JPS6225189A - 螢光体およびその製造法 - Google Patents
螢光体およびその製造法Info
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Landscapes
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、蛍光体およびその製造法に関するものである
。さらに詳しくは、本発明は、ビスマスにより賦活され
ているアルカリ金属ハロゲン化物蛍光体およびその製造
法に関するものである。
。さらに詳しくは、本発明は、ビスマスにより賦活され
ているアルカリ金属ハロゲン化物蛍光体およびその製造
法に関するものである。
［発明の技術的背景および従来技術］
従来、放射線像を画像として得る方法として、銀塩感光
材料からなる乳剤層を有する放射線写真フィルムと増感
紙（増感スクリーン）との組合わせを使用する、いわゆ
る放射線写真法が利用されている。上記従来の放射線写
真法にかわる方法の一つとして、たとえば、特開昭５５
−１２１４５号公報等に記載されているような輝尽性蛍
光体を利用する放射線像変換方法が知られている。この
方法は、被写体を透過した放射線、あるいは被検体から
発せられた放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、そののち
にこの蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起光
）で時系列的に励起することにより、蛍光体中に蓄積さ
れている放射線エネルギーを蛍光（輝尽発光）として放
出させ、この蛍光を光電的に読取って電気信号を得、こ
の電気信号を画像化するものである。
材料からなる乳剤層を有する放射線写真フィルムと増感
紙（増感スクリーン）との組合わせを使用する、いわゆ
る放射線写真法が利用されている。上記従来の放射線写
真法にかわる方法の一つとして、たとえば、特開昭５５
−１２１４５号公報等に記載されているような輝尽性蛍
光体を利用する放射線像変換方法が知られている。この
方法は、被写体を透過した放射線、あるいは被検体から
発せられた放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、そののち
にこの蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起光
）で時系列的に励起することにより、蛍光体中に蓄積さ
れている放射線エネルギーを蛍光（輝尽発光）として放
出させ、この蛍光を光電的に読取って電気信号を得、こ
の電気信号を画像化するものである。
上記放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真法を
利用した場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で情
報量の豊富なＸ線画像を得ることができるという利点が
ある。従って、この放射線像変換方法は、特に医療診断
を目的とするＸ線撮影などの直接医療用放射線撮影にお
いて利用価値が非常に高いものである。
利用した場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で情
報量の豊富なＸ線画像を得ることができるという利点が
ある。従って、この放射線像変換方法は、特に医療診断
を目的とするＸ線撮影などの直接医療用放射線撮影にお
いて利用価値が非常に高いものである。
上記放射線像変換方法に用いられる輝尽性蛍光体として
、特開昭５５−１２１４５号公報には、下記組成式で表
わされる希土類元素賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン
化物蛍光体が開示されている。
、特開昭５５−１２１４５号公報には、下記組成式で表
わされる希土類元素賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン
化物蛍光体が開示されている。
（Ｂａｔ−ｘ 、Ｍ”ｘ）ＦＸ： ｙＡ（ただし、Ｍ２
°はＭｇ、Ｃａ、Ｓ ｒ、Ｚｎ、およびＣｄのうちの少
なくとも一つ、Ｘは０文、Ｂｒ、およびＩのうちの少な
くとも−っ、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ
、Ｈｏ。
°はＭｇ、Ｃａ、Ｓ ｒ、Ｚｎ、およびＣｄのうちの少
なくとも一つ、Ｘは０文、Ｂｒ、およびＩのうちの少な
くとも−っ、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ
、Ｈｏ。
Ｎｄ、Ｙｂ、およびＥｒのうちの少なくとも一つ、そし
てＸは、０≦Ｘ≦ｏ、ｓ、ｙは、０≦ｙ≦０．２である
） この蛍光体は、Ｘ線などの放射線を吸収したのち、可視
光乃至赤外線領域の電磁波の照射を受けると近紫外領域
に発光（輝尽発光）を示すものである。
てＸは、０≦Ｘ≦ｏ、ｓ、ｙは、０≦ｙ≦０．２である
） この蛍光体は、Ｘ線などの放射線を吸収したのち、可視
光乃至赤外線領域の電磁波の照射を受けると近紫外領域
に発光（輝尽発光）を示すものである。
上述のように、輝尽性蛍光体を利用する放射線像変換方
法に用いられる蛍光体として、従来より上記希土類元素
賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物蛍光体が知られてい
るが、輝尽性を示す蛍光体自体、この希土類元素賦活ア
ルカリ土類金属ハロゲン化物蛍光体以外はあまり知られ
ていない。
法に用いられる蛍光体として、従来より上記希土類元素
賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物蛍光体が知られてい
るが、輝尽性を示す蛍光体自体、この希土類元素賦活ア
ルカリ土類金属ハロゲン化物蛍光体以外はあまり知られ
ていない。
なお、本発明の蛍光体と同様にアルカリ金属ハロゲン化
物を母体とする蛍光体として、従来よりタリウムあるい
はナトリウム賦活沃化セシウム蛍光体（ＣｓＩ ：Ｔｌ
、ＣｓＩ ：Ｎａ）が知られており、この蛍光体はＸ線
、電子線、紫外線等の放射線の照射により発光（瞬時発
光）を示す。
物を母体とする蛍光体として、従来よりタリウムあるい
はナトリウム賦活沃化セシウム蛍光体（ＣｓＩ ：Ｔｌ
、ＣｓＩ ：Ｎａ）が知られており、この蛍光体はＸ線
、電子線、紫外線等の放射線の照射により発光（瞬時発
光）を示す。
［発明の要旨］
本発明は上記放射線像変換方法に使用することのでさる
新規な輝尽性蛍光体、およびその製造法を提供すること
を目的とするものである。
新規な輝尽性蛍光体、およびその製造法を提供すること
を目的とするものである。
本発明者等は、種々の研究を行なった結果、下記の新規
なビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体は顕著
な輝尽発光特性を示すことを見出し、本発明に至ったの
である。
なビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体は顕著
な輝尽発光特性を示すことを見出し、本発明に至ったの
である。
すなわち、本発明の蛍光体は、組成式（１）二Ｍ１Ｘ：
ｘＢｉ （Ｉ） （ただし、ＭｌはＲｂおよびＣｓからなる群より選ばれ
る少なくとも一種のアルカリ金属であり；ＸはＣＭ、Ｂ
ｒおよび工からなる群より選ばれる少なくとも一種のハ
ロゲンであり；そしてＸは０＜ｘ≦０．２の範囲の数値
である）で表わされるどスマス賦活アルカリ金属ハロゲ
ン化物蛍光体である。
ｘＢｉ （Ｉ） （ただし、ＭｌはＲｂおよびＣｓからなる群より選ばれ
る少なくとも一種のアルカリ金属であり；ＸはＣＭ、Ｂ
ｒおよび工からなる群より選ばれる少なくとも一種のハ
ロゲンであり；そしてＸは０＜ｘ≦０．２の範囲の数値
である）で表わされるどスマス賦活アルカリ金属ハロゲ
ン化物蛍光体である。
また１本発明のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物
蛍光体の製造法は、化学量論的にｍ威武（）： Ｍ１Ｘ：ｘＢｉ （Ｉ）（ただし、
Ｍ’、Ｘ、ｘの定義は前述と同じである） に対応する相対比となるように蛍光体原料混合物を調製
したのち、この混合物を５００乃至１０００℃の範囲の
温度で焼成することを特徴とする。
蛍光体の製造法は、化学量論的にｍ威武（）： Ｍ１Ｘ：ｘＢｉ （Ｉ）（ただし、
Ｍ’、Ｘ、ｘの定義は前述と同じである） に対応する相対比となるように蛍光体原料混合物を調製
したのち、この混合物を５００乃至１０００℃の範囲の
温度で焼成することを特徴とする。
組成式（Ｉ）で表わされる本発明のビスマス賦活アルカ
リ金属ハロゲン化物蛍光体は、ｘ！ｉ、紫外線、電子線
などの放射線を照射した後、４５０〜９００ｎｍの波長
領域の電磁波で励起すると近紫外乃至青色債域に輝尽発
光を示す、特に組成式（Ｉ）においてＭｌがＣｓである
蛍光体は、高輝度の輝尽発光を示す、 また、組成式（
Ｉ）で表わされる本発明のビスマス賦活アルカリ金属ハ
ロゲン化物蛍光体は、Ｘ線、紫外線、電子線などの放射
線を照射して励起する場合に近紫外乃至青色領域に瞬時
発光を示す。
リ金属ハロゲン化物蛍光体は、ｘ！ｉ、紫外線、電子線
などの放射線を照射した後、４５０〜９００ｎｍの波長
領域の電磁波で励起すると近紫外乃至青色債域に輝尽発
光を示す、特に組成式（Ｉ）においてＭｌがＣｓである
蛍光体は、高輝度の輝尽発光を示す、 また、組成式（
Ｉ）で表わされる本発明のビスマス賦活アルカリ金属ハ
ロゲン化物蛍光体は、Ｘ線、紫外線、電子線などの放射
線を照射して励起する場合に近紫外乃至青色領域に瞬時
発光を示す。
［発明の構成］
本発明のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化
□物蛍光体は、たとえば、以下に記載するような製造法
により製造することができる。
□物蛍光体は、たとえば、以下に記載するような製造法
により製造することができる。
まず、蛍光体原料として、
１）ＲｈＣＭ、ＣｓＣｆＬ、ＲｂＢｒ、ＣｓＢｒ、Ｒｂ
ＩおよびＣｓＩからなる群より選ばれる少なくとも一種
のアルカリ金属ハロゲン化物、２）ハロゲン化物、酸化
物、硝酸塩、硫酸塩などのビスマスの化合物からなる群
より選ばれる少なくとも一種の化合物、 を用意する。場合によっては、さらにハロゲン化アンモ
ニウム（ＮＨ，Ｘ’、ただし、ｘ′はＣｌ、Ｂｒまたは
工である）などをフラックスとして使用してもよい。
ＩおよびＣｓＩからなる群より選ばれる少なくとも一種
のアルカリ金属ハロゲン化物、２）ハロゲン化物、酸化
物、硝酸塩、硫酸塩などのビスマスの化合物からなる群
より選ばれる少なくとも一種の化合物、 を用意する。場合によっては、さらにハロゲン化アンモ
ニウム（ＮＨ，Ｘ’、ただし、ｘ′はＣｌ、Ｂｒまたは
工である）などをフラックスとして使用してもよい。
蛍光体の製造に際しては、上記ｌ）のアルカリ金属ハロ
ゲン化物、および２）のビスマス化合物を用いて、化学
量論的に、組成式（Ｉ）：Ｍ ’ Ｘ ： ｘ Ｂ ｉ
（Ｉ ）（ただし、Ｍｌ、ＸおよびＸの定
義は前述と同じである） に対応する相対比となるように秤量混合して。
ゲン化物、および２）のビスマス化合物を用いて、化学
量論的に、組成式（Ｉ）：Ｍ ’ Ｘ ： ｘ Ｂ ｉ
（Ｉ ）（ただし、Ｍｌ、ＸおよびＸの定
義は前述と同じである） に対応する相対比となるように秤量混合して。
蛍光体原料の混合物を調製する。
本発明の蛍光体の製造法において、主として輝尽発光輝
度の点から、組成式（Ｉ）においてアルカリ金属を表わ
すＭｌはＣｓであるのが好ましい。また、ビスマスの賦
活量を表わすＸ値は５×１０−′≦Ｘ≦１０”２の範囲
にあるのが好ましい。
度の点から、組成式（Ｉ）においてアルカリ金属を表わ
すＭｌはＣｓであるのが好ましい。また、ビスマスの賦
活量を表わすＸ値は５×１０−′≦Ｘ≦１０”２の範囲
にあるのが好ましい。
蛍光体原料混合物の調製は、
ｉ）上記１）および２）の蛍光体原料を単に混合するこ
とによって行なってもよく、あるいは。
とによって行なってもよく、あるいは。
ｉｉ）上記１）および２）の蛍光体原料を溶液の状態で
混合したのち、この溶液を加温下（好ましくは５０〜２
００℃）で減圧乾燥、真空乾燥、噴霧乾燥などにより乾
燥して蛍光体原料を混合することによって行なってもよ
い。
混合したのち、この溶液を加温下（好ましくは５０〜２
００℃）で減圧乾燥、真空乾燥、噴霧乾燥などにより乾
燥して蛍光体原料を混合することによって行なってもよ
い。
上記ｉ）およびｉｉ）のいずれの方法においても、混合
には、各１ミキサー、Ｖ型ブレンダー、ボールミル、ロ
ッドミルなどの通常の混合機が用いられる。
には、各１ミキサー、Ｖ型ブレンダー、ボールミル、ロ
ッドミルなどの通常の混合機が用いられる。
次に、上記のようにして得られた蛍光体原料混合物を石
英ポート、アルミナルツボ、石英ルツボなどの耐熱性容
器に充填し、電気炉中で焼成を行なう、焼成温度は５０
０〜ｔｏｏｏ℃の範囲が適当であり、好ましくは６００
〜８００℃の範囲である。焼成時間は蛍光体原料混合物
の充填量および焼成温度などによっても異なるが、一般
には０．５〜６時間が適当である。焼成雰囲気としては
、少量の水素ガスを含有する窒素ガス雰囲気、あるいは
、−酸化炭素を含有する二酸化炭素雰囲気などの弱還元
性の雰囲気；窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガス
雰囲気；および空気などの酸性雰囲気を利用する。
英ポート、アルミナルツボ、石英ルツボなどの耐熱性容
器に充填し、電気炉中で焼成を行なう、焼成温度は５０
０〜ｔｏｏｏ℃の範囲が適当であり、好ましくは６００
〜８００℃の範囲である。焼成時間は蛍光体原料混合物
の充填量および焼成温度などによっても異なるが、一般
には０．５〜６時間が適当である。焼成雰囲気としては
、少量の水素ガスを含有する窒素ガス雰囲気、あるいは
、−酸化炭素を含有する二酸化炭素雰囲気などの弱還元
性の雰囲気；窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガス
雰囲気；および空気などの酸性雰囲気を利用する。
上記焼成によって粉末状の本発明の蛍光体が得られる。
なお、得られた粉末状の蛍光体については、必要に応じ
て、さらに、洗浄、乾燥、ふるい分けなどの蛍光体の製
造における各種の一般的な操作を行なってもよい。
て、さらに、洗浄、乾燥、ふるい分けなどの蛍光体の製
造における各種の一般的な操作を行なってもよい。
以上に説明した製造法によって製造されるビスマス賦活
アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体は１組威武（Ｉ）： Ｍ１Ｘ：ＸＢｉ （Ｉ）（ただし、Ｍ
ｌはＲｂおよびＣｓからなる群より選ばれる少なくとも
一種のアルカリ金属であり；ＸはＣｌ、ＢｒおよびＩか
らなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり
；そしてＸはＯ＜ｘ≦０．２の範囲の数値である）で表
わされるものである。
アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体は１組威武（Ｉ）： Ｍ１Ｘ：ＸＢｉ （Ｉ）（ただし、Ｍ
ｌはＲｂおよびＣｓからなる群より選ばれる少なくとも
一種のアルカリ金属であり；ＸはＣｌ、ＢｒおよびＩか
らなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり
；そしてＸはＯ＜ｘ≦０．２の範囲の数値である）で表
わされるものである。
本発明のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体
はＸ線、紫外線、電子線などの放射線を照射したのち、
４５０〜９００ｎｍの可視乃至赤外領域の電磁波で励起
すると近紫外乃至青色領域に輝尽発光を示す。
はＸ線、紫外線、電子線などの放射線を照射したのち、
４５０〜９００ｎｍの可視乃至赤外領域の電磁波で励起
すると近紫外乃至青色領域に輝尽発光を示す。
第１図は１本発明のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン
化物蛍光体の輝尽励起スペクトルを例示するものであり
、第１図において曲線１．２および３はそれぞれＣｓＣ
１：Ｂｉ蛍光体、ＣｓＢｒ：Ｂｉ蛍光体およびＣｓＩ
：Ｂｉ蛍光体の輝尽励起スペクトルである。
化物蛍光体の輝尽励起スペクトルを例示するものであり
、第１図において曲線１．２および３はそれぞれＣｓＣ
１：Ｂｉ蛍光体、ＣｓＢｒ：Ｂｉ蛍光体およびＣｓＩ
：Ｂｉ蛍光体の輝尽励起スペクトルである。
第１図から、本発明の蛍光体は放射線照射後４５０〜９
００ｎｍの波長領域の電磁波で励起すると輝尽発光を示
すことがわかる。また第１図から、本発明の蛍光体の輝
尽励起スペクトルの最大ピークの位置は、蛍光体の母体
を構成するＣｓＸのＸがそれぞれＣ交（曲線１）、Ｂｒ
（曲線２）および工（曲線３）である順に後者のものほ
ど長波長側にあり、特にＸがＩである蛍光体は半導体レ
ーザー光等の赤外線で効率良く励起されることがわかる
。
００ｎｍの波長領域の電磁波で励起すると輝尽発光を示
すことがわかる。また第１図から、本発明の蛍光体の輝
尽励起スペクトルの最大ピークの位置は、蛍光体の母体
を構成するＣｓＸのＸがそれぞれＣ交（曲線１）、Ｂｒ
（曲線２）および工（曲線３）である順に後者のものほ
ど長波長側にあり、特にＸがＩである蛍光体は半導体レ
ーザー光等の赤外線で効率良く励起されることがわかる
。
第２図は、本発明のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン
化物蛍光体の輝尽発光スペクトルを例示するものであり
、第２図において曲線１．２および３はそれぞれ上記の
ＣｓＣ１：Ｂｉ蛍光体、ＣｓＢｒ：Ｂｉ蛍光体およびＣ
ｓＩ ：Ｂｉ蛍光体の輝尽発光スペクトルである。
化物蛍光体の輝尽発光スペクトルを例示するものであり
、第２図において曲線１．２および３はそれぞれ上記の
ＣｓＣ１：Ｂｉ蛍光体、ＣｓＢｒ：Ｂｉ蛍光体およびＣ
ｓＩ ：Ｂｉ蛍光体の輝尽発光スペクトルである。
第２図から明らかなように、本発明の蛍光体は近紫外乃
至青色領域に輝尽発光を示し、その輝尽発光スペクトル
のピークは約３５０〜４５０ｎｍの波長領域にある。従
って、本発明の蛍光体を放射線照射後５００〜８５０ｎ
ｍの波長領域の電磁波で励起する場合には、輝尽発光と
励起光との分離が容易であり、かつその輝尽発光は高輝
度となる。また第２図から、本発明の蛍光体の輝尽発光
スペクトルの最大ピークの位置は、上記の輝尽励起スペ
クトルの最大ピーク位置と同様に、蛍光体を構成するＣ
ｓＸのＸが各々Ｃ立（曲線１）、Ｂｒ（曲＆１２）およ
びＩ（曲線３）であル１１ｍニ、後者のものほど長波長
側にあることがわかる。
至青色領域に輝尽発光を示し、その輝尽発光スペクトル
のピークは約３５０〜４５０ｎｍの波長領域にある。従
って、本発明の蛍光体を放射線照射後５００〜８５０ｎ
ｍの波長領域の電磁波で励起する場合には、輝尽発光と
励起光との分離が容易であり、かつその輝尽発光は高輝
度となる。また第２図から、本発明の蛍光体の輝尽発光
スペクトルの最大ピークの位置は、上記の輝尽励起スペ
クトルの最大ピーク位置と同様に、蛍光体を構成するＣ
ｓＸのＸが各々Ｃ立（曲線１）、Ｂｒ（曲＆１２）およ
びＩ（曲線３）であル１１ｍニ、後者のものほど長波長
側にあることがわかる。
以上、ＣｓＧ９．：Ｂｉ蛍光体、ＣｓＢｒ：ＢＥ蛍光体
およびＣｓＩ ：Ｂｉ蛍光体の場合を例にとって、本発
明のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体の輝
尽励起スペクトルおよび輝尽発光スペクトルを説明した
が、本発明のその他の蛍光体についてもその輝尽励起ス
ペクトルおよび輝尽発光スペクトルは、上述と同様であ
ることが確認されている。
およびＣｓＩ ：Ｂｉ蛍光体の場合を例にとって、本発
明のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体の輝
尽励起スペクトルおよび輝尽発光スペクトルを説明した
が、本発明のその他の蛍光体についてもその輝尽励起ス
ペクトルおよび輝尽発光スペクトルは、上述と同様であ
ることが確認されている。
なお１本発明のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物
蛍光体は、Ｘ線、紫外線、電子線などの放射線を照射し
て励起する場合にも近紫外乃至青色領域に発光（瞬時発
光）を示し、その発光スペクトル（瞬時発光スペクトル
）は輝尽発光スペクトルとほぼ同様である。
蛍光体は、Ｘ線、紫外線、電子線などの放射線を照射し
て励起する場合にも近紫外乃至青色領域に発光（瞬時発
光）を示し、その発光スペクトル（瞬時発光スペクトル
）は輝尽発光スペクトルとほぼ同様である。
以上に説明した発光特性から、本発明の蛍光体は、医療
診断を目的とするＸ線撮影等の医療用放射線撮影および
物質の非破壊検査を目的とする工業用放射線撮影などに
おいて使用される輝尽性蛍光体利用の放射線像変換方法
に用いられる放射線像変換パネル用の蛍光体として、ま
た、同じく医療診断および物質の非破壊検査を目的とす
る放射線写真法に用いられる増感スクリーン用の蛍光体
として特に有用である。
診断を目的とするＸ線撮影等の医療用放射線撮影および
物質の非破壊検査を目的とする工業用放射線撮影などに
おいて使用される輝尽性蛍光体利用の放射線像変換方法
に用いられる放射線像変換パネル用の蛍光体として、ま
た、同じく医療診断および物質の非破壊検査を目的とす
る放射線写真法に用いられる増感スクリーン用の蛍光体
として特に有用である。
次に本発明の実施例を記載する。ただし、これらの各実
施例は本発明を限定するものではない。
施例は本発明を限定するものではない。
［実施例１］
塩化セシウム（ＣｓＣ，Ｑ）１８６．４ｇ、および弗化
ビスマス（ＢｉＦｓ）０．２６６ｇをボールミルを用い
て充分に混合した。
ビスマス（ＢｉＦｓ）０．２６６ｇをボールミルを用い
て充分に混合した。
次に、得られた蛍光体原料混合物をアルミナルツボに充
填し、これを高温電気炉に入れて焼成な行なった。焼成
は、空気中にて６００℃の温度で２時間かけて行なった
。焼成が完了したのち、焼成物を炉外に取り出して冷却
した。
填し、これを高温電気炉に入れて焼成な行なった。焼成
は、空気中にて６００℃の温度で２時間かけて行なった
。焼成が完了したのち、焼成物を炉外に取り出して冷却
した。
このようにして、粉末状のビスマス賦活塩化セシウム蛍
光体（ＣｓＣｕ ：０．ＯＯＩ Ｂ ｉ）を得た。
光体（ＣｓＣｕ ：０．ＯＯＩ Ｂ ｉ）を得た。
［実施例２］
実施例１において、塩化セシウムの代りに臭化セシウム
（ＣｓＢｒ）２１２．８ｇを用いること以外は実施例１
の方法と同様の操作を行なうことにより、粉末状のビス
マス賦活臭化セシウム蛍光体（ＣｓＢ ｒ ： ０．０
０１ Ｂ ｉ）を得た。
（ＣｓＢｒ）２１２．８ｇを用いること以外は実施例１
の方法と同様の操作を行なうことにより、粉末状のビス
マス賦活臭化セシウム蛍光体（ＣｓＢ ｒ ： ０．０
０１ Ｂ ｉ）を得た。
［実施例３］
実施例１において、塩化セシウムの代りに沃化セシウム
（ＣｓＩ）２５９．８ｇを用いること以外は実施例１の
方法と同様の操作を行なうことにより、粉末状のビスマ
ス賦活沃化セシウム蛍光体（ＣｓＩ ：０．ＯＯＩ Ｂ
ｉ）を得た。
（ＣｓＩ）２５９．８ｇを用いること以外は実施例１の
方法と同様の操作を行なうことにより、粉末状のビスマ
ス賦活沃化セシウム蛍光体（ＣｓＩ ：０．ＯＯＩ Ｂ
ｉ）を得た。
次に、実施例１〜３で得られた各々の蛍光体に管電圧８
０ＫＶｐのＸ線を照射したのち、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光
（波長：６３２．８ｎｍ）で励起したときの輝尽発光ス
ペクトル、およびその輝尽発光のピーク波長における輝
尽励起スペクトルを測定した。得られた結果を第２図お
よび第１図に示す。
０ＫＶｐのＸ線を照射したのち、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光
（波長：６３２．８ｎｍ）で励起したときの輝尽発光ス
ペクトル、およびその輝尽発光のピーク波長における輝
尽励起スペクトルを測定した。得られた結果を第２図お
よび第１図に示す。
第２図において。
曲線１：ＣａＯ文： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光体（実施
例１）の輝尽発光スペクトル 曲線２ ： Ｃｓ Ｂ ｒ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍
光体（実施例２）の輝尽発光スペクトル 曲線３ ： Ｃｓ Ｉ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光体
（実施例３）の輝尽発光スペクトル である。
例１）の輝尽発光スペクトル 曲線２ ： Ｃｓ Ｂ ｒ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍
光体（実施例２）の輝尽発光スペクトル 曲線３ ： Ｃｓ Ｉ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光体
（実施例３）の輝尽発光スペクトル である。
第１図において、
曲線１ ： Ｃｓ Ｃｌ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光
体（実施例１）の輝尽励起スペクトル 曲線２ ： Ｃｓ Ｂ ｒ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍
光体（実施例２）の輝尽励起スペクトル 曲線３ ： Ｃｓ ｉ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光体
（実施例３）の輝尽励起スペクトル である。
体（実施例１）の輝尽励起スペクトル 曲線２ ： Ｃｓ Ｂ ｒ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍
光体（実施例２）の輝尽励起スペクトル 曲線３ ： Ｃｓ ｉ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光体
（実施例３）の輝尽励起スペクトル である。
また、実施例１〜３で得られた各々の蛍光体に管電圧８
０ＫＶｐのＸ線を照射したのち、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光
で励起したときの輝尽発光輝度を測定した。この輝尽発
光輝度の測定は、受光側フィルターとしてピーク波長３
９０ｎｍ、半値ｆＩａ６０ｎｍ、ピーク波長透過率７８
％のバンドパスフィルター（Ｂ−３４０）を用いて行な
った。その結果を第１表に示す。
０ＫＶｐのＸ線を照射したのち、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光
で励起したときの輝尽発光輝度を測定した。この輝尽発
光輝度の測定は、受光側フィルターとしてピーク波長３
９０ｎｍ、半値ｆＩａ６０ｎｍ、ピーク波長透過率７８
％のバンドパスフィルター（Ｂ−３４０）を用いて行な
った。その結果を第１表に示す。
なお、第１表において、輝尽発光輝度は実施例３ｔ７）
Ｃｓ Ｉ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光体の輝度を１０
０とする相対値で示されている。
Ｃｓ Ｉ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光体の輝度を１０
０とする相対値で示されている。
第１表
相対輝尽発光輝度
実施例１ ５００
実施例２ ７００
実施例３ １００
第１図は１本発明のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン
化物蛍光体の具体例であるＣｓＣ１：０．００１ Ｂ
ｉ蛍光体、Ｃｓ Ｂ ｒ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光
体およびＣｓ Ｉ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光体の輝
尽励起スペクトル（それぞれ曲線１，２および３）であ
る。 第２図は、本発明のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン
化物蛍光体の具体例であるＣｓＣｆＬ：０．００１ Ｂ
ｉ蛍光体、Ｃｓ Ｂ ｒ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍
光体およびＣＳ Ｉ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光体の
輝尽発光ベクトル（それぞれ曲線ｌ、２および３）であ
る。
化物蛍光体の具体例であるＣｓＣ１：０．００１ Ｂ
ｉ蛍光体、Ｃｓ Ｂ ｒ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光
体およびＣｓ Ｉ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光体の輝
尽励起スペクトル（それぞれ曲線１，２および３）であ
る。 第２図は、本発明のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン
化物蛍光体の具体例であるＣｓＣｆＬ：０．００１ Ｂ
ｉ蛍光体、Ｃｓ Ｂ ｒ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍
光体およびＣＳ Ｉ ： ０．００１ Ｂ ｉ蛍光体の
輝尽発光ベクトル（それぞれ曲線ｌ、２および３）であ
る。
Claims (7)
- １．組成式（Ｉ）： Ｍ＾１Ｘ：ｘＢｉ （Ｉ） （ただし、Ｍ＾１はＲｂおよびＣｓからなる群より選ば
れる少なくとも一種のアルカリ金属であり；ＸはＣｌ、
ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種の
ハロゲンであり：そしてｘは０＜ｘ≦０．２の範囲の数
値である） で表わされるビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍
光体。 - ２．組成式（Ｉ）におけるＭ＾１がＣｓであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の蛍光体。 - ３．組成式（Ｉ）におけるｘが５×１０＾−＾４≦ｘ≦
１０＾−＾２の範囲の数値であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の蛍光体。 - ４．化学量論的に組成式（Ｉ）： Ｍ＾１Ｘ：ｘＢｉ （Ｉ） （ただし、Ｍ＾１はＲｂおよびＣｓからなる群より選ば
れる少なくとも一種のアルカリ金属であり：ＸはＣｌ、
ＢｌおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種の
ハロゲンであり；そしてｘは０＜ｘ≦０．２の範囲の数
値である） に対応する相対比となるように蛍光体原料混合物を調製
したのち、この混合物を５００乃至１０００℃の範囲の
温度で焼成することを特徴とする該組成式（Ｉ）で表わ
されるビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体の
製造法。 - ５．組成式（Ｉ）におけるＭ＾１がＣｓであることを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載の蛍光体の製造法。 - ６．組成式（Ｉ）におけるｘが５×１０＾−＾４≦ｘ≦
１０＾−＾２の範囲の数値であることを特徴とする特許
請求の範囲第４項記載の蛍光体の製造法。 - ７．蛍光体原料混合物の焼成を６００乃至８００℃の範
囲の温度で行なうことを特徴とする特許請求の範囲第４
項記載の蛍光体の製造法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7048485A JPS6225189A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 螢光体およびその製造法 |
| US06/846,919 US4780375A (en) | 1985-04-02 | 1986-04-01 | Phosphor, and radiation image storage panel |
| EP86104503A EP0200017B1 (en) | 1985-04-02 | 1986-04-02 | Phosphor, radiation image recording and reproducing method and radiation image storage panel |
| DE86104503T DE3688630T2 (de) | 1985-04-02 | 1986-04-02 | Phosphor, Verfahren zum Speichern und zur Wiedergabe eines Strahlungsbildes und Schirm zum Speichern eines Strahlungsbildes. |
| US07/184,881 US4801806A (en) | 1985-04-02 | 1988-04-22 | Radiation image recording and reproducing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7048485A JPS6225189A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 螢光体およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6225189A true JPS6225189A (ja) | 1987-02-03 |
| JPH058754B2 JPH058754B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=13432839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7048485A Granted JPS6225189A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 螢光体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6225189A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06502857A (ja) * | 1990-10-25 | 1994-03-31 | リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン | Ｅｌａｍ−１に結合するための物質及び方法 |
| US6744056B1 (en) | 1998-12-28 | 2004-06-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image conversion panel and method of manufacturing radiation image conversion panel |
| US8118805B2 (en) | 2005-08-30 | 2012-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Robot and manipulator |
| JP2015040713A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | キヤノン株式会社 | シンチレータ結晶体及び放射線検出器 |
-
1985
- 1985-04-02 JP JP7048485A patent/JPS6225189A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06502857A (ja) * | 1990-10-25 | 1994-03-31 | リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン | Ｅｌａｍ−１に結合するための物質及び方法 |
| US6744056B1 (en) | 1998-12-28 | 2004-06-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image conversion panel and method of manufacturing radiation image conversion panel |
| US8118805B2 (en) | 2005-08-30 | 2012-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Robot and manipulator |
| JP2015040713A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | キヤノン株式会社 | シンチレータ結晶体及び放射線検出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058754B2 (ja) | 1993-02-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |