JPS6222005A - 膜厚測定装置 - Google Patents
膜厚測定装置Info
- Publication number
- JPS6222005A JPS6222005A JP16459885A JP16459885A JPS6222005A JP S6222005 A JPS6222005 A JP S6222005A JP 16459885 A JP16459885 A JP 16459885A JP 16459885 A JP16459885 A JP 16459885A JP S6222005 A JPS6222005 A JP S6222005A
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- JP
- Japan
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- light
- film thickness
- film
- measuring device
- measured
- Prior art date
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は例えば磁気テープ等の製造ラインにおける塗
工機の制御、監視を行うための塗膜の膜厚を測定する膜
厚測定装置に関するものである。
工機の制御、監視を行うための塗膜の膜厚を測定する膜
厚測定装置に関するものである。
第８図は従来の渦電流式膜厚測定装置の構成図で、（１
）は磁気テープで、ポリエステル等の母材（１ａ）の上
に磁性体の塗膜（１ｂ）がついている。ａυは検出器で
、コア（ｔｌｍ）に励磁巻線（ｌｌｂ）を巻き、発振器
四で励磁している。
）は磁気テープで、ポリエステル等の母材（１ａ）の上
に磁性体の塗膜（１ｂ）がついている。ａυは検出器で
、コア（ｔｌｍ）に励磁巻線（ｌｌｂ）を巻き、発振器
四で励磁している。
次に動作について説明する。コア（ｌ１ｍ）の開放端間
には励磁の磁界が発生しているが、接近した位置に磁性
体があると励磁インピーダンスが変わる。この変化は磁
性体の特性、サイズ、位置等により変化するため、この
インピーダンスの変化全検出すれば一定特性、一定位置
、一定幅の条件下で磁性体の厚みが検出できることとな
る。
には励磁の磁界が発生しているが、接近した位置に磁性
体があると励磁インピーダンスが変わる。この変化は磁
性体の特性、サイズ、位置等により変化するため、この
インピーダンスの変化全検出すれば一定特性、一定位置
、一定幅の条件下で磁性体の厚みが検出できることとな
る。
従来の膜厚測定装置は被測定膜と検出器との距離を一定
に、しかも接近１通常は接触させもなければ感度良く、
安定に測定できず、製造ライン中に組込むことができな
かった。
に、しかも接近１通常は接触させもなければ感度良く、
安定に測定できず、製造ライン中に組込むことができな
かった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、非接触にしかも、被測定膜の位置が変化しても
影響を受けない膜厚測定装置を提供する。
もので、非接触にしかも、被測定膜の位置が変化しても
影響を受けない膜厚測定装置を提供する。
この発明に係るｐＡｗ−測定装置は異なる波長の光を出
射する２個の光源、これらの光を合波する合波器、この
合波器からの光をモニタする第１の受光器、合波器から
出て被測定膜を透過した光を受光する第２の受光器、各
受光器の出力から膜厚を演算する処理回路を備えたもの
である。
射する２個の光源、これらの光を合波する合波器、この
合波器からの光をモニタする第１の受光器、合波器から
出て被測定膜を透過した光を受光する第２の受光器、各
受光器の出力から膜厚を演算する処理回路を備えたもの
である。
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′理回路が第１及び第２の受光器の出力から被測定膜
での各党の吸収量を求めこの吸収量から被測定膜の膜厚
を演算する。
′理回路が第１及び第２の受光器の出力から被測定膜
での各党の吸収量を求めこの吸収量から被測定膜の膜厚
を演算する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の構成図で、第８図と同一番号のものは
同一のものを示す。図において、（２）は磁気テープ（
１）を透過する波長を持つ第１の光源、（３）は磁気テ
ープ（１）を透過し光源（２）とは異なる波長を持つ第
２の光源、（４）は２つの光源（２）、（８）からの光
を合波する合波器、（５）は合波された２つの波長の光
の１部をモニタする第１の受光器、（６）は合波器（４
）から出た２つの波長の光が磁気テープ（１）を透過し
た光を受光する第２の受光器、（７）は〜生変換器、（
８）はディジタル処理回路、（９）は光源（２） 、
（８）をそれぞれ交互に点灯するとともに、しかも両者
がともに消灯する期間を持つように駆動する駆動回路で
ある。第２図は磁気テープ（１）の光を透過率の波長依
存性を示す特性図である。
同一のものを示す。図において、（２）は磁気テープ（
１）を透過する波長を持つ第１の光源、（３）は磁気テ
ープ（１）を透過し光源（２）とは異なる波長を持つ第
２の光源、（４）は２つの光源（２）、（８）からの光
を合波する合波器、（５）は合波された２つの波長の光
の１部をモニタする第１の受光器、（６）は合波器（４
）から出た２つの波長の光が磁気テープ（１）を透過し
た光を受光する第２の受光器、（７）は〜生変換器、（
８）はディジタル処理回路、（９）は光源（２） 、
（８）をそれぞれ交互に点灯するとともに、しかも両者
がともに消灯する期間を持つように駆動する駆動回路で
ある。第２図は磁気テープ（１）の光を透過率の波長依
存性を示す特性図である。
次に動作について説明する。
光源（２）及び（８）は駆動回路（９）で交互に間欠的
に点灯する。これらの光は合波器（４）で合波されるた
め、合波器（４）から出る光は、２つの異なる波長の光
が時系列に出る。この合波光を磁気テープ（１）に透過
させ、受光器（６）で光電変換する。
に点灯する。これらの光は合波器（４）で合波されるた
め、合波器（４）から出る光は、２つの異なる波長の光
が時系列に出る。この合波光を磁気テープ（１）に透過
させ、受光器（６）で光電変換する。
ところで磁気テープ（１）は母材（１ａ）と塗膜（１ｂ
）で構成されるが、母材（１ａ）はポリエステル等透明
な材料であるのでほぼ１００％光が透過し、塗膜（１ｂ
）の透過特性は第２°図に示す実線で表わした特性のよ
うに波長依存性を持つ。しかもその特性は膜厚により厚
い場合は一点鎖線、薄い場合は点線のように厚みにより
その透過開始波長が異なる。一方光源等の光強度の変化
は透過開始波長が同じであるが、その傾斜が異なる。従
って前記受光器（６）の出力を異なる波長の透過量を時
系列でい変換器（７）でディジタル値に変換し、ディジ
タル処理回路（８）で両者の比又は２波長間の透過特性
の傾きを計算し、その透過開始波長を求めることで膜厚
に比例した出力を得ることができる。
）で構成されるが、母材（１ａ）はポリエステル等透明
な材料であるのでほぼ１００％光が透過し、塗膜（１ｂ
）の透過特性は第２°図に示す実線で表わした特性のよ
うに波長依存性を持つ。しかもその特性は膜厚により厚
い場合は一点鎖線、薄い場合は点線のように厚みにより
その透過開始波長が異なる。一方光源等の光強度の変化
は透過開始波長が同じであるが、その傾斜が異なる。従
って前記受光器（６）の出力を異なる波長の透過量を時
系列でい変換器（７）でディジタル値に変換し、ディジ
タル処理回路（８）で両者の比又は２波長間の透過特性
の傾きを計算し、その透過開始波長を求めることで膜厚
に比例した出力を得ることができる。
ところで合波器（４）の出射光を直接もう１つの受光器
（５）で充電変換し、ψ変換器（７）で前述の受光器（
６）の出力を〜巾変換するタイミングより、ゎずかにず
らしてφ変換し、各々光が受光器（５） 、 （６）に
入らない場合と入った場合との差を透過量として求め、
しかも受光器（５）の出力で受光器（６）の出力を除す
る演算をして、前述の膜厚を求める演算をすることで受
光器（５） 、 （６）の暗電流の影響を受けず、また
２光源＋２１ 、 （８１間の光強度の変動も受けず安
定に膜厚を測定できる。
（５）で充電変換し、ψ変換器（７）で前述の受光器（
６）の出力を〜巾変換するタイミングより、ゎずかにず
らしてφ変換し、各々光が受光器（５） 、 （６）に
入らない場合と入った場合との差を透過量として求め、
しかも受光器（５）の出力で受光器（６）の出力を除す
る演算をして、前述の膜厚を求める演算をすることで受
光器（５） 、 （６）の暗電流の影響を受けず、また
２光源＋２１ 、 （８１間の光強度の変動も受けず安
定に膜厚を測定できる。
以上のようにこの発明によれば異なる波長の光を被測定
膜に透過させ、各党の透過量から膜厚を演算するように
したので、非接触でしかも被測定膜の位置に影響されな
い正確な測定が可能となる。
膜に透過させ、各党の透過量から膜厚を演算するように
したので、非接触でしかも被測定膜の位置に影響されな
い正確な測定が可能となる。
第１図は本発明の一実施例における膜厚測定装置の構成
図、第２図は磁気テープの透過率の波長依存性特性図、
第８図は従来の膜厚測定装置の構成図である。 図において、（１ｂ）は被測定膜としての磁性体の塗膜
、（２） （８１は光源、（４）は合波器、（５） （
６）は第１及び第２の受光器、（７） （８）は処理回
路としてのそれぞれ〜生変換器及びディジタル処理回路
である。 なお各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
図、第２図は磁気テープの透過率の波長依存性特性図、
第８図は従来の膜厚測定装置の構成図である。 図において、（１ｂ）は被測定膜としての磁性体の塗膜
、（２） （８１は光源、（４）は合波器、（５） （
６）は第１及び第２の受光器、（７） （８）は処理回
路としてのそれぞれ〜生変換器及びディジタル処理回路
である。 なお各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (8)
- （１）被測定膜を透過し互いに異なる波長の光を出射す
る２個の光源、これら光源の光を合波する合波器、この
合波器の出力をモニタして光電変換する第１の受光器、
上記合波器から出て上記被測定膜を透過した光を受光し
て光電変換する第２の受光器、上記第１及び第２の受光
器の出力から上記被測定膜での各光の吸収量を求めこの
吸収量から被測定膜の膜厚を演算する処理回路を備えた
膜厚測定装置。 - （２）被測定膜を入射光の方向と直角の方向に移動させ
る構成とし、膜厚を連続的に測定するようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の膜厚測定装置。 - （３）２個の光源を時系列に交互に点灯させることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の膜厚
測定装置。 - （４）処理回路は各受光器の出力をＡ／Ｄ変換するＡ／
Ｄ変換器とこのＡ／Ｄ変換器の出力をディジタル処理し
て膜厚を演算するディジタル処理回路とからなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
かに記載の膜厚測定装置。 - （５）Ａ／Ｄ変換器を１個で構成し、各受光器の出力を
時間差を設けてＡ／Ｄ変換することを特徴とする特許請
求の範囲第４項記載の膜厚測定装置。 - （６）ディジタル処理回路は各光の透過量の比を演算し
これから膜厚を演算することを特徴とする特許請求の範
囲第４項または第５項記載の膜厚測定装置。 - （７）ディジタル処理回路は各光の透過量の２波長間の
傾きからその透過開始波長を演算しこれから膜厚を演算
することを特徴とする特許請求の範囲第４項または第５
項記載の膜厚測定装置。 - （８）ディジタル処理回路は２個の光源がともに消灯し
ている場合の値といずれか一方の光源が点灯している場
合の値との差を使用して演算することを特徴とする特許
請求の範囲第６項または第７項記載の膜厚測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16459885A JPS6222005A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 膜厚測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16459885A JPS6222005A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 膜厚測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6222005A true JPS6222005A (ja) | 1987-01-30 |
Family
ID=15796219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16459885A Pending JPS6222005A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 膜厚測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6222005A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219939A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体層の厚さ測定法及びそれに使用する装置 |
| KR20220108185A (ko) * | 2020-04-08 | 2022-08-02 | 비엘 텍 케이.케이. | 흐름 분석 장치 및 흐름 분석 방법 |
-
1985
- 1985-07-23 JP JP16459885A patent/JPS6222005A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219939A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体層の厚さ測定法及びそれに使用する装置 |
| KR20220108185A (ko) * | 2020-04-08 | 2022-08-02 | 비엘 텍 케이.케이. | 흐름 분석 장치 및 흐름 분석 방법 |
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