JPS62241837A - 石英ガラスの製造方法 - Google Patents
石英ガラスの製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/12—Other methods of shaping glass by liquid-phase reaction processes
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はゾル−ゲル法による石英ガラスの製造方法に関
する。
する。
本発明は高温処理を用いるゾル−ゲル法による 、石
英ガラスの製造方法において、ドライゲルを２００℃〜
８００℃の温度域で減圧状態を保ちながら保持すること
により、塩の分解・昇華に起因する発泡を除去したもの
である。
英ガラスの製造方法において、ドライゲルを２００℃〜
８００℃の温度域で減圧状態を保ちながら保持すること
により、塩の分解・昇華に起因する発泡を除去したもの
である。
ゾル−ゲル法を用いて作製したドライゲルを、ヘリウム
雰囲気あるいは減圧下で閉孔化し、石英ガラスまたはガ
ラス前駆体とした試料を、１５００〜２０００℃に加熱
処理すると、インクルージ菖ンの全く存在しない、光学
的に極めて高品質な石英ガラスを製造することができる
。ＩＣマスク用石英基板や通信ファイバー用マザーロッ
ドにも応用できるようになった。
雰囲気あるいは減圧下で閉孔化し、石英ガラスまたはガ
ラス前駆体とした試料を、１５００〜２０００℃に加熱
処理すると、インクルージ菖ンの全く存在しない、光学
的に極めて高品質な石英ガラスを製造することができる
。ＩＣマスク用石英基板や通信ファイバー用マザーロッ
ドにも応用できるようになった。
ゾル成分で分類すると、次に挙げる４つの方法でドライ
ゲルが作製されている。
ゲルが作製されている。
１） アルキルシリケートを酸性、あるいは塩基性試薬
で加水分解したゾル溶液を原料とする。
で加水分解したゾル溶液を原料とする。
２） アルキルシリケートを酸性試薬と塩基性試薬でそ
れぞれ加水分解し、所定の割合で混合したゾル溶液を原
料とする。
れぞれ加水分解し、所定の割合で混合したゾル溶液を原
料とする。
３） アルキルシリケートを酸性加水分解した溶液に、
気相合成シリカ超微粉末を混合させたゾル溶液を原料と
する。
気相合成シリカ超微粉末を混合させたゾル溶液を原料と
する。
４） 気相合成シリカ超微粉末を溶媒に分散させたゾル
溶液を原料とする。
溶液を原料とする。
気相合成シリカ超微粉末中には金菖元累が混入しており
、これを原料に用いる限り、光学的特性には限界がある
。工Ｃマスクや光通信ファイバーへの応用を考えると、
アルキルシリケートのみを原料とする必要がある。
、これを原料に用いる限り、光学的特性には限界がある
。工Ｃマスクや光通信ファイバーへの応用を考えると、
アルキルシリケートのみを原料とする必要がある。
１）の方法は歩留りが極めて悪いため、実用性に欠ける
。２）の方法だけが高純度の石英ガラスを、歩留りよく
製造できる。しかし、２）の方法で作製したドライゲル
は、その中に多量の塩を含んでいるため、１５００〜２
０００℃の高温処理において、気泡が発生するという問
題点を有するそこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので、その目的とするところは、不純物や気泡の全
く存在しない光学的に極めて高品質な石英ガラスを、ゾ
ル−ゲル法を用いて製造するところにある。
。２）の方法だけが高純度の石英ガラスを、歩留りよく
製造できる。しかし、２）の方法で作製したドライゲル
は、その中に多量の塩を含んでいるため、１５００〜２
０００℃の高温処理において、気泡が発生するという問
題点を有するそこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので、その目的とするところは、不純物や気泡の全
く存在しない光学的に極めて高品質な石英ガラスを、ゾ
ル−ゲル法を用いて製造するところにある。
本発明はアルキルシリケートを塩基性試薬で加水分解し
て得られるシリカ微粒子を溶液中に含む第１の溶液と、
アルキルシリケートを酸性試薬で加水分解して得られる
第２の溶液とを、所定の割合で混合して得られるゾル溶
液を原料とし、ゾル−ゲル法で作製したガラスあるいは
ガラス前駆体を１５００〜２２００℃に加熱し、一定時
間保持する石英ガラス合成において、ドライゲルな２０
０℃〜８００℃の温度域で減圧状態を保ちながら保持す
ることを特徴とする。
て得られるシリカ微粒子を溶液中に含む第１の溶液と、
アルキルシリケートを酸性試薬で加水分解して得られる
第２の溶液とを、所定の割合で混合して得られるゾル溶
液を原料とし、ゾル−ゲル法で作製したガラスあるいは
ガラス前駆体を１５００〜２２００℃に加熱し、一定時
間保持する石英ガラス合成において、ドライゲルな２０
０℃〜８００℃の温度域で減圧状態を保ちながら保持す
ることを特徴とする。
アルキルシリケートを加水分解する塩基性試薬として、
アルカリ金属やアルカリ土類金拠の水酸化物は、純度の
点で用いることができない。金属元素を含まないアンモ
ニアやアミン類が塩基性試薬として用いられている。
アルカリ金属やアルカリ土類金拠の水酸化物は、純度の
点で用いることができない。金属元素を含まないアンモ
ニアやアミン類が塩基性試薬として用いられている。
アンモニフム塩やアミン塩の昇華温度、または分解温度
は２００℃〜５００℃である。その温度以上で一定時間
保持すれば塩を除去できる。ただし塩はドライゲル中に
固定されているため、除去されにくい。できるだけ高温
で保持し、減圧状態を保つことにより、昇華や拡散を促
進する必要がある。８００℃以上の温度では閉孔化が始
まり、塩を取り込んだままガラス化してしまう。該ガラ
スは高温処理の際に塩の分解・昇華が起こり発泡する。
は２００℃〜５００℃である。その温度以上で一定時間
保持すれば塩を除去できる。ただし塩はドライゲル中に
固定されているため、除去されにくい。できるだけ高温
で保持し、減圧状態を保つことにより、昇華や拡散を促
進する必要がある。８００℃以上の温度では閉孔化が始
まり、塩を取り込んだままガラス化してしまう。該ガラ
スは高温処理の際に塩の分解・昇華が起こり発泡する。
また２００℃以下の温度から減圧状態にすると、有機物
の分解が不充分で、炭素を除去できない。
の分解が不充分で、炭素を除去できない。
実施例１゜
エチルシリケート１７６０ ｄ ＊エタノール２ル合し
、室温で３日放置した。白濁したゾルに純水４００ｄを
添加してから、ロータリーエバポレーターを用いて１０
００℃に濃縮した。更に２規定塩酸水溶液を添加してＰ
Ｈ ４． ０に調整した。
、室温で３日放置した。白濁したゾルに純水４００ｄを
添加してから、ロータリーエバポレーターを用いて１０
００℃に濃縮した。更に２規定塩酸水溶液を添加してＰ
Ｈ ４． ０に調整した。
それとは別にエチルシリケート７６０ｄと［Ｌ０２規定
塩酸水溶液２５０ｄを激しく攪拌し、無色透明の均一溶
液を得た。前述のゾルと均一に混合した後、１μ渦のフ
ィルターを通過させた。０．１規定アンモニア水でＰ
Ｈ ４． ２に￥ｉｉ［してから、１５００Ｇの遠心力
を１０分間かけた後、再び１μｍのフィルターを通過さ
せた。
塩酸水溶液２５０ｄを激しく攪拌し、無色透明の均一溶
液を得た。前述のゾルと均一に混合した後、１μ渦のフ
ィルターを通過させた。０．１規定アンモニア水でＰ
Ｈ ４． ２に￥ｉｉ［してから、１５００Ｇの遠心力
を１０分間かけた後、再び１μｍのフィルターを通過さ
せた。
得られた均質度の高いゾルを・ポリプロピレン製容器（
幅３０備Ｘ ５ ０ ｃｍ Ｘ高さ１５ｍ）に１０００
ｄ注入した。開口率［Ｌ５％のフタをし、６０℃で２０
日間乾燥させたところ、白色で多孔質のドライゲルが作
製できた。
幅３０備Ｘ ５ ０ ｃｍ Ｘ高さ１５ｍ）に１０００
ｄ注入した。開口率［Ｌ５％のフタをし、６０℃で２０
日間乾燥させたところ、白色で多孔質のドライゲルが作
製できた。
真空炉内にドライゲルな入れ、乾燥空気を２ｔ／７１の
流量で炉内に流入した。６０℃／ ｈ ｒの速度で６０
０℃まで昇温し、ロータリーポンプで５’ｒｏｒｒ以下
を保ちながら６００℃で３時間保持した。ヘリウムを２
ｔ／−の流量で炉内に流入し、８００℃、９００℃、１
０００℃、１１００℃、１２ｏｏ℃の各温度で１０時間
ずつ保持した。
流量で炉内に流入した。６０℃／ ｈ ｒの速度で６０
０℃まで昇温し、ロータリーポンプで５’ｒｏｒｒ以下
を保ちながら６００℃で３時間保持した。ヘリウムを２
ｔ／−の流量で炉内に流入し、８００℃、９００℃、１
０００℃、１１００℃、１２ｏｏ℃の各温度で１０時間
ずつ保持した。
ガラス化が終了しており、比重は２．２０になっていた
。
。
得られた石英ガラス板を１１３００℃の黒鉛発熱炉内に
投入し、２０分間保持した。１２００℃まで１０００℃
／ ｈ ｒの速度で降温し、それ以後室温まで１００℃
／ ｈ ｒの速度で降温した。
投入し、２０分間保持した。１２００℃まで１０００℃
／ ｈ ｒの速度で降温し、それ以後室温まで１００℃
／ ｈ ｒの速度で降温した。
１５ｍ×１５ｃＷＩｘＱ、５ｃｒｒ１の大きさに鏡面研
磨し、暗室内で５０． Ｑ ００ ｌｕｘの照度レニな
るよう集光ランプを当てたが、光点は全く検出できなか
った。歪計では、歪が検出されなかった。紫外域での透
過率を測定したところ、２０（］＋ｎａまで９０％以上
を保持しており、特定の吸収は認められなかった。
磨し、暗室内で５０． Ｑ ００ ｌｕｘの照度レニな
るよう集光ランプを当てたが、光点は全く検出できなか
った。歪計では、歪が検出されなかった。紫外域での透
過率を測定したところ、２０（］＋ｎａまで９０％以上
を保持しており、特定の吸収は認められなかった。
実施例Ｚ
エチルシリケート４２００ｍ、エタノール８３９０ｄ、
５規定アンモニア水１７００ｄを均一に混合し、室温で
３日放置した。白濁したゾルに純７ｊｌＯＯＯｄを添加
してから、ロータリーエバポレーターを用いて２４００
ゴに濃縮した。更に２規定塩酸水溶液を添加して、ＰＨ
４，０に調整したそれとは別にエチルシリケー）２８０
０ｄ、：０゜０２規定塩酸水溶液９２０ｄを激しく攪拌
し、無色透明の均一溶液を得た。前述のゾルと均一に混
合した後１μｍのフィルターを通過させた。１５００Ｇ
の遠心力を１０分間かけた後、［Ｌ１規定アンモニア水
で１Ｐ Ｈ４，８に’ｆｊ３ ％した。更に１μ洛のフ
ィルターを通過させた。
５規定アンモニア水１７００ｄを均一に混合し、室温で
３日放置した。白濁したゾルに純７ｊｌＯＯＯｄを添加
してから、ロータリーエバポレーターを用いて２４００
ゴに濃縮した。更に２規定塩酸水溶液を添加して、ＰＨ
４，０に調整したそれとは別にエチルシリケー）２８０
０ｄ、：０゜０２規定塩酸水溶液９２０ｄを激しく攪拌
し、無色透明の均一溶液を得た。前述のゾルと均一に混
合した後１μｍのフィルターを通過させた。１５００Ｇ
の遠心力を１０分間かけた後、［Ｌ１規定アンモニア水
で１Ｐ Ｈ４，８に’ｆｊ３ ％した。更に１μ洛のフ
ィルターを通過させた。
得られた均質度の高いゾルを、アルミニウム管にテフロ
ンコーティングした容器（内径６ ｍ 、長さ１５０ｃ
Ｗ１）に５７７０ｍ注入し、密栓をした。
ンコーティングした容器（内径６ ｍ 、長さ１５０ｃ
Ｗ１）に５７７０ｍ注入し、密栓をした。
回転装置に装着し、管の中心軸を回転軸として、回転数
１５００ ｒａｐ＋＋ｍで１時間１１転させた。
１５００ ｒａｐ＋＋ｍで１時間１１転させた。
室温で４日間静置した後、ゲルをポリ塩化ビニル製容器
（１０ｃＩｒＩＸ１７０ｒｒｒ１×高さ２０ｃｍ）内に
移した。開口率１５％のフタをし、６０℃で３０日間乾
燥させたところ、チェープ形状のドライゲルが作製でき
た。
（１０ｃＩｒＩＸ１７０ｒｒｒ１×高さ２０ｃｍ）内に
移した。開口率１５％のフタをし、６０℃で３０日間乾
燥させたところ、チェープ形状のドライゲルが作製でき
た。
真空炉内にドライゲルな入れ、乾燥空気を２６／−の流
量で炉内に流入した。６０℃／ ｈ ｒ ｆ）速度で７
００℃まで昇温し、ロータリーポンプで１Ｔｏｒｒ以下
を保ちながら７００℃で２時間保持した。ヘリウム（１
，８ｔ／”）と塩素（０，２ｔ／調）の混合ガスを流入
し、３０℃／ ｈ ｒの速度で１０００℃まで昇温した
。流入ガスを酸素（２ｔ／−）に切シ換え、１０００℃
と１０５０℃でそれぞれ１０時間保持した。最後に流入
ガスをヘリウム（２７，／”ｌ）に切シ換え、１０５０
℃、１１００℃、１２００℃の各温度で１０時間ずつ保
持した。半透明状態だったが、比重はほぼ２．２０に７
５ｍだった。
量で炉内に流入した。６０℃／ ｈ ｒ ｆ）速度で７
００℃まで昇温し、ロータリーポンプで１Ｔｏｒｒ以下
を保ちながら７００℃で２時間保持した。ヘリウム（１
，８ｔ／”）と塩素（０，２ｔ／調）の混合ガスを流入
し、３０℃／ ｈ ｒの速度で１０００℃まで昇温した
。流入ガスを酸素（２ｔ／−）に切シ換え、１０００℃
と１０５０℃でそれぞれ１０時間保持した。最後に流入
ガスをヘリウム（２７，／”ｌ）に切シ換え、１０５０
℃、１１００℃、１２００℃の各温度で１０時間ずつ保
持した。半透明状態だったが、比重はほぼ２．２０に７
５ｍだった。
得られた石英ガラス前駆体を、黒鉛を発熱体とした約２
０００℃のリングヒーター内を２０ｔＭ／−の速度で移
動させた。波長ＬＬ６３３μ風のレーザー光を照射した
ところ、散乱は全く観察されなかった。２．７２μ鶏の
吸収により含水率を測定したところ、ｌｐｐｍ以下であ
った。
０００℃のリングヒーター内を２０ｔＭ／−の速度で移
動させた。波長ＬＬ６３３μ風のレーザー光を照射した
ところ、散乱は全く観察されなかった。２．７２μ鶏の
吸収により含水率を測定したところ、ｌｐｐｍ以下であ
った。
得られた石英チェー１から外径５０μｍの′＃、ファイ
バーを作製したところ、１．５６μｍにおいて伝送損失
が１．０ｄＢ／Ｋｍ以下であった。極めて高純度であり
、散乱原になるインクルージヨンは存在しないことが確
認できた。
バーを作製したところ、１．５６μｍにおいて伝送損失
が１．０ｄＢ／Ｋｍ以下であった。極めて高純度であり
、散乱原になるインクルージヨンは存在しないことが確
認できた。
実施例五
エチルシリケー） ｆ ４００ ｄ 、エタノール２５
００ｄ、純水５７０ ｄ 、ピリジン３００ｄを均一に
混合し、室温で３日間放置した。白濁したゾルに純水３
３０ｄを添加してから、ロータリーエバポレーターを用
いて８００ｄに濃縮した。更に２規定硫醗水溶液を添加
してＰ Ｆ［４，０に調整した。
００ｄ、純水５７０ ｄ 、ピリジン３００ｄを均一に
混合し、室温で３日間放置した。白濁したゾルに純水３
３０ｄを添加してから、ロータリーエバポレーターを用
いて８００ｄに濃縮した。更に２規定硫醗水溶液を添加
してＰ Ｆ［４，０に調整した。
それふけ別にエチルシリケート９７０献Ｊ−０，１？規
定塩酸水溶液３２０ｄを激しく攪拌し、無色透明の均一
溶液を得た。前述のゾルと均一に混合した後、１μｍの
フィルターを通過させた。α１規定アンモニア水でＰ
Ｈ４，２にｗ４整してから、１５ＤＯＧの遠心力を１０
分間かけた後、再び１μｍのフィルターを通過させた。
定塩酸水溶液３２０ｄを激しく攪拌し、無色透明の均一
溶液を得た。前述のゾルと均一に混合した後、１μｍの
フィルターを通過させた。α１規定アンモニア水でＰ
Ｈ４，２にｗ４整してから、１５ＤＯＧの遠心力を１０
分間かけた後、再び１μｍのフィルターを通過させた。
得られた均質度の高いゾルを、ポリプロピレン製容器（
内径５ ｃｍ 、長さ１００ｃｍ）に１９００ｔ／注入
し、密栓をした。室温で４日間静置した後、ゲルをポリ
塩化ビニル製容器（１０ｒＩｒＩ×１２０ｃＩｒ１×高
ざ２０ｎｎ）内に移した。開口率Ｑ、５％のフタをし、
６０℃で３０日間乾燥させたところ、棒状のドライゲル
が作製できた。
内径５ ｃｍ 、長さ１００ｃｍ）に１９００ｔ／注入
し、密栓をした。室温で４日間静置した後、ゲルをポリ
塩化ビニル製容器（１０ｒＩｒＩ×１２０ｃＩｒ１×高
ざ２０ｎｎ）内に移した。開口率Ｑ、５％のフタをし、
６０℃で３０日間乾燥させたところ、棒状のドライゲル
が作製できた。
ガス置換炉内にドライゲルを入れ、窒素（１ｔ／ｍ）と
酸素Ｃ１ｔ／’Ｒ）の混合ガスを炉内に流入した。６０
℃／ ｈ ｒの速度で５００℃まで昇温し、ロータリー
ポンプでＩＴｏｒｒ以下を保ちながら５００℃で５時間
保持した。６０℃／ ｈ ｒの速度で７００℃まで昇温
し、ヘリウム（１，８ｔ／騙）と塩素（ＣＬ ２１７ｍ
）の混合ガスを流入し、３０℃／ ｈ ｒの速度で１０
００℃まで昇温した。
酸素Ｃ１ｔ／’Ｒ）の混合ガスを炉内に流入した。６０
℃／ ｈ ｒの速度で５００℃まで昇温し、ロータリー
ポンプでＩＴｏｒｒ以下を保ちながら５００℃で５時間
保持した。６０℃／ ｈ ｒの速度で７００℃まで昇温
し、ヘリウム（１，８ｔ／騙）と塩素（ＣＬ ２１７ｍ
）の混合ガスを流入し、３０℃／ ｈ ｒの速度で１０
００℃まで昇温した。
流入ガスを酸素Ｃ２ｔ／ｍ）に切シ換え、１０００℃と
１０５０℃でそれぞれ１０時間保持した。
１０５０℃でそれぞれ１０時間保持した。
再びロータリーポンプでＩ ＴＯｒｒ以下の減圧度を保
ちながら１０５０℃、 １１００℃、１２００℃の各温
度でＩｎ、時間ずつ保持した。半透明状態だったが、比
重はほぼ２．２０になっていた。大きさは外径２．５
ｏｎ 、長さ５０ｃＩｎだった。
ちながら１０５０℃、 １１００℃、１２００℃の各温
度でＩｎ、時間ずつ保持した。半透明状態だったが、比
重はほぼ２．２０になっていた。大きさは外径２．５
ｏｎ 、長さ５０ｃＩｎだった。
得られた石英ガラス前駆体を、酸水素炎のリングバーナ
ー内を、１０（−ｎ１／−の速度で移動させた。波長０
．６５３μ溝のレーザー光を照射したところ、散乱は全
く観察されなかった。２．７２μｍの吸収により含水率
を測定したところ、ｌｐｐｍ以下であった。この石英ロ
ッドから外径５０μｍの光７アイパーを作製したところ
、１．５６μｍにおいて伝送損失が１．０ｄＢ／Ｋｍ以
下であった。
ー内を、１０（−ｎ１／−の速度で移動させた。波長０
．６５３μ溝のレーザー光を照射したところ、散乱は全
く観察されなかった。２．７２μｍの吸収により含水率
を測定したところ、ｌｐｐｍ以下であった。この石英ロ
ッドから外径５０μｍの光７アイパーを作製したところ
、１．５６μｍにおいて伝送損失が１．０ｄＢ／Ｋｍ以
下であった。
実施例４゜
実施例１と同様の方法で作製したドライゲルな真空炉内
に入れ、乾燥空気を２ｔ／ｍの流徂で炉内に流入し、６
０℃／ ｈ ｒの速度で４００℃まで昇温した。ロータ
リーポンプでＩ Ｔ Ｏｒ ｒ以下）減圧を保ちながら
、４００℃で５時間保持した。
に入れ、乾燥空気を２ｔ／ｍの流徂で炉内に流入し、６
０℃／ ｈ ｒの速度で４００℃まで昇温した。ロータ
リーポンプでＩ Ｔ Ｏｒ ｒ以下）減圧を保ちながら
、４００℃で５時間保持した。
更に１Ｔｏｒｒ以下のまま６０℃／ ｈ ｒの速度で１
３００℃まで昇温し、１時間保持したところ、ガラス化
が終了していた。
３００℃まで昇温し、１時間保持したところ、ガラス化
が終了していた。
その後実施例１と同様の高温処理を行ない、同様の評価
を行なった。インクルージ曹ンは全く存在せず、光学的
特性は極めてすぐれていた。
を行なった。インクルージ曹ンは全く存在せず、光学的
特性は極めてすぐれていた。
以上述べたように本発明によれば、アルキルシリケート
を塩基性試薬で加水分解して得られるシリカ微粒子を溶
液中に含む第１の溶液と、アルキルシリケートを酸性試
薬で加水分解して得られる第２の溶液とを、所定の割合
で混合して得られるゾル溶液を原料とし、ゾル−ゲル法
で作製したガラスあるいはガラス前駆体を１５００℃〜
２２００℃に加熱し、一定時間保持する石英ガラス合成
において、ドライゲルな２００℃〜８００℃の温、不純
物や気泡の全く存在しない光学的に極めて高品質な石英
ガラスを製造することができた。
を塩基性試薬で加水分解して得られるシリカ微粒子を溶
液中に含む第１の溶液と、アルキルシリケートを酸性試
薬で加水分解して得られる第２の溶液とを、所定の割合
で混合して得られるゾル溶液を原料とし、ゾル−ゲル法
で作製したガラスあるいはガラス前駆体を１５００℃〜
２２００℃に加熱し、一定時間保持する石英ガラス合成
において、ドライゲルな２００℃〜８００℃の温、不純
物や気泡の全く存在しない光学的に極めて高品質な石英
ガラスを製造することができた。
本発明により、ゾル−ゲル法による石英ガラスでも、Ｉ
Ｃマスク用石英基板や光通信ファイバー用マザーロッド
への応用が可能そなった。
Ｃマスク用石英基板や光通信ファイバー用マザーロッド
への応用が可能そなった。
以上
Claims (1)
- アルキルシリケートを塩基性試薬で加水分解して得られ
るシリカ微粒子を溶液中に含む第１の溶液と、アルキル
シリケートを酸性試薬で加水分解して得られる第２の溶
液とを、所定の割合で混合して得られるゾル溶液を原料
とし、ゾル−ゲル法で作製したガラスあるいはガラス前
駆体を１５００℃〜２２００℃に加熱し、一定時間保持
する石英ガラス合成において、ドライゲルを２００℃〜
８００℃の温度域で減圧状態を保ちながら保持すること
を特徴とする石英ガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8656386A JPS62241837A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 石英ガラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8656386A JPS62241837A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 石英ガラスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241837A true JPS62241837A (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=13890480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8656386A Pending JPS62241837A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 石英ガラスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62241837A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877080A (en) * | 1996-02-09 | 1999-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| WO2001047808A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | M. Watanabe & Co., Ltd. | Method for producing silica particles, synthetic quartz powder and synthetic quartz glass |
| JP2001192225A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-17 | Watanabe Shoko:Kk | 石英ガラスの製造方法 |
-
1986
- 1986-04-15 JP JP8656386A patent/JPS62241837A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877080A (en) * | 1996-02-09 | 1999-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| WO2001047808A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | M. Watanabe & Co., Ltd. | Method for producing silica particles, synthetic quartz powder and synthetic quartz glass |
| JP2001192225A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-17 | Watanabe Shoko:Kk | 石英ガラスの製造方法 |
| EP1256547A4 (en) * | 1999-12-28 | 2005-07-13 | Watanabe & Co Ltd M | METHOD FOR THE PRODUCTION OF SILICA, SYNTHETIC QUARTZ POWDER AND SYNTHETIC QUARTZ GLASS |
| US7140201B2 (en) | 1999-12-28 | 2006-11-28 | M. Watanabe & Co., Ltd. | Method for producing silica particles |
| KR100720016B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2007-05-18 | 가부시키가이샤 와타나베 쇼코 | 실리카 입자, 합성 석영 가루 및 합성 석영 유리의 합성방법 |
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