JPS6230349A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6230349A JPS6230349A JP16887785A JP16887785A JPS6230349A JP S6230349 A JPS6230349 A JP S6230349A JP 16887785 A JP16887785 A JP 16887785A JP 16887785 A JP16887785 A JP 16887785A JP S6230349 A JPS6230349 A JP S6230349A
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- Pending
Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、荷に、素子相
互接線用の配線形成力法に関するものでろるＯ 〔従来の技術〕 従来この樵の配線形成方法では、第２図の断面図のよう
に、シリコン基板ｌの上に酸化Ｈｘ２を形成し、酸化膜
２に設けた開孔から不純物を拡散して拡散層３を形成後
、拡散層３Ｖζ接続したアルミ配線およびその他の配線
４を形成する。つぎＫ。
互接線用の配線形成力法に関するものでろるＯ 〔従来の技術〕 従来この樵の配線形成方法では、第２図の断面図のよう
に、シリコン基板ｌの上に酸化Ｈｘ２を形成し、酸化膜
２に設けた開孔から不純物を拡散して拡散層３を形成後
、拡散層３Ｖζ接続したアルミ配線およびその他の配線
４を形成する。つぎＫ。
配線４の上に直接パ、７ベーシ、ン用または層間絶縁膜
としてＰＳＧ膜またはプラズマ窒化シリコン膜６を成長
させていた。
としてＰＳＧ膜またはプラズマ窒化シリコン膜６を成長
させていた。
上述した従来の配線形成力法では、配線金属と絶縁膜（
ＰＳＧ膜又はプラズマ窒化シリコン膜）とじかに接して
いる。ＰＳＧ膜の場合はリン酸基が、又プラズマ窒化シ
リコン膜にはアンモニア基が膜中に微量に存在している
ため、チップのマクント時などの高温がかけられる段階
で、配線金属が腐蝕されて消失してしまい、１１′ｒ線
してしまうという不都合が生ずる。
ＰＳＧ膜又はプラズマ窒化シリコン膜）とじかに接して
いる。ＰＳＧ膜の場合はリン酸基が、又プラズマ窒化シ
リコン膜にはアンモニア基が膜中に微量に存在している
ため、チップのマクント時などの高温がかけられる段階
で、配線金属が腐蝕されて消失してしまい、１１′ｒ線
してしまうという不都合が生ずる。
本発明の配線形成方法は、素子相互接続用の配線工程が
終了後、全面にアルミニウムを被層する工程と、該被層
したアルミニウムを陽極化成、によって、すべては化ア
ルミニウムに変換させる工程とを有している。故に、配
線金属は、＃酸性、耐アルカリ性の強い酸化アルミニウ
ム膜で保護されることになる。ここで、配線形成完了後
、配線金属に直接陽極化成を行ない、保護膜を設けると
いう方法も考えられる。しかし、サブストレートと接触
されない、いわゆるフローティング状態になっている配
線は、陽極化成ができないため、該方法では、保護膜形
成のない配線ができあがることがあり適さない。
終了後、全面にアルミニウムを被層する工程と、該被層
したアルミニウムを陽極化成、によって、すべては化ア
ルミニウムに変換させる工程とを有している。故に、配
線金属は、＃酸性、耐アルカリ性の強い酸化アルミニウ
ム膜で保護されることになる。ここで、配線形成完了後
、配線金属に直接陽極化成を行ない、保護膜を設けると
いう方法も考えられる。しかし、サブストレートと接触
されない、いわゆるフローティング状態になっている配
線は、陽極化成ができないため、該方法では、保護膜形
成のない配線ができあがることがあり適さない。
つぎに本発明を実施例によシ説明する０第１図ｔａ）な
いしくＣ）は本発明の工程順の断面図である。第り図（
ａ）において、シリコン基板１を扱う酸化膜２に穴をわ
け、この穴を通して不純物の拡散により、拡散層３を形
成した後、この拡散層と接続するアルミの配）鹸および
その他のアルミ配線４を形成する。つぎに第１図（ｂ）
のように、全面にアルミを０．１μｍの厚さに被層し、
陽極化成によシ全面被着のアルミを酸化アルミニウム５
に変換する。つぎに第１図（Ｃ）のように、層間絶＃膜
としてプラズマ窒化７リコン膜６を１μｍ厚に成長させ
ている。
いしくＣ）は本発明の工程順の断面図である。第り図（
ａ）において、シリコン基板１を扱う酸化膜２に穴をわ
け、この穴を通して不純物の拡散により、拡散層３を形
成した後、この拡散層と接続するアルミの配）鹸および
その他のアルミ配線４を形成する。つぎに第１図（ｂ）
のように、全面にアルミを０．１μｍの厚さに被層し、
陽極化成によシ全面被着のアルミを酸化アルミニウム５
に変換する。つぎに第１図（Ｃ）のように、層間絶＃膜
としてプラズマ窒化７リコン膜６を１μｍ厚に成長させ
ている。
以上説明したように５本発明方法により形成した配線は
、すべて耐酸性、耐アルカリ性の強い酸化アルミニウム
膜で保護されているだめ、配線金属の腐蝕による断線な
どの事故を防止できる効果がある。
、すべて耐酸性、耐アルカリ性の強い酸化アルミニウム
膜で保護されているだめ、配線金属の腐蝕による断線な
どの事故を防止できる効果がある。
第１図（ａ）ないしｆｃ）は本発明の一実施例の製造工
程順の断面図、第２図は従来方法により製造された半導
体装置の断面図である。
程順の断面図、第２図は従来方法により製造された半導
体装置の断面図である。
Claims (1)
- 半導体基板上に設けられた素子の、相互接続用の配線パ
ターンを設ける工程と、該配線パターン上全面にアルミ
ニウムを被着する工程と、該被着されたアルミニウムを
陽極化成法によってすべて酸化アルミニウムに変換する
工程と、該酸化アルミニウム上に、絶縁膜（ＰＳＧ膜又
は、プラズマ窒化シリコン膜）を成長させる工程とを含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16887785A JPS6230349A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16887785A JPS6230349A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230349A true JPS6230349A (ja) | 1987-02-09 |
Family
ID=15876215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16887785A Pending JPS6230349A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230349A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5126283A (en) * | 1990-05-21 | 1992-06-30 | Motorola, Inc. | Process for the selective encapsulation of an electrically conductive structure in a semiconductor device |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16887785A patent/JPS6230349A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5126283A (en) * | 1990-05-21 | 1992-06-30 | Motorola, Inc. | Process for the selective encapsulation of an electrically conductive structure in a semiconductor device |
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