JPS6235545A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
- Publication number
- JPS6235545A JPS6235545A JP17448185A JP17448185A JPS6235545A JP S6235545 A JPS6235545 A JP S6235545A JP 17448185 A JP17448185 A JP 17448185A JP 17448185 A JP17448185 A JP 17448185A JP S6235545 A JPS6235545 A JP S6235545A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- resin
- semiconductor chip
- stress
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止された半導体装置に関するものである
。
。
従来の樹脂封止半導体装置の構成を第３図に示す。図に
おいて、１は半導体チップ、２はフレーム、３はモール
ド樹脂、４はビンである。なお、第３図の右半面では、
ピン及びボンディングワイヤは図示省略している。
おいて、１は半導体チップ、２はフレーム、３はモール
ド樹脂、４はビンである。なお、第３図の右半面では、
ピン及びボンディングワイヤは図示省略している。
半導体チップ１はフレーム２に固定されている。
一方、モールド樹脂３は、高温で成形され、その後常温
にさらされるため、その体積が収縮する。
にさらされるため、その体積が収縮する。
半導体チップ１も同様にモールド成形時には高温にさら
され、その後常温にさらされるが上記のように半導体チ
ップ１はフレーム２に固定されており、半導体チップ１
とモールド樹脂３との熱膨張係数が異なり、一般にモー
ルド樹脂３の熱膨張係数が半導体チップ１の熱膨張係数
に比べて大きいため、第４図に矢印７で示したように半
導体チップ１とモールド樹脂３との接触面において、半
導体チップ１の表面と平行に中心に向かって応カフが印
加される。この応カフは半導体チップ１の角の部分で特
に大きい。このため、半導体チップ１上のパシベーショ
ン膜にクランクが生じる。
され、その後常温にさらされるが上記のように半導体チ
ップ１はフレーム２に固定されており、半導体チップ１
とモールド樹脂３との熱膨張係数が異なり、一般にモー
ルド樹脂３の熱膨張係数が半導体チップ１の熱膨張係数
に比べて大きいため、第４図に矢印７で示したように半
導体チップ１とモールド樹脂３との接触面において、半
導体チップ１の表面と平行に中心に向かって応カフが印
加される。この応カフは半導体チップ１の角の部分で特
に大きい。このため、半導体チップ１上のパシベーショ
ン膜にクランクが生じる。
従来の樹脂封止半導体装置は以上のように構成されてい
るので、半導体チップとモールド樹脂との熱膨張係数の
差により半導体チップ表面に応力が印加され、この応力
によってパシベーション膜にクランクが生じる問題があ
った。
るので、半導体チップとモールド樹脂との熱膨張係数の
差により半導体チップ表面に応力が印加され、この応力
によってパシベーション膜にクランクが生じる問題があ
った。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、半導体チップ表面に印加される応力を小さくし
た樹脂封止半導体装置を提供することを目的としている
。
もので、半導体チップ表面に印加される応力を小さくし
た樹脂封止半導体装置を提供することを目的としている
。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係る樹脂封止半導体装置は、半導体チップが固
定されるフレーム上の半導体チップの外側にその高さが
半導体チップの厚みよりも高い応力緩和部材を設けたも
のである。
定されるフレーム上の半導体チップの外側にその高さが
半導体チップの厚みよりも高い応力緩和部材を設けたも
のである。
本発明においては、応力緩和部材は半導体チップ表面に
印加される応力を緩和する。
印加される応力を緩和する。
以下、本発明の一実施例について、第１図を参照して説
明する。第１図は本発明の一実施例による樹脂封止半導
体装置を示し、図において、１は半導体チップ、２はフ
レーム、３はモールド樹脂、４はビン、５は応力緩和部
材である。なお、第１図の右半面ではビンおよびボンデ
ィングワイヤを図示省略している。半導体チップ１はフ
レーム２上に固定されている。また、応力緩和部材５も
フレーム２上に固定されているが、ここでは応力緩和部
材５はフレーム２に対して垂直に固定された場合を示す
。更に、応力緩和部材５の高さは半導体チップ１の厚み
よりも高（なっている。
明する。第１図は本発明の一実施例による樹脂封止半導
体装置を示し、図において、１は半導体チップ、２はフ
レーム、３はモールド樹脂、４はビン、５は応力緩和部
材である。なお、第１図の右半面ではビンおよびボンデ
ィングワイヤを図示省略している。半導体チップ１はフ
レーム２上に固定されている。また、応力緩和部材５も
フレーム２上に固定されているが、ここでは応力緩和部
材５はフレーム２に対して垂直に固定された場合を示す
。更に、応力緩和部材５の高さは半導体チップ１の厚み
よりも高（なっている。
次に作用効果について説明する。
モールド成形時、モールド樹脂３及び半導体チップ１は
共に高温にさらされる。半導体チップ１がモールド樹脂
封止された後、モールド樹脂３及び半導体チップ１は共
に常温に戻る。この時、半導体チップ１に比ベモールド
樹脂３の熱膨張係数が大きいため、半導体チップ１より
もモールド樹脂３０体積収縮は大きく、また、半導体チ
ップ１はフレーム２に固定されているため、半導体チッ
プ１の表面に応力が印加されようとする。この応力は半
導体チップ１の角の部分で最も大きく作用する。しかし
、半導体チップ１の角の部分には応力緩和部材５が設け
られており、その高さが半導体チップ１の厚みよりも高
いため、半導体チップ１の中心方向に向かって収縮しよ
うとするモールド樹脂３の収縮を止める役割を果たし、
半導体チップ１に印加される応力が緩和される。よって
この応力に起因するパシベーション膜のクランクが生じ
なくなる。
共に高温にさらされる。半導体チップ１がモールド樹脂
封止された後、モールド樹脂３及び半導体チップ１は共
に常温に戻る。この時、半導体チップ１に比ベモールド
樹脂３の熱膨張係数が大きいため、半導体チップ１より
もモールド樹脂３０体積収縮は大きく、また、半導体チ
ップ１はフレーム２に固定されているため、半導体チッ
プ１の表面に応力が印加されようとする。この応力は半
導体チップ１の角の部分で最も大きく作用する。しかし
、半導体チップ１の角の部分には応力緩和部材５が設け
られており、その高さが半導体チップ１の厚みよりも高
いため、半導体チップ１の中心方向に向かって収縮しよ
うとするモールド樹脂３の収縮を止める役割を果たし、
半導体チップ１に印加される応力が緩和される。よって
この応力に起因するパシベーション膜のクランクが生じ
なくなる。
なお、上記実施例では応力緩和部材がフレームに対して
垂直に固定された場合について説明したが、これは半導
体チップ側から見てフレーム表面と鋭角をなすように固
定されていてもよい。
垂直に固定された場合について説明したが、これは半導
体チップ側から見てフレーム表面と鋭角をなすように固
定されていてもよい。
また、上記実施例では応力緩和部材が半導体チップの角
の部分にのみ設けた場合について説明したが、これは他
の部分に設けてもよく、例えば第２図に示すように半導
体チップの全周を囲む応力緩和部材６を設けてもよい。
の部分にのみ設けた場合について説明したが、これは他
の部分に設けてもよく、例えば第２図に示すように半導
体チップの全周を囲む応力緩和部材６を設けてもよい。
以上のように、本発明によれば、半導体チップの外側に
半導体チップの厚みよりも高い応力緩和部材を設け、こ
れをフレームに固定したので、半導体チップ表面に印加
される応力を緩和でき、パシベーション腰にクランクが
生じるのを防ぐ効果がある。
半導体チップの厚みよりも高い応力緩和部材を設け、こ
れをフレームに固定したので、半導体チップ表面に印加
される応力を緩和でき、パシベーション腰にクランクが
生じるのを防ぐ効果がある。
第１図は本発明の一実施例による樹脂封止半導体装置を
示す図、第２図は本発明の他の実施例による樹脂封止半
導体装置を示す図、第３図は従来の樹脂封止半導体装置
を示す図、第４図は応力の印加を示す図である。 １・・・半導体チップ、２・・・フレーム、３・・・モ
ールド樹脂、５．６・・・応力緩和部材。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
示す図、第２図は本発明の他の実施例による樹脂封止半
導体装置を示す図、第３図は従来の樹脂封止半導体装置
を示す図、第４図は応力の印加を示す図である。 １・・・半導体チップ、２・・・フレーム、３・・・モ
ールド樹脂、５．６・・・応力緩和部材。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）半導体チップ及びフレームをモールド樹脂内に埋
設する樹脂封止半導体装置において、上記半導体チップ
の外側にその高さがチップの厚みよりも高い応力緩和部
材をフレーム上に固定して設けたことを特徴とする樹脂
封止半導体装置。 - （２）上記応力緩和部材は半導体チップ側から見て上記
フレーム表面と鋭角をなすように上記フレーム上に固定
されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹
脂封止半導体装置。 - （３）上記応力緩和部材は上記半導体チップの角の部分
の外側に設けられたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の樹脂封止半導体装置。 - （４）上記応力緩和部材は上記半導体チップの外周全体
に設けられたことを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の樹脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17448185A JPS6235545A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17448185A JPS6235545A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235545A true JPS6235545A (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=15979233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17448185A Pending JPS6235545A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235545A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4928162A (en) * | 1988-02-22 | 1990-05-22 | Motorola, Inc. | Die corner design having topological configurations |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP17448185A patent/JPS6235545A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4928162A (en) * | 1988-02-22 | 1990-05-22 | Motorola, Inc. | Die corner design having topological configurations |
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