JPS6232554U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6232554U JPS6232554U JP1985124896U JP12489685U JPS6232554U JP S6232554 U JPS6232554 U JP S6232554U JP 1985124896 U JP1985124896 U JP 1985124896U JP 12489685 U JP12489685 U JP 12489685U JP S6232554 U JPS6232554 U JP S6232554U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- plating
- layer
- nickel layer
- sintering
- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例の製造中間段階にお
ける断面図、第2図は従来の銀ボタンダイオード
の製造中間段階における断面図である。 1:シリコン板、5:Auめつき層、6:Ag
電極、62:Agめつき層、8:Ni層。
ける断面図、第2図は従来の銀ボタンダイオード
の製造中間段階における断面図である。 1:シリコン板、5:Auめつき層、6:Ag
電極、62:Agめつき層、8:Ni層。
Claims (1)
- 銀電極が、半導体基板上にニツケルめつき後シ
ンタ処理し、さらにその上にめつきして形成され
たニツケル層およびその上の金層を介して形成さ
れたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985124896U JPS6232554U (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985124896U JPS6232554U (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232554U true JPS6232554U (ja) | 1987-02-26 |
Family
ID=31017315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985124896U Pending JPS6232554U (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6232554U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142633A (en) * | 1980-04-08 | 1981-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for back electrode of semiconductor wafer |
-
1985
- 1985-08-14 JP JP1985124896U patent/JPS6232554U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142633A (en) * | 1980-04-08 | 1981-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for back electrode of semiconductor wafer |