JPS6232705B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6232705B2
JPS6232705B2 JP1212282A JP1212282A JPS6232705B2 JP S6232705 B2 JPS6232705 B2 JP S6232705B2 JP 1212282 A JP1212282 A JP 1212282A JP 1212282 A JP1212282 A JP 1212282A JP S6232705 B2 JPS6232705 B2 JP S6232705B2
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JP
Japan
Prior art keywords
voltage
capacitor
primary winding
switching element
transistor
Prior art date
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Application number
JP1212282A
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English (en)
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JPS58130775A (ja
Inventor
Akira Kikuchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sanken Electric Co Ltd filed Critical Sanken Electric Co Ltd
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Publication of JPS58130775A publication Critical patent/JPS58130775A/ja
Publication of JPS6232705B2 publication Critical patent/JPS6232705B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/22Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
    • H02M3/24Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/28Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、コンバータ即ち直流−直流変換器等
に使用するためのパルス幅制御回路に関するもの
である。
絶縁型コンバータに於いて、出力トランスの1
次側のスイツチング素子を2次側の直流出力電圧
に基づいて制御する場合には、出力検出電圧と基
準電圧との誤差信号を絶縁素子としてのホトカプ
ラを介して伝送した。しかし、ホトカプラを使用
する制御回路には次のような欠点があつた。
(a) ホトカプラの周波数応答速度が遅いため変換
周波数が高い場合には、ハンチング現象の発生
の危険性がある。
(b) 半導体素子で耐圧を持たせるので、高いサー
ジ電圧に対して弱い。
(c) ホトカプラは他の半導体素子に比べて信頼性
が低い。
(d) ホトカプラの伝達効率の劣化が大きいので、
この劣化を見込んで設定しなければならない。
そこで、本発明の目的は、フオトカプラを使用
しないで制御入力側と制御出力側とを絶縁するこ
とが可能なパルス幅制御回路を提供することにあ
る。
上記目的を達成するための本発明は、制御直流
電源に接続されたトランスの1次巻線と、前記制
御直流電源を前記1次巻線に選択的に接続するた
めに前記1次巻線に直列に接続された第1のスイ
ツチング素子と、前記1次巻線の電圧の変化に対
応してコンデンサ充電電圧が変化するように前記
1次巻線に並列又は直列に接続された抵抗とコン
デンサとの直列回路と、前記コンデンサの放電回
路を選択的に形成するための第2のスイツチング
素子と、所定のデユテイフアクタでパルスを発生
する発振器を含み、前記第1のスイツチング素子
をオン・オフ制御すると共に、前記第2のスイツ
チング素子を前記第1のスイツチング素子と逆位
相関係でオン・オフ制御するスイツチング制御回
路と、前記1次巻線と電気的に絶縁されている前
記トランスの2次巻線と、前記2次巻線に並列接
続された可変抵抗素子と、前記可変抵抗素子の抵
抗値を変えるための制御回路と、前記コンデンサ
の電圧と基準電圧とを比較して矩形波パルスを送
出する比較器と、から成るパルス幅制御回路に係
わるものである。
上記発明によれば、ホトカプラを使用しないの
で、信頼性の高い制御回路を提供することができ
る。また、ホトカプラを使用することによつて生
じた種々の欠点の無い装置を提供することができ
る。またコンデンサの充電を制御する回路中に絶
縁用トランスを配したので、構成が簡略化するこ
とができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例について
述べる。
本発明の実施例に係わるコンバータを示す第1
図に於いては、主直流電源1に出力トランス2の
1次巻線3が変換用スイツチングトランジスタ4
を介して接続され、トランス2の2次巻線5には
整流ダイオード6を介して平滑回路7が接続され
ている。尚平滑回路7はダイオード8とリアクト
ル9とコンデンサ10とから成る。
直流出力端子11の電圧を一定値に制御するた
めに、出力端子11には電圧検出ライン12が接
続され、この電圧検出ライン12は誤差増幅器1
3の一方の入力端子に結合されている。この誤差
増幅器13の他方の入力端子には基準電圧源14
が接続されているので、基準電圧源14から供給
される基準電圧と出力検出電圧との差に対応した
出力電圧が誤差増幅器13から得られる。
15は絶縁及び制御用トランスであり、1次巻
線16と2次巻線17とを有する。18は第1の
スイツチング素子としての第1のトランジスタで
あり、1次巻線16に直列に接続されている。1
9は充電電流調整用抵抗、20は三角波発生用コ
ンデンサであり、これ等の直列回路はトランジス
タ18を介して1次巻線16に並列接続されてい
る。21は第2のスイツチング素子としての第2
のトランジスタであり、コンデンサ20の放電回
路を選択的に形成するために、抵抗19とコンデ
ンサ20との直列回路に並列接続されている。第
1のトランジスタ18と第2のトランジスタ21
とを逆位相にオン・オフ動作させるためのスイツ
チング制御回路として、矩形波発振器22とイン
バータ23とが設けられ、第1のトランジスタ1
8のベースに発振器22が直接に結合され、第2
のトランジスタ21のベースにインバータ23を
介して発振器22の出力が結合されている。24
は制御直流電源であり、抵抗32を介して1次巻
線16に接続され且つ抵抗32,19を介してコ
ンデンサ20にも接続されている。
2次巻線17には整流ダイオード25を介して
第3のトランジスタ26が並列接続されている。
このトランジスタ26はA級動作する可変抵抗素
子として働くものであり、このベースに抵抗27
を介して誤差増幅器13の出力端子が結合されて
いる。誤差増幅器13はトランジスタ26の制御
回路として働くものであり、トランジスタ26の
抵抗値は誤差出力に基づいて変化する。検出ライ
ン12とトランジスタ26のコレクタとの間に接
続された抵抗31は、ダミー電流を流してトラン
ジスタ11のA級動作を安定化させるものであ
る。
28は電圧比較器であり、基準電圧源29の基
準電圧VRとコンデンサ20の電圧VCとの比較出
力を駆動増幅回路30に送るものである。
次に、第1図の回路の動作を第2図の波形図を
参照して説明する。今、変換用トランジスタ4の
オン・オフによつて出力トランス2の2次巻線に
電圧が発生し、これが整流及び平滑されて出力端
子11に所定レベルの直流出力電圧が得られ、こ
の出力電圧と基準電圧源14との差に対応した電
圧がトランジスタ26のベースに印加されると、
トランジスタ26のコレクタエミツタ間の抵抗値
が誤差出力に基づいて変化し、このトランジスタ
26の両端に第2図Bに示す如く誤差出力に関連
した電圧VSが得られる。
一方、第2図Aに示す如く、t1〜t3期間に発振
器22からパルスが発生し、トランジスタ18が
オンになると、制御直流電源24の電圧が1次巻
線16に供給される。この時、2次巻線17の電
圧がトランジスタ26の電圧VSでクランプされ
ているので、1次巻線16の電圧VPは2次側の
電圧VSと巻数比とで決まる値になる。即ち1次
巻線16の電圧VPは誤差増幅器13の出力で制
御された値になる。この電圧VPは抵抗19を介
してコンデンサ20に印加されるので、第2図C
に示す如く電圧VPに依存した速度でコンデンサ
20の充電が行われる。そして、コンデンサ20
の電圧VCが基準電圧VRをt2時点で横切ると、比
較器28の出力は第2図Dに示す如く高レベルに
転換する。t2時点になると発振器22の出力が低
レベルになるため、トランジスタ18がオフ、ト
ランジスタ21がオンになり、コンデンサ20の
放電回路が形成されて、コンデンサ20の電圧V
Cは徐々に低下し、t4時点で基準電圧VRを横切
り、比較器28の出力が低レベルに転換する。こ
の結果、コンデンサ20の電圧即ち三角波のピー
ク値に対応したパルス幅を有する制御パルスが第
2図Dに示す如く発生する。
しかる後、t9時点に於いて、コンバータの出力
電圧が低下すれば、誤差増幅器13の出力電圧も
低下し、トランジスタ26の抵抗値が大になり、
電圧VSは第2図Bに示す如く高くなる。この結
果、トランジスタ18のオン期間に於ける1次巻
線16の電圧VPも高くなり、コンデンサ20は
Pに対応して高い電圧まで充電される。即ち、
t9〜t11期間に示す如く急な傾きを有して充電さ
れ、トランジスタ18のオン期間の終了時点t11
で高いピーク電圧となる。尚、抵抗19の値を
R、コンデンサ20の容量をC、充電電流をiと
すれば、コンデンサの電圧VCは、VC=1/C∫idtで 表わされ、電圧VPのステツプ応答出力は、VC
P(1−ε-t/RC)で表わされる。
t11時点でトランジスタ18がオフ、トランジ
スタ21がオンになると、放電回路が形成され、
コンデンサ20の電圧は低下し、t12時点でVR
下となり、比較器28からt10〜t12時間幅のパル
スが得られる。しかる後、t13時点になると再び
トランジスタ18がオンになるので、コンデンサ
20の充電が開始される。ところで、放電速度は
常に一定であるので、t11〜t13期間にコンデンサ
20が完全に放電されず、t13時点のコンデンサ
電圧VCは零にならない。従つて次の充電はt13
点の電圧に加算された状態になされる。このよう
に、コンデンサ20の電圧が零に復帰しなくと
も、三角波と基準電圧VRとの関係を適当に設定
すれば、何んらの問題も生じない。
比較器28から第2図Dに示す如くパルス幅制
御された出力が発生すれば、変換用トランジスタ
4はこれに応答してスイツチング動作をなし、出
力端子11に安定化された直流出力電圧が得られ
る。
上述から明らかなように、本実施例によれば、
ホトカプラを使用することなく誤差出力に対応し
たパルス幅を有する出力を得ることが可能にな
り、ホトカプラを使用することによつて生じた欠
点を解決することができる。
また、コンデンサ20の充電制御回路の中にト
ランス15を配して絶縁しているので、構成を簡
略化することができる。
次に、本発明の別の実施例を示す第3図につい
て述べる。但し、第3図で符号1〜30及び32
で示すものは第1図で同一符号で示すものと実質
的に同一であるので、その説明を省略する。この
実施例では、第1図に於ける抵抗31に相当する
ものが、設けられていない。従つて、トランジス
タ26の電圧VSは、1次側のトランジスタ18
がオンの期間のみ発生する。そして、1次巻線1
6の所に可変抵抗が接続されたと同一の動作とな
り、抵抗25と1次巻線16に於ける等価抵抗と
の分圧比で決定された電圧が、コンデンサ20と
抵抗19とから成る回路の両端に印加される。1
次巻線16に於ける等価抵抗は誤差増幅器13の
出力に応答して変化するので、第1図と同様にパ
ルス幅を制御することが可能になる。
次に、本発明の更に別の実施例を示す第4図に
ついて述べる。但し、第4図で符号1〜31で示
すものは、第1図で同一の符号で示すものと実質
的に同一であるので、その説明を省略する。この
実施例では、抵抗19とコンデンサ20とから成
る回路が1次巻線16に直列に接続されている。
このように接続した場合に於いても1次巻線16
の電圧VPが誤差増幅器13の出力に応答して変
化し、コンデンサ20の充電の速度が変化し、パ
ルス幅制御が可能になる。
以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものでなく、更に変形可能
なものである。例えば、トランジスタ18,2
1,26とFETとしてもよい。また、コンデン
サ20の放電の時定数も誤差増幅器13の出力で
変えるようにしてもよい。また、コンデンサ20
の電圧をのこぎり波としてもよい。また、コンバ
ータ以外のパルス幅制御にも適用可能である。ま
た発振器22の出力の発振周波数及びデユテイフ
アクタを変えるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係わるコンバータを
示す回路図、第2図は第1図のA〜D点の状態を
示す波形図、第3図は本発明の別の実施例に係わ
るコンバータを示す回路図、第4図は本発明の更
に別の実施例に係わるコンバータを示す回路図で
ある。 尚図面に用いられている符号に於いて、13は
誤差増幅器、15はトランス、16は1次巻線、
17は2次巻線、18は第1のトランジスタ、1
9は抵抗、20はコンデンサ、21は第2のトラ
ンジスタ、22は発振器、23はインバータ、2
4は制御直流電源、25はダイオード、26は第
3のトランジスタ、27は抵抗、28は比較器で
ある。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 制御直流電源に接続されたトランスの1次巻
    線と、 前記制御直流電源を前記1次巻線に選択的に接
    続するために前記1次巻線に直列に接続された第
    1のスイツチング素子と、 前記1次巻線の電圧の変化に対応してコンデン
    サ充電電圧が変化するように前記1次巻線に並列
    又は直列に接続された抵抗とコンデンサとの直列
    回路と、 前記コンデンサの放電回路を選択的に形成する
    ための第2のスイツチング素子と、 所定のデユテイフアクタでパルスを発生する発
    振器を含み、前記第1のスイツチング素子をオ
    ン・オフ制御すると共に、前記第2のスイツチン
    グ素子を前記第1のスイツチング素子と逆位相関
    係でオン・オフ制御するスイツチング制御回路
    と、 前記1次巻線と電気的に絶縁されている前記ト
    ランスの2次巻線と、 前記2次巻線に並列接続された可変抵抗素子
    と、 前記可変抵抗素子の抵抗値を変えるための制御
    回路と、 前記コンデンサの電圧と基準電圧とを比較して
    矩形波パルスを送出する比較器と、 から成るパルス幅制御回路。 2 前記第1及び第2のスイツチング素子並びに
    前記可変抵抗素子はそれぞれトランジスタである
    特許請求の範囲第1項記載のパルス幅制御回路。
JP1212282A 1982-01-28 1982-01-28 パルス幅制御回路 Granted JPS58130775A (ja)

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JPS58130775A JPS58130775A (ja) 1983-08-04
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