JPS628613A - 入力インバ−タ回路 - Google Patents
入力インバ−タ回路Info
- Publication number
- JPS628613A JPS628613A JP60148637A JP14863785A JPS628613A JP S628613 A JPS628613 A JP S628613A JP 60148637 A JP60148637 A JP 60148637A JP 14863785 A JP14863785 A JP 14863785A JP S628613 A JPS628613 A JP S628613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- flip
- circuit
- voltage
- external input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は入力インバータ回路に関し、特に外部入力電圧
と基準電圧とを比較増幅する入力インバータ回路に関す
る。
と基準電圧とを比較増幅する入力インバータ回路に関す
る。
第3図および第4図は従来の入力インバータ回路の一例
を示すブロック図および回路図である。
を示すブロック図および回路図である。
現在、メそ′り集積回路の分野において数多くの入力イ
ンパーク回路が考案され用いられている。
ンパーク回路が考案され用いられている。
入力インバータ回路の特性においては、安定かつ正常に
動作するために、入力レベル判定における不感帯幅が狭
いこと、外部入力の電圧のラッチ機能を有すること、回
路構成が簡素であシかっ低消費電流であること、などが
要求される。以下の説明は、すべて絶縁ゲート型電界効
果トランジスタのうち代表的なMOS)ランジスタC以
下MO8Tと称す)でかつNチャンネルMO8Tを用い
て行う、しかし、回路的には、PチャンネルMO8T、
さらにはバイポーラトランジスタでも本質的には同様で
ある。
動作するために、入力レベル判定における不感帯幅が狭
いこと、外部入力の電圧のラッチ機能を有すること、回
路構成が簡素であシかっ低消費電流であること、などが
要求される。以下の説明は、すべて絶縁ゲート型電界効
果トランジスタのうち代表的なMOS)ランジスタC以
下MO8Tと称す)でかつNチャンネルMO8Tを用い
て行う、しかし、回路的には、PチャンネルMO8T、
さらにはバイポーラトランジスタでも本質的には同様で
ある。
第3図に示す従来の入力インバータ回路は、外部入力電
圧VINおよび基単電圧■ア、fをそれぞれラッチする
エンハンスメント型MO8)ランジスタ(以下EMO8
Tと称す) JlyおよびJlll、ゲ= ) t E
MO8T Jxr O7= スに接HサtLルEMO8
TJ1s、 グー )をEMO8TJ1s07”スに接
続されるEMO8TJzo、外部入力電圧VINおよび
基準電圧Vr@tllcより生じた差電圧を比較、−幅
する差電圧増幅フリップフロップ回路1および差電圧増
幅フリップフロップ回路1の出力を電流増幅する出力電
流増幅7リツグ7四ツブ回路5から構成される。ここで
基準電圧V、、、は、この入力インバータ回路が形成さ
れている半導体基板と同一基板の他の場所に設けられて
いる図示しない基準電圧発生回路から出力されている。
圧VINおよび基単電圧■ア、fをそれぞれラッチする
エンハンスメント型MO8)ランジスタ(以下EMO8
Tと称す) JlyおよびJlll、ゲ= ) t E
MO8T Jxr O7= スに接HサtLルEMO8
TJ1s、 グー )をEMO8TJ1s07”スに接
続されるEMO8TJzo、外部入力電圧VINおよび
基準電圧Vr@tllcより生じた差電圧を比較、−幅
する差電圧増幅フリップフロップ回路1および差電圧増
幅フリップフロップ回路1の出力を電流増幅する出力電
流増幅7リツグ7四ツブ回路5から構成される。ここで
基準電圧V、、、は、この入力インバータ回路が形成さ
れている半導体基板と同一基板の他の場所に設けられて
いる図示しない基準電圧発生回路から出力されている。
この入力インバータ回路は、この基準電圧Vr*fをリ
ファレンスレベルとして外部入力電圧vXNとの判定に
用いることが特徴である。
ファレンスレベルとして外部入力電圧vXNとの判定に
用いることが特徴である。
第4図の回路は、従来の5ボルト単一電源の集積回路で
あるMOSダイナミックランダムアクセスメモリにおい
て用いられており、BMO8TJs〜J、2により差電
圧増幅フリップ70ツブ回路1を構成し、EMO8TJ
zt〜JB2にょシ出力電流増幅7リツプ70ツブ回路
5を構成している。
あるMOSダイナミックランダムアクセスメモリにおい
て用いられており、BMO8TJs〜J、2により差電
圧増幅フリップ70ツブ回路1を構成し、EMO8TJ
zt〜JB2にょシ出力電流増幅7リツプ70ツブ回路
5を構成している。
次に、この従来の入力インバータ回路の動作について説
明する。
明する。
初期にプリチャージ信号φP2がEMO8Tのしきい値
V、レベルを十分越える高い電圧(以下高レベルと称す
)であることから、プリチャージ信号φP2をゲート入
力とするEMOS T J@ 、 Jso 、 Jso
。
V、レベルを十分越える高い電圧(以下高レベルと称す
)であることから、プリチャージ信号φP2をゲート入
力とするEMOS T J@ 、 Jso 、 Jso
。
JBO、JHおよびJst は活性化され、節点N1
およびN!は高レベル、節点N、およびN6、出力信号
φo2及びφ0冨はしきい値V丁しベルより低い電圧C
以下低レベルと称す)となり、その後プリチャージ信号
φP鵞は低レベルとなる。ラッチ信号φLが高レベルか
ら低レベルになると、外部入力電圧v!Nおよび基準電
圧V、、、の電圧が節点N3および節点N4に各々ラッ
チされる。第1の活性化信号φ21が低レベルから高レ
ベルになるとき、節点信号NOWおよびNO2の電位が
上昇する。このとき外部入力電圧MINがラッチされた
節点N3をゲート入力とするEMO8TJl*と基準電
圧v7fの電圧がラッチされた節点N4をゲート入力と
するEM OS T J26にょシ節点信号Nけと?’
Joxの間に差電圧が生ずる。この節点信号NewとN
otの間の差電位により、フリップフロップを構成する
EMO8T JyおよびJ8が作動し、節点信号New
とNotのうちの低い電圧である一方の節点信号を低レ
ベルにする。そして節点信号NOWおよびNOWをゲー
ト入力とするEMOf9TJ、、およびJllにより節
点N!およびN1の一方が低レベルとなり、節点N、お
よびN1をゲート入力とするEMOS ’I’J−およ
びJ、の一方が非活性化(以下オフと称す)される、続
いて第2の活性化信号φ雪2が低レベルから高レベルに
なると節点No2および凡2をゲート入力とするEMO
8TJ、1およびJoの一方の活性化されたEMO8T
を通して節点NsおよびN6の一方の節点が高レベルと
なる。節点NsおよびN6をゲート入力とするEMO8
TJzsおよびJ26の一方のEMO8Tが活性化され
、出力信号φozおよびφo2の一方が電流増幅された
信号として出力される。このとき、出力信号φo雪は外
部入力電圧Vntと同相、出力信号φOXは外部入力電
圧v頂と逆相の増幅された信号が出力される。
およびN!は高レベル、節点N、およびN6、出力信号
φo2及びφ0冨はしきい値V丁しベルより低い電圧C
以下低レベルと称す)となり、その後プリチャージ信号
φP鵞は低レベルとなる。ラッチ信号φLが高レベルか
ら低レベルになると、外部入力電圧v!Nおよび基準電
圧V、、、の電圧が節点N3および節点N4に各々ラッ
チされる。第1の活性化信号φ21が低レベルから高レ
ベルになるとき、節点信号NOWおよびNO2の電位が
上昇する。このとき外部入力電圧MINがラッチされた
節点N3をゲート入力とするEMO8TJl*と基準電
圧v7fの電圧がラッチされた節点N4をゲート入力と
するEM OS T J26にょシ節点信号Nけと?’
Joxの間に差電圧が生ずる。この節点信号NewとN
otの間の差電位により、フリップフロップを構成する
EMO8T JyおよびJ8が作動し、節点信号New
とNotのうちの低い電圧である一方の節点信号を低レ
ベルにする。そして節点信号NOWおよびNOWをゲー
ト入力とするEMOf9TJ、、およびJllにより節
点N!およびN1の一方が低レベルとなり、節点N、お
よびN1をゲート入力とするEMOS ’I’J−およ
びJ、の一方が非活性化(以下オフと称す)される、続
いて第2の活性化信号φ雪2が低レベルから高レベルに
なると節点No2および凡2をゲート入力とするEMO
8TJ、1およびJoの一方の活性化されたEMO8T
を通して節点NsおよびN6の一方の節点が高レベルと
なる。節点NsおよびN6をゲート入力とするEMO8
TJzsおよびJ26の一方のEMO8Tが活性化され
、出力信号φozおよびφo2の一方が電流増幅された
信号として出力される。このとき、出力信号φo雪は外
部入力電圧Vntと同相、出力信号φOXは外部入力電
圧v頂と逆相の増幅された信号が出力される。
上述した従来の入力インバータ回路は、外部入力電圧が
高レベルの場合、一方の節点信号が高レベルとなるが、
基準電圧をゲート入力とするEM08Tが常に活性化状
態にあるため、一方の節点信号の高レベルを大地電流に
流して消費電流が増大してしまい、さらKこのEMO8
T が常に活性化状態にあるため、差電圧増幅フリップ
フロップ回路には外部入力の情報を保持することができ
ないので、出力電流増幅回路内に外部入力の情報を保持
する7リツグ70ツブが必要となシ、そのため出力電流
増幅回路が複雑となり、使用するEM08Tも多く必要
とする欠点を有している。さらに、差電圧増幅フリップ
フロップ回路の活性化時に、外部入力電圧が変化した場
合に差電圧増幅を正常に行うため、さらに2個のEMO
8T と、これらのゲート入力であるラッチ信号とを
必要とする欠点を有している。
高レベルの場合、一方の節点信号が高レベルとなるが、
基準電圧をゲート入力とするEM08Tが常に活性化状
態にあるため、一方の節点信号の高レベルを大地電流に
流して消費電流が増大してしまい、さらKこのEMO8
T が常に活性化状態にあるため、差電圧増幅フリップ
フロップ回路には外部入力の情報を保持することができ
ないので、出力電流増幅回路内に外部入力の情報を保持
する7リツグ70ツブが必要となシ、そのため出力電流
増幅回路が複雑となり、使用するEM08Tも多く必要
とする欠点を有している。さらに、差電圧増幅フリップ
フロップ回路の活性化時に、外部入力電圧が変化した場
合に差電圧増幅を正常に行うため、さらに2個のEMO
8T と、これらのゲート入力であるラッチ信号とを
必要とする欠点を有している。
本発明の入力インバータ回路は、活性化信号の入力によ
り外部入力電圧と基準電圧とを比較増幅するフリツプフ
ロツプ回路および出力電流増幅回路と、前記外部入力電
圧をゲートに入力し前記フリツプフロツプ回路にドレイ
ンを接続する第1のトランジスタと、一端を前記第1の
トランジスタのソースに他端を所定の電位にそれぞれ接
続し前記フリップフロップ回路の信号により制御される
第1のゲートと、前記基準電圧をゲートに入力し前記フ
リツプフロツプ回路にドレインを接続する第2のトラン
ジスタと、一端を前記第2のトランジスタのソースに他
端を所定の電位にそれぞれ接続し前記フリップフロップ
回路の信号により制御される第2のゲートとを備えてい
る。
り外部入力電圧と基準電圧とを比較増幅するフリツプフ
ロツプ回路および出力電流増幅回路と、前記外部入力電
圧をゲートに入力し前記フリツプフロツプ回路にドレイ
ンを接続する第1のトランジスタと、一端を前記第1の
トランジスタのソースに他端を所定の電位にそれぞれ接
続し前記フリップフロップ回路の信号により制御される
第1のゲートと、前記基準電圧をゲートに入力し前記フ
リツプフロツプ回路にドレインを接続する第2のトラン
ジスタと、一端を前記第2のトランジスタのソースに他
端を所定の電位にそれぞれ接続し前記フリップフロップ
回路の信号により制御される第2のゲートとを備えてい
る。
次に、本発明について図面を用いて説明する。
第1図および第2図は、それぞれ本発明の一実施例のブ
ロック図および回路図である。
ロック図および回路図である。
本実施例は、差電圧増幅フリップフロップ回路1および
出力電流増幅回路2を主構成要素として構成され、第1
の活性化信号φ11の入力により、因示しない基準電圧
発生回路から入力される基準電圧vr、fと外部入力電
圧VINとを比較し、増幅された信号を受け、−第2の
活性化信号φ1=の入力によりミ流増幅された信号を出
力する入力インバータ回路において、外部入力電圧VI
Nと基準電圧Vr+efとに応答して、外部入力電圧V
INをゲート入力とするEMO8TJsと基準電圧Vr
efをゲート入力とするEMO8TJ4のそれぞれのソ
ース電流の制御を行なう第1ゲート3および第2ゲート
4を設けることにより構成されている8本実施例におい
てEMO8TJsおよびJしは、差電圧増幅フリップフ
ロップ回路1内の節点の電圧を初期において低レベルに
入力する。
出力電流増幅回路2を主構成要素として構成され、第1
の活性化信号φ11の入力により、因示しない基準電圧
発生回路から入力される基準電圧vr、fと外部入力電
圧VINとを比較し、増幅された信号を受け、−第2の
活性化信号φ1=の入力によりミ流増幅された信号を出
力する入力インバータ回路において、外部入力電圧VI
Nと基準電圧Vr+efとに応答して、外部入力電圧V
INをゲート入力とするEMO8TJsと基準電圧Vr
efをゲート入力とするEMO8TJ4のそれぞれのソ
ース電流の制御を行なう第1ゲート3および第2ゲート
4を設けることにより構成されている8本実施例におい
てEMO8TJsおよびJしは、差電圧増幅フリップフ
ロップ回路1内の節点の電圧を初期において低レベルに
入力する。
外部入力電圧vlN *よび基準電圧vr@、をゲート
入力とするEMO8TJsおよびJ4で生ずる差電圧増
幅フリップフロップ回路l内の信号により、第1ゲート
3および第2ゲート4に流れる電流を制御し、差電圧増
幅フリップフロップ回路1を安定に動作させ、外部入力
電圧v!Nの情報を差電圧増幅フリップフロップ回路1
内に保持することができるのである。
入力とするEMO8TJsおよびJ4で生ずる差電圧増
幅フリップフロップ回路l内の信号により、第1ゲート
3および第2ゲート4に流れる電流を制御し、差電圧増
幅フリップフロップ回路1を安定に動作させ、外部入力
電圧v!Nの情報を差電圧増幅フリップフロップ回路1
内に保持することができるのである。
第2図を用いて本実施例の動作について説明する。
初期にプリチャージ信号φP1が低レベルから高レベル
になり、プリチャージ信号φP1をゲート入力とするE
MO8T J、 、Jt(1、Jl、およびJl−によ
り1節点NlおよびN2は高レベル、出力信号φOXお
よびφ01は低レベルとなシ、その後プリチャージ信号
φP1は高レベルから低レベルとなる。第1の活性化信
号φ11が低レベルから高レベルになるとき、外部入力
電圧VXWおよび基準電圧Vr*fをゲート入力とする
EMO8TJsおよびJ4にょシ節点信号Notおよび
NotK差電圧が生じ、この差電圧を7リツプ70ツブ
を構成するEM OS T JyおよびJ、が増幅し、
節点信号NotおよびNotの一方を低レベルにする。
になり、プリチャージ信号φP1をゲート入力とするE
MO8T J、 、Jt(1、Jl、およびJl−によ
り1節点NlおよびN2は高レベル、出力信号φOXお
よびφ01は低レベルとなシ、その後プリチャージ信号
φP1は高レベルから低レベルとなる。第1の活性化信
号φ11が低レベルから高レベルになるとき、外部入力
電圧VXWおよび基準電圧Vr*fをゲート入力とする
EMO8TJsおよびJ4にょシ節点信号Notおよび
NotK差電圧が生じ、この差電圧を7リツプ70ツブ
を構成するEM OS T JyおよびJ、が増幅し、
節点信号NotおよびNotの一方を低レベルにする。
これと平行して、節点N1およびN、は、節点信号No
tおよびNotをゲート入力とするEMO8T Jl、
およびJl2にょカ一方を低レベルにされ、節点N1お
よびN!をゲート入力とするEMO8T J、およびJ
2の一方をオフする。第2の活性化信号φ1冨が低レベ
ルから高レベルになると、節点信号NotおよびNOI
をゲート入力とするEMO8TJusf?よびJl4の
一方を通して、出力信号φo1およびφo1の一方が電
流増幅された信号として出力される。このとき、出力信
号φo1は外部入力電圧VINに同相、出力信号SO1
は外部入力電圧VINに逆相となる。
tおよびNotをゲート入力とするEMO8T Jl、
およびJl2にょカ一方を低レベルにされ、節点N1お
よびN!をゲート入力とするEMO8T J、およびJ
2の一方をオフする。第2の活性化信号φ1冨が低レベ
ルから高レベルになると、節点信号NotおよびNOI
をゲート入力とするEMO8TJusf?よびJl4の
一方を通して、出力信号φo1およびφo1の一方が電
流増幅された信号として出力される。このとき、出力信
号φo1は外部入力電圧VINに同相、出力信号SO1
は外部入力電圧VINに逆相となる。
このように、差電圧増幅フリップ70ツブ回路1内の信
号である節点N1およびN2の出力をゲート入力とする
第1ゲートおよび第2ゲートを用いて、差電圧増幅フリ
ップフロップ回路1で低レベルと判定される外部入力電
圧VI*tたけ基準電圧Vr−t ヲケ−) 入カドf
ルEMO8T Js ’tタハJaの一方のソース電流
をオフすることで、差電圧増幅フリップフロップ回路1
内に外部入力電圧VINの情報を保持することができる
。
号である節点N1およびN2の出力をゲート入力とする
第1ゲートおよび第2ゲートを用いて、差電圧増幅フリ
ップフロップ回路1で低レベルと判定される外部入力電
圧VI*tたけ基準電圧Vr−t ヲケ−) 入カドf
ルEMO8T Js ’tタハJaの一方のソース電流
をオフすることで、差電圧増幅フリップフロップ回路1
内に外部入力電圧VINの情報を保持することができる
。
以上説明したように本発明は、外部入力電圧および基準
電圧をそれぞれゲート入力とする2個のEMO8T の
それぞれのソース電流の制御を行う2個のゲートを設け
ることにより、差電圧増幅フリップフロップ回路内に外
部入力の情報を保持することができ、さらにラッチ回路
および出力電流増幅回路の簡素化ならびに回路全体の低
消費電流化ができる効果がある。
電圧をそれぞれゲート入力とする2個のEMO8T の
それぞれのソース電流の制御を行う2個のゲートを設け
ることにより、差電圧増幅フリップフロップ回路内に外
部入力の情報を保持することができ、さらにラッチ回路
および出力電流増幅回路の簡素化ならびに回路全体の低
消費電流化ができる効果がある。
第1図および第2図は本発明の一実施例のブロック図お
よび回路図、第3図および第4図は従来の入力インバー
タ回路の一例を示すブロック図および回路図である。 1・・・・・・差電圧増幅フリップフロップ回路、2・
・・・・・出力電流増幅回路、3・・・・・・第1ゲー
ト、4・・・・・・第2ゲート、5・・・・・・出力電
流増幅フリップフロップ回路s Jl〜J!!・・・
・・・MOS)ランジスタ(エンハンスメントり、Nu
〜N、・・・・・・節点% Not。 Not 、i’Jo2.Noz ・・・・・・節点信
号、φ11.φ21・・・・・・第1の活性化信号、φ
12.φ22・・・・・・第2の活性化信号、φpi、
φP2・・・・・・プリチャージ信号、φO1e号、v
IN・・・・・・外部入力電圧、Vr*f・・・・・・
基準電圧。 ψ7.二 リhの温性化)b号 ψ/2’−$2−フ渇十JヒJヒ化】ツ(pPf :
7°す1ジ1−ジ搏号ψ7..φ): 出力1巳3 峯30 ψ22 や2.退:旨ゑ+hy 951 : 猶lの5占・)主Aヒ4@号≦7’22
二 ¥−か渇−1tJ ヒも1:1(1’p2−
: )・リデャーシ゛イb号(po2.僑Z: 但
方与急) 火: ラッナ冶う 手続補正書([) 1、事件の表示 昭和60年特許願第148637号2
、発明の名称 入力インバータ回路 3、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目33番1号 (423) 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 4、代理人 〒108東京都港区芝五丁目37番8号住友三田ビル 日本電気株式会社内 5、補正の対象 (1)図面 6、補正の内容 (1)第4図を別紙の通り補正する。
よび回路図、第3図および第4図は従来の入力インバー
タ回路の一例を示すブロック図および回路図である。 1・・・・・・差電圧増幅フリップフロップ回路、2・
・・・・・出力電流増幅回路、3・・・・・・第1ゲー
ト、4・・・・・・第2ゲート、5・・・・・・出力電
流増幅フリップフロップ回路s Jl〜J!!・・・
・・・MOS)ランジスタ(エンハンスメントり、Nu
〜N、・・・・・・節点% Not。 Not 、i’Jo2.Noz ・・・・・・節点信
号、φ11.φ21・・・・・・第1の活性化信号、φ
12.φ22・・・・・・第2の活性化信号、φpi、
φP2・・・・・・プリチャージ信号、φO1e号、v
IN・・・・・・外部入力電圧、Vr*f・・・・・・
基準電圧。 ψ7.二 リhの温性化)b号 ψ/2’−$2−フ渇十JヒJヒ化】ツ(pPf :
7°す1ジ1−ジ搏号ψ7..φ): 出力1巳3 峯30 ψ22 や2.退:旨ゑ+hy 951 : 猶lの5占・)主Aヒ4@号≦7’22
二 ¥−か渇−1tJ ヒも1:1(1’p2−
: )・リデャーシ゛イb号(po2.僑Z: 但
方与急) 火: ラッナ冶う 手続補正書([) 1、事件の表示 昭和60年特許願第148637号2
、発明の名称 入力インバータ回路 3、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目33番1号 (423) 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 4、代理人 〒108東京都港区芝五丁目37番8号住友三田ビル 日本電気株式会社内 5、補正の対象 (1)図面 6、補正の内容 (1)第4図を別紙の通り補正する。
Claims (1)
- 活性化信号の入力により外部入力電圧と基準電圧とを比
較増幅するフリップフロップ回路および出力電流増幅回
路を有する入力インバータ回路において、前記外部入力
電圧をゲートに入力し前記フリップフロップ回路にドレ
インを接続する第1のトランジスタと、一端を前記第1
のトランジスタのソースに他端を所定の電位にそれぞれ
接続し前記フリップフロップ回路の信号により制御され
る第1のゲートと、前記基準電圧をゲートに入力し前記
フリップフロップ回路にドレインを接続する第2のトラ
ンジスタと、一端を前記第2のトランジスタのソースに
他端を所定の電位にそれぞれ接続し前記フリップフロッ
プ回路の信号により制御される第2のゲートとを備える
ことを特徴とする入力インバータ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60148637A JPS628613A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 入力インバ−タ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60148637A JPS628613A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 入力インバ−タ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628613A true JPS628613A (ja) | 1987-01-16 |
| JPH0572679B2 JPH0572679B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=15457245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60148637A Granted JPS628613A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 入力インバ−タ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628613A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56117391A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Buffer circuit |
| JPS58121196A (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-19 | Nec Corp | バツフア回路 |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP60148637A patent/JPS628613A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56117391A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Buffer circuit |
| JPS58121196A (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-19 | Nec Corp | バツフア回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0572679B2 (ja) | 1993-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6032912B2 (ja) | Cmosセンスアンプ回路 | |
| JPS6246489A (ja) | ダイナミツク型差動増幅器 | |
| JPH0572680B2 (ja) | ||
| JPH0284811A (ja) | 入力インバータ回路 | |
| KR940012618A (ko) | 반도체 집적회로장치 | |
| US10127975B2 (en) | Determination circuit | |
| TWI248620B (en) | Input buffer circuit of a synchronous semiconductor memory device | |
| US4943738A (en) | Digital signal input buffer circuit having a simple construction and capable of retaining data | |
| JPS6196587A (ja) | センスアンプ回路 | |
| JP2934520B2 (ja) | レベル判定回路 | |
| JP3224712B2 (ja) | 論理&レベル変換回路及び半導体装置 | |
| JP2723909B2 (ja) | 半導体メモリ | |
| JPH0572679B2 (ja) | ||
| JPH0294096A (ja) | 半導体記憶回路 | |
| JPH05298884A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS6028077B2 (ja) | 増幅回路 | |
| JP2695410B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2789716B2 (ja) | 論理集積回路 | |
| JPS63184990A (ja) | 半導体メモリ | |
| JPS63171497A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6363194A (ja) | ダイナミツクramのセンスアンプのドライブ装置 | |
| JPS6030038B2 (ja) | バツフア回路 | |
| JPH0247915A (ja) | 入力バッファ回路 | |
| JPS6110320A (ja) | 入力インバ−タ回路 | |
| JPH0159679B2 (ja) |