JPH051748B2 - - Google Patents
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- JPH051748B2 JPH051748B2 JP61105932A JP10593286A JPH051748B2 JP H051748 B2 JPH051748 B2 JP H051748B2 JP 61105932 A JP61105932 A JP 61105932A JP 10593286 A JP10593286 A JP 10593286A JP H051748 B2 JPH051748 B2 JP H051748B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- -1 tellurium selenium alloy Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
ことのできる光記録媒体に関するものである。
（従来の技術）
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素又はこれらの化合物が使用されている
（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合金
はよく使用されている（特公昭54−41902，特公
昭57−7919，特公昭57−56058）。近年、記録装置
を小型化するため、レーザ光源としては半導体レ
ーザが使用されてきている。半導体レーザは発振
波長が8000Å前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射
率と適度な吸収率が得られる（フイジカ・ステイ
タス・ソリダイ（phys.stat.sol，７，1964））。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素又はこれらの化合物が使用されている
（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合金
はよく使用されている（特公昭54−41902，特公
昭57−7919，特公昭57−56058）。近年、記録装置
を小型化するため、レーザ光源としては半導体レ
ーザが使用されてきている。半導体レーザは発振
波長が8000Å前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射
率と適度な吸収率が得られる（フイジカ・ステイ
タス・ソリダイ（phys.stat.sol，７，1964））。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、テルルセレン合金の組成を制御
することは容易ではなく、量産性に問題があつ
た。又、記録再生特性においても充分な性能では
なかつた。
することは容易ではなく、量産性に問題があつ
た。又、記録再生特性においても充分な性能では
なかつた。
本発明の目的は、量産性がよく、かつ耐候性が
よく、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することにある。
よく、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体は基板上に形成した記録層
の１部をレーザ光により選択的に除去して情報を
記録する光記録媒体であつて、前記基板上にセレ
ン層、金層、テルル層、セレン層を順次積層して
前記記録層とすることとを特徴とする。
の１部をレーザ光により選択的に除去して情報を
記録する光記録媒体であつて、前記基板上にセレ
ン層、金層、テルル層、セレン層を順次積層して
前記記録層とすることとを特徴とする。
（作用）
光記録媒体は従来第２図のような構成になつて
いた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられ
ている。記録用レーザ光は基板１を通して記録層
２１に集光照射され、ピツト２２が形成される基
板１としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板１に
は通常案内溝が設けられている。記録層２１とし
ては通常テルルセレン合金が使用されている。し
かしながら、テルルセレン合金の組成を制御する
ことは容易ではなく、量産性に問題があつた。
又、ピツトをトラツク１周にわたつて均一に形成
することは困難であるため、充分に良好な記録再
生特性は得られなかつた。
いた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられ
ている。記録用レーザ光は基板１を通して記録層
２１に集光照射され、ピツト２２が形成される基
板１としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板１に
は通常案内溝が設けられている。記録層２１とし
ては通常テルルセレン合金が使用されている。し
かしながら、テルルセレン合金の組成を制御する
ことは容易ではなく、量産性に問題があつた。
又、ピツトをトラツク１周にわたつて均一に形成
することは困難であるため、充分に良好な記録再
生特性は得られなかつた。
本発明者らは、基板の上にセレン層、テルル
層、セレン層を順次積層して記録層とすることに
より、耐候性に優れ、かつトラツク１周にわたつ
てピツトを均一に形成でき、良好な記録再生特性
を有する光記録媒体となることを見出し、すでに
提案している。本発明はこれをさらに改善したも
のであり、第１図に示すように基板１の上にセレ
ン層２、金層３、テルル層４、セレン層５を順次
積層して記録層を形成する。金層３を形成するこ
とにより、記録により形成されるピツトが大きく
拡がらないようになる。したがつて、ピットをつ
めて記録できるので高密度記録が可能となる。
又、記録パワー変動に対する余裕度も大きくなる
ので実用的な光記録媒体となる。この理由はあま
り明確ではないが、ピツト形成による反射率変化
の主要因であるテルル層４の有無による表面エネ
ルギーの差が金層３の形成により変化することに
よつてピツトが拡がりにくくなるものと思れれ
る。
層、セレン層を順次積層して記録層とすることに
より、耐候性に優れ、かつトラツク１周にわたつ
てピツトを均一に形成でき、良好な記録再生特性
を有する光記録媒体となることを見出し、すでに
提案している。本発明はこれをさらに改善したも
のであり、第１図に示すように基板１の上にセレ
ン層２、金層３、テルル層４、セレン層５を順次
積層して記録層を形成する。金層３を形成するこ
とにより、記録により形成されるピツトが大きく
拡がらないようになる。したがつて、ピットをつ
めて記録できるので高密度記録が可能となる。
又、記録パワー変動に対する余裕度も大きくなる
ので実用的な光記録媒体となる。この理由はあま
り明確ではないが、ピツト形成による反射率変化
の主要因であるテルル層４の有無による表面エネ
ルギーの差が金層３の形成により変化することに
よつてピツトが拡がりにくくなるものと思れれ
る。
実施例 １
以下本発明の実施例について説明する。内径15
mm、外径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹
脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入れ、６×
10-6Torr以下に排気した。蒸発源としては、第
１の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、第２の抵抗
加熱用ボートにSeを入れ、電子ビーム加熱用る
つぼにAuを入れた。まずSeを50Å厚蒸着し、次
にAuを２Å厚蒸着し、次にTeを225Å厚蒸着し、
最後にSeを50Å厚蒸着した。この光デイスクを
95℃で１時間アニールしたのち、波長8300Åにお
ける基板入射反射率を測定したところ36％であつ
た。波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して
入射して1.5μmφ程度に絞り、媒体線速度5.6m／
sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsec
の条件で記録し、0.7mWで再生した。記録パワ
ーは6.0mWにおいて、バンド幅30kHzのキヤリア
ーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は50dBと良好であ
つた。又、Ｃ／Ｎが45dB以上得られる記録パワ
ー領域は5.0mWから8.0mWと広範囲であつた。
比較のための50Å厚のSe、225Å厚のTe、50Å厚
のSeの光デイスクでは、記録パワー5.0mWにお
いてＣ／Ｎは48dBであり、Ｃ／Ｎが45dB以上得
られる記録パワー領域は5.0mWから6.5mWと狭
い範囲であつた。
mm、外径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹
脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入れ、６×
10-6Torr以下に排気した。蒸発源としては、第
１の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、第２の抵抗
加熱用ボートにSeを入れ、電子ビーム加熱用る
つぼにAuを入れた。まずSeを50Å厚蒸着し、次
にAuを２Å厚蒸着し、次にTeを225Å厚蒸着し、
最後にSeを50Å厚蒸着した。この光デイスクを
95℃で１時間アニールしたのち、波長8300Åにお
ける基板入射反射率を測定したところ36％であつ
た。波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して
入射して1.5μmφ程度に絞り、媒体線速度5.6m／
sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅70nsec
の条件で記録し、0.7mWで再生した。記録パワ
ーは6.0mWにおいて、バンド幅30kHzのキヤリア
ーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は50dBと良好であ
つた。又、Ｃ／Ｎが45dB以上得られる記録パワ
ー領域は5.0mWから8.0mWと広範囲であつた。
比較のための50Å厚のSe、225Å厚のTe、50Å厚
のSeの光デイスクでは、記録パワー5.0mWにお
いてＣ／Ｎは48dBであり、Ｃ／Ｎが45dB以上得
られる記録パワー領域は5.0mWから6.5mWと狭
い範囲であつた。
次に、本実施例のデイスクを70℃80％の高温高
湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。
湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。
実施例 ２
実施例１と同様にして80Å厚のSe、３Å厚の
Au、240Å厚のTe、80Å厚のSeと順次積層して
光記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録再
生実験により、5.5mWの記録パワーにおいて
Ｃ／Ｎは48dBと良好であり、45dB以上のＣ／Ｎ
を得られる記録パワー領域は5.0mWから8.0mW
と広範囲であつた。なお本発明において上下のセ
レン層の膜厚はそれぞれ５〜100Åの範囲、テル
ル層の膜厚は100〜500Åの範囲、金層の膜厚は
0.5〜50Åの範囲が記録再生特性、耐候性の観点
から望ましい。なお、ここにいう0.5〜50Åの金
層というのは重量平均に相当する膜厚であり、実
際には不連続膜となつている。
Au、240Å厚のTe、80Å厚のSeと順次積層して
光記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録再
生実験により、5.5mWの記録パワーにおいて
Ｃ／Ｎは48dBと良好であり、45dB以上のＣ／Ｎ
を得られる記録パワー領域は5.0mWから8.0mW
と広範囲であつた。なお本発明において上下のセ
レン層の膜厚はそれぞれ５〜100Åの範囲、テル
ル層の膜厚は100〜500Åの範囲、金層の膜厚は
0.5〜50Åの範囲が記録再生特性、耐候性の観点
から望ましい。なお、ここにいう0.5〜50Åの金
層というのは重量平均に相当する膜厚であり、実
際には不連続膜となつている。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により
量産性に優れ、かつ耐候性に優れ、かつ高感度で
信号品質の良好な光記録媒体が得られる。
量産性に優れ、かつ耐候性に優れ、かつ高感度で
信号品質の良好な光記録媒体が得られる。
第１図は本発明の光記録媒体の一例を示す断面
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。図において、１は基板、２，５はセレン
層、３は金層、４はテルル層、２１は記録層、２
２はピツトを表わす。
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。図において、１は基板、２，５はセレン
層、３は金層、４はテルル層、２１は記録層、２
２はピツトを表わす。
Claims (1)
- １ 基板上に形成した記録層の一部をレーザ光に
より選択的に除去して情報を記録する光記録媒体
において、前記基板上にセレン層、金層、テルル
層、セレン層を順次積層して前記記録層とするこ
とを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105932A JPS62261482A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105932A JPS62261482A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62261482A JPS62261482A (ja) | 1987-11-13 |
| JPH051748B2 true JPH051748B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14420624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61105932A Granted JPS62261482A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62261482A (ja) |
-
1986
- 1986-05-08 JP JP61105932A patent/JPS62261482A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62261482A (ja) | 1987-11-13 |
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