JPS6221776A - アルミナセラミツクスの強化方法 - Google Patents

アルミナセラミツクスの強化方法

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JPS6221776A
JPS6221776A JP60161701A JP16170185A JPS6221776A JP S6221776 A JPS6221776 A JP S6221776A JP 60161701 A JP60161701 A JP 60161701A JP 16170185 A JP16170185 A JP 16170185A JP S6221776 A JPS6221776 A JP S6221776A
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alumina
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alumina ceramics
strengthening
silicon
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上垣外 修己
土井 晴夫
正治 野田
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Toyota Central R&D Labs Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、アルミナセラミックスの強化方法、更に詳し
くはアルミナセラミックスの表面層にムライトを生成さ
せて、アルミナセラミックスを強化する方法に関するも
のである。
〔従来の技術〕
近年、機械部品や構造材等に耐熱性、耐腐食性、強度、
硬度などの特性が優れたセラミックスが使用されて9る
。このようなセラミックスとしては例えば窒化珪素、炭
化珪素、アルミナなどが挙げられる。上記セラミックス
を用いて単純な形状の部品を製造する場合には、これら
のセラミックスの性質は、おおむね満足すべきものであ
る。例えば窒化珪素焼結体の強度は、単純な形状ではI
 Gpaあるいはそれ以上である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら実際に使用される機械部品は、複雑な形状
をしておシ、局部的に強度の弱い部分を生じる。そのた
めこの部分がセラミックス部品の性能を限定してしまう
。このような局部の強化は、機械部品の設計および機械
部品の製造プロセスの改良、セラミックス成分の組成の
最適化などによりて行なわれるが、必ずしも十分である
とは云えない。
そこで、発明者らはセラミックス体にイオンを打込んで
、セラミックスの表面を改質することくよシ、セラミッ
クスを強化出来れば、セラミックス体を局所的に強化す
る技術を与えることが出来るのではなφかと考え、種々
の研究を進め丸。
その結果、本発明を為すに至りな。
本発明の目的は、アルミナセラミックスの局所的強化方
法を提供することにある。
〔問題点を解決する丸めの手段〕
スナわち本発明のアルミナセラミックスの強化方法は、
アルミナセラミックスの表面に珪素(Si)原子を注入
した後、該アルミナセラミックスを加熱することを特徴
とする。
本発明によれば、アルミナセラミックス(以下単にアル
ミナという)の表面に微細なムライト結晶を生成させる
ことによシ、表面粗度を変えることなく該アルミナの機
械的強度を向上させることが出来る。
本発明に用いるアルはすは、従来から一般に使用されて
いるものを用いることができる。例えば酸化アルミニウ
ム(A Lx Os )粉末を、少量のSjO,、Ca
b、 MgO,Ba峙t7)副成分とともに混練し、そ
れを所望形状に成形し、これを1600〜1750℃の
温度で焼結したものが挙けられる。
また、ALx Osの単結晶でもよい。
セラミックス体の表面はSi原子の打込みに先立って、
α8S穆度に研摩し、さらにアセトン等の有機溶媒で洗
浄しておくのがよい。そうして、セラミックス体の所望
の位置にSi原子を打込む。Si原子の打込みは、−酸
化珪素(Si0)と珪素(Si)の混合物を加熱してえ
たSiO蒸気をプラズマ中でイオン化してSt  イオ
ンとした後、加速管中で加速して高エネルギーイオンと
したものを打込むことにより行う。
加速器としては、具体的にはコツククロフト減、バンデ
グ2−フm線形加速器、サイクロトロン等を使用するこ
とができる。
Siイオンの照射量がI X I Q”イオン/c11
よυ少いと、イオン照射後加熱処理をほどこしても、ア
ルミナセラミックス体の強化の効果が少い。
また反対に、8iイオン照射量を5X10”イオン/−
以上としても、イオン照射量を多くした効果は少い。そ
してイオン照射量をこれ以上多くすることは経済的にも
不利である。
−それ故、8i原子の打込量はI X ’I O”−5
X10’−イオン/cdとするのがよ%/−h。
Siイオンの加速エネルギーは、特に限定シナいが30
keV〜2MeVの範囲が望ましい。すなわち、通常利
用されるイオン注入器の加速電圧が30kV〜500k
Vの範囲であり、バンデグ2−フ加速器の加速電圧が〜
2MeV8度であるので上記エネルギー範囲が実用上都
合がよい。
Siイオンを照射した後、該アルミナを加熱炉等を用い
て加熱し、アルミナの表面にムライト層を形成する。加
熱は大気中で行なう。生成するムライト結晶は非常に微
細で、アルミナのもとの表面粗度をほとんど変えない。
加熱温度は通常の焼結体アルミナを用いる場合は150
0〜1580℃の範囲がよい。しかし単結晶、および高
純度アルミナの場合は、さらに高温でも良い。
すなわち、加熱温度が1300℃未満の場合には、打込
んだSiイオンと酸素およびATOsとの反応に長時間
を必要とする。逆に1580℃以上にすると、焼結体の
場合にはアルミナ表面にガラス相が形成されるのみで、
アルミナの表面にムライトが形成されず、強度向上が認
められない。単結晶アルミナの場合は1600℃以上の
高温でも良いが、あまり高温で加熱することは熱経済的
に望ましくない。よって上限は1700℃が好ましい。
アルミナの表面に形成されるムライトは、5Al、へ・
zsio=〜2 A t* Oh・510mの化学式で
表わされる、いわゆるアルミノ珪酸塩である。また、そ
の熱膨張係数は、瓜axl−’/℃程度である以上のよ
うにして、アルミナの表面を処理すると、該アルミナに
曲げ等の荷重を加え九ときアルミナの表面からき裂が発
生しにくくなり、該アルミナの機械的強度が向上する。
〔作用〕
アルミナの機械的強度が向上する機構は明らかではない
が、次のように考えられる。すなわち、Siイオンを照
射して、大気中で加熱処理を行なうとSiと酸素とA4
0.が反応してムライトが生成する。その後冷却すると
、アルミナの熱膨張係数は、ムライトのそれよシ大きい
ので。
ムライト層に圧縮応力が発生する。その結果、機棹的負
荷、特に表面層に引張応力が発生するような負荷に対し
て亀裂が発生しにくくなるものと考えられる。
〔実施例〕
以下の実施例において本発明を更に詳細に説明する。な
お、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
。 実施例1: Alx Os粉末を焼結して、寸法が5 X 4 X 
4 Q xg、 のアルミナ焼結体を得た。該アルミナ
焼結体の表面を、$600の研削砥石で研削仕上げし、
その後アセトンを用いて超音波洗浄を行なった。
このアルεすにSiイオンを400 kev の加速エ
ネルギーで1×10けイオン/cd−sxto1mイオ
ン/−照射・注入した。珪素(Si)原子の注入後大気
中、1400℃で2時間の加熱処理を行なった。加熱処
理後、珪素(Si)原子注入面に引張応力が作用するよ
うKして、曲げ強度を測定した。その結果を第1表に示
す。
第1表 イオン照射量と曲げ強度との関係第1表から明
らかなように、Siイオンを1×1012イオン/cd
照射するだけでも、約1091曲げ強度が増大する。l
X10”イオン/−の照射では、22チ、2 X 10
’イオン/−の照射では、約40チ曲げ強度が向上する
。しかし5 X 10”イオン/−照射しても、2X1
(ql−イオン/−の場合と比べそれ程強度は向上しな
いことが判る。
実施例2: 実施例1で得たのと同様のアルミナを用意し、実施例1
と同様にSiイオンを40[1に!Vの加速エネルギー
でI X 10’イオン/−照射し、その後1300〜
1600℃の温度範囲で加熱温度を変化させて2時間加
熱処理を行なった。
結果を第2表に示す。
第2表 加熱処理温度と曲げ強度との関係第2表に示さ
れるように、1300℃の加゛熱処理でも強度が向上す
ることが分るが、1400℃加熱の場合と比較して、そ
の程度は小さい。これは加熱時間が2時間であったため
、反応が十分に進んでいないためと考えられる。また、
1600℃で加熱すると、未処理の試料と同程度の強度
になる。この温度になると、焼結体に用いた副成分が液
相を形成し、この中にムライト成分を溶かし込むためと
考えられる。
実施例5: 単結晶アルミナの0面をカットした厚さ1−の短冊状の
試験片を作製した。試験片の寸法はIX5X25mmで
あった。この0面をダイアモンドペーストで鏡面研摩し
、エッヂもIC程度落し、同様にダイアモンドペースト
を用いてパフ仕上げを行なった。この試験片をア七トン
を用いて超音波洗浄した後、200keVの加速エネル
ギーでSiイオンをこの鏡面研摩した面に照射した。
Siイオンの照射量は2X10”イオン/−であった。
イオン照射後1600℃で2時間加熱処理を行ない、加
熱処理後3点曲げ強度を測定した。
イオン照射前の単結晶アルミナの平均強度は92kg/
−であったが、イオン照射して熱処理を行なった後の単
結晶アルミナの平均強度は、110kg/−であり、約
20係の増大が認められた。
〔発明の効果〕
上述のように本発明のアルミナセラミックスの強化方法
は、アルミナセラミックスの表面KSi原子を注入後加
熱処理を行なう方法であるため、任意形状のアル2ナセ
ラミツクスの全体又は一部の強度を簡便迅速に向上させ
ることができ、アルミナセラミックスを用いた部品の性
能や信頼性の向上に効果を奏する。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)アルミナセラミックスの表面に珪素(Si)原子
    を注入した後、該アルミナセラミックスを加熱すること
    を特徴とするアルミナセラミックスの強化方法。
  2. (2)上記珪素(Si)原子の注入を、加速した珪素(
    Si)イオンを照射することによって行うことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載のアルミナセラミックス
    の強化方法。
  3. (3)珪素(Si)イオンの加速エネルギーが30ke
    V〜2MeVの範囲であり、且つ該珪素(Si)イオン
    の照射量が1×10^1^7イオン/cm^2〜5×1
    0^1^8イオン/cm^2であることを特徴とする特
    許請求の範囲第2項記載のアルミナセラミックスの強化
    方法。
  4. (4)上記加熱を1300〜1700℃の温度範囲内で
    行なうことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のア
    ルミナセラミックスの強化方法。
JP60161701A 1985-07-22 1985-07-22 アルミナセラミツクスの強化方法 Granted JPS6221776A (ja)

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JP60161701A JPS6221776A (ja) 1985-07-22 1985-07-22 アルミナセラミツクスの強化方法

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JPS6221776A true JPS6221776A (ja) 1987-01-30
JPH0513108B2 JPH0513108B2 (ja) 1993-02-19

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63225574A (ja) * 1987-03-12 1988-09-20 東芝タンガロイ株式会社 切削工具部材用セラミツクス焼結体及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63225574A (ja) * 1987-03-12 1988-09-20 東芝タンガロイ株式会社 切削工具部材用セラミツクス焼結体及びその製造方法

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JPH0513108B2 (ja) 1993-02-19

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