JPS6224845B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6224845B2 JPS6224845B2 JP53087194A JP8719478A JPS6224845B2 JP S6224845 B2 JPS6224845 B2 JP S6224845B2 JP 53087194 A JP53087194 A JP 53087194A JP 8719478 A JP8719478 A JP 8719478A JP S6224845 B2 JPS6224845 B2 JP S6224845B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic head
- gap
- glass
- lead
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ヘツドの製造法に関するもので、
特にビデオテープレコーダーの記録再生ヘツドの
ようにギヤツプ長の狭い磁気ヘツドに適用して効
果のあるものである。
特にビデオテープレコーダーの記録再生ヘツドの
ようにギヤツプ長の狭い磁気ヘツドに適用して効
果のあるものである。
フエライトなどで形成された一対の磁気ヘツド
コアブロツクのギヤツプ形成面にガラス薄膜をス
パツタ蒸着などの方法で形成し、加熱しながら圧
着することによつてビデオテープレコーダー用狭
ギヤツプ磁気ヘツドを製造する方法が提案されて
いるが、鉛ガラスをスパツタ蒸着する場合にはス
パツタ電力密度によつて形成膜の鉛の含有量の変
動が大きく、しばしば、ギヤツプから剥離してし
まう事故が起つた。
コアブロツクのギヤツプ形成面にガラス薄膜をス
パツタ蒸着などの方法で形成し、加熱しながら圧
着することによつてビデオテープレコーダー用狭
ギヤツプ磁気ヘツドを製造する方法が提案されて
いるが、鉛ガラスをスパツタ蒸着する場合にはス
パツタ電力密度によつて形成膜の鉛の含有量の変
動が大きく、しばしば、ギヤツプから剥離してし
まう事故が起つた。
磁気ヘツドのギヤツプ形成はフロントギヤツプ
とリアーギヤツプをガラスで接合する場合、フロ
ントギヤツプは有効ギヤツプ長を精度よく得よう
とすると、鉛系のガラスの鉛含有量を少なくして
反応層を極力減じることが望ましく、一方リアー
ギヤツプは反応層発生の有無よりも接着強度を高
くするために鉛含有量の多いガラスが望ましい。
とリアーギヤツプをガラスで接合する場合、フロ
ントギヤツプは有効ギヤツプ長を精度よく得よう
とすると、鉛系のガラスの鉛含有量を少なくして
反応層を極力減じることが望ましく、一方リアー
ギヤツプは反応層発生の有無よりも接着強度を高
くするために鉛含有量の多いガラスが望ましい。
本発明の目的は上記のような従来の欠点を解消
し、スパツタ・ターゲツトとして用いる高含有鉛
ガラスから所望の組成のガラス膜を許容範囲内に
コントロールして高精度でかつ容易に狭ギヤツプ
を得る磁気ヘツドの製造法を提供するものであ
る。
し、スパツタ・ターゲツトとして用いる高含有鉛
ガラスから所望の組成のガラス膜を許容範囲内に
コントロールして高精度でかつ容易に狭ギヤツプ
を得る磁気ヘツドの製造法を提供するものであ
る。
一般にスパツタ蒸着においてSiO2、Al2O3、
PbOなどのガラス組成物単体ではスパツタ電力密
度の増加と共にスパツタレートが増加する。とこ
ろが、SiO2、Al2O3、ZnO等の構成ガラスにPbO
が含有されたガラス基板をターゲツトとして用い
た場合、スパツタ電力密度によつてスパツタ形成
膜中のPbOの量が急激に変化することを見出し
た。この原因は明確ではないが、基板の温度上昇
による付着効率の変化、あるいは選択スパツタに
よるものと考れられる。スパツタ膜中の鉛の含有
量は電力密度の増加によつて急激に減少し、電力
密度が3W／cm2ではターゲツト組成の1/10以下に
なつてしまう。
PbOなどのガラス組成物単体ではスパツタ電力密
度の増加と共にスパツタレートが増加する。とこ
ろが、SiO2、Al2O3、ZnO等の構成ガラスにPbO
が含有されたガラス基板をターゲツトとして用い
た場合、スパツタ電力密度によつてスパツタ形成
膜中のPbOの量が急激に変化することを見出し
た。この原因は明確ではないが、基板の温度上昇
による付着効率の変化、あるいは選択スパツタに
よるものと考れられる。スパツタ膜中の鉛の含有
量は電力密度の増加によつて急激に減少し、電力
密度が3W／cm2ではターゲツト組成の1/10以下に
なつてしまう。
例えば、PbOが70wt％含有するガラスにおい
ては1.2W／cm2以上にするとスパツタ膜の鉛含有
量が20％以上減少してしまう。鉛ガラス中の鉛の
量が20％以上減少するとギヤツプの接着強度が低
下し、磁気ヘツドチツプ組立中でギヤツプからの
剥離が起り、ヘツド歩留が低下する。これは鉛の
減少によつてガラス膜自体が高融点化するため
で、これを解消するためにはギヤツプ形成温度を
高くしなければならず、形成温度を高くするとフ
エライトとの反応が急激に進行し、記録再生特性
を悪くする原因となる。
ては1.2W／cm2以上にするとスパツタ膜の鉛含有
量が20％以上減少してしまう。鉛ガラス中の鉛の
量が20％以上減少するとギヤツプの接着強度が低
下し、磁気ヘツドチツプ組立中でギヤツプからの
剥離が起り、ヘツド歩留が低下する。これは鉛の
減少によつてガラス膜自体が高融点化するため
で、これを解消するためにはギヤツプ形成温度を
高くしなければならず、形成温度を高くするとフ
エライトとの反応が急激に進行し、記録再生特性
を悪くする原因となる。
本発明におけるギヤツプ形成条件は窒素雰囲気
中で700℃〜800℃で行なわれ、この場合リアーギ
ヤツプ接合は鉛含有量が50〜70wt％が適してい
る。この時のスパツタ電力密度としては0.5〜
1.2W／cm2が適当であり、0.7W／cm2〜1.0W／cm2が
最適である。0.5W／cm2以下ではスパツタ速度が
極端に遅くなり実用的でない。
中で700℃〜800℃で行なわれ、この場合リアーギ
ヤツプ接合は鉛含有量が50〜70wt％が適してい
る。この時のスパツタ電力密度としては0.5〜
1.2W／cm2が適当であり、0.7W／cm2〜1.0W／cm2が
最適である。0.5W／cm2以下ではスパツタ速度が
極端に遅くなり実用的でない。
本発明によれば、磁気ヘツドを構成する一対の
高透磁率磁性材料からなるブロツクのギヤツプ形
成面にスパツタ蒸着法によつてガラス薄膜を形成
し、互いのギヤツプ対向面を突合せ一定の加圧下
で加熱接合し、磁気ヘツドのギヤツプを形成する
工程を有する磁気ヘツドの製造方法において、ス
パツタ・ターゲツトとして鉛含有ガラスを用い、
磁気ヘツドブロツクのギヤツプ形成面に鉛ガラス
薄膜を形成する際にスパツタ電力密度を0.5〜
1.2W／cm2の範囲とし、該鉛ガラスの溶融温度付
近で一定に加圧して接合し、磁気ヘツドのギヤツ
プを形成することを特徴とした磁気ヘツドの製造
方法としたことにより上記目的は達成される。
高透磁率磁性材料からなるブロツクのギヤツプ形
成面にスパツタ蒸着法によつてガラス薄膜を形成
し、互いのギヤツプ対向面を突合せ一定の加圧下
で加熱接合し、磁気ヘツドのギヤツプを形成する
工程を有する磁気ヘツドの製造方法において、ス
パツタ・ターゲツトとして鉛含有ガラスを用い、
磁気ヘツドブロツクのギヤツプ形成面に鉛ガラス
薄膜を形成する際にスパツタ電力密度を0.5〜
1.2W／cm2の範囲とし、該鉛ガラスの溶融温度付
近で一定に加圧して接合し、磁気ヘツドのギヤツ
プを形成することを特徴とした磁気ヘツドの製造
方法としたことにより上記目的は達成される。
以下本発明を実施例によつて詳しく説明する。
本発明の実施例における鉛ガラスターゲツトは
次の組成のものを用いた。PbO70wt％、SiO25wt
％、Al2O35wt％、B2O312wt％、ZnO8wt％で軟
化温度は435℃である。
次の組成のものを用いた。PbO70wt％、SiO25wt
％、Al2O35wt％、B2O312wt％、ZnO8wt％で軟
化温度は435℃である。
装置はRFスパツタ装置を用い、スパツタ・タ
ーゲツト基板は直径200mmである。これを５×
10-3Torrのアルゴン雰囲気中でスパツタ蒸着を
行ない、スパツタ電力密度は0.5W／cm2〜4.8W／
cm2の範囲で行なつた。
ーゲツト基板は直径200mmである。これを５×
10-3Torrのアルゴン雰囲気中でスパツタ蒸着を
行ない、スパツタ電力密度は0.5W／cm2〜4.8W／
cm2の範囲で行なつた。
第１図はスパツタ電力密度と膜組成変動を示し
た図で、Ｘ線マイクロアナライザーで分析した各
成分元素の検出イオン強度である。図から明らか
のようにPb量１はスパツタ電力密度の増加と共
に急激に減少することがわかる。例えば、
1.7W／cm2ではPb量１は1/15以下に減少し、軟化
温度が700℃付近になつてしまう。一方、Si量
２、Al量３、Ｂ量４、はほとんど変化しない。
ただし、Zn量５の量は多少減少するので増量し
ておく必要がある。
た図で、Ｘ線マイクロアナライザーで分析した各
成分元素の検出イオン強度である。図から明らか
のようにPb量１はスパツタ電力密度の増加と共
に急激に減少することがわかる。例えば、
1.7W／cm2ではPb量１は1/15以下に減少し、軟化
温度が700℃付近になつてしまう。一方、Si量
２、Al量３、Ｂ量４、はほとんど変化しない。
ただし、Zn量５の量は多少減少するので増量し
ておく必要がある。
スパツタ・ターゲツト組成と同程度の組成のガ
ラス膜を得るためには0.5W／cm2で行なうと良
い。
ラス膜を得るためには0.5W／cm2で行なうと良
い。
次に具体的な磁気ヘツドのギヤツプ形成におけ
るスパツタ膜の構成について示す。
るスパツタ膜の構成について示す。
第２図はビデオテープレコーダに用いられる狭
トラツク磁気ヘツドの狭トラツク加工後のブロツ
ク６，７を示し、一方のブロツクにはコイル巻線
溝８が形成されている。溝９，１０は磁気ヘツド
先端部のみを狭トラツク規制するためのもので、
溝部には最終的にガラスを充填して補強する。
トラツク磁気ヘツドの狭トラツク加工後のブロツ
ク６，７を示し、一方のブロツクにはコイル巻線
溝８が形成されている。溝９，１０は磁気ヘツド
先端部のみを狭トラツク規制するためのもので、
溝部には最終的にガラスを充填して補強する。
次にギヤツプ形成はギヤツプ対向面１１，１２
に本発明法によつてスパツタ蒸着膜を形成する。
に本発明法によつてスパツタ蒸着膜を形成する。
ガラス膜は第３図に示す構成によつて行なつ
た。第３図ａは一方の磁気ヘツドブロツクの断面
図を示し、フロントギヤツプ構成面１３とリアー
ギヤツプ構成面１４に次のような方法でガラス膜
を形成した。
た。第３図ａは一方の磁気ヘツドブロツクの断面
図を示し、フロントギヤツプ構成面１３とリアー
ギヤツプ構成面１４に次のような方法でガラス膜
を形成した。
フロント部１３はフエライトとの反応を防ぐた
めに、鉛を含有しない、SiO2膜を0.24μｍ形成
し、リア部１４に電力密度1W／cm2でガラス膜を
0.28μｍ形成した後、一対のブロツクを対向させ
窒素雰囲気中で加圧しながら、770℃で３分間保
持し、接合して0.5μｍのギヤツプを形成した。
この場合フロント部は十分な接着強度を持たない
が、同時に狭トラツク溝に充填されるガラスによ
つて十分に補強される。リアー部の膜厚を多目に
した理由は低融点ガラスを溶融点まで温度を上げ
るため多少つぶれる分を考慮したことによる。
めに、鉛を含有しない、SiO2膜を0.24μｍ形成
し、リア部１４に電力密度1W／cm2でガラス膜を
0.28μｍ形成した後、一対のブロツクを対向させ
窒素雰囲気中で加圧しながら、770℃で３分間保
持し、接合して0.5μｍのギヤツプを形成した。
この場合フロント部は十分な接着強度を持たない
が、同時に狭トラツク溝に充填されるガラスによ
つて十分に補強される。リアー部の膜厚を多目に
した理由は低融点ガラスを溶融点まで温度を上げ
るため多少つぶれる分を考慮したことによる。
他の実施例においては第３図ｂに示すようにフ
ロント部、リアー部の第１層目に鉛を含有しない
SiO2膜１７を0.2μｍ形成しており、リアー部の
みに0.70W／cm2で0.05μｍの鉛60％含有ガラス膜
１８を形成して、窒素雰囲気中で加圧しながら
780℃で３分間保持し、接合して0.5μｍのギヤツ
プを形成した。
ロント部、リアー部の第１層目に鉛を含有しない
SiO2膜１７を0.2μｍ形成しており、リアー部の
みに0.70W／cm2で0.05μｍの鉛60％含有ガラス膜
１８を形成して、窒素雰囲気中で加圧しながら
780℃で３分間保持し、接合して0.5μｍのギヤツ
プを形成した。
以上のようにして得られた磁気ヘツドブロツク
は第４図に示すような磁気ヘツドコア１９に切断
する。溝部には補強ガラス２０が充填されてい
る。
は第４図に示すような磁気ヘツドコア１９に切断
する。溝部には補強ガラス２０が充填されてい
る。
以上、本発明によれば高精度で強度の高いギヤ
ツプを有する磁気ヘツドを得ることができる。
ツプを有する磁気ヘツドを得ることができる。
第１図はスパツタ電力密度とスパツタ膜組成の
変化を説明する図、第２図は一対の磁気ヘツド加
工ブロツクの斜視図、第３図はスパツタ・ガラス
膜の構成図、第４図は本発明によつて得られた磁
気ヘツドコアを示す図。
変化を説明する図、第２図は一対の磁気ヘツド加
工ブロツクの斜視図、第３図はスパツタ・ガラス
膜の構成図、第４図は本発明によつて得られた磁
気ヘツドコアを示す図。
Claims (1)
- １ 磁気ヘツドを構成する一対の高透磁率磁性材
料からなるブロツクのギヤツプ形成面にスパツタ
蒸着法によつてガラス薄膜を形成し、互いのギヤ
ツプ対向面を突合せ一定の加圧下で加熱接合し、
磁気ヘツドのギヤツプを形成する工程を有する磁
気ヘツドの製造方法において、スパツタ・ターゲ
ツトとして鉛含有ガラスを用い、磁気ヘツドブロ
ツクのギヤツプ形成面に鉛ガラス薄膜を形成する
際にスパツタ電力密度を0.5〜1.2W／cm2の範囲と
し、該鉛ガラスの溶融温度付近で一定に加圧して
接合し、磁気ヘツドのギヤツプを形成することを
特徴とした磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8719478A JPS5514557A (en) | 1978-07-19 | 1978-07-19 | Manufacture for magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8719478A JPS5514557A (en) | 1978-07-19 | 1978-07-19 | Manufacture for magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5514557A JPS5514557A (en) | 1980-02-01 |
| JPS6224845B2 true JPS6224845B2 (ja) | 1987-05-30 |
Family
ID=13908165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8719478A Granted JPS5514557A (en) | 1978-07-19 | 1978-07-19 | Manufacture for magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5514557A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57133514A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-18 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Gap forming composite target and gap formation of magnetic head |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342016A (en) * | 1976-09-28 | 1978-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of magnetic head |
-
1978
- 1978-07-19 JP JP8719478A patent/JPS5514557A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5514557A (en) | 1980-02-01 |
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