JPS6228746A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産東上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に閏するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡＳ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。しか
しながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性、
機械的強度の点で問題がある。 −４、アモルファスシリコン（ａ−５ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ−５ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗か小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光伝
導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０８〜１０
９Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約
１万分の１も低い。従って、ａ−３ｔ：Ｈの単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電
位が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第８図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの反
射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体と
しての感光体ドラム９上へスリット状に入射するように
なっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０、
現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング部
１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロー
ラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９の
トナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレイ
３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２を内
臓した加熱ローラー２３を圧着ローラー２４との間に現
像済みの複写紙を通して定着操作を行う。 しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで充分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在が“Ｐｈ１１．
Ｍａｇ、Ｖｏｌ、　３５”　（１９７８）等に記載され
ており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと
、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０′２〜
１０１３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学的
エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘っ
て変化すること等が知られている。但し、炭素の含有に
よりバンドギャップが拡がるために長波長感度が不良と
なるという欠点がある。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ：Ｈ
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
−３ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−３ｉ：Ｈにより広い
波長域での光感度を得、かつａ−３ｉ：Ｈ層５とへテロ
接合を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯電電位の
向上を図っている。しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈ層の暗
減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であっ
て実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−３ｉ
：Ｈ層が存在していることにより化学的安定性や機７械
的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１’７９５２号公報（こは、ａ−３
ｉ：Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ、−３ｉＣ：Ｈ
層を表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）
に第２のａ−３ｉＣ：ＨＪＦｆを形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ−３ｉＣ：Ｈ層との間に傾斜層
（ａ−３ｉ　１−ｘＣｘ　：　Ｈ）を設け、この傾斜層
においてａ−３ｔ：Ｈ側でＸ＝０とし、ａ　　ＳｉＣ：
Ｈ層側でＸ＝０．５とした感光体が知られている。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。叩ち、２０〜３０万回の連続ランニン
グ時に表面のａ−３ｉＣ層が７〜８万回程度で機械的に
損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥と
して生じるため、耐刷性が充分ではない。しかも、繰返
し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電
気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、湿
度）による形響を無視できない。また、表面改質層と電
荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ０発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐刷性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（
温度、゛湿度）によらずに安定している感光体を提供す
ることにある。 二０発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、周期表第１Ｉ［ａ族元素がヘビードー
プされかつ炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少
なくとも１種を含有するアモルファス水素化及び／又は
フッ素化シリコンからなる電荷ブロッキング層と；窒素
原子及び酸素原子を含有するアモルファス水素化及び／
又はフッ素化シリ周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素
がドープされかつアモルファス水素化及び／又はフッ素
化シリコンからなる第１中間眉と；炭素原子、窒素原子
及び酸素原子のうちの少なくとも１種を含有するアモル
ファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる第２
中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少
なくとも１種を前記第２中間層よりも多く含有するアモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる表
面改質層とが順次積層されてなる感光体に係るものであ
る。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１つの原子を含有している上に、この層下に第
２及び第１中間層を設けているために、機械的損傷に対
して強（なり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐剛性が優れたものとなる。また、本発明においては、
表面改質層と電荷発生層との間に第１及び第２中間層を
設けているので、表面改質層と電荷発生層との接着性が
向上する。また、表面改質層と中間層とを電荷発生層上
に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時の耐光
疲労に優れ、また画像流れもなく、残留電位も低下し、
電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に影言を
受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡβ
等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第ＩＩＩ
ａ族元素（例えばホウ素）がヘビードープされかつＣ，
Ｎ及びＯの少なくとも１つを含有するａ−３ｉ：ｌ（（
これをａ−３ｉ（Ｃ）（Ｎ）（０）：Ｈと表す。）から
なるＰ型電荷ブロッキング層４４と、周期表第ＩＩＩａ
族元素（例えばホウ素）がライトドープされて真性化さ
れかつＮ及びＯを含有するａ−３ｉ：Ｈ（これをａ−３
ｉ　　（Ｃｏ）　　二Ｈと表す。）からなる電荷輸送層
４２と、ａ−８ｉ：）ｌからなる電荷発生層（不純物ド
ーピングなし又は真性化されたもの）４３と、周期表第
ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がヘビードープされたＰｌ
又はＮ掩アモルファス水素化シリコンからなる第１中間
眉４７と、周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がドー
プされてＰ型又はＮ型或いは真性化（若しくは不純物ド
ーピングなしの）されかつＮ、Ｃ及び０の少なくとも１
つを含有するアモルファス水素化シリコン（これをａ−
３ｉ（Ｃ）（Ｎ）　　（０）：Ｈと表す。）からなる第
２中間眉４６と、周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元索
がドープされてＰ型又はＮ型或いは真性化（若しくはド
ーピングなし）されかつａ−３ｉ　　（Ｃ）（Ｎ）（０
）：Ｈからなる表面改質層４５とが積層された構造から
なっている。電荷発生層４３は暗所抵抗率ρＤと光照射
時の抵抗率ρＬとの比が電子写真感光体として充分大き
く光感度（特に可視及び赤外領域の光に対するもの〉が
良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギヤツブ（
Ｅ　ｇ、　ａｐｔ　）とほぼ直線的な関係があるので、
炭素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換え
て規定することができる。 また、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈは、炭素原子含有量を適
切に選択すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇
、帯電電位保持能の向上という顕著な作用効果が得られ
る。即ち、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含有
量が３０〜９０％のａ−８ｉＣ：Ｈを用いた場合、その
比抵抗は炭素含有量に従って変化し、１０′２Ω−ｃｍ
以上になる。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又はＯを含むａ−３ｉＮ
：Ｈ，ａ−３ｉＯ：Ｈについても同様である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。 ・また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、
クリーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐
熱性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロ
セスを通用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Ｓｉ＋Ｃ＝１００ａｔ
ｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表す。）
としたとき１％≦（Ｃ）５９０％、更には１０％≦（Ｃ
）５７０％であることが望ましい。このＣ含有量によっ
て上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネル
ギーギャップがほぼ２，５ｅＶに２上となり、可視及び
赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射
光はａ−３ｉ：ＨＦｆ（電荷発生層）４３に到達し易く
なる。しかし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等
の欠点が生し、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、
かつ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感
度が低下し易（なる。また、Ｃ含有量が９０％を越える
と層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上に
ａ−３ｔＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積
速度が低下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下とするの
がよい。 同様に、窒素又は酸素を含有する層４５の場合、１％≦
（Ｎ）５９０％（更には１０％≦〔Ｎ３５７０％）がよ
く、０％〈〔０３５７０％（更には５％≦〔０３５３０
％）がよい。 帯電能を向上させるためには、表面改質層４５を高抵抗
化してもよい。そのためには表面改質層を真性化しても
よい。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
るためには、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。 各場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は
次の通りであってよい。 真性化：Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４２〜５０容ｉｔｐｐｍＰ型
：ＢｚＨ６／ＳｉＨ４５０〜１０００容ｔｔｐｐｍＮ型
：　ＰＨ３／Ｓ　ｉＨ４１〜１０００容量ｐｐｍまた、
層４５はａ−３ｉＣＯ１ａ−３ｉＮ、ａ−３ｉＯ１ａｓ
ｉ０２等からなっていてよく、その膜厚を４００人≦Ｌ
≦５０００人の範囲内（特に４００人≦ｔ≦２０００人
に選Ｉ尺することも重要である。 即ち、その膜厚が５０００人を越える場合には、残留電
位ＶＲが高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−５
ｔ系感光体としての良好な特性を失い易い。 また、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 第２中間層４６については、残留電位低下のためには、
電荷発生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層を
Ｐ又はＮ型としてもよい。導電型制御のためのドーピン
グ量は表面改質層と同じでよい。また、Ｃ，Ｎ、０の含
有量は層４５のそれよりも少なくする。即ち、Ｏ＜（Ｃ
）５１０％、０＜（Ｎ）５１０％、Ｏ＜（０）≦５％と
するのがよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
＜、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 好ましくは、１００Å以上、１０００Å以下とするのが
よい。 第１中間層４７は感度の向上、残留電位の低下、表面改
質層、中間層４６の接着性の向上及び画像の安定化のた
めに設置する。中間層４７は、上記特性改善のためには
、Ｐ又はＮ型化する必要がある。不純物ドープ量は（Ｐ
Ｈ３：ｌ　／　（Ｓ　ｉＨ＋）＝１〜１０００　（好ま
しくは１０〜５００　”）容量ｐｐ＋ｍ、（ＢｚＨｅ）
／　（ＳｉＨ＋）＝１０〜１０００　（、好ましくは５
０〜５００）容量ｐｐｍとしてよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
＜、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 電荷発生層４３については、帯電能を向上するためには
、電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。 その為には、電荷発生層を真性化してもよい。この真性
化には、Ｂ　２　Ｈ６／　Ｓ　ｉ　Ｈ４＝　１〜２０容
量ｐｐｍとするのがよい。 また、電荷発生層は１〜１０μｍ、好ましくは５〜７μ
ｍとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満である
と光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送Ｊｉｆ４２については、帯電能、感度を最適化
するためには、真性化する必要がある。真性化のための
ドープ量は、（Ｂ２Ｈ６）／　（Ｓ　ｉＨ＋）＝１〜２
０００容量ｐｐｍが最適である。但し、上記値はＮ濃度
に依存するため、必ずしも上記値に限定されるものでは
ない。電荷輸送層の膜厚は１０〜３０μｍとするのがよ
い。 また、電荷輸送層の組成は、１％〈〔Ｎ３５３０％、好
ましくは１０％≦（Ｎ）　５３０％がよく、０％＜〔０
３５１０％、好ましくは０％〈〔０１５１％がよい。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第１［Ｉａ族元素（例えばボロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型（更にはビ型）化する。ブ
ロッキング層の組成によって、次のようにドーピング量
を制御する。 ａ−３ｉＣ又はａ−３ｉＣＯ： Ｐ型（Ｐづ； Ｂ　２　Ｈｓ　／　Ｓ　ｉ　Ｈ４＝２０〜５０００容量
ｐｐＩＩＩａ−３ｉＮ又はａ−３ｉＮＯ： Ｐ型（Ｐ＋）ｉ Ｂ　　２　　Ｈａ　／　Ｓ　　ｉ　　Ｈ４＝　１０００
〜５０００容量ｐｐｍブロッキング層は、Ｓｉ○、Ｓ　
ｉ　０２等の化合物でもよい。 また、ブロッキング層４４は膜厚５００人〜２μｍがよ
い。５００人未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキングＷＩ４４の組成については、次のようにす
るのが望ましい。即ち、１％く〔０３５９０％、好まし
くは１０％≦ＣＣ）５７０％とし、１％〈〔Ｎ３５９０
％、好ましくは１０％≦（Ｎ）５７０％とし、０％≦〔
０〕≦７０％、好ましくはＯ％≦

〔０〕≦３０％とする
のがよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望
ましい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキン
グ層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、導電
型を制御するための不純物として、Ｐ型化のためにボロ
ン以外にもＡｍ、、Ｇａ、、Ｉｎ５Ｔ１等の周期表ＩＩ
Ｉａ族元素を使用できる。Ｎ型化のためにはリン以外に
も、Ａｓ、Ｓｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用できる。 次に、上記した感光体く例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮ２
等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素化合
物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源、
６７は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ６）供給源、６８は各
流量針である。このグロー放電装置において、まず支持
体である例えばへ！基板４１の表面を清浄化した後に真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０″″
６Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１
を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０
〜３００℃）に加熱保持すφ。次いで、高純度の不活性
ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状シリコ
ン化合物、ＣＨ４、Ｎ２．０２等を適宜真空槽５２内に
導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高
周波電源５６により高周波電圧（例えば１３．５６　Ｍ
Ｈｚ）を印加する。これによって、上記各反応ガスを電
極５７と基板４１との間でグロー放電分解し、Ｐ＋型ａ
−３ｉＣＯ：Ｈ，ｉ型３ｉＮＯ：Ｈｓ　ａ−３ｔ：Ｈ，
ｐ＋又はＮ−ｕａ−ｓ　ｉ：　Ｈｌａ−３ｉＣＯ：Ｈ，
ａ−３ｉＣＯ：Ｈを上記の層４４．４２．４３．４７．
４６．４５として基板上に連続的に（即ち、例えば第１
図の例に対応して）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−３ｔ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形
で導入し、ａＳ　ｔ　：　Ｆ　％ａ−３ｉ　：Ｈ：Ｆ、
ａ−３ｉＮ：Ｆ、ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｆ
、、ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合
のフン素置は０．５゜〜１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｊを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａ２支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａ１基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−〇
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、とくに１００〜３５０°Ｃ（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒ
ガスをキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの背
圧のもとて周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印
加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、Ｓ　ｉ　
Ｈ４とＢ２Ｈ，からなる反応ガスを導入し、流量比Ｌ　
：　１　：　ｌ　：　　（１，５Ｘ１０−３）の（Ａｒ
千Ｓ　ｉ　Ｈ４＋　ＣＨ４又はＮ２＋Ｂ２Ｈ６）混合ガ
スをグロー放電分解することにより、電荷ブロッキング
機能を担うビ型のａ−３ｉＣＯ：Ｈ層４４とａ−８ｉＮ
Ｏ：Ｈ電荷輸送層（但し、Ｂ２Ｈ６／Ｓ　ｉＨ＋＝　５
００容量％、（Ｎ）＝１２％、（０）　＝１０００ｐｐ
ｍ　　（Ｓ　ｉに対し））４２とを６ｐｒｎ／　ｈ　ｒ
の堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、Ｂ２
Ｈ６及びＣＨ４を供給停止し、ＳｉＨ＋を放電分解し、
厚さ５μｍのａ−３ｉ：Ｈ層４３を形成した。引き続い
て、不純物ガスの流量比を変化させてグロー放電分解し
、膜厚も変化させた中間層４７を形成し、更にａ−３ｉ
ＣＯ：Ｈ又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ中間層４６、表面保護層
４５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。 比較例として、中間層４７のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）１表面改質層：ａ−３ｉＮＯ：Ｈ又はａ−３ｉＣ
Ｏ：Ｈ （２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５図参照）（
３）、　　ａ−３ｉ　：　Ｈ電荷発生Ｎ：膜厚＝５μｍ
（４）、　　ａ−３ｉＮｏ　：　Ｈ電荷輸送層：膜厚＝
１６μｍＮ含有量＝１１％ ０含有量＝０．２％ 正帯電用二Ｂドープ有り （５）、ａ−５ｉＣＯ：Ｈ又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ電荷ブ
ロッキング層：膜厚＝１μｍ 炭素含有量＝１１％ 正帯電用：Ｂドープ有り （６）、支持体：Ａｌシリンダー（鏡面研磨仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行った。 ■ユか土五度 第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ−Ｂ
ｉｘ１６００　　（小西六写真工業社製）改造機にて画
像出しを行い、何ｇの荷重から画像に白スジが現れるか
で、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。 ■像流並 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ４５００　　（小西六写真工業社
製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後
、画像出しを行い、以下の基準で画像流れの程度を判定
した。 ◎：画画像流が全（なく　、５．５ポイントの英字や細
線の再現性が良い。 ○：５．５ポイントの英字がやや太（なる。 △：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。 ・亡Ｖ　　■　　　　　　　　　　　　　　　ＩＵ　−
Ｂ　ｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、４００
ｎｍにピークをもつ除電光３０１ｕｘ−ｓｅｃを照射し
た後も残っている感光体表面電位。 ・亡Ｖｏ（Ｖ Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業側製
）を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの
条件で３６０ＳＸ型電位計（トレソク社製）で測定した
現像直前の表面電位。 、半Ｊ−ＥＶ　（１ｕｘ°ｓｅｃ　） 上記の装置を用い、ダイクロイックミラー（光伸光学社
！りにより像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成
分をシャープカットし、表面電位を５００■から２５０
Ｖに半減するのに必要な露光量。 （露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）に
て測定） 結果を第７図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分かる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−Ｓｉ系感光体の断面図、 第２図はａ−３ｉＣの光学的エネルギーギャップを示す
グラフ、 第３図はａ−５ｉＣの比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・ａ−３ｉ系感光体４１・・・・
・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・・電荷
輸送層 ４３・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・表面改質層 ４６．４７・・・・・・・・・中間層 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、周期表第IIIａ族元素がヘビードープされかつ炭素
   原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を
   含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
   ンからなる電荷ブロッキング層と；窒素原子及び酸素原
   子を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シ
   リコンからなる電荷輸送層と；アモルファス水素化及び
   ／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層と；周期表
   第IIIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつアモルフ
   ァス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる第１中
   間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少な
   くとも１種を含有するアモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化シリコンからなる第２中間層と；炭素原子、窒素
   原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を前記第２中
   間層よりも多く含有するアモルファス水素化及び／又は
   フッ素化シリコンからなる表面改質層とが順次積層され
   てなる感光体。