JPS6236965B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6236965B2
JPS6236965B2 JP52156389A JP15638977A JPS6236965B2 JP S6236965 B2 JPS6236965 B2 JP S6236965B2 JP 52156389 A JP52156389 A JP 52156389A JP 15638977 A JP15638977 A JP 15638977A JP S6236965 B2 JPS6236965 B2 JP S6236965B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon nitride
powder material
nitride powder
carbon
deoxidizing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52156389A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5488913A (en
Inventor
Michasu Komatsu
Katsutoshi Nishida
Tadashi Myano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP15638977A priority Critical patent/JPS5488913A/ja
Publication of JPS5488913A publication Critical patent/JPS5488913A/ja
Publication of JPS6236965B2 publication Critical patent/JPS6236965B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は窒化ケイ素質粉末材料に含まれている
不純物の脱酸方法に関する。窒化ケイ素質焼結体
は高温強度に優れた材料であり、ゆえに近年特に
注目を集めている。ところが市販の窒化ケイ素材
料には不純物、例えばカルシウム、鉄、マンガ
ン、ケイ素、チタン等の酸化物が含まれており、
このような原料から窒化ケイ素質焼結体を製造す
るとその焼結体は緻密ではあるが、不純物よりな
るガラス質を含んでいるため高温強度が不十分で
あつた。 この欠点を改良する方法として本発明者等は特
願昭第52−1949号において窒化アルミニウム中で
窒化ケイ素質材料を熱処理する方法を提供したが
熱処理温度が高く窒化ケイ素の粒成長の制御の点
で未だ改善の余地を残している 本発明者等は上記の点に鑑み種々検討した結
果、窒化ケイ素質粉末材料を炭素で熱処理するこ
とにより窒化ケイ素材料中の不純物、例えばカル
シウム、鉄、マンガン、ケイ素、チタン等の酸化
物(各々CaO、Fe2O3、MgO、SiO2、TiO2等)
を構成する酸素の脱酸、すなわち不純物の脱酸を
行なう方法を見出した。 したがつて本発明は窒化ケイ素粉末材料を非酸
化性雰囲気中で炭素と熱処理して窒化ケイ素質粉
末材料に含まれる不純物の脱酸方法に関するもの
であつて、高温強度に優れた窒化ケイ素質焼結体
を得るに好適な窒化ケイ素質粉末材料を提供する
ことを目的とするものである。 本発明によれば、窒化ケイ素質粉末材料を、非
酸化性雰囲気中、窒化ケイ素質粉末材料に対し
0.1〜5重量%の炭素で熱処理すると窒化ケイ素
質粉末材料に含まれる不純物の脱酸が行なわれ
る。 ここで窒化ケイ素質材料とは窒化ケイ素粉末材
料あるいは窒化ケイ素粉末材料に各種焼結助剤、
例えば酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、酸
化イツトリウム−酸化アルミニウム、酸化ジルコ
ニウム、またはランタン系の希土類元素の酸化物
等を添加したものである。すなわち、上記脱酸の
前あるいは後に上記焼結助剤を加えるのである。 上記脱酸方法では窒化ケイ素粉末材料は市販の
ものを用いればよく、本発明に用いられる炭素と
してはカーボンブラツク、グラフアイト等が用い
られ、窒化ケイ素質粉末材料に対する使用量は
0.1〜5重量%、好ましくは0.5〜3重量%の範囲
で用いられる。0.1重量%未満では脱酸効果はな
く、5重量%を越えると炭素が残りの窒化ケイ素
と反応して炭化ケイ素となり緻密化しにくい。ま
た上記脱酸方法は非酸化性雰囲気中例えば窒素、
アルゴン、アンモニア−窒素雰囲気中で熱処理す
ることにより行なわれるが、その処理温度は1300
〜1700℃好ましくは1400〜1600℃である。1300℃
末満では脱酸の効果は少なく、1700℃を越えると
窒化ケイ素自体が分解してしまうため好ましくな
い。 脱酸処理工程は、窒化ケイ素質粉末材料の紛砕
混合工程の前に行なうことが好ましく、粉砕を要
しない場合には成形工程の前に行なう。この脱酸
工程により、窒化ケイ素質粉末材料中の不純物、
例えばSiO2、Fe2O3、TiO2等の酸化物の脱酸を行
うことができる。このようにして得られた窒化ケ
イ素質粉末材料は不純物の酸化物を構成する酸素
が脱酸されているため、不純物よりなるガラス質
は減少し、これらを用いて成形、オツトプレス焼
結すれば高温強度が優れた窒化ケイ素質焼結体を
得ることができる。 以下実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明
する。 実施例 1 CP−85グレート窒化ケイ素質粉末材料(英国
アドバンスト・マテリアルズ・エンジニアリング
社製平均粒径:3.5μ)をアルミナ製ポツトとア
ルミナ製ボールを用い、粉砕媒体としてノルマル
ブタノールを用いて50時間粉砕した。粉砕後の平
均粒径は1.2μであり、放射化分析による酸素分
析値は3.3wt%であつた。この様にして得られた
窒化ケイ素質粉末材料と生の窒化ケイ素粉末材料
にカーボンブラツク(コロンビアンカーボン社製
Laven1000)を一定量添加し、種々の条件下窒素
雰囲気炉で熱処理し、粒径および酸素分析値を測
定した。この粉末に酸化マグネシウム5wt%また
は酸化イツトリウム(5wt%)−酸化アルミニウ
ム(2wt%)を添加し、400Kg/cm2の圧力で金型
成形して40×40×8mmの板を作り、この板の全面
を窒化ホウ素紛末で被覆した後カーボン型に入れ
一定条件下でホツトプレス焼結した。得られた焼
結体を2.5×2.5×35mmの角棒に加工して抗折試験
を行ない抗折強度を測定した。試験条件はクロス
ヘツドスピード0.5mm/min、スパン20mm、温度
は1200℃であつた。結果を第1表に示す。また炭
素処理しないものを同一の条件で比較例として行
なつた場合の結果を第1表に併せて示す。 実施例 2 CP−85グレードの窒化ケイ素粉末材料をアル
ミナ製ポツトとボールを用い、粉砕媒体としてノ
ルマルブタノールを用いて50時間粉砕した。粉砕
後の粒径は1.3μであり、また酸素分析値は2.9%
であつた。この粉砕した窒化ケイ素粉末材料に対
し、1.0wt%のカーボンブラツク(コロンビア
ン・カーボン製Laven1000)を添加、均一混合し
て、1550℃の窒素雰囲気炉で1時間処理した。処
理後の粒径は1.5μ、酸素分析値は1.2%であつ
た。この粉末に5wt%の酸化イツトリウムと2wt
%の酸化アルミニウムを添加し、400Kg/cm2の圧
力で金型成形して50×50×20mmの板を作り、この
板の全面を窒化ホウ素粉末で被覆した後カーボン
型に入れ1800℃、500Kg/cm2で2時間ホツトプレ
ス焼結した。この焼結体を切断切削加工して2.5
×2.5×50mmの角棒にして抗折試験を行ない抗折
強度を測定した。抗折試験条件はクロスヘツドス
ピード0.5mm/min、スパン20mm、温度は常温、
800℃、1000℃、1200℃で行なつた。また比較例
として上記窒化ケイ素粉末材料を炭素で熱処理を
しない以外はすべて同一の条件で行なつた。両方
の結果を第2表に示す。各温度での測定はすべて
5回行ない、表中の値はその平均値で示した。
【表】
【表】 実施例 3 CP−85グレード窒化ケイ素質粉末材料(英国
アドバンスト・マテリアルズ・エンジニアリング
社製平均粒径:3.5μ)をアルミナ製ポツトとア
ルミナ製ボールを用い、粉砕媒体としてノルマル
ブタノールを用いて50時間粉砕した。粉砕後の平
均粒径は1.2μであり、放射化分析による酸素分
析値は2.5wt%であつた。この用にして得られた
窒化ケイ素質材料と生の窒化ケイ素材料にカーボ
ンブラツク(コロンビアンカーボン社製
Laven1000)を0.5%添加し、種々の条件下窒化
雰囲気で熱処理し、粒径および酸素分析値を測定
した。この結果を第3表に示す。
【表】
【表】 第3表において1800℃×1Hの熱処理を行つた
場合は、窒化ケイ素の分解が起こり測定困難であ
つた。 上記結果より明らかなように熱処理温度があま
り低い場合は脱酸の効果が少なく、あまり高い場
合は窒化ケイ素が分解してしまう。 以上の実施例から明らかな様に炭素で処理した
窒化ケイ素質粉末材料は、不純物の酸化物を構成
する酸素が脱酸されているため、不純物よりなる
ガラス質は減少し。これにより得られた焼結体は
高温強度が優れていることがわかる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 窒化ケイ素質粉末材料に0.1〜5重量%の炭
    素を添加し、非酸化性雰囲気中1300〜1700℃で熱
    処理することを特徴とする窒化ケイ素質粉末材料
    に含まれる不純物の脱酸方法。 2 不純物の脱酸は、カルシウム、鉄、マンガ
    ン、ケイ素、チタンの酸化物を構成する酸素の脱
    酸である特許請求の範囲第1項に記載の窒化ケイ
    素質粉末材料に含まれる不純物の脱酸方法。
JP15638977A 1977-12-27 1977-12-27 Deoxidation of impurity contained in silicon nitride based material Granted JPS5488913A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15638977A JPS5488913A (en) 1977-12-27 1977-12-27 Deoxidation of impurity contained in silicon nitride based material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15638977A JPS5488913A (en) 1977-12-27 1977-12-27 Deoxidation of impurity contained in silicon nitride based material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5488913A JPS5488913A (en) 1979-07-14
JPS6236965B2 true JPS6236965B2 (ja) 1987-08-10

Family

ID=15626666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15638977A Granted JPS5488913A (en) 1977-12-27 1977-12-27 Deoxidation of impurity contained in silicon nitride based material

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JP (1) JPS5488913A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01226768A (ja) * 1988-03-07 1989-09-11 Toshiba Ceramics Co Ltd 窒化ケイ素焼結体の製造方法
JP6720053B2 (ja) * 2016-11-04 2020-07-08 株式会社Maruwa 窒化ケイ素焼結体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5488913A (en) 1979-07-14

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