JPS62206813A - 再結晶化処理用保護膜 - Google Patents
再結晶化処理用保護膜Info
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- JPS62206813A JPS62206813A JP4846486A JP4846486A JPS62206813A JP S62206813 A JPS62206813 A JP S62206813A JP 4846486 A JP4846486 A JP 4846486A JP 4846486 A JP4846486 A JP 4846486A JP S62206813 A JPS62206813 A JP S62206813A
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- film
- semiconductor layer
- protective film
- layer
- recrystallized
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- Pending
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 14
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は絶縁層上に形成した半導体層に熱処理を行っ
て当該半導体層を再結晶化する際に用いられる保護膜に
関する。
て当該半導体層を再結晶化する際に用いられる保護膜に
関する。
（従来の技術）
従来より絶縁層上に半導体層を形成する技術の研究・開
発が進められてきている。従来、絶縁層上に形成された
半導体層は非晶質層か多結晶層となっているので、その
単結晶化が行なわれている。この半導体層を熱処理で再
結晶化するに当り、半導体層上に保護膜を設けて行って
いた。この再結晶処理用の保護膜の特性として ■再結晶化すべき半導体層の物質とヌレが良いこと、 ■再結晶化すべき半導体層がボールアップ（凝集）しな
いこと、及び ■アニール後に容易に除去出来ること が要求される。
発が進められてきている。従来、絶縁層上に形成された
半導体層は非晶質層か多結晶層となっているので、その
単結晶化が行なわれている。この半導体層を熱処理で再
結晶化するに当り、半導体層上に保護膜を設けて行って
いた。この再結晶処理用の保護膜の特性として ■再結晶化すべき半導体層の物質とヌレが良いこと、 ■再結晶化すべき半導体層がボールアップ（凝集）しな
いこと、及び ■アニール後に容易に除去出来ること が要求される。
従来から種々の膜が用いられているが２ このような特
性を有する保５Ｉ膜としては主として二酸化珪素５ｉｎ
２膜が用いられていた。
性を有する保５Ｉ膜としては主として二酸化珪素５ｉｎ
２膜が用いられていた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、この５ｉ０２保護膜を用いてビームアニ
ールを行った場合には、半導体層の温度勾配を調整する
ことが出来ず、再結晶層が破損したり、その表面が粗く
なったり、ボールアップが生じたりするため（例えば、
文献ｒジャパニーズジャーナル オブ アプライド フ
ィジクス（ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ７ｓｉｃｓ） ２４゜（２）
、１９８５．ｐｐ、 １２８〜１３２ Ｊ ） 、こ
の５ｆ０２保護層を種々の半導体の再結晶化に適用する
ことが困難であった。
ールを行った場合には、半導体層の温度勾配を調整する
ことが出来ず、再結晶層が破損したり、その表面が粗く
なったり、ボールアップが生じたりするため（例えば、
文献ｒジャパニーズジャーナル オブ アプライド フ
ィジクス（ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ７ｓｉｃｓ） ２４゜（２）
、１９８５．ｐｐ、 １２８〜１３２ Ｊ ） 、こ
の５ｆ０２保護層を種々の半導体の再結晶化に適用する
ことが困難であった。
この発明の目的は、熱処理時に半導体層内に生じる温度
勾配の制御性が良く、ポールアップを発生させることが
ない、再結晶化に適した保護膜を提供することにある。
勾配の制御性が良く、ポールアップを発生させることが
ない、再結晶化に適した保護膜を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成のため、この発明によれば、保護膜を非
晶質膜とタングステン（Ｗ） １１５１とで二層構造膜
として構成する。
晶質膜とタングステン（Ｗ） １１５１とで二層構造膜
として構成する。
この保護膜は、再結晶化すべき半導体層上に非晶質膜を
形成した後、さらにこの非晶質膜上にタングステン膜を
形成して、構成する。
形成した後、さらにこの非晶質膜上にタングステン膜を
形成して、構成する。
（作用）
このような保護膜であると、熱処理、特にレーザビーム
アニールや電子ビームアニールを行った時、タングステ
ン膜が吸収した熱が非晶質膜を通じて半導体層へ緩やか
に流れて半導体層中での熱集中が起らないと共に、非晶
質膜の保温効果により、半導体層中での温度勾配の制御
が容易となる。
アニールや電子ビームアニールを行った時、タングステ
ン膜が吸収した熱が非晶質膜を通じて半導体層へ緩やか
に流れて半導体層中での熱集中が起らないと共に、非晶
質膜の保温効果により、半導体層中での温度勾配の制御
が容易となる。
さらに、保護膜を非晶質膜とタングステン膜との二層キ
ャップ構造として半導体層を押え込むようにしたので、
再結晶層にポールアップが生じず、表面を平坦にした状
態で再結晶化させることができる。
ャップ構造として半導体層を押え込むようにしたので、
再結晶層にポールアップが生じず、表面を平坦にした状
態で再結晶化させることができる。
（実施例）
以下１図面を参照してこの発明の詳細な説明する。
第１図はこの発明の実施例を示す断面図である。この実
施例では、基板１０上に５ｔＯ２又はその他の絶縁層１
２を設け、その上側に再結晶化すべき例えば珪素Ｓｔ又
はゲルマニウムＧｅの半導体層１４を例えば電子ビーム
蒸着法で形成する。
施例では、基板１０上に５ｔＯ２又はその他の絶縁層１
２を設け、その上側に再結晶化すべき例えば珪素Ｓｔ又
はゲルマニウムＧｅの半導体層１４を例えば電子ビーム
蒸着法で形成する。
この半導体層！４上にこの発明による二層構造の１ 、
０ ｇｍの内のいづれかの値に設定し、また、タングス
テン膜の膜厚も例えば５００〜１０００人内のいづれか
の値設定したが、これらの膜厚は設計に応じてその範囲
外の値としても良い。
０ ｇｍの内のいづれかの値に設定し、また、タングス
テン膜の膜厚も例えば５００〜１０００人内のいづれか
の値設定したが、これらの膜厚は設計に応じてその範囲
外の値としても良い。
このような保護ｇｔｅを半導体層１４に設けた状態で、
電子ビーム又はレーザビームアニールを行って半導体層
！４を帯溶融再結晶化させたところ、再結晶化が良好に
行われた。
電子ビーム又はレーザビームアニールを行って半導体層
！４を帯溶融再結晶化させたところ、再結晶化が良好に
行われた。
タングステン膜は耐熱性が良く、しかも、エツチングを
容易に行えるので、アニール処理の保護膜構成材料とし
て優れている。
容易に行えるので、アニール処理の保護膜構成材料とし
て優れている。
上述した実施例では、再結晶化すべき半導体層１ＢをＳ
ｉ又はＧｅの暦としたが、それ以外の任意好適な材料の
半導体層としても良く、また、その形成方法も電子ビー
ム蒸着法以外の方法を用いることが出来る。
ｉ又はＧｅの暦としたが、それ以外の任意好適な材料の
半導体層としても良く、また、その形成方法も電子ビー
ム蒸着法以外の方法を用いることが出来る。
さらに、上述の実施例では保護膜１６の絶縁膜として５
１０２膜を用いたが、これに限定されず、３１３ Ｎ４
、ＡｉＮ或いはその他の好適な絶縁膜で良く、又、こ
れら絶縁膜の形成もＣＶＤはもとよりその他の方法であ
っても良い。
１０２膜を用いたが、これに限定されず、３１３ Ｎ４
、ＡｉＮ或いはその他の好適な絶縁膜で良く、又、こ
れら絶縁膜の形成もＣＶＤはもとよりその他の方法であ
っても良い。
またタングステン膜の形成も上述したスパッタ法以外の
方法であっても良い。
方法であっても良い。
さらに、この保ｗＩＭを用いた再結晶化処理は上述した
電子ビームアニール及びレーザビームアニール以外の他
の熱処理にで行っても良好に再結′晶化が期待出来る。
電子ビームアニール及びレーザビームアニール以外の他
の熱処理にで行っても良好に再結′晶化が期待出来る。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明の再結晶
化処理ＩＩＩによれば、タングステン膜と非晶質膜との
二層構造となしであるので、半導体層への熱集中を回避
して温度勾配の制御が容易に出来ること、この保ｗＩＭ
４による押え込みに、よりポールアップの発生を押える
ことが出来ること。
化処理ＩＩＩによれば、タングステン膜と非晶質膜との
二層構造となしであるので、半導体層への熱集中を回避
して温度勾配の制御が容易に出来ること、この保ｗＩＭ
４による押え込みに、よりポールアップの発生を押える
ことが出来ること。
キャップ効果が向上し再結晶層の表面が平坦面となるこ
と等の効果が得られる。従ってアニール等の熱処理時に
最適な結晶化条件を容易に見出すことが出来る。
と等の効果が得られる。従ってアニール等の熱処理時に
最適な結晶化条件を容易に見出すことが出来る。
第１図はこの発明の再結晶化処理用保護膜の説明に供す
る断面図である。 １０・・・基板、 １２・・・５ｉｎ２絶縁
層１４・・・再結晶化すべき半導体層 １６・・・保護膜、１８・・・非晶質膜２０・・・タン
グステン膜。 特許出願人 工業技術院長 等々力 達ｌθ：基板 ／２：！ｅ殊７＠ （ｓｒｏ２層） １４：再ＨＦａてに５牛嬶イ奎１ １６ ： イ斤、譚 ８更 ｔｇ ： ｅｖｅ Ｖ ｙ＜更 （Ｓ；０２７１１
）２０： ７ン７゛又テンＡ隻 この発明の保１Ｂ吏の請明図 第１図
る断面図である。 １０・・・基板、 １２・・・５ｉｎ２絶縁
層１４・・・再結晶化すべき半導体層 １６・・・保護膜、１８・・・非晶質膜２０・・・タン
グステン膜。 特許出願人 工業技術院長 等々力 達ｌθ：基板 ／２：！ｅ殊７＠ （ｓｒｏ２層） １４：再ＨＦａてに５牛嬶イ奎１ １６ ： イ斤、譚 ８更 ｔｇ ： ｅｖｅ Ｖ ｙ＜更 （Ｓ；０２７１１
）２０： ７ン７゛又テンＡ隻 この発明の保１Ｂ吏の請明図 第１図
Claims (1)
- （１）再結晶化すべき半導体層上に設けられ、熱処理に
よる当該半導体層の再結晶化処理に用いられる保護膜に
おいて、 該保護膜を該半導体層上に順次に設けられた非晶質膜及
びタングステン膜の二層構造を以って構成した ことを特徴とする再結晶化処理用保護膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4846486A JPS62206813A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 再結晶化処理用保護膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4846486A JPS62206813A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 再結晶化処理用保護膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62206813A true JPS62206813A (ja) | 1987-09-11 |
Family
ID=12804091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4846486A Pending JPS62206813A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 再結晶化処理用保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62206813A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562672B2 (en) | 1991-03-18 | 2003-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor material and method for forming the same and thin film transistor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6015915A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Hitachi Ltd | 半導体基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP4846486A patent/JPS62206813A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6015915A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Hitachi Ltd | 半導体基板の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562672B2 (en) | 1991-03-18 | 2003-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor material and method for forming the same and thin film transistor |
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