JPH0351301B2 - - Google Patents

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JPH0351301B2
JPH0351301B2 JP60011001A JP1100185A JPH0351301B2 JP H0351301 B2 JPH0351301 B2 JP H0351301B2 JP 60011001 A JP60011001 A JP 60011001A JP 1100185 A JP1100185 A JP 1100185A JP H0351301 B2 JPH0351301 B2 JP H0351301B2
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JP
Japan
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semiconductor element
semiconductor device
semiconductor
resin
molding
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JP60011001A
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Takashi Kondo
Masanori Tosa
Satoshi Ioka
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置にかかるものであり、特に
モールド成形によつて半導体素子に加えられる応
力負荷に対して改良構造を有する半導体装置に関
するものである。
〔従来の技術〕
半導体素子がモールド成形される半導体装置と
しては、例えば第３図に示すものがある。この図
において、半導体素子１は、まずフレーム２に固
着され、次に、ワイヤ３によつて各々対応するリ
ード部２１に布線されて組立てられる。そして、
その後トランスフアモールド法等により、エポキ
シ樹脂４等で成形封止される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、かかる成形封止において、成形後の
樹脂は、硬化後の冷却とともに通常収縮が生じ、
半導体素子１に対して大きな圧力を及ぼす。この
ため、半導体素子１の周縁部に欠陥が発生し、半
導体装置としての機能に支障が生ずるおそれがあ
る。
また、モールド用の樹脂４と半導体素子１は通
常熱膨張係数が一桁以上異なるため、半導体装置
の使用中すなわち動作中の温度変化により、いわ
ゆる熱応力が生ずることとなる。これらの応力
は、半導体素子１の周縁部が大きく、また、半導
体素子１の主表面に生ずる応力は大きくなる。
本発明は、かかる従来技術の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、成形樹脂による半導体素子への
応力負荷を低減することができる半導体装置を提
供することを目的とする。
〔問題を解決するための手段〕
本発明は、樹脂材によつてモールド成形される
半導体素子の主表面の周縁部に軟質材からなる絶
縁性の環状冠帯を設けたことを特徴とするもので
ある。
〔作用〕
本発明によれば、半導体素子の周縁部に設けら
れた軟質材により樹脂材の熱変形による応力負荷
が吸収され、半導体素子に対する応力負荷が低減
される。
〔実施例〕
以下、本発明にかかる半導体装置を添付図面に
示す実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図には本発明にかかる半導体装置の一実施
例が示されている。また、第１図の破線部分が拡
大して第２図に示されている。なお、前述した従
来技術と同様の構成部分については同一の符号を
用いることとする。
第１図及び第２図において半導体素子１には、
その主表面にコート層５が形成されている。この
コート層５は基本的には半導体素子１の主表面の
周縁部のみに形成すればよいが、製造上の容易さ
からすれば主表面の全体に形成してよく、これに
よつて半導体素子１の機能に格別の障害が生ずる
ことはない。
次に半導体素子１の主表面の周縁部には、必要
とすれば切欠きを設けて、その部分に環状冠帯５
１が形成されている。この環状冠帯５１は、例え
ばシリコン樹脂等の絶縁性軟質材が使用される。
この環状冠帯５１は、スピンコート法あるいはス
クリーン印刷法等を用いてコート層５と同時に形
成される。形成後、ウエハ上の多数の半導体素子
を分割するダイシング工程により切断されて、各
半導体素子１毎に環状冠帯５１が形成されること
となる。５２はダイシング時に形成されたダイシ
ング面である。このように、環状冠帯５１は半導
体素子１と一体構成され、その後に樹脂４による
モールド工程が行われるようになつている。した
がつて、モールドは第３図の従来例の場合と同様
に、極めて簡単に例えば１挙動で実施できる利点
がある。
次に上記実施例の作用について説明すると、環
状冠帯５１は、軟質材によつて形成されているた
め、モールド用の樹脂４による応力負荷を吸収す
ることができる。従つて半導体素子１に対する応
力負荷が低減されることとなる。
なお、半導体素子１の大きさは、どのようなも
のであつてもよいが、特にLSIなどの比較的大型
のものに対しては、特に効果が大きい。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明による半導体装置
によれば、半導体素子の周縁部に軟質材からなる
環状冠帯を設けることとしたので、モールド材に
よる応力負荷を低減することができ、半導体素子
の機能が損なわれるおそれがなく信頼性の向上を
図ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明にかかる半導体装置の一実施例
を示す断面図、第２図は第１図の破線部分を拡大
して示す拡大図、第３図は従来の半導体装置の一
例を示す断面図である。 図において、１は半導体素子、２はフレーム、
３はワイヤ、４は樹脂、５はコート層、２１はリ
ード部、５１は環状冠帯、５２はダイシング面で
ある。なお、各図中同一符号は、同一又は相当部
分を示すものとする。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子を樹脂材のモールド成形により封
    止してなる半導体装置において、 前記半導体素子はその主表面側の周縁部に軟質
    絶縁材からなる環状冠帯を有することを特徴とす
    る半導体装置。
JP60011001A 1985-01-25 1985-01-25 半導体装置 Granted JPS61171156A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60011001A JPS61171156A (ja) 1985-01-25 1985-01-25 半導体装置

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60011001A JPS61171156A (ja) 1985-01-25 1985-01-25 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61171156A JPS61171156A (ja) 1986-08-01
JPH0351301B2 true JPH0351301B2 (ja) 1991-08-06

Family

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60011001A Granted JPS61171156A (ja) 1985-01-25 1985-01-25 半導体装置

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JPS413776Y1 (ja) * 1964-03-03 1966-02-28

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JPS61171156A (ja) 1986-08-01

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