素子として、幅2.2顛、長さ10II
m、厚さ80μmの高純度(99,99%)のアルミニ
ウム箔を陽極として準備し、この陽極の表面を交流電流
による電解エツチングにより波面化させた後、その表面
に耐電圧9■の誘電体酸化皮膜を陽極酸化処理により形
成した。そして集電用電極として、前記陽極と同じ大き
さのアルミニウム(純度99.94%)箔を対抗配置さ
せ、双方の電極の略中央部に外部引出し用のアルミニウ
ム製タブをコールドウェルドにより接続し、マニラ麻繊
維混抄のセパレータ紙を介在させて第2図のように巻回
し、円筒状にしたものを実施例会てに共通して用いた。
m、厚さ80μmの高純度(99,99%)のアルミニ
ウム箔を陽極として準備し、この陽極の表面を交流電流
による電解エツチングにより波面化させた後、その表面
に耐電圧9■の誘電体酸化皮膜を陽極酸化処理により形
成した。そして集電用電極として、前記陽極と同じ大き
さのアルミニウム(純度99.94%)箔を対抗配置さ
せ、双方の電極の略中央部に外部引出し用のアルミニウ
ム製タブをコールドウェルドにより接続し、マニラ麻繊
維混抄のセパレータ紙を介在させて第2図のように巻回
し、円筒状にしたものを実施例会てに共通して用いた。
次に、このコンデンサ素子に比較例工として、エチレン
グリコール−アジピン酸アンモニウム系の電解液を含浸
させた。また比較例2ないし5として、イソプロピル−
インキノリニウム錯塩、メチルイソキノリニウム錯塩、
4,4′−ジメチルビピリジニウム錯塩、4.4′−イ
ソブロビルビピリジニウム錯塩の4種類のTCNQ錯塩
について各々の錯塩のみを加熱融解させ、これに前記の
コンデンサ素子を前記した含浸装置により含浸させてみ
た。
グリコール−アジピン酸アンモニウム系の電解液を含浸
させた。また比較例2ないし5として、イソプロピル−
インキノリニウム錯塩、メチルイソキノリニウム錯塩、
4,4′−ジメチルビピリジニウム錯塩、4.4′−イ
ソブロビルビピリジニウム錯塩の4種類のTCNQ錯塩
について各々の錯塩のみを加熱融解させ、これに前記の
コンデンサ素子を前記した含浸装置により含浸させてみ
た。
次にこの発明例工ないし4として、上記四種のTCNQ
tM塩に1.3−ジメチル−2−イミダゾリジノンを各
々添加した混合物をそのl捏合比および加熱温度を変化
させて前記含浸装置を用いて含浸をおこなった。
tM塩に1.3−ジメチル−2−イミダゾリジノンを各
々添加した混合物をそのl捏合比および加熱温度を変化
させて前記含浸装置を用いて含浸をおこなった。
そして、これらの含浸が終了したコンデンサ素子を、ア
ルミニウム製の筒状の外装ケース内に収納し、ケース開
口部をゴム製の封口体で閉じ、外装ケース開口端部を巻
締めして密閉し、定格電圧6.3■、定格容量10μF
の電解コンデンサを完成させた。
ルミニウム製の筒状の外装ケース内に収納し、ケース開
口部をゴム製の封口体で閉じ、外装ケース開口端部を巻
締めして密閉し、定格電圧6.3■、定格容量10μF
の電解コンデンサを完成させた。
そしてこれらの電解コンデンサのうち、液体の電解質を
使用した比較例1のものについては、15分間、他の比
較例のうち含浸可能であったものおよびこの発明例のも
のについては1時間、各々のコンデンサに定格電圧を印
加してエージングをおこなったのち、電気特性を調べた
。
使用した比較例1のものについては、15分間、他の比
較例のうち含浸可能であったものおよびこの発明例のも
のについては1時間、各々のコンデンサに定格電圧を印
加してエージングをおこなったのち、電気特性を調べた
。
電気特性については、静電容■、損失角の正接、100
KI+2における等個直列抵抗値、および定格電圧印加
2分後の漏れ電流について測定し、各々の特性を比較し
た。
KI+2における等個直列抵抗値、および定格電圧印加
2分後の漏れ電流について測定し、各々の特性を比較し
た。
この結果を次表に示す。
(本ページ以下余白)
〔作用〕
これらの実施例の結果をみると、比較例1で示した液体
の電解質を用いた通常の乾式電解コンデンサは、電解質
が液体の状態でコンデンサ素子の内部に保持されるので
、陽極の波面化のために形成されたエツチング処理によ
る微細なエッチジグ孔(ピント)の内部まで電解質が浸
透し、誘電体酸化皮膜との接触が十分におこなわれ高い
静電容量値を示す。
の電解質を用いた通常の乾式電解コンデンサは、電解質
が液体の状態でコンデンサ素子の内部に保持されるので
、陽極の波面化のために形成されたエツチング処理によ
る微細なエッチジグ孔(ピント)の内部まで電解質が浸
透し、誘電体酸化皮膜との接触が十分におこなわれ高い
静電容量値を示す。
しかし、電解液の比抵抗値は、TCNQ錯塩の比抵抗値
が数十Ω・cm程度であるのに対し、200−300Ω
・cffIと高いため、損失値あるいは等個直列抵抗値
が高くなっている。
が数十Ω・cm程度であるのに対し、200−300Ω
・cffIと高いため、損失値あるいは等個直列抵抗値
が高くなっている。
また比1較例としてあげたTCNQ錯塩のみを加熱融解
し含浸させたものは、比較例2のイソプロピル−イソキ
ノリニウムT CN Q 錯塩のみが加ヤー融解による
含浸が可能で、比較例3ないし5の他のTcNQ錯塩を
用いたものは、いずれも溶融状Ibに至る前に熱分解を
おこし、含浸が不能であった。また含浸可能であった前
記比較例2の特性をみると、損失、等個直列抵抗につい
ては、前述のように、TCNQ錯塩の比抵抗値が電解液
に比べて低いので、優れた特性を得ているが、静電容量
値については十分なものが得られていない。
し含浸させたものは、比較例2のイソプロピル−イソキ
ノリニウムT CN Q 錯塩のみが加ヤー融解による
含浸が可能で、比較例3ないし5の他のTcNQ錯塩を
用いたものは、いずれも溶融状Ibに至る前に熱分解を
おこし、含浸が不能であった。また含浸可能であった前
記比較例2の特性をみると、損失、等個直列抵抗につい
ては、前述のように、TCNQ錯塩の比抵抗値が電解液
に比べて低いので、優れた特性を得ているが、静電容量
値については十分なものが得られていない。
この理由については明確ではないが、TCNQ錯塩のみ
の加熱融解の場合、T CN Q錯塩が陽極のエツチン
グピントの内部まで一応は浸透するものの、その後の冷
却固化の際、TCNQ錯塩が針状結晶化し、静電容量を
形成するエツチングピント内の誘電体酸化皮膜との接触
が一部分でしたおこなわれないためと考えられる。
の加熱融解の場合、T CN Q錯塩が陽極のエツチン
グピントの内部まで一応は浸透するものの、その後の冷
却固化の際、TCNQ錯塩が針状結晶化し、静電容量を
形成するエツチングピント内の誘電体酸化皮膜との接触
が一部分でしたおこなわれないためと考えられる。
一方、この発明の固体電解コンデンサは、発明例1ない
し4の特性からも明らかなように、いずれについても、
比較例2と比べて大きな静電容量値を示す。これは、こ
の発明の固体電解質がTCNQ錯塩と1,3−ジメチル
−2−イミダゾリジノンとの混合物であるため、融解含
浸後の冷却時に結晶化が妨けられ、非晶質の状態でエツ
チングピント内に残留するので、誘電体酸化皮膜との接
触が十分に保たれるためと考えられる。
し4の特性からも明らかなように、いずれについても、
比較例2と比べて大きな静電容量値を示す。これは、こ
の発明の固体電解質がTCNQ錯塩と1,3−ジメチル
−2−イミダゾリジノンとの混合物であるため、融解含
浸後の冷却時に結晶化が妨けられ、非晶質の状態でエツ
チングピント内に残留するので、誘電体酸化皮膜との接
触が十分に保たれるためと考えられる。
また一部のT CN Q 8M塩が結晶化しても、結晶
体の間に1.3−ジメチル−2−イミダゾリジノンが介
在することにより、結晶間の電導が得られ静電容■が確
保されるものと考えられる。
体の間に1.3−ジメチル−2−イミダゾリジノンが介
在することにより、結晶間の電導が得られ静電容■が確
保されるものと考えられる。
このことは9、集電極側との接触においても同様の理由
で優れた電琢度が得られ、特性の向上に寄与する。
で優れた電琢度が得られ、特性の向上に寄与する。
本実施例は、陽極に箔状のアルミニウムを用い、この表
面を拡面処理後、誘電体酸化被膜を形成したものと、集
電用電極とをセパレータ紙を介在させ巻回したコンデン
サ素子を用いたが、コンデンサ素子は、このような構造
のものに限定されるものではなく、陽極を構成する金属
がタンタル等の他の被膜形成性の金属あるいはそれらの
合金体であってもよい。またこのような巻回構造に限ら
ず、被膜形成性金属粉末を焼結した多孔質体であっても
よい。また、巻回構造であっても、セパレータ紙を省略
したもの、集電極にアルミニウム以外の金属さらには、
耐熱性の導電樹脂フィルム等を使用したものであっても
よい。
面を拡面処理後、誘電体酸化被膜を形成したものと、集
電用電極とをセパレータ紙を介在させ巻回したコンデン
サ素子を用いたが、コンデンサ素子は、このような構造
のものに限定されるものではなく、陽極を構成する金属
がタンタル等の他の被膜形成性の金属あるいはそれらの
合金体であってもよい。またこのような巻回構造に限ら
ず、被膜形成性金属粉末を焼結した多孔質体であっても
よい。また、巻回構造であっても、セパレータ紙を省略
したもの、集電極にアルミニウム以外の金属さらには、
耐熱性の導電樹脂フィルム等を使用したものであっても
よい。
また、外装構造についても、本実施例では金属製の外装
ケースに収納したものを例示したが、外装体は、樹脂ケ
ース、樹脂をディップあるいはモールドしたもの、ラミ
ネートフィルムによる外装力 などを用いたものであっても、この発明を逸脱するもの
ではない。
ケースに収納したものを例示したが、外装体は、樹脂ケ
ース、樹脂をディップあるいはモールドしたもの、ラミ
ネートフィルムによる外装力 などを用いたものであっても、この発明を逸脱するもの
ではない。
以上述べたようにこの発明によれば、固体電解質層をT
CNQ錯塩と1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン
との混合物を加熱溶融含浸して形成できるので、従来加
熱溶融により含浸が不可能であったTCNQ錯塩を用い
ることができる。
CNQ錯塩と1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン
との混合物を加熱溶融含浸して形成できるので、従来加
熱溶融により含浸が不可能であったTCNQ錯塩を用い
ることができる。
また、加熱溶融含浸が可能であったTCNQ錯塩につい
ても、その溶融温度が低くなるので熱分解するまでの時
間が延長され、特性の劣化が防止できるとともに、含浸
が容易になる。
ても、その溶融温度が低くなるので熱分解するまでの時
間が延長され、特性の劣化が防止できるとともに、含浸
が容易になる。
また、この発明によれば、TCNQ錯塩の含浸率が向上
し、華位体積あたりの静電容量値を高めることができる
ので、固体電解コンデンサの小型化にも寄与する。
し、華位体積あたりの静電容量値を高めることができる
ので、固体電解コンデンサの小型化にも寄与する。
さらには、TCNQ錯塩が誘電体酸化被膜と十分に接し
ているので、損失の少ない、インピーダンス特性に優れ
た固体電解コンデンサを得ることができ、固体電解コン
デンサの特性向上に極めて有益なものである。
ているので、損失の少ない、インピーダンス特性に優れ
た固体電解コンデンサを得ることができ、固体電解コン
デンサの特性向上に極めて有益なものである。
第1図は、この発明の固体電解コンデンサの完成状態を
あられした断面図、第2図はこの発明の実施例で用いた
コンデンサ素子の構造をあられした分解斜視図、第3図
は、この発明の実施例で用いた固体電解質の含浸装置を
あられした断面図である。 l・・コンデンサ素子、2・・陽極、3・・集電極、4
・・セパレータ紙、5.6・・タブ、7゜8・・外部リ
ード、10・・予備加熱ブロック、11.13・・凹部
、12・・含浸用ブロック、14・・混合物、20・・
外装ケース、21・・弾性封口体。 特 許 出 願 人 日本ケミコン株式会社 第1図 第2図
あられした断面図、第2図はこの発明の実施例で用いた
コンデンサ素子の構造をあられした分解斜視図、第3図
は、この発明の実施例で用いた固体電解質の含浸装置を
あられした断面図である。 l・・コンデンサ素子、2・・陽極、3・・集電極、4
・・セパレータ紙、5.6・・タブ、7゜8・・外部リ
ード、10・・予備加熱ブロック、11.13・・凹部
、12・・含浸用ブロック、14・・混合物、20・・
外装ケース、21・・弾性封口体。 特 許 出 願 人 日本ケミコン株式会社 第1図 第2図
Claims (2)
- (1)陽極金属表面に誘電体酸化被膜を形成し、さらに
この上面に固体電解質層が形成された固体電解コンデン
サにおいて、前記固体電解質層が、テトラシアノキノジ
メタンの錯塩に1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノ
ンを添加した混合物を融解固化させたものからなること
を特徴とする固体電解コンデンサ。 - (2)テトラシアノキノジメタンの錯塩が、イソプロピ
ル−イソキノリニウム、メチルイソキノリニウム、4,
4′−ジメチルビピリジニウム、4,4′−イソプロピ
ルビピリジニウムの群から選ばれた一種もしくは二種以
上とからなる錯塩であるところの特許請求の範囲第(1
)項記載の固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17435584A JPS6151909A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17435584A JPS6151909A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151909A true JPS6151909A (ja) | 1986-03-14 |
| JPH0410731B2 JPH0410731B2 (ja) | 1992-02-26 |
Family
ID=15977174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17435584A Granted JPS6151909A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151909A (ja) |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP17435584A patent/JPS6151909A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0410731B2 (ja) | 1992-02-26 |
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