JPS6242235U - - Google Patents
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- JPS6242235U JPS6242235U JP13313885U JP13313885U JPS6242235U JP S6242235 U JPS6242235 U JP S6242235U JP 13313885 U JP13313885 U JP 13313885U JP 13313885 U JP13313885 U JP 13313885U JP S6242235 U JPS6242235 U JP S6242235U
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- JP
- Japan
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- ion beam
- thin film
- single crystal
- electrode
- high voltage
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図は、本考案の一実施例の構成を示した断
面図、第２図は、針状電極の断面図、第３図は、
電極配置を示した斜視図である。 １……真空容器、２……基板、３……基板ホル
ダ、４……直流定電圧回路、５……ヒータ、６…
…加熱電源、７……イオン源、８……直流高圧電
源、９……高電圧パルス発生回路、１０……コン
ピユータ、１１……電流計、１２……蒸着用材料
、１３……ホルダ、１４……リード線、１５……
ホルダ、１６……冷凍機ヘツド、１７……ブロツ
ク、１８……ガイシ、１９……電極、２０……ホ
ルダ、２１……取付口。
面図、第２図は、針状電極の断面図、第３図は、
電極配置を示した斜視図である。 １……真空容器、２……基板、３……基板ホル
ダ、４……直流定電圧回路、５……ヒータ、６…
…加熱電源、７……イオン源、８……直流高圧電
源、９……高電圧パルス発生回路、１０……コン
ピユータ、１１……電流計、１２……蒸着用材料
、１３……ホルダ、１４……リード線、１５……
ホルダ、１６……冷凍機ヘツド、１７……ブロツ
ク、１８……ガイシ、１９……電極、２０……ホ
ルダ、２１……取付口。
Claims (1)
- イオンビームを加熱された単結晶板表面に照射
して薄膜を成長させるイオンビーム結晶成長法に
おいて、イオンビーム源を針状電極とし、該電極
に正又は負の高電圧を印加し、電界蒸発や電子放
射を利用し、イオンビーム、電子、中性粒子を単
結晶基板表面に照射して薄膜を成長させるように
構成したことを特徴とする薄膜成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13313885U JPS6242235U (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13313885U JPS6242235U (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242235U true JPS6242235U (ja) | 1987-03-13 |
Family
ID=31033175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13313885U Pending JPS6242235U (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242235U (ja) |
-
1985
- 1985-09-02 JP JP13313885U patent/JPS6242235U/ja active Pending
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