JPS6250929B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 送電容量が増大し、導体サイズが大型化される
のに伴い、表皮効果や近接効果などによる損失が
大きな問題になる。

素線絶縁はその対策の一つであり、酸化銅の皮
膜によつて素線絶縁を行なうことがすでに提案さ
れている（特開昭56−9912号など参照）。

従来提案されている方法は、全部の素線に絶縁
皮膜を設ける方法であるが、この方法は、製造コ
ストが高くなる割りには、損失低減の効果が薄
い。

また、導体接続に際して素線絶縁皮膜を除去し
なければならないが、全部の素線の皮膜を除去す
るのは、作業がたいへんである。特に内層のもの
ほど、除去作業がしにくくなる。

本発明は銅より線（セグメントも含む）の外層
部にだけ酸化銅を形成して素線絶縁することによ
り全部の素線に絶縁皮膜を設けた場合と同等の効
果の得られる素線絶縁導体の製造方法を提供する
ものである。

なお、外層部というのは銅より線またはセグメ
ントとの外層からかぞえて第１層、および第２層
程度という意味で使用している。

発明の概要 銅より線の回りから酸化処理液をスプレー状に
して吹き付けることを考えてみる。

そのとき、スプレーの圧が非常に弱ければ、酸
化処理液は銅より線の表面をぬらすだけにとどま
る。またスプレーの圧が非常に強ければ、酸化処
理液は銅より線の中心層まで浸透する。

そこでスプレーの圧を適当に制御することによ
つて、銅より線の外層部だけが酸化処理液にぬ
れ、その部分に酸化銅の皮膜が形成されるように
することができる。

実施例（第１図） １０は銅素線をより合わせた銅より線（セグメ
ントも含む）で、矢印１２の方向に連続して進行
する。

１４は加熱室で不活性ふん囲気例えば水蒸気が
充満させている。１６は高周波誘導加熱装置。

１８は酸化処理室。

２０はスプレー筒で、銅より線１０はその中心
幅に沿つて進行する。

２２はたとえば、５％亜塩素酸テトリウムと５
％水酸化ナトリウムの混合水溶液などからなり、
ヒーター２４で90〜100℃程度に加熱される。

２６はポンプ、２８は圧力制御弁である。

作 用 まず銅より線１０は前処理としてトリエン、ト
リクロロエタン、カセイソーダ水容液等で各素線
表面の脱脂、洗浄が行なわれる。それから高周波
誘導加熱装置１６により、 銅より線１０の特にその外層部120〜300℃くら
いに加熱する。

それから圧力制御弁２８によつて、酸化処理液
２２を、銅より線１０の外層部だけぬらす程度の
圧に制御して、スプレー筒２０から吹き付け、外
層部にだけ酸化銅の皮膜を形成する。

なお、スプレー筒２０内を通過する間に酸化反
応を完了させずに、その後、銅より線１０を高温
（100℃くらい）の気中に維持して、その間に酸化
反応を進行させ、かつ完了させるようにしてもよ
い。

また、高周波誘導加熱装置１６による銅より線
１０の加熱を行なわず、スプレー筒２０において
銅より線１０の外層部にだけ酸化処理液を吹き付
けておき、その後高周波誘導加熱装置１６によつ
て加熱して酸化反応を促進させるようにすること
もできる。

上記工程後銅より線１０は水洗され、各素線表
面に付着していた酸化処理液は完全に除去され
る。

発明の効果 銅より線１０の回りから酸化処理液２２をスプ
レー状にして吹き付けるのであるから、酸化処理
液２２の中に浸せきするのに比べ、スプレー圧さ
え適当に調節すれば、スプレーの時間が少し長く
なつても、酸化処理液２２は銅より線１０の内層
まで浸透してゆかない。

したがつて酸化処理液２２内に浸せきするのに
比べて、反応が容易になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の説明図。 １０：銅より線、１６：高周波誘導加熱装置、
１８：酸化処理室、２０：スプレー筒、２２：酸
化処理液、２８：圧力制御弁。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 銅より線の回りから酸化処理液のスプレーを
   吹き付けるとともに、 そのスプレーの圧を制御することによつて、 銅より線の外層部だけが酸化処理液にぬれ、か
   つその部分にのみ酸化銅の皮膜が形成されるよう
   にしたことを特徴とする酸化銅皮膜素線絶縁導体
   の製造方法。