JPS6285855A - 微小金電極の形成方法 - Google Patents
微小金電極の形成方法Info
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- JPS6285855A JPS6285855A JP22480785A JP22480785A JPS6285855A JP S6285855 A JPS6285855 A JP S6285855A JP 22480785 A JP22480785 A JP 22480785A JP 22480785 A JP22480785 A JP 22480785A JP S6285855 A JPS6285855 A JP S6285855A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、微小金電極の形成方法に関する。更に詳しく
は、基板の両面側に微小金電極を形成させる方法に関す
る。
は、基板の両面側に微小金電極を形成させる方法に関す
る。
微小金電極は、酵素センサー、過酸化水素センサーなど
として使用されており、これらのセンサーは、その上に
酵素、微生物などの生理活性物質を固定化して、化学工
業、食品工業、医学分野などに用いられるバイオセンサ
ーとすることができる。
として使用されており、これらのセンサーは、その上に
酵素、微生物などの生理活性物質を固定化して、化学工
業、食品工業、医学分野などに用いられるバイオセンサ
ーとすることができる。
従来の微小金電極は、ガラス基板などの基板の同一平面
上に多数のパターンを形成させた後、それを適当に分割
して用いており１例えばセンサーを多機能化する場合に
は、２本あるいは４本と微小金電極が並んだ形でカット
しなければならず、ガラス基板などの面積分だけコスト
的に割高となるのを避けることができなかった。
上に多数のパターンを形成させた後、それを適当に分割
して用いており１例えばセンサーを多機能化する場合に
は、２本あるいは４本と微小金電極が並んだ形でカット
しなければならず、ガラス基板などの面積分だけコスト
的に割高となるのを避けることができなかった。
本発明者らは、基板上に形成させる多数の微小金電極を
容易に形成させ、センサーを多機能化し得る方法を求め
て検討した結果、フォトリソグラフ技術を利用して基板
の両面側に微小金電極を形成させることが有効な方法で
あることを見出した。
容易に形成させ、センサーを多機能化し得る方法を求め
て検討した結果、フォトリソグラフ技術を利用して基板
の両面側に微小金電極を形成させることが有効な方法で
あることを見出した。
従って、本発明は微小金電極の形成方法に係り、微小金
電極の形成は、基板の一面側にフォトレジストコーティ
ングを行ない、そこに電極のパターンを有する画像マス
クを重ね、露光および現像した後、順次クロムおよび金
を蒸着させて電極を形成させ、次いで前記一連の工程を
基板９反対面側にも適用することにより行われる。
電極の形成は、基板の一面側にフォトレジストコーティ
ングを行ない、そこに電極のパターンを有する画像マス
クを重ね、露光および現像した後、順次クロムおよび金
を蒸着させて電極を形成させ、次いで前記一連の工程を
基板９反対面側にも適用することにより行われる。
基板としては、一般にガラス基板などが用いられ、まず
その−面側に微小金電極の形成が行われる。その形成に
際しては、最初にポジタイプまたはネガタイプのフォト
レジストのコーティングを行ない、それを約７０〜１０
０℃、約５〜６０分間ベイクした後、そこに電極のパタ
ーンを有する陽画マスクまたは陰画マスクを重ね、マス
クアライナ−により約１０〜１２０秒聞書着露光し、用
いられたフォトレジスト用の現像液を用いて現像、水洗
した後。
その−面側に微小金電極の形成が行われる。その形成に
際しては、最初にポジタイプまたはネガタイプのフォト
レジストのコーティングを行ない、それを約７０〜１０
０℃、約５〜６０分間ベイクした後、そこに電極のパタ
ーンを有する陽画マスクまたは陰画マスクを重ね、マス
クアライナ−により約１０〜１２０秒聞書着露光し、用
いられたフォトレジスト用の現像液を用いて現像、水洗
した後。
ポジタイプでは硬化樹脂部分に順次クロムおよび金を蒸
着させる。
着させる。
クロムおよび金の蒸着は、いずれも蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンブレーティング法などの任意の方法で行
なうことができ、その厚みが一般にクロム層が約５００
〜１５００人、また金層が約１０００〜３０００人とな
るような条件下で行われる。
ング法、イオンブレーティング法などの任意の方法で行
なうことができ、その厚みが一般にクロム層が約５００
〜１５００人、また金層が約１０００〜３０００人とな
るような条件下で行われる。
このようにして、例えば２ｍ＋ｍＸ２ｍｍの寸法を有す
る基部の一辺上を更に６■延長し、その延長部分の幅が
１００μｍであるようなＬ字型形状の金電極を、１００
μｍの間隔で正背向い合って位置する状態の微小金電極
を容易に形成させることができる。
る基部の一辺上を更に６■延長し、その延長部分の幅が
１００μｍであるようなＬ字型形状の金電極を、１００
μｍの間隔で正背向い合って位置する状態の微小金電極
を容易に形成させることができる。
その後は、用いられたフォトレジスト用剥離液を用いて
、電極形成部分以外の基板上のレジストを剥離させた後
、基板の裏面側にも同様の操作を行ない、裏面側の所定
の位置１例えば面に関して対称的な位置に、所望形状、
例えば同様形状の電極を形成させる。
、電極形成部分以外の基板上のレジストを剥離させた後
、基板の裏面側にも同様の操作を行ない、裏面側の所定
の位置１例えば面に関して対称的な位置に、所望形状、
例えば同様形状の電極を形成させる。
本発明方法に従えば、ガラス基板などの両面側に微小金
電極を容易に形成させることができ、これによりセンサ
ーの多機能化の際、限られた面積のガラス基板上などに
従来の２倍の金電極を形成させることができ、コストの
低減を図ることができる。
電極を容易に形成させることができ、これによりセンサ
ーの多機能化の際、限られた面積のガラス基板上などに
従来の２倍の金電極を形成させることができ、コストの
低減を図ることができる。
次に、実施例について本発明を説明する。
実施例
トリクレン、アセトンおよびエタノールの順にそれぞれ
５分間液中に浸漬し１次いで超音波洗浄したガラス基板
（コーニング社製品コーニング７０５９、寸法１６ Ｘ
２３ Ｘ ０．９ｍ＋ｓ）の−面側に、スピナーを用
いてポジタイプレジスト（東京応化製品０ＦＥＲ−８０
０，粘度２５ｃｐｓ）を、３０００ｒｐｍ、３０秒間の
条件下で、レジスト膜厚が約１．２５μｍになるように
塗布した。
５分間液中に浸漬し１次いで超音波洗浄したガラス基板
（コーニング社製品コーニング７０５９、寸法１６ Ｘ
２３ Ｘ ０．９ｍ＋ｓ）の−面側に、スピナーを用
いてポジタイプレジスト（東京応化製品０ＦＥＲ−８０
０，粘度２５ｃｐｓ）を、３０００ｒｐｍ、３０秒間の
条件下で、レジスト膜厚が約１．２５μｍになるように
塗布した。
このレジスト塗布ガラス基板を、クリーンオーブン中に
入れ、８０℃、３０分間の条件下でベイクした。その後
、マスクを用い、マスクアライナ−により１分間紫外線
で密着露光した。この露光させたガラス基板を、ＱＦＥ
Ｒ用現像液（東京応化製品ＮＭＤ−３）を用いて現像し
、次いで水洗、乾燥してから。
入れ、８０℃、３０分間の条件下でベイクした。その後
、マスクを用い、マスクアライナ−により１分間紫外線
で密着露光した。この露光させたガラス基板を、ＱＦＥ
Ｒ用現像液（東京応化製品ＮＭＤ−３）を用いて現像し
、次いで水洗、乾燥してから。
これを電子ビーム蒸着装置（日本真空技術展ＥＢＮ−６
ＣＨ）内の所定位置に取付け、蒸着時の圧力がそれぞれ
Ｉ Ｘ １０−’ 〜２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒの条
件下で、クロムおよび金を順次蒸着させた。このように
して、Ｌ字型形状が正背一対向い合った電極を、タリス
テップ１（ティラー−ホブソン社製）で測定した膜厚が
それぞれクロム１２００人、金２２００人で形成させた
。
ＣＨ）内の所定位置に取付け、蒸着時の圧力がそれぞれ
Ｉ Ｘ １０−’ 〜２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒの条
件下で、クロムおよび金を順次蒸着させた。このように
して、Ｌ字型形状が正背一対向い合った電極を、タリス
テップ１（ティラー−ホブソン社製）で測定した膜厚が
それぞれクロム１２００人、金２２００人で形成させた
。
その後、０ＦＥＲ用剥離液（東京応化製品剥離液−１０
）またはアセトン中に浸漬し、電極形成部分以外のレジ
ストを剥離させた後、ガラス基板の裏面側にも同様の操
作を行ない、面に関して対称的な位置に、同様形状の電
極を形成させた。
）またはアセトン中に浸漬し、電極形成部分以外のレジ
ストを剥離させた後、ガラス基板の裏面側にも同様の操
作を行ない、面に関して対称的な位置に、同様形状の電
極を形成させた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板の一面側にフォトレジストコーティングを行な
い、そこに電極のパターンを有する画像マスクを重ね、
露光および現像した後、順次クロムおよび金を蒸着させ
て電極を形成させ、次いで前記一連の工程を基板の反対
面側にも適用することを特徴とする微小金電極の形成方
法。 ２、基板がガラス基板である特許請求の範囲第１項記載
の微小金電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22480785A JPS6285855A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 微小金電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22480785A JPS6285855A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 微小金電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285855A true JPS6285855A (ja) | 1987-04-20 |
Family
ID=16819510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22480785A Pending JPS6285855A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 微小金電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285855A (ja) |
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