JPS628138B2 - - Google Patents
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- JPS628138B2 JPS628138B2 JP57203002A JP20300282A JPS628138B2 JP S628138 B2 JPS628138 B2 JP S628138B2 JP 57203002 A JP57203002 A JP 57203002A JP 20300282 A JP20300282 A JP 20300282A JP S628138 B2 JPS628138 B2 JP S628138B2
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 230000008859 change Effects 0.000 description 20
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000337 indium(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H indium(iii) sulfate Chemical compound [In+3].[In+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は可燃性ガスなどのガス検知素子に用い
るガス感応体材料の製造方法に関するものであ
る。 従来例の構成とその問題点 近年、ガス機器の普及に件なつて、ガス漏れに
よる事故が多発し、これらの事故を防ぐ方法が
種々検討されている。従来から使用されているガ
ス検知素子の代表的なものの一つとして、ｎ型の
金属酸化物半導体を用いたものが知られている。
半導体式ガス検知素子は通常速い応答速度を要求
されるので、ガス感応体は大気中で高温度に保持
されて用いられる。そのため、ガス感応体として
は酸化雰囲気に対して安定な酸化物が選ばれる。 これまで各種の酸化物がガス感応体として用い
られてきた。この中で、酸化インジウム
（In2O3）が感ガス特性を示し得ることが見い出さ
れており、これを感応体としたガス検知素子の検
討が進められている。 このIn2O3を用いた場合のガス検知素子は、素
子の温度が350〜450℃の範囲においてガス感応特
性が顕著であり、感度（通常空気中での抵抗値
Raと検知すべきガス濃度中での抵抗値Rgとの比
で表わされる）、および検知すべき濃度範囲にお
ける単位ガス濃度当たりの抵抗値の変化率が大き
いので、検知すべきガス濃度を定量度よく抵抗値
変化として検知できるという優れた特徴を持つて
いる。 一般にこのようなガス検知素子においては、で
きるだけ少ない電力で感応体を効率よく加熱する
必要があるので、感応体はおのずと小さいものに
なる。セラミツク半導体式の場合も同様である。
したがつて感応体が２種以上の成分で構成された
ものについては、その成分が感応体に均一に含ま
れていないと素子間のばらつきの原因となる。ま
た素子そのものが外気に直接暴露され、過酷な条
件下で使用されるため、特に長期の課電寿命に対
して不安定になりやすいので、ガス感応体はでき
るだけ均質な微細構造を有している必要がある。
このため、製造方法としては水溶液法（共沈法や
均質沈澱法等）が有力な方法となる。これによる
と分散混合が優れているほかに、微粒子粉体が得
られるので、比表面積の増加すなわち高活性化に
つながり、メタンなどの安定なガスをも検知でき
る材料を得ることができるという利点がある。 しかしながら、水溶液法でもその方法によつて
は種々の問題がある。たとえば共沈法の場合は、
沈澱剤が溶液に加えられるとき、たとえその濃度
が薄く、かつ溶液をじゆうぶんに撹拌しながら添
加したとしても、部分的には一時沈澱剤が高濃度
になり、結晶核の生成が速められ沈澱粒子の大き
さが不均一になり、あるいは凝結を起こすという
ことがある。これが結果的には素子間のバラツキ
を大きくしたり、課電寿命試験等における特性劣
化を促進したりする原因となつていた。 発明の目的 本発明はこれら従来方法の欠点を解消し、凝結
のない均一な沈澱粒子を得ることによつてガス感
応体材料の均質化を図り、結果として素子間のば
らつきが少なく、課電寿命特性が大幅に改善され
たガス検知素子を提供しようとするものである。 発明の構成 本発明は種々の沈澱剤あるいはその他の製造工
程に関する一連の検討の結果なされたもので、イ
ンジウムイオンおよび陰イオンとして少なくとも
硫酸イオンを含む水溶液に尿素〔（NH2）2CO〕を
加え、これを加熱することにより、この尿素の緩
慢な加水分解によるPHのゆるやかな上昇を利用し
て、均一且つ均質な粒子の調整を可能としたもの
である。 実施例の説明 以下に本発明による効果について、比較例と対
比させながらいくつかの実施例を用いて説明す
る。 比較例 １ 市販の塩化インジウム〔InCl3・4H2O）29gと
硫酸アンモニウム〔（NH4）2SO4〕40gをそれぞれ
１の水に溶かし、80℃に保ちながら撹拌した。
さらに温度を80℃に保ちつつ、この溶液に８規定
の水酸化アンモニウム（NH4OH）溶液を60c.c.／
分の割合で溶液の水素イオン濃度（PH）が7.0に
なるまで滴下した。滴下終了後、10分間溶液の温
度を80℃に保持し、この共沈物を吸引過した。
このようにして得られた粉体を減圧容器に入れて
真空乾燥を行なつた。得られた乾燥物をらいかい
機で２時間粉砕した後、有機バインダーを用いて
100〜200μｍの大きさの粒子に整粒した。この粉
体に２本の白金線を埋め込んで、直径２mm、高さ
３mmの円柱状に加圧成型し、空気中において550
℃で２時間の焼成を行なつた。得られた多孔質の
焼結体を検知素子用ベースにとりつけ、焼結体の
まわりにコイル状のヒータを配置し、防爆用のス
テンレス鋼網をかぶせて検知素子を得た。 第１図はガス検知素子の構造を示したものであ
る。図において、１は焼結体で、２本の白金線か
らなる電極３，４が埋め込まれている。２は焼結
体１を加熱するためのヒータで、ヒータ用ピン１
１，１２からヒータ用フレーム７，８を通じてヒ
ータに電力が供給される。焼結体１の抵抗は電極
３，４からフレーム５，６を通じてピン９，１０
の間で測定されるよう構成されている。ヒータ用
ピン１１，１２およびピン９，１０はベース１３
に固定され、ステンレス鋼製金網１４はベースに
とりつけられている。 以上のようにして得られた検知素子について、
ガス感応特性、通常使用温度（400℃）での課電
寿命および通常使用する温度よりもはるかに高い
温度（600℃）での過負荷課電寿命を調べた。 ガス感応特性の測定方法は、あらかじめ検知素
子のヒータ部に電流を流し、感応体の温度が400
℃になるように調整しておき、それを容積の知ら
れている測定箱内に挿入した後、注射器でテスト
用ガスを測定箱内に注入し、焼結感応体の抵抗値
を測定した。通常課電寿命は、検知素子のヒータ
部に常に電流を流し感応体の温度を400℃に保持
し、経過時間とともに、上述の方法でガス感応特
性を測定し、メタン（CH4）と水素（H2）の抵抗経
時変化率、すなわち｛初期の抵抗Rg
（5000ppm）−ｔ時間通電後の抵抗Rg
（5000ppm）｝／初期の抵抗Rg（5000ppm）の値
ΔＲ／Ｒ（％）を求めた。過負荷課電寿命につい
ては、感応体の温度を通常の動作温度（400℃）
よりもはるかに高い600℃に保持し、経過時間と
ともに、上記した方法で測定し、通常課電寿命と
同じ方法で抵抗経時変化率を求めた。初期ガス感
応特性および検知素子50個中の標準偏差を後掲の
表の試料No.Ａの欄に、通常課電寿命におけるCH4
に対する抵抗変化率の推移を第２図に、またH2
に対するそれを第３図に、また過負荷課電寿命に
おけるCH4に対する抵抗変化率の推移を第４図
に、またH2に対するそれを第５図にそれぞれ示
した。この比較例１における実験結果は各図にお
いてそれぞれ試料No.Ａで示してある。 表および第２図〜第５図からわかることは、通
常課電寿命および過負荷課電寿命において、CH4
に対しては抵抗が正側すなわち劣化傾向に、H2
ガスに対しては負側すなわち増感傾向に大幅に変
化するため、このままでは実際の警報器に取り付
けて使用することは、直接検知濃度の変化につな
がるので好ましくないことがわかる。また検知素
子50個中のばらつきも相当大きいことがわかる。 なお、表中Ｘは平均値、Ｓは標準偏差を示し、
Raは通常の空気中における抵抗値である。 比較例 ２ 市販の硫酸インジウム〔In2（SO4）3・9H2O〕
19gを１の水に溶かし、以下比較例１と同様の
方法で沈澱生成から検知素子の作成およびガス感
応特性の評価を行なつた。初期ガス感応特性を後
掲の表の試料No.Ｂの欄に、また課電寿命および過
負荷課電寿命の抵抗変化率の推移を第２図〜第５
図に、それぞれ試料No.Ｂで示した。 表および第２図〜第５図からわかることは、通
常課電寿命および過負荷課電寿命において、CH4
に対しては抵抗が正側すなわち劣化傾向に、H2
に対しては負側すなわち増感傾向に大幅に変化す
るため、このままでは実際の警報器に取り付けて
使用することは、直接検知濃度の変化につながる
ので好ましくないことがわかる。また検知素子50
個中のばらつきも相当大きいことがわかる。 実施例 １ 市販の塩化インジウム29gと硫酸アンモニウム
40gおよび尿素〔（NH2）2CO〕60gを１の水に溶
かし、ホツトプレート上で加熱しながら撹拌し
た。加熱は95℃以上で行なつた。終了時の水素イ
オン濃度（PH）は7.0であつた。以下比較例１と
同様の方法で吸引ろ過から検知素子の作成および
ガス感応特性の評価を行なつた。初期ガス感応特
性を後掲の表の試料No.Ｃの欄に、また課電寿命お
よび過負荷課電寿命の低抵変化率の推移を第２図
〜第５図の中の試料No.Ｃでそれぞれ示した。 以上の結果より、通常課電寿命および過負荷課
電寿命において、比較例に比べて特性が著しく安
定に推移していることが判る。また検知素子50個
中のばらつきも大幅に減少していることが判る。 実施例 ２ 市販の硫酸インジウム19gと尿素60gを１の
水に溶かし、ホツトプレート上で加熱しながら撹
拌した。以下実施例１と同様の方法で処理を行な
い、吸引ろ過から検知素子の作成およびガス感応
特性の評価を行なつた。初期ガス感応特性を後掲
の表の試料No.Ｄの欄に、また寿命試験の抵抗変化
率の推移を第２図〜第５図の中の試料No.Ｄでそれ
ぞれ示した。 以上の結果より、通常課電寿命および過負荷課
電寿命において、比較例に比べて特性が著しく安
定に推移していることがわかる。また検知素子50
個中のばらつきも大幅に減少していることがわか
る。
るガス感応体材料の製造方法に関するものであ
る。 従来例の構成とその問題点 近年、ガス機器の普及に件なつて、ガス漏れに
よる事故が多発し、これらの事故を防ぐ方法が
種々検討されている。従来から使用されているガ
ス検知素子の代表的なものの一つとして、ｎ型の
金属酸化物半導体を用いたものが知られている。
半導体式ガス検知素子は通常速い応答速度を要求
されるので、ガス感応体は大気中で高温度に保持
されて用いられる。そのため、ガス感応体として
は酸化雰囲気に対して安定な酸化物が選ばれる。 これまで各種の酸化物がガス感応体として用い
られてきた。この中で、酸化インジウム
（In2O3）が感ガス特性を示し得ることが見い出さ
れており、これを感応体としたガス検知素子の検
討が進められている。 このIn2O3を用いた場合のガス検知素子は、素
子の温度が350〜450℃の範囲においてガス感応特
性が顕著であり、感度（通常空気中での抵抗値
Raと検知すべきガス濃度中での抵抗値Rgとの比
で表わされる）、および検知すべき濃度範囲にお
ける単位ガス濃度当たりの抵抗値の変化率が大き
いので、検知すべきガス濃度を定量度よく抵抗値
変化として検知できるという優れた特徴を持つて
いる。 一般にこのようなガス検知素子においては、で
きるだけ少ない電力で感応体を効率よく加熱する
必要があるので、感応体はおのずと小さいものに
なる。セラミツク半導体式の場合も同様である。
したがつて感応体が２種以上の成分で構成された
ものについては、その成分が感応体に均一に含ま
れていないと素子間のばらつきの原因となる。ま
た素子そのものが外気に直接暴露され、過酷な条
件下で使用されるため、特に長期の課電寿命に対
して不安定になりやすいので、ガス感応体はでき
るだけ均質な微細構造を有している必要がある。
このため、製造方法としては水溶液法（共沈法や
均質沈澱法等）が有力な方法となる。これによる
と分散混合が優れているほかに、微粒子粉体が得
られるので、比表面積の増加すなわち高活性化に
つながり、メタンなどの安定なガスをも検知でき
る材料を得ることができるという利点がある。 しかしながら、水溶液法でもその方法によつて
は種々の問題がある。たとえば共沈法の場合は、
沈澱剤が溶液に加えられるとき、たとえその濃度
が薄く、かつ溶液をじゆうぶんに撹拌しながら添
加したとしても、部分的には一時沈澱剤が高濃度
になり、結晶核の生成が速められ沈澱粒子の大き
さが不均一になり、あるいは凝結を起こすという
ことがある。これが結果的には素子間のバラツキ
を大きくしたり、課電寿命試験等における特性劣
化を促進したりする原因となつていた。 発明の目的 本発明はこれら従来方法の欠点を解消し、凝結
のない均一な沈澱粒子を得ることによつてガス感
応体材料の均質化を図り、結果として素子間のば
らつきが少なく、課電寿命特性が大幅に改善され
たガス検知素子を提供しようとするものである。 発明の構成 本発明は種々の沈澱剤あるいはその他の製造工
程に関する一連の検討の結果なされたもので、イ
ンジウムイオンおよび陰イオンとして少なくとも
硫酸イオンを含む水溶液に尿素〔（NH2）2CO〕を
加え、これを加熱することにより、この尿素の緩
慢な加水分解によるPHのゆるやかな上昇を利用し
て、均一且つ均質な粒子の調整を可能としたもの
である。 実施例の説明 以下に本発明による効果について、比較例と対
比させながらいくつかの実施例を用いて説明す
る。 比較例 １ 市販の塩化インジウム〔InCl3・4H2O）29gと
硫酸アンモニウム〔（NH4）2SO4〕40gをそれぞれ
１の水に溶かし、80℃に保ちながら撹拌した。
さらに温度を80℃に保ちつつ、この溶液に８規定
の水酸化アンモニウム（NH4OH）溶液を60c.c.／
分の割合で溶液の水素イオン濃度（PH）が7.0に
なるまで滴下した。滴下終了後、10分間溶液の温
度を80℃に保持し、この共沈物を吸引過した。
このようにして得られた粉体を減圧容器に入れて
真空乾燥を行なつた。得られた乾燥物をらいかい
機で２時間粉砕した後、有機バインダーを用いて
100〜200μｍの大きさの粒子に整粒した。この粉
体に２本の白金線を埋め込んで、直径２mm、高さ
３mmの円柱状に加圧成型し、空気中において550
℃で２時間の焼成を行なつた。得られた多孔質の
焼結体を検知素子用ベースにとりつけ、焼結体の
まわりにコイル状のヒータを配置し、防爆用のス
テンレス鋼網をかぶせて検知素子を得た。 第１図はガス検知素子の構造を示したものであ
る。図において、１は焼結体で、２本の白金線か
らなる電極３，４が埋め込まれている。２は焼結
体１を加熱するためのヒータで、ヒータ用ピン１
１，１２からヒータ用フレーム７，８を通じてヒ
ータに電力が供給される。焼結体１の抵抗は電極
３，４からフレーム５，６を通じてピン９，１０
の間で測定されるよう構成されている。ヒータ用
ピン１１，１２およびピン９，１０はベース１３
に固定され、ステンレス鋼製金網１４はベースに
とりつけられている。 以上のようにして得られた検知素子について、
ガス感応特性、通常使用温度（400℃）での課電
寿命および通常使用する温度よりもはるかに高い
温度（600℃）での過負荷課電寿命を調べた。 ガス感応特性の測定方法は、あらかじめ検知素
子のヒータ部に電流を流し、感応体の温度が400
℃になるように調整しておき、それを容積の知ら
れている測定箱内に挿入した後、注射器でテスト
用ガスを測定箱内に注入し、焼結感応体の抵抗値
を測定した。通常課電寿命は、検知素子のヒータ
部に常に電流を流し感応体の温度を400℃に保持
し、経過時間とともに、上述の方法でガス感応特
性を測定し、メタン（CH4）と水素（H2）の抵抗経
時変化率、すなわち｛初期の抵抗Rg
（5000ppm）−ｔ時間通電後の抵抗Rg
（5000ppm）｝／初期の抵抗Rg（5000ppm）の値
ΔＲ／Ｒ（％）を求めた。過負荷課電寿命につい
ては、感応体の温度を通常の動作温度（400℃）
よりもはるかに高い600℃に保持し、経過時間と
ともに、上記した方法で測定し、通常課電寿命と
同じ方法で抵抗経時変化率を求めた。初期ガス感
応特性および検知素子50個中の標準偏差を後掲の
表の試料No.Ａの欄に、通常課電寿命におけるCH4
に対する抵抗変化率の推移を第２図に、またH2
に対するそれを第３図に、また過負荷課電寿命に
おけるCH4に対する抵抗変化率の推移を第４図
に、またH2に対するそれを第５図にそれぞれ示
した。この比較例１における実験結果は各図にお
いてそれぞれ試料No.Ａで示してある。 表および第２図〜第５図からわかることは、通
常課電寿命および過負荷課電寿命において、CH4
に対しては抵抗が正側すなわち劣化傾向に、H2
ガスに対しては負側すなわち増感傾向に大幅に変
化するため、このままでは実際の警報器に取り付
けて使用することは、直接検知濃度の変化につな
がるので好ましくないことがわかる。また検知素
子50個中のばらつきも相当大きいことがわかる。 なお、表中Ｘは平均値、Ｓは標準偏差を示し、
Raは通常の空気中における抵抗値である。 比較例 ２ 市販の硫酸インジウム〔In2（SO4）3・9H2O〕
19gを１の水に溶かし、以下比較例１と同様の
方法で沈澱生成から検知素子の作成およびガス感
応特性の評価を行なつた。初期ガス感応特性を後
掲の表の試料No.Ｂの欄に、また課電寿命および過
負荷課電寿命の抵抗変化率の推移を第２図〜第５
図に、それぞれ試料No.Ｂで示した。 表および第２図〜第５図からわかることは、通
常課電寿命および過負荷課電寿命において、CH4
に対しては抵抗が正側すなわち劣化傾向に、H2
に対しては負側すなわち増感傾向に大幅に変化す
るため、このままでは実際の警報器に取り付けて
使用することは、直接検知濃度の変化につながる
ので好ましくないことがわかる。また検知素子50
個中のばらつきも相当大きいことがわかる。 実施例 １ 市販の塩化インジウム29gと硫酸アンモニウム
40gおよび尿素〔（NH2）2CO〕60gを１の水に溶
かし、ホツトプレート上で加熱しながら撹拌し
た。加熱は95℃以上で行なつた。終了時の水素イ
オン濃度（PH）は7.0であつた。以下比較例１と
同様の方法で吸引ろ過から検知素子の作成および
ガス感応特性の評価を行なつた。初期ガス感応特
性を後掲の表の試料No.Ｃの欄に、また課電寿命お
よび過負荷課電寿命の低抵変化率の推移を第２図
〜第５図の中の試料No.Ｃでそれぞれ示した。 以上の結果より、通常課電寿命および過負荷課
電寿命において、比較例に比べて特性が著しく安
定に推移していることが判る。また検知素子50個
中のばらつきも大幅に減少していることが判る。 実施例 ２ 市販の硫酸インジウム19gと尿素60gを１の
水に溶かし、ホツトプレート上で加熱しながら撹
拌した。以下実施例１と同様の方法で処理を行な
い、吸引ろ過から検知素子の作成およびガス感応
特性の評価を行なつた。初期ガス感応特性を後掲
の表の試料No.Ｄの欄に、また寿命試験の抵抗変化
率の推移を第２図〜第５図の中の試料No.Ｄでそれ
ぞれ示した。 以上の結果より、通常課電寿命および過負荷課
電寿命において、比較例に比べて特性が著しく安
定に推移していることがわかる。また検知素子50
個中のばらつきも大幅に減少していることがわか
る。
【表】
なお、上記各実施例においては、加圧成型体を
焼結して得られた感応体を用いた素子の場合につ
いて説明したが、本発明は感応体が上述のような
加圧成型された焼結体の場合にのみ有効であるの
ではなく、例えばこの焼結体原料をペースト化し
て基板上に塗布し、焼きつけて得られる焼結膜を
感応体として用いた場合についても本発明の効果
は何ら失なわれるものではない。 また、実施例においては550℃で焼成を行なつ
た場合について述べたが、この焼成温度は特に限
定されるものではなく、実用上耐えうる焼結体強
度を持つ焼成温度であればよい。 発明の効果 以上詳細に述べたように、本発明の製造方法は
尿素の加水分解を利用した沈澱生成反応をガス感
応体の原料粉末の調製にたくみに応用したもので
あり、得られた粉体の粒子形状、粒子径が極めて
均一であるため、各検知素子間のガス感応特性の
ばらつきが非常に小さく、かつ長期間の高温動作
に対してもきわめて安定な特性を維持することの
できる素子を提供するものである。これによつ
て、互換性のある、しかも非常に信頼性の高い可
燃性ガス検知素子を実現することができ、各種の
ガス防災技術の分野に対して極めて大きな貢献が
できるものと期待される。
焼結して得られた感応体を用いた素子の場合につ
いて説明したが、本発明は感応体が上述のような
加圧成型された焼結体の場合にのみ有効であるの
ではなく、例えばこの焼結体原料をペースト化し
て基板上に塗布し、焼きつけて得られる焼結膜を
感応体として用いた場合についても本発明の効果
は何ら失なわれるものではない。 また、実施例においては550℃で焼成を行なつ
た場合について述べたが、この焼成温度は特に限
定されるものではなく、実用上耐えうる焼結体強
度を持つ焼成温度であればよい。 発明の効果 以上詳細に述べたように、本発明の製造方法は
尿素の加水分解を利用した沈澱生成反応をガス感
応体の原料粉末の調製にたくみに応用したもので
あり、得られた粉体の粒子形状、粒子径が極めて
均一であるため、各検知素子間のガス感応特性の
ばらつきが非常に小さく、かつ長期間の高温動作
に対してもきわめて安定な特性を維持することの
できる素子を提供するものである。これによつ
て、互換性のある、しかも非常に信頼性の高い可
燃性ガス検知素子を実現することができ、各種の
ガス防災技術の分野に対して極めて大きな貢献が
できるものと期待される。
第１図は本発明にかかる可燃性ガス検知素子の
構造の一例を示す一部切欠正面図、第２図、第３
図は通電課電寿命におけるガス検知素子の抵抗値
の初期値に対する変化率の推移を示す図、第４
図、第５図は過負荷課電寿命におけるガス検知素
子の抵抗値の変化率を示す図である。 １……焼結体、２……ヒータ、３，４……電
極、５，６，７，８……フレーム、９，１０……
電極用ピン、１１，１２……ヒータ用ピン、１３
……ベース、１４……ステンレス製金網。
構造の一例を示す一部切欠正面図、第２図、第３
図は通電課電寿命におけるガス検知素子の抵抗値
の初期値に対する変化率の推移を示す図、第４
図、第５図は過負荷課電寿命におけるガス検知素
子の抵抗値の変化率を示す図である。 １……焼結体、２……ヒータ、３，４……電
極、５，６，７，８……フレーム、９，１０……
電極用ピン、１１，１２……ヒータ用ピン、１３
……ベース、１４……ステンレス製金網。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ インジウムイオンおよび陰イオンとして少な
くとも硫酸イオンを含む水溶液に尿素
〔（NH2）2CO〕を加えることによつて得られる沈
殿物を乾燥してガス感応体材料を得ることを特徴
とするガス感応体材料の製造方法。 ２ 沈殿物を得る際に水溶液を加熱することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のガス感応体
材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203002A JPS5992341A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | ガス感応体材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203002A JPS5992341A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | ガス感応体材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992341A JPS5992341A (ja) | 1984-05-28 |
| JPS628138B2 true JPS628138B2 (ja) | 1987-02-20 |
Family
ID=16466700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57203002A Granted JPS5992341A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | ガス感応体材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5992341A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109975369A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-07-05 | 西安工业大学 | 一种三维多孔In2O3纳米立方面包气敏材料的制备方法 |
-
1982
- 1982-11-18 JP JP57203002A patent/JPS5992341A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5992341A (ja) | 1984-05-28 |
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