JPS62289005A - 表面音響波装置及びこれに関連する電子装置用の空洞パツケ−ジ - Google Patents
表面音響波装置及びこれに関連する電子装置用の空洞パツケ−ジInfo
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- JPS62289005A JPS62289005A JP62087234A JP8723487A JPS62289005A JP S62289005 A JPS62289005 A JP S62289005A JP 62087234 A JP62087234 A JP 62087234A JP 8723487 A JP8723487 A JP 8723487A JP S62289005 A JPS62289005 A JP S62289005A
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
- H03H9/0561—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement consisting of a multilayered structure
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- Acoustics & Sound (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
発明の背景
（１）発明の分野
本発明は５ＡＷ（表面音響波）装置及びこれに関連する
電子装置のためのパッケージに関する。
電子装置のためのパッケージに関する。
（２）従来技術の説明
装置パッケージ技術は、装置が段々小型になり、又、更
に変化した環境、例えば、海中、陸し、及び宇宙空間に
さらされるので、益々重要となっている。ＳＡＷ装置は
特に、それらの高周波での用途のために、性使及び価格
の両面でパッケージの相違により大いに影響を受ける。
に変化した環境、例えば、海中、陸し、及び宇宙空間に
さらされるので、益々重要となっている。ＳＡＷ装置は
特に、それらの高周波での用途のために、性使及び価格
の両面でパッケージの相違により大いに影響を受ける。
密閉、パッケージ・サイズ及び温度の安定性はＳＡＷパ
ッケージの設計者が取扱うほんの少数のパラメータであ
る。
ッケージの設計者が取扱うほんの少数のパラメータであ
る。
１９８３年超音波シンポジウム会報（Ｐｒｏｃｅｅｄ
ｉｎｇｏｆ ｔｈｅ １９８３旧ｔｒａｓｏｎｉｃＳＳ
ｙｍｐｏｓｉｕｍ）に記載されているシー、ニー、エリ
クソン（Ｃ，Ａ、Ｅｒ１ｋｓｏｎ）外による［垂直イン
ラインＳＡＷパッケージＪ （Ｖｅｒｔｉｃａｔ １ｎ
ｌｉｎｅ ＳＡＷ Ｐａｃｋａｇｅ （ＶＩＳＰ））な
る題名の論文はこれら及び他の問題を扱っている。この
論文は電気的に信頼性があり且つ取扱いが容易なリード
φフレーム取り付け部をもつＳＡＷ装置を保護すること
ができる最小の包囲部として「理想的な」ＳＡＷパッケ
ージを説明している。垂直のパッケージ構造はこの１つ
の設計構造として提案され、この中で、ＳＡＷ装置は関
連するプリント回路板に垂直に取り付けられ、金属包囲
部を有するセラミック基板を利用している。
ｉｎｇｏｆ ｔｈｅ １９８３旧ｔｒａｓｏｎｉｃＳＳ
ｙｍｐｏｓｉｕｍ）に記載されているシー、ニー、エリ
クソン（Ｃ，Ａ、Ｅｒ１ｋｓｏｎ）外による［垂直イン
ラインＳＡＷパッケージＪ （Ｖｅｒｔｉｃａｔ １ｎ
ｌｉｎｅ ＳＡＷ Ｐａｃｋａｇｅ （ＶＩＳＰ））な
る題名の論文はこれら及び他の問題を扱っている。この
論文は電気的に信頼性があり且つ取扱いが容易なリード
φフレーム取り付け部をもつＳＡＷ装置を保護すること
ができる最小の包囲部として「理想的な」ＳＡＷパッケ
ージを説明している。垂直のパッケージ構造はこの１つ
の設計構造として提案され、この中で、ＳＡＷ装置は関
連するプリント回路板に垂直に取り付けられ、金属包囲
部を有するセラミック基板を利用している。
ＳＡＷ装置、特に、海中での用途の為に配置されたＳＡ
Ｗ装置に代る別のパッケージ技術は光波技術ジャーナル
（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌ。
Ｗ装置に代る別のパッケージ技術は光波技術ジャーナル
（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌ。
ｇｙ） （７） Ｖｏｌ、ＬＴ−２Ｎｏ、１３．１９８
４年１２月、Ｐｐ、 ９２８〜８３２に記載されている
ビー、エイ、ダウンン（Ｐ。
４年１２月、Ｐｐ、 ９２８〜８３２に記載されている
ビー、エイ、ダウンン（Ｐ。
Ａ、Ｄａｗｓｏｎ）外による集積基板パッケージ及びＳ
Ａｗ搭載フリップチップ使用の海中光ファイバ再成器（
Ａｎ Ｕｎｄｅｒｓｅａ Ｆｉｂｅｒ−Ｏｐｔｉｃ Ｒ
ｅｇｅｎｅｒａｔｏｒＵｓｉｎｇ ａｎ Ｉｎｔｅｇ
ｒａｌ−Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ Ｐａｃｋａｇｅａｎｄ
Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ ＳＡＷ Ｍｏｕｎｔｉｎｇ）
なる論文に説明されている。１−記の垂直パッ
ケージとは違って、ダウラン外による装置はＳＡＷ装置
を基板りに水平な仕方で取すイ・１けている。ＳＡＷの
頂面を損傷から保護するために、トランスジューサを形
成する電極は該頂面に形成されているので、ＳＡＷは全
接着領域に取り付けられる金属テープを用いて逆様に取
り付けられ、かくしてＳＡＷの基板への物理的機械的な
両面での取り付けが行なわれる。
Ａｗ搭載フリップチップ使用の海中光ファイバ再成器（
Ａｎ Ｕｎｄｅｒｓｅａ Ｆｉｂｅｒ−Ｏｐｔｉｃ Ｒ
ｅｇｅｎｅｒａｔｏｒＵｓｉｎｇ ａｎ Ｉｎｔｅｇ
ｒａｌ−Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ Ｐａｃｋａｇｅａｎｄ
Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ ＳＡＷ Ｍｏｕｎｔｉｎｇ）
なる論文に説明されている。１−記の垂直パッ
ケージとは違って、ダウラン外による装置はＳＡＷ装置
を基板りに水平な仕方で取すイ・１けている。ＳＡＷの
頂面を損傷から保護するために、トランスジューサを形
成する電極は該頂面に形成されているので、ＳＡＷは全
接着領域に取り付けられる金属テープを用いて逆様に取
り付けられ、かくしてＳＡＷの基板への物理的機械的な
両面での取り付けが行なわれる。
又、従来技術には、関連する電子装置を含むことができ
るとともに、如何なる環境においても利用することがで
き、又、比較的簡単な製造が可能となるＳＡＷパッケー
ジのための必要性が依然として残っている。
るとともに、如何なる環境においても利用することがで
き、又、比較的簡単な製造が可能となるＳＡＷパッケー
ジのための必要性が依然として残っている。
発明の要約
多層のセラミック「肩乗せ」型の二重空洞パッケージか
提供される。このパッケージでは、集積回路は第１の空
洞部内に形成され、この空洞部はＳＡＷ装置を含む第２
の空洞部の下に配置されている。
提供される。このパッケージでは、集積回路は第１の空
洞部内に形成され、この空洞部はＳＡＷ装置を含む第２
の空洞部の下に配置されている。
詳細な説明
この説明の都合上、本発明の二重空洞パッケージは頂部
空洞部内にＳＡＷ装置を、そして、底部空洞部内に電子
装置を保持するものとして示しである。然しなから、頂
部空洞部内に集積回路を、そして、底部空洞部内にＳＡ
Ｗ装置を持つ逆の形式のパッケージも可能である。次に
第１図を見ると、二重空洞パッケージｌＯか示されてい
る。ここては、水晶の基板１８に形成された入カドラン
スジューサ１４と出カドランスジューサ（図示せず）を
有するＳＡＷフィルタ１２か第１の即ち、頂部の、空洞
部２２内に配置されている。図示のように水晶の基板１
８は接地平面層２４に載置しである。空洞部２２は第１
図に示すようにセラミツク層２６と２７の環状の開口に
より形成されている。頂部密閉層２９は又第１図に一部
示してあり、ここでは、密閉層２９は、通常、金属合金
、例えば、Ｋｏｖａ ｒ、から造られている。この金属
合金は、パッケージの内部層を形成するセラミック材料
の頂部に配置された金属密閉リンクに接着されるとき密
閉部を形成する。
空洞部内にＳＡＷ装置を、そして、底部空洞部内に電子
装置を保持するものとして示しである。然しなから、頂
部空洞部内に集積回路を、そして、底部空洞部内にＳＡ
Ｗ装置を持つ逆の形式のパッケージも可能である。次に
第１図を見ると、二重空洞パッケージｌＯか示されてい
る。ここては、水晶の基板１８に形成された入カドラン
スジューサ１４と出カドランスジューサ（図示せず）を
有するＳＡＷフィルタ１２か第１の即ち、頂部の、空洞
部２２内に配置されている。図示のように水晶の基板１
８は接地平面層２４に載置しである。空洞部２２は第１
図に示すようにセラミツク層２６と２７の環状の開口に
より形成されている。頂部密閉層２９は又第１図に一部
示してあり、ここでは、密閉層２９は、通常、金属合金
、例えば、Ｋｏｖａ ｒ、から造られている。この金属
合金は、パッケージの内部層を形成するセラミック材料
の頂部に配置された金属密閉リンクに接着されるとき密
閉部を形成する。
第１図で基板３０により表わされる、関連集積電子装置
は第２の、即ち下方の、空洞部３０内に配置されている
。水晶の基板１８の配置に類似して集積回路基板３０の
表面３４は層３６に配置された関連する接地平面６６（
第２図）に係合する。下方の空洞部３２は又環状の開口
（複数）により形成され、その第１の開口はセラミック
層３６内に形成され、そして、他の開口は続く層４２内
に形成されている。（例えば、鉄、ニッケル及びコバル
トよりなる公知の組成物）であるＫ ｏ ｖａｒを含む
ことかてきる底部の密閉層３８（第１図）はＦ方の空洞
部３２を覆って、パッケージ１０の密閉部を提供するた
めに使用される。第２図に関して以下に述べるように、
ＳＡＷフィルタ１２と集積回路３０との接続は適当な層
を介して垂直方向に伸びる導電路により行われる。
は第２の、即ち下方の、空洞部３０内に配置されている
。水晶の基板１８の配置に類似して集積回路基板３０の
表面３４は層３６に配置された関連する接地平面６６（
第２図）に係合する。下方の空洞部３２は又環状の開口
（複数）により形成され、その第１の開口はセラミック
層３６内に形成され、そして、他の開口は続く層４２内
に形成されている。（例えば、鉄、ニッケル及びコバル
トよりなる公知の組成物）であるＫ ｏ ｖａｒを含む
ことかてきる底部の密閉層３８（第１図）はＦ方の空洞
部３２を覆って、パッケージ１０の密閉部を提供するた
めに使用される。第２図に関して以下に述べるように、
ＳＡＷフィルタ１２と集積回路３０との接続は適当な層
を介して垂直方向に伸びる導電路により行われる。
１つの実施例では、パッケージ１ｏのセラミック層はア
ルミナ（Ａ１２０３）よりなることがてき、このアルミ
ナは高温で焼結されるとき良好な密閉部となることか知
られている。然しなから、種々の他のセラミック材料も
上記の多層パッケージを形成するために利用することが
てきる。これから述へるように、種々のセラミック層は
集積回路３０とＳＡＷフィルタ１２との間に所望の電気
接続を生じるように金属化パターンを有している。一般
的には、これらの金属化領域は適当な金属の連続層を提
供するだめのマスク又はスクリーン技術を用い付着法に
より製造される。第２図に示した金属化パターンは単に
例示的なものである。
ルミナ（Ａ１２０３）よりなることがてき、このアルミ
ナは高温で焼結されるとき良好な密閉部となることか知
られている。然しなから、種々の他のセラミック材料も
上記の多層パッケージを形成するために利用することが
てきる。これから述へるように、種々のセラミック層は
集積回路３０とＳＡＷフィルタ１２との間に所望の電気
接続を生じるように金属化パターンを有している。一般
的には、これらの金属化領域は適当な金属の連続層を提
供するだめのマスク又はスクリーン技術を用い付着法に
より製造される。第２図に示した金属化パターンは単に
例示的なものである。
上記のように、空洞部２２と３２は各々環状空洞部と固
体のセラミック取り付け層を持つセラミック層の組合せ
により定められる。従って、上方の空洞部２２はそれぞ
れ環状の開口２３と２５を持つセラミック層２６と２７
（第２図）により形成され、セラミック層２６と２７は
セラミック層２４に取り付けられ、セラミック層２４は
今後述へるように金属化接地平面５２を有する取り付け
手段を備えている。同様な仕方て、下方の空洞部３２は
環状の開口４３を有するセラミック層４２により形成さ
れ、セラミック層４２は取り封は層３６の下に配置され
、この取り付け層３６は環状の開口３７を有している。
体のセラミック取り付け層を持つセラミック層の組合せ
により定められる。従って、上方の空洞部２２はそれぞ
れ環状の開口２３と２５を持つセラミック層２６と２７
（第２図）により形成され、セラミック層２６と２７は
セラミック層２４に取り付けられ、セラミック層２４は
今後述へるように金属化接地平面５２を有する取り付け
手段を備えている。同様な仕方て、下方の空洞部３２は
環状の開口４３を有するセラミック層４２により形成さ
れ、セラミック層４２は取り封は層３６の下に配置され
、この取り付け層３６は環状の開口３７を有している。
上記のように、集積回路３０はセラミック層３６の頂部
に形成された金属化層６６に係合する。
に形成された金属化層６６に係合する。
セラミック層２６は金属化電極４４と４６を有し、これ
らの電極はそれぞれ入カドランスジューサ１４とＳＡＷ
フィルタ１２の出カドランスジューサに接続されている
。又、いくつかの導電路４７〜５０か示されているか、
これらの導電路は下方の空洞部内のトランスジューサと
集積回路３０との間の実際の導電路として作用する。更
に別の複数個の電極１１と１３はそれぞれ、電極４４と
４６に接着されたセラミック層２６と配線に設けられて
いる。電極１１と１３は、最終カプセル化より前にＳＡ
Ｗフィルタ１２を試験するために外部信号発生器（図示
せず）に接続することかできる。上記のように、セラミ
ック層２４は上方の空洞部２２のための取り付け層を形
成し、そして、ＳＡＷフィルタ１２は、最終パッケージ
か組み立てられるときにセラミック層２４の頂面に係合
する。セラミック層２４はこの特定の構成のためのパッ
ケージ接地層を形成しており、この特定の構成において
は、セラミック層２４の頂面の大部分は、そのパッケー
ジのための実際の接地平面を形成する金属化層５２て覆
われている。図示のように、金属化路４７〜５０は接地
平面５２を通して連続している。セラミック層５４によ
り形成された次のパッケージ層は集積回路３０のための
、ＶＥＥとして示した、電源層を形成している。セラミ
ック層５４の頂面の金属化層５６はこのｖＥＥの電源を
形成するために使用されている。
らの電極はそれぞれ入カドランスジューサ１４とＳＡＷ
フィルタ１２の出カドランスジューサに接続されている
。又、いくつかの導電路４７〜５０か示されているか、
これらの導電路は下方の空洞部内のトランスジューサと
集積回路３０との間の実際の導電路として作用する。更
に別の複数個の電極１１と１３はそれぞれ、電極４４と
４６に接着されたセラミック層２６と配線に設けられて
いる。電極１１と１３は、最終カプセル化より前にＳＡ
Ｗフィルタ１２を試験するために外部信号発生器（図示
せず）に接続することかできる。上記のように、セラミ
ック層２４は上方の空洞部２２のための取り付け層を形
成し、そして、ＳＡＷフィルタ１２は、最終パッケージ
か組み立てられるときにセラミック層２４の頂面に係合
する。セラミック層２４はこの特定の構成のためのパッ
ケージ接地層を形成しており、この特定の構成において
は、セラミック層２４の頂面の大部分は、そのパッケー
ジのための実際の接地平面を形成する金属化層５２て覆
われている。図示のように、金属化路４７〜５０は接地
平面５２を通して連続している。セラミック層５４によ
り形成された次のパッケージ層は集積回路３０のための
、ＶＥＥとして示した、電源層を形成している。セラミ
ック層５４の頂面の金属化層５６はこのｖＥＥの電源を
形成するために使用されている。
ＳＡＷフィルタの入力と出力の実際の位置を調整するた
めに、電気接続は金属化路４７ないし５０からそれぞれ
金属化路５８ないし６１へ、セラミック層５４に関して
示したように、電極条片ｌないし４の使用により連続し
ている。金属化路５８ないし６１はＳＡＷフィルタの入
力と出力の、パッケージ１０の下方層内に含まれる電子
装置への接続を継続している。１対の金属条片５３と５
５は、又第２図の仮想線で示したように、セラミック層
５４に形成されている。更に後て詳述するように、金属
条片５３と５５はパッケージｌＯのための容量減結合装
置を作るために使用されている。セラミック層５４は又
金属条片５３と５５のすぐ下に配置された１対の環状開
口３９と４１（仮想線で示した）を有している。後て述
べるように、これらの開［１はパッケージ内に開口を作
って１対の別々のコンデンサを後て配置するために利用
される。
めに、電気接続は金属化路４７ないし５０からそれぞれ
金属化路５８ないし６１へ、セラミック層５４に関して
示したように、電極条片ｌないし４の使用により連続し
ている。金属化路５８ないし６１はＳＡＷフィルタの入
力と出力の、パッケージ１０の下方層内に含まれる電子
装置への接続を継続している。１対の金属条片５３と５
５は、又第２図の仮想線で示したように、セラミック層
５４に形成されている。更に後て詳述するように、金属
条片５３と５５はパッケージｌＯのための容量減結合装
置を作るために使用されている。セラミック層５４は又
金属条片５３と５５のすぐ下に配置された１対の環状開
口３９と４１（仮想線で示した）を有している。後て述
べるように、これらの開［１はパッケージ内に開口を作
って１対の別々のコンデンサを後て配置するために利用
される。
ｖｏｏと■。ＣＡとして示した集積回路３２に対する電
源は次のセラミック層６２により提供される。このセラ
ミック層６２はＶｃｃとｖｃｃＡ（図示せず）に関する
外部電源に接続された金属化層６４と６５を有している
。特に第２図ては示さないかいくつかの導電路か金属化
層６４ａと６５から集積回路３０へ電源接続のために利
用されている。セラミック層６２の別の導電路は金属化
層６４を金属条片５５に接続し、同様に、金属層６５な
金属条片５３に接続するために利用されている。それゆ
え、１対のコンデンサを、１個のコンデンサかＶ と
Ｖ （層５６と６４）の間ＥＥ ＣＣ に接続され、そして、他のコンデンサかｖＥＥと■ｏｏ
Ａ（層５６と６５）の間に接続されるように開口３９と
４１に配置することかてきる。この容量性装置は種々の
電源間に減結合を与えるために使用されている。減結合
コンデンサの配置を容易にするために１対の環状の開口
６１と６３かセラミック層６２に又設けられており、そ
して、環状の開口３９と４１のそれぞれ直ぐ下に配置さ
れている。ｖＥＥとして示した別の集積回路電源は電源
層６２の十′に配置された層３６に形成されている。図
示のように、セラミック層３６は金属化層６６を有し、
この金属化層６６は外部ｖＥＥ電源（図示せず）に接続
されており、ここでは金属化層６６は集積回路３０の取
り付け面として作用する。又別の１対の開口６７と６９
か層３６に形成されていて、セラミック層６２の開口６
１と６３の直ぐ下に配置されている。環状の開口３７は
金属化層６６を通っていて仮想線で示されており、この
金属化層６６では、集積回路３０（図示せず）は、フィ
ルタ１２か開口２３内に配置されて層５２に取り伺けら
れているのと同し仕方て開口３７内に配置されて層６６
に取り付けられている。
源は次のセラミック層６２により提供される。このセラ
ミック層６２はＶｃｃとｖｃｃＡ（図示せず）に関する
外部電源に接続された金属化層６４と６５を有している
。特に第２図ては示さないかいくつかの導電路か金属化
層６４ａと６５から集積回路３０へ電源接続のために利
用されている。セラミック層６２の別の導電路は金属化
層６４を金属条片５５に接続し、同様に、金属層６５な
金属条片５３に接続するために利用されている。それゆ
え、１対のコンデンサを、１個のコンデンサかＶ と
Ｖ （層５６と６４）の間ＥＥ ＣＣ に接続され、そして、他のコンデンサかｖＥＥと■ｏｏ
Ａ（層５６と６５）の間に接続されるように開口３９と
４１に配置することかてきる。この容量性装置は種々の
電源間に減結合を与えるために使用されている。減結合
コンデンサの配置を容易にするために１対の環状の開口
６１と６３かセラミック層６２に又設けられており、そ
して、環状の開口３９と４１のそれぞれ直ぐ下に配置さ
れている。ｖＥＥとして示した別の集積回路電源は電源
層６２の十′に配置された層３６に形成されている。図
示のように、セラミック層３６は金属化層６６を有し、
この金属化層６６は外部ｖＥＥ電源（図示せず）に接続
されており、ここでは金属化層６６は集積回路３０の取
り付け面として作用する。又別の１対の開口６７と６９
か層３６に形成されていて、セラミック層６２の開口６
１と６３の直ぐ下に配置されている。環状の開口３７は
金属化層６６を通っていて仮想線で示されており、この
金属化層６６では、集積回路３０（図示せず）は、フィ
ルタ１２か開口２３内に配置されて層５２に取り伺けら
れているのと同し仕方て開口３７内に配置されて層６６
に取り付けられている。
外部信号源に集積回路３０を接続するために必要な金属
化パターン３８はセラミック層３６の底部に形成されて
いて、明確化のために層３６から分離して示しである。
化パターン３８はセラミック層３６の底部に形成されて
いて、明確化のために層３６から分離して示しである。
層３６に続いてセラミック層４２かあり、このセラミッ
ク層４２は一ヒ述のように、環状の開口４３を有してい
て底部空洞部３２内への集積回路３０の配置を容易にす
る。更に別の対の環状の開ロア１と７３が減結合コンデ
ンサの配置を考慮して設けられている。開ロア１と７３
はセラミック層３６内の開口６７と６９の直ぐ下に配置
されている。上記のように、なるべくなら、Ｋｏｖａｒ
から作られた底部密閉層（図示せず）は底部空洞部３２
の上方を覆って完成されたパッケージへの密閉部となる
ようにするために使用される。
ク層４２は一ヒ述のように、環状の開口４３を有してい
て底部空洞部３２内への集積回路３０の配置を容易にす
る。更に別の対の環状の開ロア１と７３が減結合コンデ
ンサの配置を考慮して設けられている。開ロア１と７３
はセラミック層３６内の開口６７と６９の直ぐ下に配置
されている。上記のように、なるべくなら、Ｋｏｖａｒ
から作られた底部密閉層（図示せず）は底部空洞部３２
の上方を覆って完成されたパッケージへの密閉部となる
ようにするために使用される。
種々のセラミック層の組合せか形成された後に、これら
は−緒にして押圧されて最終の二重空洞部パッケージ構
造を形成する。第３図は種々のセラミック層を共に結合
した後に切断により取り除いた図で例示的なパッケージ
１０を示す。このパッケージ装置の利点は完全に別々の
存在としてＳＡＷフィルタと集積回路を構成することか
できる点である。それは、両方の構成要素か単に、パッ
ケージ製造段階に続きそれぞれの空洞部内へ落されるた
けであるからである。従って、ＳＡＷフィルタは集積回
路の組み立てに関連する種々の周囲の圧力（温度変動、
高温、種々の周囲のガス等）にさらされない。
は−緒にして押圧されて最終の二重空洞部パッケージ構
造を形成する。第３図は種々のセラミック層を共に結合
した後に切断により取り除いた図で例示的なパッケージ
１０を示す。このパッケージ装置の利点は完全に別々の
存在としてＳＡＷフィルタと集積回路を構成することか
できる点である。それは、両方の構成要素か単に、パッ
ケージ製造段階に続きそれぞれの空洞部内へ落されるた
けであるからである。従って、ＳＡＷフィルタは集積回
路の組み立てに関連する種々の周囲の圧力（温度変動、
高温、種々の周囲のガス等）にさらされない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明により形成される例示的なＳＡＷ二重空
洞パッケージの一部切欠斜視図てあり、第２図はこの例
示的なＳＡＷ二重空洞パッケージを形成する種々の層の
各々を示す、第１図の装置の展開図てあり、及び 第３図は第２図に示した種々のセラミック層を示ず別の
切欠斜視図である。 （主要部分の符号の説明）
洞パッケージの一部切欠斜視図てあり、第２図はこの例
示的なＳＡＷ二重空洞パッケージを形成する種々の層の
各々を示す、第１図の装置の展開図てあり、及び 第３図は第２図に示した種々のセラミック層を示ず別の
切欠斜視図である。 （主要部分の符号の説明）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、各々が環状開口を有する第１の複数個のセラミック
層（２６、２７）、 第１の取り付け面（５２）を有する第１の取り付け層（
２４）、この第１の取り付け層と前記第１の複数個のセ
ラミック層との組合せにより形成されて前記取り付け面
に配置される表面音響波装置を含むための第１のパッケ
ージ空洞部（２２）、 各々が環状の開口を有する第２の複数個のセラミック層
（４２、３６）、及び 第２の取り付け面（６６）を有し、この取り付け面と前
記第２の複数個のセラミック層との組合せにより形成さ
れて、前記第１の空洞部と垂直方向に整列されるととも
にこの空洞部から分離されている第２のパッケージ空洞
部（３２）が形成され、この第２のパッケージ空洞部は
前記取り付け面に配置される集積回路装置を含むように
されており、前記パッケージに組み合されたとき前記集
積回路装置間の相互接続は前記第１と第２のパッケージ
空洞部を分離するセラミック層内に設けられた複数の導
電路（４７、４９）により提供されることを特徴とする
表面音響波装置とこれに関連する集積電子装置のための
多層セラミック・パッケージ。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の多層セラミックパッ
ケージであって、各層を形成するために使用されるセラ
ミックは、最終パッケージが高温で焼結されるときに密
閉を形成する材料よりなることを特徴とする多層セラミ
ックパッケージ。 ３、特許請求の範囲第２項に記載の多層セラミックパッ
ケージであって、前記セラミックはアルミナであること
を特徴とする多層セラミックパッケージ。 ４、特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の多層セラ
ミックパッケージであって、前記パッケージは、 前記第１のパッケージ空洞部を完全に覆うように配置さ
れた第１の密閉層（２９）、及び、前記第２のパッケー
ジ空洞部を完全に覆うように配置された第２の密閉層（
３８）を更に有することを特徴とする多層セラミックパ
ッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US85083586A | 1986-04-11 | 1986-04-11 | |
| US850835 | 1986-04-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62289005A true JPS62289005A (ja) | 1987-12-15 |
Family
ID=25309229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62087234A Pending JPS62289005A (ja) | 1986-04-11 | 1987-04-10 | 表面音響波装置及びこれに関連する電子装置用の空洞パツケ−ジ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0241236A3 (ja) |
| JP (1) | JPS62289005A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69027462T2 (de) * | 1989-02-17 | 1996-10-31 | Toshiba Kawasaki Kk | Oszillator |
| SE517185C2 (sv) * | 1993-12-28 | 2002-05-07 | Ericsson Telefon Ab L M | Komponentmodulanpassad oscillerande kretsanordning |
| SE503568C2 (sv) * | 1994-03-23 | 1996-07-08 | Ericsson Telefon Ab L M | Signalmottagande och signalbehandlande enhet |
| JPH1032521A (ja) | 1996-07-17 | 1998-02-03 | Murata Mfg Co Ltd | デュプレクサ |
| JP3336913B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2002-10-21 | 株式会社村田製作所 | 電子部品のパッケージ構造 |
| US6653906B1 (en) * | 2002-06-24 | 2003-11-25 | Cts Corporation | Controllable SAW oscillator component |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3555364A (en) * | 1968-01-31 | 1971-01-12 | Drexel Inst Of Technology | Microelectronic modules and assemblies |
| NL8020334A (ja) * | 1980-02-12 | 1982-01-04 | Mostek Corporation Te Carrollton, Texas, Ver. St. V. Am. | |
| DE3209123A1 (de) * | 1982-03-12 | 1983-09-22 | Siemens Ag | Oberflaechenwellenfilter-baugruppe |
-
1987
- 1987-04-02 EP EP87302909A patent/EP0241236A3/en not_active Withdrawn
- 1987-04-10 JP JP62087234A patent/JPS62289005A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0241236A3 (en) | 1989-03-08 |
| EP0241236A2 (en) | 1987-10-14 |
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