JPS593916A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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Landscapes
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- Primary Cells (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体電解コンダンf−(:関する。
固体電解コンデンサは陽極酸化皮膜を有するアルミニワ
ムなどの金属に固体電解質を付着した構造?有している
。従来より量産化されているこの種コンデンサ素子おい
て、それ!構成する固体電解質はほとんど二酸化マンガ
ンであるが、近年、二酸化マンガンの弱点、即ち二酸化
マンガン形成のための硝酸マンガンからの熱分解時1ユ
上記金属の陽極酸化皮膜が損傷ン受けること、又二酸化
マンガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏しいことなど
を改善する固体電解質として有機半導体、主にTGNQ
塩乞用いることが提案された。こ\に。
ムなどの金属に固体電解質を付着した構造?有している
。従来より量産化されているこの種コンデンサ素子おい
て、それ!構成する固体電解質はほとんど二酸化マンガ
ンであるが、近年、二酸化マンガンの弱点、即ち二酸化
マンガン形成のための硝酸マンガンからの熱分解時1ユ
上記金属の陽極酸化皮膜が損傷ン受けること、又二酸化
マンガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏しいことなど
を改善する固体電解質として有機半導体、主にTGNQ
塩乞用いることが提案された。こ\に。
TONQとは7%7,8.8テトラシアノキノジメタン
老意味する。
老意味する。
しかし乍ら、TONQ塩は通常粉末状の結晶であり、そ
の結晶自体高い電等度や上記皮膜の良好な修復性ン示す
ものの、粉末状結晶であるがため6:加工性(二難があ
る。即ち、弁作用のある金属にTONQ塩め結晶ンどの
様ζ:して付着するかという問題がある。特に固体電解
コンダン−1に用いる弁作用のある金属は多孔質の場合
が多いが、斯る多孔質金属へのTONQ塩の一様な含浸
的付層は困難に極める。更(二重姿なことは、T O、
N Q塩山゛体がその付着作業時C二常(:変質などC
二よる劣化の危険性りはらんでいることである。
の結晶自体高い電等度や上記皮膜の良好な修復性ン示す
ものの、粉末状結晶であるがため6:加工性(二難があ
る。即ち、弁作用のある金属にTONQ塩め結晶ンどの
様ζ:して付着するかという問題がある。特に固体電解
コンダン−1に用いる弁作用のある金属は多孔質の場合
が多いが、斯る多孔質金属へのTONQ塩の一様な含浸
的付層は困難に極める。更(二重姿なことは、T O、
N Q塩山゛体がその付着作業時C二常(:変質などC
二よる劣化の危険性りはらんでいることである。
本発明者等は、上記の点(二鑑み、TONQ塩を用いた
全く新規な固体電解コンデンサな既(:提案した。その
構造は、特願昭56−58816号(:詳細C:説明さ
れているが、要約すれば、コンデンサ素子と、液化状態
で前記素子に含浸されたT。
全く新規な固体電解コンデンサな既(:提案した。その
構造は、特願昭56−58816号(:詳細C:説明さ
れているが、要約すれば、コンデンサ素子と、液化状態
で前記素子に含浸されたT。
NQ塩からなる固体電解質とを含むことを特徴としてい
る。
る。
斯る新規な固体電解コンデンサによれば、T。
NQjMのコンデンサ素子への含浸率が高まり、かつT
ONQ塩本来の浸れた性質ン活かすことができ、コンデ
ンサ特性の同上が図れる。
ONQ塩本来の浸れた性質ン活かすことができ、コンデ
ンサ特性の同上が図れる。
従来の一般的な固体電解コンデンサでは、粉末状の弁°
作用のある金属9焼結し、それン化成処理したものtコ
ンデンサ素子とし、斯る素子(:固体電解質χ含浸して
いる。
作用のある金属9焼結し、それン化成処理したものtコ
ンデンサ素子とし、斯る素子(:固体電解質χ含浸して
いる。
第1図は斯る従来の典型的な固体電解フンデンサ全示し
、(1)はアルミニクム粉末を円柱状に焼結し、化成処
理Z施した多孔性のコンデンサ素子、(2)は該素子≦
二含浸された二環化マンガンからなる固体″電解質、(
3)及び(4)は固体電解質(2)外周に順次被層され
たグラファイト層及びmdインド層、(5)はアルミニ
クムプース、(6)はケース(51の底部に充填された
ハンダ、(7)はクース開I]乞封止する樹脂。
、(1)はアルミニクム粉末を円柱状に焼結し、化成処
理Z施した多孔性のコンデンサ素子、(2)は該素子≦
二含浸された二環化マンガンからなる固体″電解質、(
3)及び(4)は固体電解質(2)外周に順次被層され
たグラファイト層及びmdインド層、(5)はアルミニ
クムプース、(6)はケース(51の底部に充填された
ハンダ、(7)はクース開I]乞封止する樹脂。
(8)及び(9)は夫々素子+11及びハンダ(6)(
二電気的に連なる陽極リード及び陰極リードである。
二電気的に連なる陽極リード及び陰極リードである。
本発明は、’r ON Q塩を液比状態でコンデンサ素
子(二含浸する上記の新規な技術全利用し、上記従来の
コンデンサの構造の簡易化全図ったものである。即ち、
本0発明C二よれば第1図C二本す如く、従来必要であ
ったグラファイト層i3)、 mdインド層(4)及び
ハンダ(6)が不要となる。更に本発明は、この様な簡
易構造全実現する際に伴う不所望な静電容置低下の解決
を図ったものである。
子(二含浸する上記の新規な技術全利用し、上記従来の
コンデンサの構造の簡易化全図ったものである。即ち、
本0発明C二よれば第1図C二本す如く、従来必要であ
ったグラファイト層i3)、 mdインド層(4)及び
ハンダ(6)が不要となる。更に本発明は、この様な簡
易構造全実現する際に伴う不所望な静電容置低下の解決
を図ったものである。
本発明の′固体″窺解コンデンサの構成的特徴は、粉末
状の弁作用のある金属を焼結し、化成処理!なした多孔
性コンデンサ素子、弁作用乞宵しない金属からなり、上
記コンデンサ素子を収容するケース、上記コンデンサ素
子内部及び該素子と上記゛ケース内面との間(=充填さ
れたTONQ塩からなる固体電解質を具備せること(=
ある。
状の弁作用のある金属を焼結し、化成処理!なした多孔
性コンデンサ素子、弁作用乞宵しない金属からなり、上
記コンデンサ素子を収容するケース、上記コンデンサ素
子内部及び該素子と上記゛ケース内面との間(=充填さ
れたTONQ塩からなる固体電解質を具備せること(=
ある。
この様(−%本発明C:よれば、コンデンサ素子と金属
ケースとの間C二は固体電解質のみが存在するから構造
が極めて簡単C:なる。
ケースとの間C二は固体電解質のみが存在するから構造
が極めて簡単C:なる。
この場合、金属ケースの材料を弁作用を有しないもの1
−選択したことは重要である。従来技術C;従って、金
属ケースをアルミニクムで構成すれば、アルミニクムの
弁作用C:起因する不所望な静電容量の低下が認められ
る。即ち、本発明ζ;よる構成では、金属ケース(二陰
極リードが取着されることになるが、ケースが弁作用を
有すると、自然酸化等(−よりケース内面に形成された
被膜ζ二より、ケース内面で付加的静電容量が形成され
る。斯る付加的静電容量はコンデンサ素子C;おいて形
成される本来の静電容量と直列関係(−あり、しかも上
記本来の静電容量C;比して十分大きくないため、上記
両静電容量の直列結合として現われるコンデンサ自体の
静電容量が低下してしまうのである。
−選択したことは重要である。従来技術C;従って、金
属ケースをアルミニクムで構成すれば、アルミニクムの
弁作用C:起因する不所望な静電容量の低下が認められ
る。即ち、本発明ζ;よる構成では、金属ケース(二陰
極リードが取着されることになるが、ケースが弁作用を
有すると、自然酸化等(−よりケース内面に形成された
被膜ζ二より、ケース内面で付加的静電容量が形成され
る。斯る付加的静電容量はコンデンサ素子C;おいて形
成される本来の静電容量と直列関係(−あり、しかも上
記本来の静電容量C;比して十分大きくないため、上記
両静電容量の直列結合として現われるコンデンサ自体の
静電容量が低下してしまうのである。
本発明の如く、ケースが弁作用を有しない金属からなる
場合、ケースと固体電解質とは微小抵抗を介してほとん
ど短絡状態となり、上記付加的静電容量の影響は実質的
C二問題とならない。上記微小抵抗C二は、ケース内面
C二おける接触抵抗等が含まれる。
場合、ケースと固体電解質とは微小抵抗を介してほとん
ど短絡状態となり、上記付加的静電容量の影響は実質的
C二問題とならない。上記微小抵抗C二は、ケース内面
C二おける接触抵抗等が含まれる。
本発明C:おいて用いられるケース用の弁作用を有しな
い金属としては、TONQ塩の液化時の温度(約600
℃以下)に耐え得る、即ち、融点が500’C以上の金
属が用いられ、具体的(:は、余。
い金属としては、TONQ塩の液化時の温度(約600
℃以下)に耐え得る、即ち、融点が500’C以上の金
属が用いられ、具体的(:は、余。
白金、銀、銅、鉄、ニッケル、亜鉛、又は、これらの合
金である声調、青銅、ステンレス、又はこれらをメッキ
被膜した金属である。好ましくは、酸化され難く、圧延
性が良く、安価な点で銅、黄銅が挙げられる。
金である声調、青銅、ステンレス、又はこれらをメッキ
被膜した金属である。好ましくは、酸化され難く、圧延
性が良く、安価な点で銅、黄銅が挙げられる。
本発明(二おいて用いられるコンデンサ素子用の金属と
して°は、アルミニワム、タンタル、ニオブ等の弁作用
を呈する通常のものが用いられる。
して°は、アルミニワム、タンタル、ニオブ等の弁作用
を呈する通常のものが用いられる。
TONQ及びその種々の塩、並び≦二その製法自体は、
例えば、J −A I 、 Qhem−80c 、 、
vO、l:、84.P3374−3.587(1962
)l二開示されている。TCNQ塩としては、Mtl+
(’rGNQ−)nで表わされる単塩と、Mn+(T。
例えば、J −A I 、 Qhem−80c 、 、
vO、l:、84.P3374−3.587(1962
)l二開示されている。TCNQ塩としては、Mtl+
(’rGNQ−)nで表わされる単塩と、Mn+(T。
NQ−)n(TONQ)mで表ワサレル錯塩トカある。
尚上記Mは有機カチオン、nはカチオンの価、mは1モ
ルの錯塩(−含まれる中性TONQのモル数に対応する
正の数を夫々意味する。
ルの錯塩(−含まれる中性TONQのモル数に対応する
正の数を夫々意味する。
本発明では、しかし乍ら、錯塩の使用がコンデンサ特性
C:とってより好ましい。そして、錯塩の上’dmは0
.5〜1.5が好ましく、より好ましくは約1である。
C:とってより好ましい。そして、錯塩の上’dmは0
.5〜1.5が好ましく、より好ましくは約1である。
本発明で用いられるTCNQ塩の例としては、N位を置
換したキノリン及びイソキノシンのT。
換したキノリン及びイソキノシンのT。
NQ塩が挙げられる。尚、N位の置換体は、02〜01
B(炭素数2〜18の)アルキル(例えばエチル、プロ
ヒル、ブチル、ペンチル、オクチル、デシル、オクタデ
シル)、05〜CBシグロアルキル(例えばシクロイン
テル、シクロへキシル)、05〜018アルγン(例え
ばアylν)、フェニル又はフェニル(C%〜018)
アルキル(例えばフェネテル)の様な炭化水素基である
。
B(炭素数2〜18の)アルキル(例えばエチル、プロ
ヒル、ブチル、ペンチル、オクチル、デシル、オクタデ
シル)、05〜CBシグロアルキル(例えばシクロイン
テル、シクロへキシル)、05〜018アルγン(例え
ばアylν)、フェニル又はフェニル(C%〜018)
アルキル(例えばフェネテル)の様な炭化水素基である
。
本発明で用いられるTCNQ塩のより好ましい例は、N
−n−10ビルキノシンのTCNQ塩、N−エテルイソ
キノリンのTCNQ塩、N−イソプロピルキノリンの’
I’0NQIi、N−n−へキシルキノシンのTCNQ
塩、N−n−プロピルイソキノシンのTONQi舖、N
−イソプロピルイソキノシンのTCNQ塩、N−n−ブ
チルイソキノシンのTCNQ塩である。
−n−10ビルキノシンのTCNQ塩、N−エテルイソ
キノリンのTCNQ塩、N−イソプロピルキノリンの’
I’0NQIi、N−n−へキシルキノシンのTCNQ
塩、N−n−プロピルイソキノシンのTONQi舖、N
−イソプロピルイソキノシンのTCNQ塩、N−n−ブ
チルイソキノシンのTCNQ塩である。
これらの’I”ONQ塩はその液化のために加熱融間的
余裕ン呈し、従って斯る時間内1:上記作業Zなしかつ
冷却固化すれば高い磁導度Y保持するTCNQ塩からな
る固体電解質を得ることができる。
余裕ン呈し、従って斯る時間内1:上記作業Zなしかつ
冷却固化すれば高い磁導度Y保持するTCNQ塩からな
る固体電解質を得ることができる。
完全6−融解後、絶縁化するまでの時間及びその分解前
1:冷却固化して得られるTCNQ塩の電導度の例を次
表書;示す。
1:冷却固化して得られるTCNQ塩の電導度の例を次
表書;示す。
)(T(3NQ)
P2 :N−イソプロピルキノリン +(T ON Q
−)(TONQ) P3 :N−n−プロピルイソ+/!ly”(T。
−)(TONQ) P3 :N−n−プロピルイソ+/!ly”(T。
NQ”−)(TONQ)
P4 :N−イソプロピルイソキノシン+(TONQ−
)(TONQ) P5:N−n−ブチルイソキノ97 (’rON込−
)(’rONQ) 上記各1豆の製造は例えば次の通りである。N−アルキ
ルヨードとキノリン(又はイソキノシン)とを反応させ
て得られるN−アルキルキノシン(又はイソキノシン)
ヨーダイトとTCNQとを適当な溶媒(例えばアセトニ
トリル)中で、適当なモル比(例えば6:4)で反応さ
せてTCNQ塩を作る。この塩は不純物が多いので、適
当な溶媒(例えばアセトニトリル1二で82℃以下の温
度)での加熱溶解−冷却−晶出からなる再結晶操作を繰
り返Tことにより塩の純度が上げられる。得られる結晶
は針状又はロンド状の粉末である。
)(TONQ) P5:N−n−ブチルイソキノ97 (’rON込−
)(’rONQ) 上記各1豆の製造は例えば次の通りである。N−アルキ
ルヨードとキノリン(又はイソキノシン)とを反応させ
て得られるN−アルキルキノシン(又はイソキノシン)
ヨーダイトとTCNQとを適当な溶媒(例えばアセトニ
トリル)中で、適当なモル比(例えば6:4)で反応さ
せてTCNQ塩を作る。この塩は不純物が多いので、適
当な溶媒(例えばアセトニトリル1二で82℃以下の温
度)での加熱溶解−冷却−晶出からなる再結晶操作を繰
り返Tことにより塩の純度が上げられる。得られる結晶
は針状又はロンド状の粉末である。
以下本発明実施例〉説明する。
第2図は本冥施例固体電解コンデンサの構造を示し、(
1■は従来と同様(二、アルミニヮム粉末を円柱状に焼
結し、化成処理を施した多孔性のコンデンサ素子、l1
11鵡該素子(二1部が埋設され、同様に化成処理され
たアルミニウム線、シ【4は該アlシミニクム線に溶接
接続されたOP線寺のハンダ付可能な陽極リード線、(
131は銅又は黄銅からなり、コンデンf素子+101
’&収容せるケース、■はコンデンサ素子0ωの円部及
び該素子とケース031の内面との間に充填されたTC
NQ塩からなる固体電解質、119はケース+13の開
口を封止する樹脂、(1eはケース(13の外幅に溶接
固着されたcp線からなる陰)伍す−ド礫である。
1■は従来と同様(二、アルミニヮム粉末を円柱状に焼
結し、化成処理を施した多孔性のコンデンサ素子、l1
11鵡該素子(二1部が埋設され、同様に化成処理され
たアルミニウム線、シ【4は該アlシミニクム線に溶接
接続されたOP線寺のハンダ付可能な陽極リード線、(
131は銅又は黄銅からなり、コンデンf素子+101
’&収容せるケース、■はコンデンサ素子0ωの円部及
び該素子とケース031の内面との間に充填されたTC
NQ塩からなる固体電解質、119はケース+13の開
口を封止する樹脂、(1eはケース(13の外幅に溶接
固着されたcp線からなる陰)伍す−ド礫である。
上記・rON Ql盆の充填方法はα下のI由りである
。
。
既述の方法で作成された粉末状のTONQjIC本実施
例では上記P5のものt使用)!ケース(131内に充
填し、このケース7約290 ”C+:IIO熱した金
属板上(二装置−「ろこと(二よりケース内のTONQ
塩?融塩液融解液化 続く工程として、所ろ融解液でヒ復、直も(−1予めア
ルミニウム線fFll及び陽(屓す−ド線t13&有し
、つ1つ予熱されているコンデンサ素子CGヲケース0
内の液化状態のTcNQIi(−抽入し、次いでこのケ
ース2 vf<中に浸漬して急冷する。これC二よりコ
ンデンサ素子Ql内(二T CN Ql算が含浸した状
態で固イしし、そのT C,N Q 、+3は高電導度
を示−「固体電【Z 解質7形成する。同時2、斯る固体電解質は素子間)と
ケースq(8)内面との間を充填する。
例では上記P5のものt使用)!ケース(131内に充
填し、このケース7約290 ”C+:IIO熱した金
属板上(二装置−「ろこと(二よりケース内のTONQ
塩?融塩液融解液化 続く工程として、所ろ融解液でヒ復、直も(−1予めア
ルミニウム線fFll及び陽(屓す−ド線t13&有し
、つ1つ予熱されているコンデンサ素子CGヲケース0
内の液化状態のTcNQIi(−抽入し、次いでこのケ
ース2 vf<中に浸漬して急冷する。これC二よりコ
ンデンサ素子Ql内(二T CN Ql算が含浸した状
態で固イしし、そのT C,N Q 、+3は高電導度
を示−「固体電【Z 解質7形成する。同時2、斯る固体電解質は素子間)と
ケースq(8)内面との間を充填する。
下表(二本実徐例並び(−比較のための参考((1]の
各固体電解コンデンサの特性を示す。尚参考例ではケー
ス(13Iがアルミニウムからなる点(−おいて異なす
、41!’!の構成は全て実施例と同一である。父、実
施例及び浴ζ例共(=、使用されたコンデンサ素子(二
は、二【ン1ヒマンガン?固体電解四とする従来の固体
直前コンデンサ(−おいて1,0μFの静這谷璧をボす
ものが使用された。
各固体電解コンデンサの特性を示す。尚参考例ではケー
ス(13Iがアルミニウムからなる点(−おいて異なす
、41!’!の構成は全て実施例と同一である。父、実
施例及び浴ζ例共(=、使用されたコンデンサ素子(二
は、二【ン1ヒマンガン?固体電解四とする従来の固体
直前コンデンサ(−おいて1,0μFの静這谷璧をボす
ものが使用された。
表中、cap、tanδは夫//120H2での静砿妙
計、損失、LOは定格磁圧(10V)印加イ130秒復
の漏れ4流、E8Rは100KHzでの等価直タ1j抵
抗ン夫々意味する。
計、損失、LOは定格磁圧(10V)印加イ130秒復
の漏れ4流、E8Rは100KHzでの等価直タ1j抵
抗ン夫々意味する。
以上の説明より明らかな如く、本発明(二よれば 、粉
末状の弁作用のある金j萬を焼結し、化成α理7なした
コンデンサ素子(二固体虜解質乞含浸せる固体尾解コン
デンサにおいて、コンデンサ素子とケースとの11勺に
TONQ塩からなる固体4解Wを充填したものであるか
ら411]Mが画めで簡単なものとなり、かつケースと
固体電解質とが接触するにもかかわらず不所望な静電谷
憤のイ氏下が現われない。
末状の弁作用のある金j萬を焼結し、化成α理7なした
コンデンサ素子(二固体虜解質乞含浸せる固体尾解コン
デンサにおいて、コンデンサ素子とケースとの11勺に
TONQ塩からなる固体4解Wを充填したものであるか
ら411]Mが画めで簡単なものとなり、かつケースと
固体電解質とが接触するにもかかわらず不所望な静電谷
憤のイ氏下が現われない。
第1図は従来例乞示す断面図、第2図は本発明第1図
Claims (2)
- (1)粉末状の弁作用のある金属を焼結し、化成処理Y
なした多孔性コンデンサ素子、弁作用を有しない金属か
らなり、上記コンデンサ素子を収容するケース、上記コ
ンデンサ素子内部及び該素子と上記ケース内面との間4
二充填されたTONQ塩からなる固体電解質乞具備せる
固体′峨解コンデンサ。 - (2) 特許請求の範囲第1項において、上記T。 NQ塩は液化状態で熱分解するまでに実質的な時間ン9
Tるものであることを特徴とする固体電解コンデンサ。 (31特許請求の範囲第1項又は第2項において、上記
ケースを構成する金属は銅又は黄銅であることを特徴と
する固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11279882A JPS593916A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11279882A JPS593916A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593916A true JPS593916A (ja) | 1984-01-10 |
| JPH0377649B2 JPH0377649B2 (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=14595780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11279882A Granted JPS593916A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593916A (ja) |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP11279882A patent/JPS593916A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0377649B2 (ja) | 1991-12-11 |
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