JPS6234720B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6234720B2
JPS6234720B2 JP56209369A JP20936981A JPS6234720B2 JP S6234720 B2 JPS6234720 B2 JP S6234720B2 JP 56209369 A JP56209369 A JP 56209369A JP 20936981 A JP20936981 A JP 20936981A JP S6234720 B2 JPS6234720 B2 JP S6234720B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
linbo
voltage
temperature
cracks
Prior art date
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Expired
Application number
JP56209369A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58115096A (ja
Inventor
Tadao Komi
Kenichi Shindo
Kazuhiro Yamada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP56209369A priority Critical patent/JPS58115096A/ja
Publication of JPS58115096A publication Critical patent/JPS58115096A/ja
Publication of JPS6234720B2 publication Critical patent/JPS6234720B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野） 本発明はリチウムニオベート（以下LiNbO3と
記す）単結晶の単一分域の方法に関する。 （発明の技術的背景） LiNbO3単結晶を単一分域化することは公知で
ある。 例えばＺ軸引上げLiNbO3単結晶を単一分域化
する為には第１図に示すようにヒータ１で加熱で
きるようにした電気炉２内に引上げた単結晶３を
Ｚ面に電極４を設け、スイツチ７を投入してリー
ド線５から電圧６を加えられるようにしておく。
このときのLiNbO3単結晶の加熱曲線（実線）お
よび電圧印加特性（破線）を第２図に示す。多く
の場合単結晶の温度上昇は100℃／時間、t0からt2
までの保持温度はキユリー点Tcよりわずかに高
い1200℃、温度降下は100℃／時間である。一定
温度に保持し始める時間t0から30分後t1において
電圧1V／cmを印加し、さらに30分後t2から温度を
降下させ、t1から15時間後t3で電圧を切る。以上
の操作によりLiNbO3単結晶の単一分域化は終了
する。 （背景技術の問題点） さてこのようにして得られる単一分極化した
LiNbO3単結晶は、分極化終了時点で単結晶のク
ラツクが観察されることがある。このクラツクの
大きさは種々様々で大きいものは長さ10cm外周面
での幅１mm程度から小さいものは肉眼でやつと見
つかる程度のものまである。数多くの実験中に発
生したクラツク発生率は約５％であつた。 単結晶に発生するクラツクは生産コスト面だけ
でなく単結晶の品質特性面からみても好ましい現
象ではなく極力減少しなければならない。 （発明の目的） 本発明は上記欠点をなくすためになされたもの
で、クラツクの少ないLiNbO3単結晶を得るため
の製造方法を提供することを目的とする。 （発明の概要） 発明者等は分極化後のクラツクを減少させるべ
く分極化の方法における種々の要因について実験
研究を行う中で単結晶の電圧印加条件もクラツク
の一原因になつていることを見出しこの発明を完
成した。 すなわち本発明はLiNbO3単結晶のＺ軸方向に
電界印加のための電極を設け、この単結晶を所定
の温度に加熱し、この所定温度において前記単結
晶に所定の電界を印加する工程を有する単結晶の
単一分域化方法において、前記所定の電界の印加
は緩やかに行うことを特徴とするLiNbO3の単一
分極化方法である。 数多くの実験によれば第３図の破線（実線は単
結晶の温度）に示す様に電圧を印加するに当り、
時間に対して傾斜を与えるように緩やかに印加す
ることによりクラツクが防止され、第２図の破線
に示すような急峻な電圧印加ではクラツクが多
い。こゝで電圧印加の緩やかさとクラツク発生率
との関係を第１表に示す。
【表】 （単結晶長さ10cm、単結晶の温度1200℃） この表に示す通り電圧の印加が緩やかであれば
クラツク発生率が小さく電圧印加条件が15V／分
を越えるとクラツクが多発し、10V／分以下では
非常にクラツクが少ない。 （発明の実施例） 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 １ 第１図に示すように直径65mmの128゜Ｙカツト
LiNbO3単結晶のＺ軸方向に電極４を設け、電気
炉２内に挿入し、1200℃まで加熱する。その後、
スイツチ７を入れ、電圧６を10V／分の割合で
徐々に昇圧し、10Vになるまで昇圧を続ける。
1200℃10Vの条件で30分間の処理を行つた後100
℃／時間で降温させる。このようにしてｎ＝800
個の単一分極化処理を行つたところ４個がクラツ
クしていた。 実施例 ２ 実施例１と同様に65mmの128゜ＹカツトLiNbO3
単結晶のＺ軸方向に電極４を設け、電気炉２内に
挿入し1200℃まで加熱する。その後スイツチ７を
入れ電圧６を2V／分の割合で昇上し、10Vになる
まで昇圧を続ける。1200℃10Vの条件で30分間の
処理を行つた後100℃／時間で降温させる。この
ようにしてｎ＝600個の単一分極化処理を行つた
ところ１個がクラツクしていた。 （発明の効果） 以上説明した通り、本発明はLiNbO3単結晶の
単一分極化方法において単極結晶に印加する電界
を緩やかに行うことに特徴を有するもので、本発
明によれば分極化処理における単結晶のクラツク
が大幅に減少する。
【図面の簡単な説明】
第１図はLiNbO3単結晶の単一分極処理を行う
装置の概略図、第２図は従来のLiNbO3単結晶の
加熱曲線及び電圧印加特性を示す図、第３図は本
発明に係るLiNbO3単結晶の電圧印加特性を説明
する図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ リチウムニオベート（LiNbO3）単結晶に電界
    印加のための電極を設け、前記単結晶を所定の温
    度に加熱し、この所定温度において前記単結晶に
    所定の電界を印加する工程を有する単結晶の単一
    分域化方法において、前記所定の電界の印加のた
    めに電圧を上昇するときの割合は１分間に15V以
    下の割合であることを特徴とするリチウムニオベ
    ート単結晶の単一分域化方法。
JP56209369A 1981-12-25 1981-12-25 リチウムニオベ−ト単結晶の単一分域化方法 Granted JPS58115096A (ja)

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JPS58115096A JPS58115096A (ja) 1983-07-08
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JP2006179897A (ja) * 2001-09-11 2006-07-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置
CN113293442A (zh) * 2021-05-26 2021-08-24 焦作晶锐光电有限公司 一种铌酸锂晶体的新型单畴化工艺

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JPS58115096A (ja) 1983-07-08

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