JPS6254403A - 薄膜型サ−マルヘツド - Google Patents
薄膜型サ−マルヘツドInfo
- Publication number
- JPS6254403A JPS6254403A JP60193543A JP19354385A JPS6254403A JP S6254403 A JPS6254403 A JP S6254403A JP 60193543 A JP60193543 A JP 60193543A JP 19354385 A JP19354385 A JP 19354385A JP S6254403 A JPS6254403 A JP S6254403A
- Authority
- JP
- Japan
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- thin film
- tic
- heating resistor
- resistance
- sic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、熱記録印字に用いる薄膜型サーマルヘッドに
関するものである。
関するものである。
従来の技術
一般に、熱印字記録に用いられるサーマルヘッドは、絶
縁性基板上に複数個の発熱抵抗体および、この発熱抵抗
体に電力を供給するだめの電極を設け、個々の発熱抵抗
体に電力を供給することにより、ジュール熱を発生させ
、これにより、印字記録を行うものである。
縁性基板上に複数個の発熱抵抗体および、この発熱抵抗
体に電力を供給するだめの電極を設け、個々の発熱抵抗
体に電力を供給することにより、ジュール熱を発生させ
、これにより、印字記録を行うものである。
これらに用いる発熱抵抗体としては、薄膜発熱抵抗体が
熱応答性が良く、高解像度化でき、信頼性が高く、また
、消費電力が小さい等の点で優れている。
熱応答性が良く、高解像度化でき、信頼性が高く、また
、消費電力が小さい等の点で優れている。
従来薄膜発熱抵抗体としては、例えば、特開昭５２−１
４３８４１号公報にある通り、Ｔａ−８ｔ 合金等が
、耐熱性に優れている。しかしながら、近年のサーマル
ヘッドの熱印字記録の高速化を実現させるためには、数
ミリ秒の短かい印字パルスにより、記録を行わなければ
ならず、そのためには、薄膜発熱抵抗体に大電力を投入
し、４ｏｏ℃以上もの温度を発生させる必要がある。加
えて、高電力化は、薄膜発熱抵抗体の抵抗値を大きくし
ない限り、必然的に電流が大きくなるだめ次の２つの問
題を生じる。１つは、薄膜発熱抵抗体の抵抗値に対して
、薄膜発熱抵抗体に電力を供給する電極の抵抗値が無視
できなくなるため、この電極の長さの差異により、各薄
膜発熱抵抗体の発熱量が異なシ、記録パターンに濃度差
を生じたり、また特に、高解像度化した際に、電極にお
ける電力消費が問題になる。これを避けるには、電極の
厚さを極端に大きくすることが考えられるが、このとき
構造上、大きな不都合を生じる。もう１つは、加熱用電
源、スイッチング回路等の駆動系の電流容量を大きくし
なければならない等の問題が生じる。
４３８４１号公報にある通り、Ｔａ−８ｔ 合金等が
、耐熱性に優れている。しかしながら、近年のサーマル
ヘッドの熱印字記録の高速化を実現させるためには、数
ミリ秒の短かい印字パルスにより、記録を行わなければ
ならず、そのためには、薄膜発熱抵抗体に大電力を投入
し、４ｏｏ℃以上もの温度を発生させる必要がある。加
えて、高電力化は、薄膜発熱抵抗体の抵抗値を大きくし
ない限り、必然的に電流が大きくなるだめ次の２つの問
題を生じる。１つは、薄膜発熱抵抗体の抵抗値に対して
、薄膜発熱抵抗体に電力を供給する電極の抵抗値が無視
できなくなるため、この電極の長さの差異により、各薄
膜発熱抵抗体の発熱量が異なシ、記録パターンに濃度差
を生じたり、また特に、高解像度化した際に、電極にお
ける電力消費が問題になる。これを避けるには、電極の
厚さを極端に大きくすることが考えられるが、このとき
構造上、大きな不都合を生じる。もう１つは、加熱用電
源、スイッチング回路等の駆動系の電流容量を大きくし
なければならない等の問題が生じる。
以上の点から、薄膜発熱抵抗体としては、高温安定性と
、高抵抗値の実現が可能であることの２つが最低限必要
である。これらの点から前記Ｔａ−Ｓｉ合金を考えると
、このＴａ−Ｓｉ合金は、耐熱性が比較的安定な領域が
、比抵抗２００〜２５０μΩ−α程度と小さく、従って
、大きな抵抗値を得ようとすれば、例えばＬ／Ｗ＝２
（Ｌは発熱抵抗体長さ。
、高抵抗値の実現が可能であることの２つが最低限必要
である。これらの点から前記Ｔａ−Ｓｉ合金を考えると
、このＴａ−Ｓｉ合金は、耐熱性が比較的安定な領域が
、比抵抗２００〜２５０μΩ−α程度と小さく、従って
、大きな抵抗値を得ようとすれば、例えばＬ／Ｗ＝２
（Ｌは発熱抵抗体長さ。
Ｗは、巾）で、５００Ωの抵抗値を得るため（最近の技
術の流れでは、これ以上の抵抗値も要求されている）に
は、膜厚が１００人程度と非常に薄く、製造時の制御が
極めて難しく、また膜質としても不安定となる。これを
避けるためには、Ｔａ−Ｓｉ合金の厚みを大きくし、蛇
行形状等にパターン形成し、前記り長を増すことによシ
、抵抗値を上げることも可能であるが、高解像度化する
際、この方法は、製造上極めて難しい。
術の流れでは、これ以上の抵抗値も要求されている）に
は、膜厚が１００人程度と非常に薄く、製造時の制御が
極めて難しく、また膜質としても不安定となる。これを
避けるためには、Ｔａ−Ｓｉ合金の厚みを大きくし、蛇
行形状等にパターン形成し、前記り長を増すことによシ
、抵抗値を上げることも可能であるが、高解像度化する
際、この方法は、製造上極めて難しい。
また、Ｔａ−Ｓｉ合金は、短パルス巾駆動時の耐熱性が
尚十分でなく、従ってＴａ−３ｔ合金は、サーマルヘッ
ドに要求される高速化、高耐熱化の点で十分なものでは
なかった。
尚十分でなく、従ってＴａ−３ｔ合金は、サーマルヘッ
ドに要求される高速化、高耐熱化の点で十分なものでは
なかった。
発明が解決しようとする問題点
上述したように従来のサーマルヘッドの薄膜発熱抵抗体
材料であるＴａ−Ｓｉ合金は、サーマルヘッドの高速化
、高耐熱化のためには、尚十分な特性を有していない。
材料であるＴａ−Ｓｉ合金は、サーマルヘッドの高速化
、高耐熱化のためには、尚十分な特性を有していない。
かかる点から本発明は、サーマルヘッドの高速化、高耐
熱化のために必要な条件、即ち、高抵抗値従って高比抵
抗で、高温安定性に優れ、高耐熱性を有する薄膜発熱抵
抗体を備えだ薄膜型サーマルヘッドを提供することを目
的とするものである。
熱化のために必要な条件、即ち、高抵抗値従って高比抵
抗で、高温安定性に優れ、高耐熱性を有する薄膜発熱抵
抗体を備えだ薄膜型サーマルヘッドを提供することを目
的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するために、薄膜発熱抵抗
体として、遷移金属炭化物と炭化珪素でなるもの、特に
、遷移金属炭化物として、チタン炭化物（Ｔｉｃ）を選
びこれと、炭化珪素（ＳｉＣ）でなるものを用いた薄膜
型サーマルヘッドを構成したものである。
体として、遷移金属炭化物と炭化珪素でなるもの、特に
、遷移金属炭化物として、チタン炭化物（Ｔｉｃ）を選
びこれと、炭化珪素（ＳｉＣ）でなるものを用いた薄膜
型サーマルヘッドを構成したものである。
作 用
上述した構成におけるチタン炭化物（以降ＴｉＣと呼ぶ
）と炭化珪素（以降ＳｉＣと呼ぶ）でなる薄膜発熱抵抗
体は、Ｔｉｃ、ＳｉＣいずれも高温安定性に優れるが、
ＴｉＣ単体の比抵抗が、２５０μΩ−Ｃｍと小さいため
、これに、ＳｉＣを混合して比抵抗を上げ安定化させた
ものである。
）と炭化珪素（以降ＳｉＣと呼ぶ）でなる薄膜発熱抵抗
体は、Ｔｉｃ、ＳｉＣいずれも高温安定性に優れるが、
ＴｉＣ単体の比抵抗が、２５０μΩ−Ｃｍと小さいため
、これに、ＳｉＣを混合して比抵抗を上げ安定化させた
ものである。
また、ＴｉＣとＳｉＣでなる薄膜発熱抵抗体は、次のよ
うな特徴を有する。即ち、これと同じ材料系を用いた場
合、ＴｉとＳｉＣでなるもの、 ＴｉＣとＳｉでなるも
のが考えられるが、これらは、いずれも、Ｔｉ、Ｓｉの
ような単体元素が、Ｓ ｉｃｘ 、 Ｔ １ｃｘ（ｘ（
１）と反応し、中間化合物を形成し、グレイングロース
するが、ＴｉＣとＳｉＣでなるものにおいては、個々に
安定な化合物状態にあり、グレイングロースしＫくいこ
と。
うな特徴を有する。即ち、これと同じ材料系を用いた場
合、ＴｉとＳｉＣでなるもの、 ＴｉＣとＳｉでなるも
のが考えられるが、これらは、いずれも、Ｔｉ、Ｓｉの
ような単体元素が、Ｓ ｉｃｘ 、 Ｔ １ｃｘ（ｘ（
１）と反応し、中間化合物を形成し、グレイングロース
するが、ＴｉＣとＳｉＣでなるものにおいては、個々に
安定な化合物状態にあり、グレイングロースしＫくいこ
と。
また、作成時に、窒素、酸素等を含まない材料系のため
、Ｔｉ０ｘ（≦２）などの不安定要因の生成が少なく、
極めて制御性良く作成できること等が挙げられる。
、Ｔｉ０ｘ（≦２）などの不安定要因の生成が少なく、
極めて制御性良く作成できること等が挙げられる。
以上の通り、ＴｉｃとＳＩＣでなる薄膜発熱抵抗体を用
いることで、制御良く、高比抵抗（高抵抗値）で高温安
定性に優れ、高耐熱性に富んだ、薄膜型サーマルヘッド
が構成できる。
いることで、制御良く、高比抵抗（高抵抗値）で高温安
定性に優れ、高耐熱性に富んだ、薄膜型サーマルヘッド
が構成できる。
実施例
第１図に本発明における薄膜型サーマルヘッドの基本構
成を示す。本実施例では、遷移金属炭化物と炭化珪素で
なる薄膜発熱抵抗体として、ＴｉｃとＳｉＣでなるもの
を用いた。
成を示す。本実施例では、遷移金属炭化物と炭化珪素で
なる薄膜発熱抵抗体として、ＴｉｃとＳｉＣでなるもの
を用いた。
さて、第１図において、電気絶縁性基板１上にスパッタ
リング等の薄膜形成技術により、ＴｉｃとＳｉＣでなる
薄膜発熱抵抗体２を形成し、この上に前記薄膜発熱抵抗
体２に通電するための電極３を形成した後、フォトリン
グラフイー技術によシ、パターン形成し、この上に絶縁
物、半導体等でなる保護層４（保護層４は、通常薄膜発
熱抵抗体２の酸化防止と、紙に印字する際の接触摩耗を
防ぐために存在する）を形成した構成をとる。
リング等の薄膜形成技術により、ＴｉｃとＳｉＣでなる
薄膜発熱抵抗体２を形成し、この上に前記薄膜発熱抵抗
体２に通電するための電極３を形成した後、フォトリン
グラフイー技術によシ、パターン形成し、この上に絶縁
物、半導体等でなる保護層４（保護層４は、通常薄膜発
熱抵抗体２の酸化防止と、紙に印字する際の接触摩耗を
防ぐために存在する）を形成した構成をとる。
第２図にスパッタリングターゲットの一例として、本実
施例で用いたＴｉｃとＳｉＣでなる薄膜発熱抵抗体２の
作成時のスパッタリングターゲットを示す。ｊ５０φＴ
ｉｃターゲット６上に、ＳｉＣ板６を配置した構造を取
る。ＳｉＣ板６の数を変化させ、Ｔｉｃ、ＳｉＣの面積
比を変えて、Ａｒガス圧１．６Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、
ＲＦパワー４００Ｗ、基板温度３００℃（一定）で、Ｒ
Ｆスパッタリングを行い、電気的絶縁性基板１上に、薄
膜発熱抵抗体２を形成した。第３図に、このときのＳ１
０ターゲット面積比（横軸）と、比抵抗ρ、抵抗温度係
数（ＴＣＲ）（縦軸）の関係を示す。同図で、曲線７，
８は各々、基板温度３００℃でスパツタリングした直後
の膜（＝ ａｓ ５ｐｕｔｔｅｒ膜）の比抵抗、抵抗温
度係数であり、曲線９，１０は各々スパッタリング後に
、別真空中で、６６０℃（２時間）の熱処理を施しだ後
の膜（ａｎｎｅａｄ膜）の比抵抗と抵抗温度係数である
。
施例で用いたＴｉｃとＳｉＣでなる薄膜発熱抵抗体２の
作成時のスパッタリングターゲットを示す。ｊ５０φＴ
ｉｃターゲット６上に、ＳｉＣ板６を配置した構造を取
る。ＳｉＣ板６の数を変化させ、Ｔｉｃ、ＳｉＣの面積
比を変えて、Ａｒガス圧１．６Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、
ＲＦパワー４００Ｗ、基板温度３００℃（一定）で、Ｒ
Ｆスパッタリングを行い、電気的絶縁性基板１上に、薄
膜発熱抵抗体２を形成した。第３図に、このときのＳ１
０ターゲット面積比（横軸）と、比抵抗ρ、抵抗温度係
数（ＴＣＲ）（縦軸）の関係を示す。同図で、曲線７，
８は各々、基板温度３００℃でスパツタリングした直後
の膜（＝ ａｓ ５ｐｕｔｔｅｒ膜）の比抵抗、抵抗温
度係数であり、曲線９，１０は各々スパッタリング後に
、別真空中で、６６０℃（２時間）の熱処理を施しだ後
の膜（ａｎｎｅａｄ膜）の比抵抗と抵抗温度係数である
。
これ入より、ＳｉＣ組成に対する比抵抗、抵抗温度係数
の変化は緩やかであり、また３００〜６６０℃で、比抵
抗は殆んど変化していないことがわかる。また抵抗温度
係数は、熱処理により、若干改善されている。このよう
な点から、ＴｉＣとＳｉＣでなる薄膜発熱抵抗体は、形
成温度制御範囲を広く取ることが可能と考えられ、作成
時の制御は極めて容易と考えられる。これらは、ＴｉＣ
，ＳｉＣが、各々、化合物状態で安定であり、グレイン
成長しに＜＜、また特にＳｉＣは、容易に他元素と化合
しない等、化学的安定性が良好である点等によるものと
考えられる。
の変化は緩やかであり、また３００〜６６０℃で、比抵
抗は殆んど変化していないことがわかる。また抵抗温度
係数は、熱処理により、若干改善されている。このよう
な点から、ＴｉＣとＳｉＣでなる薄膜発熱抵抗体は、形
成温度制御範囲を広く取ることが可能と考えられ、作成
時の制御は極めて容易と考えられる。これらは、ＴｉＣ
，ＳｉＣが、各々、化合物状態で安定であり、グレイン
成長しに＜＜、また特にＳｉＣは、容易に他元素と化合
しない等、化学的安定性が良好である点等によるものと
考えられる。
ところで、第３図よシ、比抵抗２００ｏμΩ−αで、抵
抗温度係数−１３０ｐｐｒｒ４／ｄｅｑは、従来のＴａ
−Ｓ ｉ合金に比して、同様な抵抗温度係数に対し、
１０倍の比抵抗増である。また、ちなみに、ＴｉとＳｉ
Ｃでなる薄膜、ＴｉＣとＳｉ でなる薄膜、Ｔｉｃと８
１０２でなる薄膜と比較すると、ＴｉｃとＳｉＣでなる
薄膜が最も形成温度影響が小さく、制御性、再現性にも
優れていることがわかった。これは、ＴｆとＳｉＣでな
るもの、 ＴｉＣとＳｔでなるものは、各々、前者はＴ
ｉ、後者は、Ｓｔのグレイン成長および、前者は、Ｔｉ
Ｃ，ＴｉＯｘ、ＴｉＳｉｘ 後者はＳｉＣ，ＳｉＯｘ、
ＴｉＳｉｘ等の生成が考えられること、またＴｉｃとＳ
１０２でなるものは、Ｓ １０２の解離０とＴｉＣと
の反応によるＴｉＯｘの生成が考えられることなどに比
して、ＴｉＣとＳｉＣでなるものは、ＴｉｃとＳｉＣが
化合物状態で安定で、グレイン成長しにくいこと及び、
酸素等の供給源が少ないことにより中間生成物が発生し
にくいことなどが考えられる。
抗温度係数−１３０ｐｐｒｒ４／ｄｅｑは、従来のＴａ
−Ｓ ｉ合金に比して、同様な抵抗温度係数に対し、
１０倍の比抵抗増である。また、ちなみに、ＴｉとＳｉ
Ｃでなる薄膜、ＴｉＣとＳｉ でなる薄膜、Ｔｉｃと８
１０２でなる薄膜と比較すると、ＴｉｃとＳｉＣでなる
薄膜が最も形成温度影響が小さく、制御性、再現性にも
優れていることがわかった。これは、ＴｆとＳｉＣでな
るもの、 ＴｉＣとＳｔでなるものは、各々、前者はＴ
ｉ、後者は、Ｓｔのグレイン成長および、前者は、Ｔｉ
Ｃ，ＴｉＯｘ、ＴｉＳｉｘ 後者はＳｉＣ，ＳｉＯｘ、
ＴｉＳｉｘ等の生成が考えられること、またＴｉｃとＳ
１０２でなるものは、Ｓ １０２の解離０とＴｉＣと
の反応によるＴｉＯｘの生成が考えられることなどに比
して、ＴｉＣとＳｉＣでなるものは、ＴｉｃとＳｉＣが
化合物状態で安定で、グレイン成長しにくいこと及び、
酸素等の供給源が少ないことにより中間生成物が発生し
にくいことなどが考えられる。
次に、第１図に示す構造としてサーマルへ・フドとした
後、これにパルス巾１ｍ５ｅｃ、パルス周期１０ｍ５ｅ
ｃ、で連続パルス印加を行い、６Ｘ１０４回パルスを印
加した際に、抵抗値変動＋１０％を与える薄膜発熱抵抗
体の単位面積当りの印加電力（痴偏）（＝破断電力と呼
ぶ）をＴａ−５Ｌ合金及び、ＴｉｃとＳｉＣでなる薄膜
発熱抵抗体（６６０℃熱処理後）について下表に示す。
後、これにパルス巾１ｍ５ｅｃ、パルス周期１０ｍ５ｅ
ｃ、で連続パルス印加を行い、６Ｘ１０４回パルスを印
加した際に、抵抗値変動＋１０％を与える薄膜発熱抵抗
体の単位面積当りの印加電力（痴偏）（＝破断電力と呼
ぶ）をＴａ−５Ｌ合金及び、ＴｉｃとＳｉＣでなる薄膜
発熱抵抗体（６６０℃熱処理後）について下表に示す。
Ｔｉｃ−５ｉＣとＴａ−Ｓｉ合金の耐熱性表より、耐熱
性の面でも、このＴｉＣとＳｉＣでなる薄膜発熱抵抗体
は、Ｔａ−Ｓｉ合金薄膜発熱抵抗体に比して、格段に改
善されていることは、明らかである。
性の面でも、このＴｉＣとＳｉＣでなる薄膜発熱抵抗体
は、Ｔａ−Ｓｉ合金薄膜発熱抵抗体に比して、格段に改
善されていることは、明らかである。
また、第４図に抵抗変化特性の一例として、パルス巾１
ｍ５ｅｃ、パルス周期２０ ｍ５ｅｃ、印加電力６４毘
ろｄで連続パルス印加した際の抵抗変化率を示す。同図
で、横軸は、パルス印加回数、縦軸は、抵抗変化率を表
わす。
ｍ５ｅｃ、パルス周期２０ ｍ５ｅｃ、印加電力６４毘
ろｄで連続パルス印加した際の抵抗変化率を示す。同図
で、横軸は、パルス印加回数、縦軸は、抵抗変化率を表
わす。
曲線１１は、Ｔａ−Ｓｔ合金薄膜発熱抵抗体２曲線１２
は、本発明のＴｉＣとＳｉＣでなる（以降ＴｉＣ−８ｉ
Ｃと略記）薄膜発熱抵抗体の各々抵抗変化特性を示す。
は、本発明のＴｉＣとＳｉＣでなる（以降ＴｉＣ−８ｉ
Ｃと略記）薄膜発熱抵抗体の各々抵抗変化特性を示す。
まだ、比較として、ＴｉＣとＳｔでなる（以降、ＴｉＣ
−８ｔと略記）薄膜発熱抵抗体、 ＴｉＣとＳｉＯ３で
なる（以降ＴｉＣ−８ｉｎ２と略記）薄膜発熱抵抗体の
抵抗変化特性を各々曲線１３．１４として付記する。
−８ｔと略記）薄膜発熱抵抗体、 ＴｉＣとＳｉＯ３で
なる（以降ＴｉＣ−８ｉｎ２と略記）薄膜発熱抵抗体の
抵抗変化特性を各々曲線１３．１４として付記する。
同図より、従来のＴａ−３ｔ合金薄膜発熱抵抗体は、比
較的早いパルス回数で抵抗変化が負方向に急激に変位し
、（Ｔａ−３ｔのグレイン成長による）これによる過剰
な電力の投入により、破壊が生じやすくなるのに対し、
前記Ｔｉｃ−８ｉＣ，ＴｉＣ−８ｉ 、Ｔｉｃ−８ｉｎ
２は、いずれも抵抗変化特性が格段に改善されているが
、特に、その中でも、本発明のＴｔＣ−ＳｉＣ薄膜発熱
抵抗体が最も優れている。これは、ＴｉＣ，ＳｉＣが、
グレイン成長しにくく、また酸化等に対しても安定にな
っていることによる。
較的早いパルス回数で抵抗変化が負方向に急激に変位し
、（Ｔａ−３ｔのグレイン成長による）これによる過剰
な電力の投入により、破壊が生じやすくなるのに対し、
前記Ｔｉｃ−８ｉＣ，ＴｉＣ−８ｉ 、Ｔｉｃ−８ｉｎ
２は、いずれも抵抗変化特性が格段に改善されているが
、特に、その中でも、本発明のＴｔＣ−ＳｉＣ薄膜発熱
抵抗体が最も優れている。これは、ＴｉＣ，ＳｉＣが、
グレイン成長しにくく、また酸化等に対しても安定にな
っていることによる。
このように、チタン炭化物と炭化珪素で構成される薄膜
発熱抵抗体は、高比抵抗で高温安定性。
発熱抵抗体は、高比抵抗で高温安定性。
耐熱性に優れ、抵抗変化が小さく、また作成時の制御性
も良好で、これを用いた薄膜型サーマルヘッドは、高速
化、高耐熱化に容易に対応できる。
も良好で、これを用いた薄膜型サーマルヘッドは、高速
化、高耐熱化に容易に対応できる。
尚、本実施例では、遷移金属炭化物として、チタン炭化
物を用いたが、これ以外の高融点な遷移金属炭化物、例
えば、ジルコニウム炭化物、ハフニウム炭化物、バナジ
ウム炭化物、ニオブ炭化物。
物を用いたが、これ以外の高融点な遷移金属炭化物、例
えば、ジルコニウム炭化物、ハフニウム炭化物、バナジ
ウム炭化物、ニオブ炭化物。
タンタル炭化物、モリブデン炭化物、タングステン炭化
物などを用いても、これらは硬質で、高温安定性を有し
、化学的にも安定であるため、これらに炭化珪素を適切
に混合し薄膜発熱抵抗体を構成することで、同様の効果
を得ることができる。
物などを用いても、これらは硬質で、高温安定性を有し
、化学的にも安定であるため、これらに炭化珪素を適切
に混合し薄膜発熱抵抗体を構成することで、同様の効果
を得ることができる。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明は、遷移金属炭化物と炭
化珪素で構成される作成時の制御性が良く高比抵抗でか
つ熱安定度が高く耐熱性に富みかつ抵抗変化の小さい薄
膜発熱抵抗体を備えた薄膜型サーマルヘッドであり、こ
れによりサーマルヘッドの高速化、高耐熱化に容易に対
応でき、その工業的価値は非常に高い。
化珪素で構成される作成時の制御性が良く高比抵抗でか
つ熱安定度が高く耐熱性に富みかつ抵抗変化の小さい薄
膜発熱抵抗体を備えた薄膜型サーマルヘッドであり、こ
れによりサーマルヘッドの高速化、高耐熱化に容易に対
応でき、その工業的価値は非常に高い。
第１図は、本発明における薄膜型サーマルヘッドの基本
構造を示す要部の断面図、第２図〜第４図は、各々、本
発明の一実施例としての薄膜発熱抵抗体のスパッタリン
グターゲット形状の一例を示す上面図ならびに比抵抗と
抵抗温度係数、抵抗変化特性を示す特性図である。 １・・・・・・電気絶縁性基板、２・・・・・・遷移金
属炭化物と炭化珪素でなる薄膜発熱抵抗体、３・・・・
・・電極、４・・・・・・保護層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図
構造を示す要部の断面図、第２図〜第４図は、各々、本
発明の一実施例としての薄膜発熱抵抗体のスパッタリン
グターゲット形状の一例を示す上面図ならびに比抵抗と
抵抗温度係数、抵抗変化特性を示す特性図である。 １・・・・・・電気絶縁性基板、２・・・・・・遷移金
属炭化物と炭化珪素でなる薄膜発熱抵抗体、３・・・・
・・電極、４・・・・・・保護層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）遷移金属炭化物と炭化珪素でなる薄膜発熱抵抗体
を備えたことを特徴とする薄膜型サーマルヘッド。 - （２）遷移金属炭化物が、チタン炭化物である特許請求
の範囲第１項に記載の薄膜型サーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60193543A JPH067521B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60193543A JPH067521B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254403A true JPS6254403A (ja) | 1987-03-10 |
| JPH067521B2 JPH067521B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=16309817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60193543A Expired - Fee Related JPH067521B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067521B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0281401A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-22 | Seiko Instr Inc | 抵抗体 |
-
1985
- 1985-09-02 JP JP60193543A patent/JPH067521B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0281401A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-22 | Seiko Instr Inc | 抵抗体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH067521B2 (ja) | 1994-01-26 |
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