JPS6224455A - 光デイスクの製造方法 - Google Patents
光デイスクの製造方法Info
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- JPS6224455A JPS6224455A JP16445685A JP16445685A JPS6224455A JP S6224455 A JPS6224455 A JP S6224455A JP 16445685 A JP16445685 A JP 16445685A JP 16445685 A JP16445685 A JP 16445685A JP S6224455 A JPS6224455 A JP S6224455A
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- resin
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- stamper
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔１既要〕
半硬化状態の紫外線硬化樹脂を被覆した光デイスク基板
に基板保護膜を蒸着しながら紫外線を照射し硬化させる
光ディスクの製造方法。
に基板保護膜を蒸着しながら紫外線を照射し硬化させる
光ディスクの製造方法。
本発明は基板と基板保護膜との密着性を改良した光ディ
スクの製造方法に関する。
スクの製造方法に関する。
光ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を行う
メモリであり、記録容量が大きく、非接触で記録と再生
を行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れ
た特徴をもっている。
メモリであり、記録容量が大きく、非接触で記録と再生
を行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れ
た特徴をもっている。
すなわちレーザ光はレンズによって直径が約１μｍの小
さなスボソＩ・に絞り込むことが可能であり、従って１
ビツトの情報記録に要する面積が約１μｍ２程度で足り
る。
さなスボソＩ・に絞り込むことが可能であり、従って１
ビツトの情報記録に要する面積が約１μｍ２程度で足り
る。
そのため磁気ディスク或いは磁気テープが１ビツトの情
報記録に数１０〜数１００ μｍ２の面積が必要なのと
較べて遥かに少なく−ζ済み、従って大容量記録が可能
である。
報記録に数１０〜数１００ μｍ２の面積が必要なのと
較べて遥かに少なく−ζ済み、従って大容量記録が可能
である。
本発明は’ｔ３明樹脂基板を用いてなる光ディスクの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
光ディスクはポリメチルメタクリエイト（略称ＰＭＭ八
）、ポリカーボネ−１・（略称１）Ｃ）などの透明樹脂
あるいはガラスなどからなるディスク状の透明−な基板
の上に二酸化硅素（ＳｉＯ２）などの透明な基板保護膜
を介して記録層を形成し、更にこの上に保護膜を被覆し
た構成がとられ−でいる。
）、ポリカーボネ−１・（略称１）Ｃ）などの透明樹脂
あるいはガラスなどからなるディスク状の透明−な基板
の上に二酸化硅素（ＳｉＯ２）などの透明な基板保護膜
を介して記録層を形成し、更にこの上に保護膜を被覆し
た構成がとられ−でいる。
そして情報の記録と再生はレーザ光を用い、基板を通し
て記録層を投射し、記録情報の有無により反射率が異な
るのを利用して行われている。
て記録層を投射し、記録情報の有無により反射率が異な
るのを利用して行われている。
ここでディスク基板には先に記したように樹脂性のもの
とガラス製のものとがあるが、後者は壊れ易く、また高
価であり、そのため特殊用途のものを除いて一般に樹脂
製が使用されている。
とガラス製のものとがあるが、後者は壊れ易く、また高
価であり、そのため特殊用途のものを除いて一般に樹脂
製が使用されている。
さて、情報の記録と再生はディスク基板に設けである幅
が０．６μｍ程度のプリグルーブ（案内溝）にレーザ光
を投射することにより行われているが、このプリグルー
ブをディスク基板に直接設けるタイプと、ディスク基板
上に樹脂を被覆し、この樹脂に形成するタイプとがある
。
が０．６μｍ程度のプリグルーブ（案内溝）にレーザ光
を投射することにより行われているが、このプリグルー
ブをディスク基板に直接設けるタイプと、ディスク基板
上に樹脂を被覆し、この樹脂に形成するタイプとがある
。
すなわち前者は予めプリグルーブが型形成されているス
タンパに樹脂を注型して形成したものであり、一方後者
は樹脂製の平坦な基板上に紫外線硬化樹脂をスピンコー
ド法などの方法で被覆した後にスタンパを圧着し、この
状態で基板側から紫外線を照射して硬化させ、スタンパ
から剥離することにより形成されている。
タンパに樹脂を注型して形成したものであり、一方後者
は樹脂製の平坦な基板上に紫外線硬化樹脂をスピンコー
ド法などの方法で被覆した後にスタンパを圧着し、この
状態で基板側から紫外線を照射して硬化させ、スタンパ
から剥離することにより形成されている。
かかる両者のプリグルーブ基板を比較すると後者の方が
欠陥が少なく優れている。
欠陥が少なく優れている。
光ディスクはかかるプリグルーブ基板の上に電子ビーム
蒸着法などの方法で二酸化硅素（ＳｉＯｚ）などからな
る基板保護膜を２００〜５００ 人の厚さに被覆し、こ
の上に記録層を３００〜５００人の厚さに形成し、さら
にこの上に保護膜を形成することにより作られている。
蒸着法などの方法で二酸化硅素（ＳｉＯｚ）などからな
る基板保護膜を２００〜５００ 人の厚さに被覆し、こ
の上に記録層を３００〜５００人の厚さに形成し、さら
にこの上に保護膜を形成することにより作られている。
ここでプリグルーブ基板上にＳｉ０２からなる基板保護
膜を介して記録層が設けられている理由は、記録層がテ
ルル・セレン（Ｔｅ −５ｅ） ＋テルル・ゲルマニ
ウム（Ｔｅ−Ｇｅ）などから構成されている続出し専用
メモリ（Ｒｅａｄ ０ｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）について
説明すると、樹脂基板（例えばＰ？ｌｌ’ｌＡ基板）の
上に直接に記録層を被覆形成するとＰＭＭＡの軟化温度
が低いために記録層にレーザスポットを照射して六開け
を行う場合に奇麗な穴を開けることができない。
膜を介して記録層が設けられている理由は、記録層がテ
ルル・セレン（Ｔｅ −５ｅ） ＋テルル・ゲルマニ
ウム（Ｔｅ−Ｇｅ）などから構成されている続出し専用
メモリ（Ｒｅａｄ ０ｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）について
説明すると、樹脂基板（例えばＰ？ｌｌ’ｌＡ基板）の
上に直接に記録層を被覆形成するとＰＭＭＡの軟化温度
が低いために記録層にレーザスポットを照射して六開け
を行う場合に奇麗な穴を開けることができない。
そこでＰＭＭＡの上にガラス質のＳｉ０２層を設けるこ
とにより熱的に記録層と絶縁させている。
とにより熱的に記録層と絶縁させている。
然し、ＰＭＭＡなどの樹脂基板とＳｉＯ２層とは熱膨張
係数が異なるために密着性が劣り、剥離が起こり易いと
云う問題がある。
係数が異なるために密着性が劣り、剥離が起こり易いと
云う問題がある。
すなわちＰＭＭＡなどの樹脂の熱膨張係数が２〜１０Ｘ
ＩＯ−５／ ’Ｃであるのに対してＳｉ０２の熱膨張係
数は０．５ Ｘｌ０−６／ ’Ｃと約２指手さい。
ＩＯ−５／ ’Ｃであるのに対してＳｉ０２の熱膨張係
数は０．５ Ｘｌ０−６／ ’Ｃと約２指手さい。
そのためＳｉＯｚ層の上に記録層を形成しである光ディ
スクは使用中の温度変動によって樹脂基板からの剥離が
起こり易いと云う問題がある。
スクは使用中の温度変動によって樹脂基板からの剥離が
起こり易いと云う問題がある。
ここで密着性を良くする方法として基板を加熱しながら
蒸着することが考えられるが、ＰＭＭＡなどの樹脂は軟
化温度が低いために困難であり、また充分な密着力を得
る方法としてイオンブレーティング法があるが、この方
法により形成された蒸着膜は歪が大きく、成膜した後に
クラックが入ると云う問題がある。
蒸着することが考えられるが、ＰＭＭＡなどの樹脂は軟
化温度が低いために困難であり、また充分な密着力を得
る方法としてイオンブレーティング法があるが、この方
法により形成された蒸着膜は歪が大きく、成膜した後に
クラックが入ると云う問題がある。
〔発明が解決しようとする問題点］
以上記したように光ディスクが形成される樹脂基板とＳ
ｉＯ□を用いてなる基板保護膜とは密着性が充分でなく
、そのために光ディスクの信頼性を損ねている。
ｉＯ□を用いてなる基板保護膜とは密着性が充分でなく
、そのために光ディスクの信頼性を損ねている。
そこで樹脂基板と基板保護膜との密着性を如何にして向
上させるかが問題である。
上させるかが問題である。
上記の問題は情？）３の記録を行うプリグルーブを紫外
線硬化樹脂を用いて行う光ディスクにおいて、紫外線硬
化樹脂を被覆した基板をスタンパより半硬化の状態で剥
離した後、基板保護膜形成材料を蒸着しながら紫外線照
射を行って硬化させることを特徴とすく光ディスクの製
造方法により解決することができる。
線硬化樹脂を用いて行う光ディスクにおいて、紫外線硬
化樹脂を被覆した基板をスタンパより半硬化の状態で剥
離した後、基板保護膜形成材料を蒸着しながら紫外線照
射を行って硬化させることを特徴とすく光ディスクの製
造方法により解決することができる。
本発明は熱膨張係数の異なる樹脂基板と基板保護膜とを
密着性よく形成する方法として、プリグルーブを形成し
た樹脂層を不完全硬化させた状態゛で基板保護膜を形成
し、この基板保護ロタ形成過程で樹脂層を硬化させるこ
とより基板と保護膜との間に明確な境界を作ることなく
連続的に変化させる方法をとることにより密着性を改良
するものである。
密着性よく形成する方法として、プリグルーブを形成し
た樹脂層を不完全硬化させた状態゛で基板保護膜を形成
し、この基板保護ロタ形成過程で樹脂層を硬化させるこ
とより基板と保護膜との間に明確な境界を作ることなく
連続的に変化させる方法をとることにより密着性を改良
するものである。
これを実施する方法としてプリグルーブを形成する樹脂
層を紫外線硬化樹脂を用いて形成し、ＳｉＯ□を電子ビ
ーム蒸着を行う際に、これと並行して紫外線照射するこ
とより樹脂とＳｉＯ２とが混合した硬化層を作るもので
、これにより密着性の向上が達成されるものである。
層を紫外線硬化樹脂を用いて形成し、ＳｉＯ□を電子ビ
ーム蒸着を行う際に、これと並行して紫外線照射するこ
とより樹脂とＳｉＯ２とが混合した硬化層を作るもので
、これにより密着性の向上が達成されるものである。
またこのような混合層は熱膨張係数の違いにより発生す
る歪に対して緩衝層として働き、そのためにＳｉＯ２層
へのクランクの発生が抑制される。
る歪に対して緩衝層として働き、そのためにＳｉＯ２層
へのクランクの発生が抑制される。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明に係る光ディスクの製造
方法を示すものである。
方法を示すものである。
すなわち同図（Ａ）に示すようにＰＭＭＡ基板１の上に
４．８−ビスハイドロキシメチルトリシクロデカンのジ
アクリレートに重合開始剤であるヘンシイツブチルエー
テルを混合した紫外線硬化樹脂２をスピンコード法によ
り約３０μｍの厚さに塗布した後、これにプリグルーブ
が型形成しであるスタンパ３を圧着し、この状態でＰＨ
ＭＡ基板１の側から紫外線４を１６０ Ｗ／ｃｍ２の強
度で６０秒間一様に照射した。
４．８−ビスハイドロキシメチルトリシクロデカンのジ
アクリレートに重合開始剤であるヘンシイツブチルエー
テルを混合した紫外線硬化樹脂２をスピンコード法によ
り約３０μｍの厚さに塗布した後、これにプリグルーブ
が型形成しであるスタンパ３を圧着し、この状態でＰＨ
ＭＡ基板１の側から紫外線４を１６０ Ｗ／ｃｍ２の強
度で６０秒間一様に照射した。
そしてスタンパ３をＰＭＭＡｉ板１から離す。
同図（Ｂ）はこの状態を示している。
この場合、紫外線はＰＨＭＡ基板１の側から照射してい
るため紫外線硬化樹脂２の下側は充分に硬化しているが
、スタンパ３に接着していた部分は不完全硬化状態であ
る。
るため紫外線硬化樹脂２の下側は充分に硬化しているが
、スタンパ３に接着していた部分は不完全硬化状態であ
る。
ここで紫外線硬化樹脂２は嫌気性であるために大気中に
放置しておいても硬化しない。
放置しておいても硬化しない。
次に、かかるＰＭＭＡ基板１を紫外線硬化樹脂２の付着
面を下側とし、回転機構を備えた電子ビーム蒸着機にセ
ントし、チャンバ内を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒニ排気
すると共に下方からＳｉＯ□を電子ビーム蒸着すると共
に紫外線ランプから紫外線を照射した。
面を下側とし、回転機構を備えた電子ビーム蒸着機にセ
ントし、チャンバ内を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒニ排気
すると共に下方からＳｉＯ□を電子ビーム蒸着すると共
に紫外線ランプから紫外線を照射した。
同図（Ｃ）はこのようにして形成された基板保護膜５の
形成状態を示している。
形成状態を示している。
ここでＳｉ０２の蒸着速度は１人／秒とし、また紫外線
照射強度は１６０ Ｗ／ｃｍ２で６０秒間に互って照射
した。
照射強度は１６０ Ｗ／ｃｍ２で６０秒間に互って照射
した。
この場合、不完全硬化状態の紫外線硬化樹脂は真空排気
によって硬化可能状態となり、蒸着と同時に行われてい
る紫外線照射によりＳｉＯｚが混入した状態で硬化が行
われる。
によって硬化可能状態となり、蒸着と同時に行われてい
る紫外線照射によりＳｉＯｚが混入した状態で硬化が行
われる。
なお、ＳｉＯ２蒸着は紫外線照射終了後も継続して行い
、約２００ 人のＳｉ０２からなる基板保護膜５を形成
した。
、約２００ 人のＳｉ０２からなる基板保護膜５を形成
した。
このようにして基板保護膜５を形成した光デイスク基板
について、０〜８０°Ｃの温度サイクル試験を５００回
に互って行ったが、剥離は生ぜず、またクラックの発生
も認められなかった。
について、０〜８０°Ｃの温度サイクル試験を５００回
に互って行ったが、剥離は生ぜず、またクラックの発生
も認められなかった。
以上記したように本発明の実施により熱膨張係数の相違
にも拘わらず、プリグルーブ基板とＳｉＯ２基板保護膜
との剥離はなくなり、これにより光ディスクの信頼性の
向上が可能となる。
にも拘わらず、プリグルーブ基板とＳｉＯ２基板保護膜
との剥離はなくなり、これにより光ディスクの信頼性の
向上が可能となる。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明に係る光ディスクの製造
工程断面図である。 図において、 １はＰＭＭＡ基板、 ２は紫外線硬化樹脂、
３はスタンパ、 ４は紫外線、５は基板保護
膜、 である。
工程断面図である。 図において、 １はＰＭＭＡ基板、 ２は紫外線硬化樹脂、
３はスタンパ、 ４は紫外線、５は基板保護
膜、 である。
Claims (1)
- 情報の記録を行うプリグルーブを紫外線硬化樹脂を用い
て形成する光ディスクにおいて、紫外線硬化樹脂を被覆
した基板をスタンパより半硬化の状態で剥離した後、基
板保護膜形成材料を蒸着しながら紫外線照射を行って硬
化させることを特徴とする光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16445685A JPS6224455A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 光デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16445685A JPS6224455A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 光デイスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6224455A true JPS6224455A (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=15793521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16445685A Pending JPS6224455A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 光デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6224455A (ja) |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP16445685A patent/JPS6224455A/ja active Pending
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