JPS6225425A - 表面保護膜のエツチング方法 - Google Patents
表面保護膜のエツチング方法Info
- Publication number
- JPS6225425A JPS6225425A JP16449985A JP16449985A JPS6225425A JP S6225425 A JPS6225425 A JP S6225425A JP 16449985 A JP16449985 A JP 16449985A JP 16449985 A JP16449985 A JP 16449985A JP S6225425 A JPS6225425 A JP S6225425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- exposed
- oxide film
- resist
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体素体の表面に形成された酸化膜の上に
窒化膜を被着したのち、電極接触のための開口部を設け
るために行なう半導体表面保護膜のエツチング方法に関
する。
窒化膜を被着したのち、電極接触のための開口部を設け
るために行なう半導体表面保護膜のエツチング方法に関
する。
半導体素体に形成される接合の露出部の保護に対して工
程中に表面に形成される酸化膜では十分でないので、そ
の上にさらに窒化膜を被着することが行われる。このよ
うに半導体素体に金属を極を設けるためには、ｖＡ縁性
である積層された酸化膜と窒化膜を除去して半導体素体
を露出させなければならない、このため、従来は窒化膜
被着の前に酸化膜を選択エツチングし、次いで全面に窒
化膜を被着してから窒化膜を選択的にプラズマエツチン
グしていた。しかしこの場合酸化膜のエツチング部はテ
ーバが生じないため、そのあと形成されるアルミニウム
電橋が酸化膜の縁部で密着せず、いわゆるステップカバ
ーレージの問題があった。
程中に表面に形成される酸化膜では十分でないので、そ
の上にさらに窒化膜を被着することが行われる。このよ
うに半導体素体に金属を極を設けるためには、ｖＡ縁性
である積層された酸化膜と窒化膜を除去して半導体素体
を露出させなければならない、このため、従来は窒化膜
被着の前に酸化膜を選択エツチングし、次いで全面に窒
化膜を被着してから窒化膜を選択的にプラズマエツチン
グしていた。しかしこの場合酸化膜のエツチング部はテ
ーバが生じないため、そのあと形成されるアルミニウム
電橋が酸化膜の縁部で密着せず、いわゆるステップカバ
ーレージの問題があった。
本発明は、これに対して半導体素体の表面に形成された
酸化膜上に窒化膜を被着してなる表面保護膜の、開口部
の縁部における金属′ｒ４極のステップカバーレージを
良好にすることのできるエツチング方法を提供すること
を目的とする。
酸化膜上に窒化膜を被着してなる表面保護膜の、開口部
の縁部における金属′ｒ４極のステップカバーレージを
良好にすることのできるエツチング方法を提供すること
を目的とする。
本発明は、窒化膜をマスクを介してプラズマエツチング
し、露出した酸化膜をプラズマに接触させ、マスクを介
して酸化膜を化学エツチングすることにより上記の目的
を達成する。
し、露出した酸化膜をプラズマに接触させ、マスクを介
して酸化膜を化学エツチングすることにより上記の目的
を達成する。
第１図（８）〜（ｅｌは本発明の一実施例の工程を示す
もので、シリコン板１は酸化膜２．窒化膜３の２層構造
の表面保護膜を有す、（ａ）図はこの表面保護膜上にレ
ジスト４によりマスクを形成し、（ＣＦ４＋Ｏ２）プラ
ズマガス５にさらしてエツチングする状態を示す、この
結果Ｃｂ１図に示すように窒化膜３は縁部がテーパ状に
エツチングされる０次いで（ｃ１図に示すようにレジス
ト４を除去してあらためてレジスト６によりマスクを形
成する。（ｄ）図は弗酸水溶液により化学エツチングし
た状態を示し、酸化膜２も縁部がテーパ状にエツチング
されている。 これは＋８１図に示したプラズマエツチング時に露出し
た酸化膜２もプラズマ５の影響を受け、酸化膜の表面に
近い部分がエツチングされやすくなっているためと思わ
れる。従ってこのあと＋６１図のようにアルミニウム電
極膜７を被着した場合、二段に形成されたテーパを有す
る段差部に電極膜は良好なステップカバーレージを示す
。
もので、シリコン板１は酸化膜２．窒化膜３の２層構造
の表面保護膜を有す、（ａ）図はこの表面保護膜上にレ
ジスト４によりマスクを形成し、（ＣＦ４＋Ｏ２）プラ
ズマガス５にさらしてエツチングする状態を示す、この
結果Ｃｂ１図に示すように窒化膜３は縁部がテーパ状に
エツチングされる０次いで（ｃ１図に示すようにレジス
ト４を除去してあらためてレジスト６によりマスクを形
成する。（ｄ）図は弗酸水溶液により化学エツチングし
た状態を示し、酸化膜２も縁部がテーパ状にエツチング
されている。 これは＋８１図に示したプラズマエツチング時に露出し
た酸化膜２もプラズマ５の影響を受け、酸化膜の表面に
近い部分がエツチングされやすくなっているためと思わ
れる。従ってこのあと＋６１図のようにアルミニウム電
極膜７を被着した場合、二段に形成されたテーパを有す
る段差部に電極膜は良好なステップカバーレージを示す
。
本発明は、酸化膜とその上の窒化膜とからなる２Ｎ表面
保護膜に開口部を設ける際、窒化膜をプラズマエツチン
グすると同時に酸化膜をプラズマガスにさらすことによ
り、そのあとの酸化膜の化学エツチングの際にテーパ面
の形成を可能にしたもので、開口部の半導体表面に接触
するＱ ４ｍ膜が表面保ｆｉｌ膜縁部における段差部に
おいて良く密着するため、半導体素子の信転性を大幅に
改善することができる。
保護膜に開口部を設ける際、窒化膜をプラズマエツチン
グすると同時に酸化膜をプラズマガスにさらすことによ
り、そのあとの酸化膜の化学エツチングの際にテーパ面
の形成を可能にしたもので、開口部の半導体表面に接触
するＱ ４ｍ膜が表面保ｆｉｌ膜縁部における段差部に
おいて良く密着するため、半導体素子の信転性を大幅に
改善することができる。
第１図は本発明の一実施例の工程を順次示した要部断面
図である。 １：シリコン板、２二酸化膜、 ３：窒化膜、４．６：
ｌ／シスト、５ ： （ＣＦ４ ＋Ｏりプラズマ、７
：ＡＩ電極膜。
図である。 １：シリコン板、２二酸化膜、 ３：窒化膜、４．６：
ｌ／シスト、５ ： （ＣＦ４ ＋Ｏりプラズマ、７
：ＡＩ電極膜。
Claims (1)
- １）半導体素体表面に形成された酸化膜上に窒化膜を被
着したのち開口部を設ける際に、窒化膜をマスクを介し
てプラズマエッチングし、露出した酸化膜をプラズマガ
スに接触させ、次いでマスクを介して酸化膜を化学エッ
チングすることを特徴とする表面保護膜エッチング方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16449985A JPS6225425A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 表面保護膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16449985A JPS6225425A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 表面保護膜のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6225425A true JPS6225425A (ja) | 1987-02-03 |
Family
ID=15794317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16449985A Pending JPS6225425A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 表面保護膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6225425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH026867A (ja) * | 1988-06-25 | 1990-01-11 | Kaken Kogyo Kk | 湿式塗装ブース循環水の処理剤 |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP16449985A patent/JPS6225425A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH026867A (ja) * | 1988-06-25 | 1990-01-11 | Kaken Kogyo Kk | 湿式塗装ブース循環水の処理剤 |
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