JPH0236278Y2

JPH0236278Y2 -

Info

Publication number: JPH0236278Y2
Application number: JP1984059024U
Authority: JP
Priority date: 1984-04-20
Filing date: 1984-04-20
Publication date: 1990-10-03
Also published as: JPS60172360U

Description

【考案の詳細な説明】［産業上の利用分野］本考案は、プリント基板に関し、特には集積回
路（IC）を金ワイヤでボンデイングするための
ワイヤボンデイング部を含む回路パターンを設け
たプリント基板に関するものである。

［従来の技術とその問題点］従来、プリント基板にICを金ワイヤでボンデ
イングして接続するには、基板の銅箔パターン上
に下地ニツケルメツキを施し、その上に更に高純
度金メツキ（通常「ソフト金メツキ」と呼ばれて
いる。）を1μｍ以上の厚さで設けなければならな
かつた。また、回路パターンの中、ワイヤボンデ
イング部以外の接点部分や部品実装パツド部分な
どにもすべて1μｍ以上の厚さでソフト金メツキ
が施されるため、コスト高を招来していた。

つまり、金ワイヤのボンデイング成功率（ボン
ダビリテイ）を高めるには、十分な厚さの高純度
金メツキが必要となる。基板の製造コストは高純
度金の使用量に大きく左右されるから、高純度金
の使用量を少なくして製造コストを低減すべく
色々な試みが提案されている。

例えば、実開昭57−163742号公報では、下地メ
ツキとしてニツケル化合物（特にはボロンニツケ
ル）を施し、その上に0.5μｍ以下の金または1μｍ
以下の銀を単独メツキすることにより、ボンデイ
ング成功率99.5％が得られることが開示されてい
る。しかし、実際には、この程度のボンデイング
成功率では、ボンデイングのパツド数が多いIC
の場合、かなりの接続不良が発生するのが実情で
ある。

また、実開昭48−79253号公報では、ワイヤボ
ンデインングされる電極部分を、銀−パラジウム
と金の２層構造とすることが開示されているが、
これは実際には用途がセラミツクスを使用した厚
膜焼成基板に特定され、樹脂基板には適さない問
題を有している。

［考案の目的］本考案は、上記従来技術の実情に鑑みて、高純
度金メツキを薄くしても十分なボンデイング成功
率を確保することができるプリント基板を提供す
ることを目的とするものである。

［目的を達成するための手段］上記目的を達成するために、本考案のプリント
基板は、回路パターンのワイヤボンデイング部
に、銀メツキとそれを被覆する高純度金メツキと
からなる２層被膜が形成してあり、銀メツキは２
〜4μｍの厚さに、高純度金メツキは0.2〜0.3μｍ
の厚さにそれぞれ形成してある。

［実施例］第１図において、基板１にはICワイヤボンデ
イング部３、接点部４，５、部品実装パツド部６
および引回し配線部分７からなる回路パターンか
ら形成されている。ワイヤボンデイング部３、接
点部４，５、部品実装パツド部６上には銀メツキ
８が２〜4μｍの厚さで形成してあり、その上に
更に高純度金メツキ（通称「ソフト金メツキ」）
９が0.2〜0.3μｍの厚さで被覆して形成されてい
る。基板１の金メツキをほどこした部分以外の部
分はレジスト１０で被覆されている。したがつて
引回し配線部分７はこのレジスト１０で被覆され
ている。

つぎに第２図を参照して製造工程を詳細に説明
する。

基板１には、銅のエツチングパターン１１が形
成され、この上にレジスト１０がパターン形成さ
れる。ワイヤボンデイング部３、接点部４，５、
部品実装パツド部６の端子部分は銅のエツチング
パターン１１が露出しており、その上にワイヤボ
ンデイングのための所要の硬度を持たせるために
下地ニツケルメツキ１２が設けられる。

この下地ニツケルメツキ１２の上には、銀メツ
キ８が２〜4μｍの厚さで形成される。下地ニツ
ケルメツキ１２の上に形成される被膜の特性とし
ては、所要の柔軟性や塑性流動性が要求される
が、従来は金単体でそれに対応していたが、この
考案では金とほぼ同等の塑性流動性を有する銀を
使用している。銀の場合は、金よりも若干厚めに
２〜4μｍ厚に形成することが必要であるが、そ
れでもコスト的には金よりも格段に安く済む。

しかし、銀が直に露出していると、銀の表面に
マイグレーシヨンが発生したり、表面が硫化また
は酸化して導通の信頼性が低下するので、それを
防止しかつ金ワイヤとの密着性を確保するため
に、さらにこの金メツキ８の上に高純度金メツキ
９を形成している。この高純度金メツキ９は、単
に銀のマイグレーシヨンや硫化または酸化を防止
する目的のものであるから、0.2〜0.3μｍという
非常に薄い膜で十分である。

この構成によれば、金の使用量は少ないが、高
純度金メツキを1μｍ以上形成した従来のものと
ほぼ同等のボンデイング成功率99.9％が得られ、
ICなどのマルチワイヤボンデイングに十分に対
応できることが実験により確認された。

［考案の効果］以上のように、本考案のプリント基板によれ
ば、従来の高純度金メツキ1μｍの高信頼性仕様
の場合と同等のボンデイング成功率を低コストの
構成で実現できるという実用上誠に著大な効果を
発揮する。

【図面の簡単な説明】

第１図は平面図、第２図は断面説明図である。１……基板、３……ワイヤボンデイング部、８
……銀メツキ、９……高純度金メツキ。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

回路パターンのワイヤボンデイング部に、２〜
4μｍの厚さの銀メツキとそれを被覆する0.2〜
0.3μｍの厚さの高純度金メツキとからなる２層被
膜を形成したことを特徴とするプリント基板。