JPS6234466Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6234466Y2 JPS6234466Y2 JP1981015267U JP1526781U JPS6234466Y2 JP S6234466 Y2 JPS6234466 Y2 JP S6234466Y2 JP 1981015267 U JP1981015267 U JP 1981015267U JP 1526781 U JP1526781 U JP 1526781U JP S6234466 Y2 JPS6234466 Y2 JP S6234466Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- silver
- layer
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は信頼性が高く、廉価な発光ダイオード
基台に関する。
基台に関する。
従来、例えば第１図に示すようなプリントパタ
ーン１５，１５を有した基板１１上に発光ダイオ
ード１８を載置する場合には、特開昭53−114071
号公報にされる如く、プリントパターン１５，１
５は銅箔層１２，１２の上にニツケル層１３，１
３をメツキし、されにその上に金層１４，１４を
メツキしていた。このような多層構造にする理由
は銅箔層１２，１２の銅が表面に析出して腐食
が接触不良を生じないためと、配線に用いる金
属細線１９のワイヤボンド特性を良くするため
と、少しでも反射器の役目をさせて、発光ダイ
オード１８から放出された光を有効に用いようと
するものである。そして最表層を金属とするのは
このうちワイヤボンド特性が最も重要な理由
で、例えば特開昭54−146960号公報の如く金属片
を別途用いるよりも生産性よく確実に配線できる
からである。
ーン１５，１５を有した基板１１上に発光ダイオ
ード１８を載置する場合には、特開昭53−114071
号公報にされる如く、プリントパターン１５，１
５は銅箔層１２，１２の上にニツケル層１３，１
３をメツキし、されにその上に金層１４，１４を
メツキしていた。このような多層構造にする理由
は銅箔層１２，１２の銅が表面に析出して腐食
が接触不良を生じないためと、配線に用いる金
属細線１９のワイヤボンド特性を良くするため
と、少しでも反射器の役目をさせて、発光ダイ
オード１８から放出された光を有効に用いようと
するものである。そして最表層を金属とするのは
このうちワイヤボンド特性が最も重要な理由
で、例えば特開昭54−146960号公報の如く金属片
を別途用いるよりも生産性よく確実に配線できる
からである。
ところが、金は貴金属であるため、特開昭48−
88884号公報や実開昭52−129465号公報の如く部
分メツキ法を用いてその量を少なくしても、基台
は高価となる。そこで貴金属の中でも比較的安価
でワイヤボンド特性もほぼ良好な銀を、金のかわ
りに用いることが時々なされている。しかしこの
場合には特公昭54−33919号公報の如く使用中に
銀の流れ出し、いわゆる銀マイグレーシヨン現象
が生じ、短絡事故が生じる。このため後処理を施
こしたり、実開昭48−79253号公報の如く銀に添
加物を入れているが、銀マイグレーシヨン現象は
完全にはなくならないし、対応の仕方によつて工
程が煩雑になつたりワイヤボンド特性や光反射率
が低下するのでなかなか実用にならなかつた。
88884号公報や実開昭52−129465号公報の如く部
分メツキ法を用いてその量を少なくしても、基台
は高価となる。そこで貴金属の中でも比較的安価
でワイヤボンド特性もほぼ良好な銀を、金のかわ
りに用いることが時々なされている。しかしこの
場合には特公昭54−33919号公報の如く使用中に
銀の流れ出し、いわゆる銀マイグレーシヨン現象
が生じ、短絡事故が生じる。このため後処理を施
こしたり、実開昭48−79253号公報の如く銀に添
加物を入れているが、銀マイグレーシヨン現象は
完全にはなくならないし、対応の仕方によつて工
程が煩雑になつたりワイヤボンド特性や光反射率
が低下するのでなかなか実用にならなかつた。
本考案はこのような欠点を改めるためになされ
たもので、特に銀マイグレーシヨン現象は電圧が
印加され電流が流れない時に生じやすく、その時
負電圧側から正電圧側に枝状に銀析出がおきると
いう実験結果をもとになされたもので、以下本考
案を実施例に基づいて詳細に説明する。
たもので、特に銀マイグレーシヨン現象は電圧が
印加され電流が流れない時に生じやすく、その時
負電圧側から正電圧側に枝状に銀析出がおきると
いう実験結果をもとになされたもので、以下本考
案を実施例に基づいて詳細に説明する。
第２図は本考案の発光ダイオード基台の一実施
例を示すもので、基台として銅張積層樹脂基板
（プリント基板）を例にとつてある。基板１は紙
エポキシ、ガラスエポキシ等の樹脂からなり、厚
さ18〜35μｍの銅箔層２，２が15〜500μｍの間
隔で対向させて積層してある。その上に厚さ３〜
15μｍのニツケル層３，３がメツキしてある。そ
してその一部分に厚さ１〜５μｍの銀層４が選択
メツキしてある。このように対向して設けられた
導電部５，５の銀のない方には、導電性接着剤６
によつて、GaP等のPN接合７を有した発光ダイ
オード８が、ｎ層側を下にして載置固着してあ
る。９はアルミニウム又は金の金属細線で、発光
ダイオード８のＰ層側と導電部５の銀層４とを配
線している。
例を示すもので、基台として銅張積層樹脂基板
（プリント基板）を例にとつてある。基板１は紙
エポキシ、ガラスエポキシ等の樹脂からなり、厚
さ18〜35μｍの銅箔層２，２が15〜500μｍの間
隔で対向させて積層してある。その上に厚さ３〜
15μｍのニツケル層３，３がメツキしてある。そ
してその一部分に厚さ１〜５μｍの銀層４が選択
メツキしてある。このように対向して設けられた
導電部５，５の銀のない方には、導電性接着剤６
によつて、GaP等のPN接合７を有した発光ダイ
オード８が、ｎ層側を下にして載置固着してあ
る。９はアルミニウム又は金の金属細線で、発光
ダイオード８のＰ層側と導電部５の銀層４とを配
線している。
上述の例で２つの導電部５，５は近接している
が、発光ダイオード８に順方向に電圧が加わる
と、電流が流れるので銀マイグレーシヨン現象は
生じない。また発光ダイオード８に逆方向に電圧
が加わると、電流は流れないが、銀層４側は正電
圧になるのでやはり銀マイグレーシヨン現象は生
じない。この例で発光ダイオード８のＰ層を下側
にして固着する場合は、導電部５，５の発光ダイ
オード８側は銀メツキ、金属細線９をワイヤボン
ドする側は金メツキにすれば銀マイグレーシヨン
対策としては同等の効果を有する。しかし、ニツ
ケル層３，３のメツキ層を10〜15μｍと厚くして
おけば、前述の銅析出や光反射率の条件は満足さ
れるので上述のようにワイヤボンド側に銀メツキ
をし金メツキを省く方が好ましい。尚、プリント
基板を例にとつて説明したが、リードフレームを
用いた場合にも適用できる。
が、発光ダイオード８に順方向に電圧が加わる
と、電流が流れるので銀マイグレーシヨン現象は
生じない。また発光ダイオード８に逆方向に電圧
が加わると、電流は流れないが、銀層４側は正電
圧になるのでやはり銀マイグレーシヨン現象は生
じない。この例で発光ダイオード８のＰ層を下側
にして固着する場合は、導電部５，５の発光ダイ
オード８側は銀メツキ、金属細線９をワイヤボン
ドする側は金メツキにすれば銀マイグレーシヨン
対策としては同等の効果を有する。しかし、ニツ
ケル層３，３のメツキ層を10〜15μｍと厚くして
おけば、前述の銅析出や光反射率の条件は満足さ
れるので上述のようにワイヤボンド側に銀メツキ
をし金メツキを省く方が好ましい。尚、プリント
基板を例にとつて説明したが、リードフレームを
用いた場合にも適用できる。
以上の如く本考案は、相対向して設けられた２
つの導電部と、その一方の導電部にｎ側を下にし
て載置固着されたPN接合を有する発光ダイオー
ドと、発光ダイオードと他方の導電部を接続する
金属細線とを具備した発光ダイオード基台に於て
前記２つの導電部のうち、金属細線と当接する側
の導電部のみに銀メツキが施こされている発光ダ
イオード基台であるから、極めて廉価であり、し
かも銀マイグレーシヨン現象は生じないので信頼
性も高い。
つの導電部と、その一方の導電部にｎ側を下にし
て載置固着されたPN接合を有する発光ダイオー
ドと、発光ダイオードと他方の導電部を接続する
金属細線とを具備した発光ダイオード基台に於て
前記２つの導電部のうち、金属細線と当接する側
の導電部のみに銀メツキが施こされている発光ダ
イオード基台であるから、極めて廉価であり、し
かも銀マイグレーシヨン現象は生じないので信頼
性も高い。
第１図は従来の基板を用いた表示器の断面図、
第２図は本考案実施例の発光ダイオード基台の断
面図である。 ２，２……銅箔層、３，３……ニツケル層、４
……銀層、５，５……導電部、７……PN接合、
８……発光ダイオード、９……金属細線。
第２図は本考案実施例の発光ダイオード基台の断
面図である。 ２，２……銅箔層、３，３……ニツケル層、４
……銀層、５，５……導電部、７……PN接合、
８……発光ダイオード、９……金属細線。
Claims (1)
- 相対向して設けられた２つの導電部と、PN接
合を有し、一方の前記導電部にＮ側を固着剤とし
て載置固着された発光ダイオードと、他方の前記
導電部のみに設けられた銀メツキ層と、発光ダイ
オードのＰ側と導電部の前記銀メツキ層とをワイ
ヤボンド配線する金属細線とを具備した事を特徴
とする発光ダイオード基台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981015267U JPS6234466Y2 (ja) | 1981-02-04 | 1981-02-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981015267U JPS6234466Y2 (ja) | 1981-02-04 | 1981-02-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57128159U JPS57128159U (ja) | 1982-08-10 |
| JPS6234466Y2 true JPS6234466Y2 (ja) | 1987-09-02 |
Family
ID=29813269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981015267U Expired JPS6234466Y2 (ja) | 1981-02-04 | 1981-02-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6234466Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129465U (ja) * | 1976-03-26 | 1977-10-01 | ||
| JPS54146960A (en) * | 1978-05-10 | 1979-11-16 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-02-04 JP JP1981015267U patent/JPS6234466Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57128159U (ja) | 1982-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3550875B2 (ja) | リードフレームとこれを用いた半導体装置 | |
| EP3285295A1 (en) | A method for manufacturing semiconductor devices, and corresponding device | |
| JPS6234466Y2 (ja) | ||
| JPH11233531A (ja) | 電子部品の実装構造および実装方法 | |
| JP2989703B2 (ja) | チップ部品型発光ダイオード | |
| JPS63114299A (ja) | プリント配線板 | |
| JPH01296694A (ja) | 配線基板及び配線基板の製造方法 | |
| JP2526434B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2593524Y2 (ja) | ハイブリッドｉｃ | |
| JPH0236278Y2 (ja) | ||
| JPH0222992Y2 (ja) | ||
| KR20050019664A (ko) | 솔더볼을 갖는 반도체 패키지 | |
| JP2000286378A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP5011879B2 (ja) | 半導体装置及びリードフレーム組立体の製法 | |
| JPH01164044A (ja) | チップ実装方法 | |
| JP2826650B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP2970075B2 (ja) | チップキャリヤ | |
| JP2654032B2 (ja) | 半導体ｉｃ装置の製造方法 | |
| JPS58186957A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2790675B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPH02153543A (ja) | フレキシブルプリント基板 | |
| JPS6350864Y2 (ja) | ||
| JPH1056095A (ja) | 半導体装置用多層プリント基板及び多層プリント基板を用いた半導体装置 | |
| JPH024143B2 (ja) | ||
| JP2522094B2 (ja) | 半導体パッケ―ジのリ―ドカット方法 |