JPS6286726A - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6286726A JPS6286726A JP60227203A JP22720385A JPS6286726A JP S6286726 A JPS6286726 A JP S6286726A JP 60227203 A JP60227203 A JP 60227203A JP 22720385 A JP22720385 A JP 22720385A JP S6286726 A JPS6286726 A JP S6286726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist pattern
- resist layer
- layer
- forming method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体デバイスなどの製造工程における基
板上へのレジストパターン形成方法に閏する。
板上へのレジストパターン形成方法に閏する。
［従来の技術］
第２図は、従来のレジス１−パターン形成方法を示す図
である。
である。
次に、第２図を参照して従来のレジストパターン形成方
法について説明する。第２図（１）に示すように、基板
上に、スピン法などによってレジストを塗布し、膜厚の
均一なレジスト１１！２を得る。
法について説明する。第２図（１）に示すように、基板
上に、スピン法などによってレジストを塗布し、膜厚の
均一なレジスト１１！２を得る。
続いて、除去必要な領域４に紫外線３を照射する。
続いて、第２図（ＩＩ）に示すように、レジスト層２を
塗布した基板１を現像液５に浸す。これにより、照射部
４は現像液５に溶解し、紫外線未照射部との溶解速度の
差によって、第２図（Ｉ［［）に示すようなレジストパ
ターン６が形成される。
塗布した基板１を現像液５に浸す。これにより、照射部
４は現像液５に溶解し、紫外線未照射部との溶解速度の
差によって、第２図（Ｉ［［）に示すようなレジストパ
ターン６が形成される。
［発明が解決しようとする問題点１
従来のレジストパターン形成方法では、紫外線露光部の
溶解は第２図（Ｉｔ）に示すように、表面より進行する
ため、未露光部の表面層は露光部の溶解が完全に終了す
るまでの間、現像液に接触し続けるため、第２図（ＩＦ
＞に示す境界領域４１はわずかながら溶解する。したが
って、形成されたレジストパターンの頭部形状は矩形に
はならず、第２図（Ｉ［［）に示すように丸みを帯びた
ものになる。
溶解は第２図（Ｉｔ）に示すように、表面より進行する
ため、未露光部の表面層は露光部の溶解が完全に終了す
るまでの間、現像液に接触し続けるため、第２図（ＩＦ
＞に示す境界領域４１はわずかながら溶解する。したが
って、形成されたレジストパターンの頭部形状は矩形に
はならず、第２図（Ｉ［［）に示すように丸みを帯びた
ものになる。
未露光部の溶解の程度は、レジストパターン形成ごとに
異なるので、仕上りの再現性に問題が生じる。また、後
に続くドライエツチングに悪影響を及ぼす。すなわち、
ドライエツチング中に、レジストパターンも若干エツチ
ングされるが、レジストパターンの形状が丸みを帯びて
いるために、第２図（Ｉ［［）の矢印Ａで示すパターン
の幅がこのエツチングにより変わってしまい、所望のＭ
度が得られないという問題がある。
異なるので、仕上りの再現性に問題が生じる。また、後
に続くドライエツチングに悪影響を及ぼす。すなわち、
ドライエツチング中に、レジストパターンも若干エツチ
ングされるが、レジストパターンの形状が丸みを帯びて
いるために、第２図（Ｉ［［）の矢印Ａで示すパターン
の幅がこのエツチングにより変わってしまい、所望のＭ
度が得られないという問題がある。
それゆえに、この発明は上述のような問題点を解消する
ためになされたもので、レジストパターンの頭部形状を
矩形にするとともに、再現性の良いパターンを得ること
を目的とする。
ためになされたもので、レジストパターンの頭部形状を
矩形にするとともに、再現性の良いパターンを得ること
を目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明にかかるレジストパターン形成方法は、第１の
ステップにより基板上に第１のレジスト層を設け、第２
のステップにより、現像液に対して第１のレジスト層よ
りも溶解速度の小さい第２のレジスト層を第１のレジス
ト層上に設け、第３のステップにより、第１および第２
のレジスト層を露光し、第４のステップにより、露光さ
れた第１および第２のレジスト層を現像液により現像す
るようにしたものである。
ステップにより基板上に第１のレジスト層を設け、第２
のステップにより、現像液に対して第１のレジスト層よ
りも溶解速度の小さい第２のレジスト層を第１のレジス
ト層上に設け、第３のステップにより、第１および第２
のレジスト層を露光し、第４のステップにより、露光さ
れた第１および第２のレジスト層を現像液により現像す
るようにしたものである。
［作用］
この発明における第２のステップにより設けられた第２
のレジスト層は現像プロセスにおいてレジストパターン
の頭部として残存するので、矩形を保ったパターンが得
られる。
のレジスト層は現像プロセスにおいてレジストパターン
の頭部として残存するので、矩形を保ったパターンが得
られる。
［実施例］
以下、この発明の一実ＩＭ例を図について説明する。第
１図はこの発明の一実施例のレジストパターン形成方法
を示す図である。次に、第１図を参照してこの発明の一
実施例のレジストパターン形成方法について説明する。
１図はこの発明の一実施例のレジストパターン形成方法
を示す図である。次に、第１図を参照してこの発明の一
実施例のレジストパターン形成方法について説明する。
従来例と同様に、基板１上へスピン法によってレジスト
を塗布し、膜厚の均一なレジスト層２を１りる。次に、
第１図（Ｉ）に示づレジスト１！２の表面ＷＩ７のみを
加熱し、該表面層７を低感度化、耐溶解性にせしめ、次
に第１図（Ｉｆ）に示すように、除去必要な鋼域４に紫
外線３を照射する。次に、第１図（Ｉ［［）に示すよう
に、レジスト層をアルカリ等の現象液５に浸すことにＪ
：す、照射部４を溶解させる。この際、低感度化された
表面層は現像液に対する溶解速度が小さいために表面Ｗ
ｊ７の未照射ｌ！！Ｉｌｉ域はほとんどそのまま残存す
るので、仕上るレジストパターン８の頭部形状は第１図
（ｉＶ ）に示すように、矩形状になる。また、このよ
うな形状は、レジストパターン形成ごとに同一の形状と
して得られるので、仕上りの再現性が向上する。
を塗布し、膜厚の均一なレジスト層２を１りる。次に、
第１図（Ｉ）に示づレジスト１！２の表面ＷＩ７のみを
加熱し、該表面層７を低感度化、耐溶解性にせしめ、次
に第１図（Ｉｆ）に示すように、除去必要な鋼域４に紫
外線３を照射する。次に、第１図（Ｉ［［）に示すよう
に、レジスト層をアルカリ等の現象液５に浸すことにＪ
：す、照射部４を溶解させる。この際、低感度化された
表面層は現像液に対する溶解速度が小さいために表面Ｗ
ｊ７の未照射ｌ！！Ｉｌｉ域はほとんどそのまま残存す
るので、仕上るレジストパターン８の頭部形状は第１図
（ｉＶ ）に示すように、矩形状になる。また、このよ
うな形状は、レジストパターン形成ごとに同一の形状と
して得られるので、仕上りの再現性が向上する。
これは、漫に続くドライエツチングに良い影響を及ぼす
。すなわち、このプロセスに続くドライエツチングによ
ってレジストパターンの表面が若干エツチングしても、
パターンの幅はほとんどそのまま維持される。
。すなわち、このプロセスに続くドライエツチングによ
ってレジストパターンの表面が若干エツチングしても、
パターンの幅はほとんどそのまま維持される。
なお、上述の実施例では、熱約手法により表面層の感度
を低下させることにより１Ｊ！ １ｍ液に対する溶解速
度を減少させるようにしているが、これに限らず、レジ
ストの表面層に低感度のレジスト層を塗布してもよい。
を低下させることにより１Ｊ！ １ｍ液に対する溶解速
度を減少させるようにしているが、これに限らず、レジ
ストの表面層に低感度のレジスト層を塗布してもよい。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、レジスト層の表面層
を現像液に対し低感度にさせて、溶解速度が小さくなる
ようにしているので、得られるレジストパターンの頭部
形状を矩形に（ることができるため、仕上りの再現性は
向上し、後に続くドライエツチングに良い影響を及ぼす
。
を現像液に対し低感度にさせて、溶解速度が小さくなる
ようにしているので、得られるレジストパターンの頭部
形状を矩形に（ることができるため、仕上りの再現性は
向上し、後に続くドライエツチングに良い影響を及ぼす
。
第１図はこの発明の一実施例のレジストパターン形成方
法を示す図である。第２図は従来のレジストパターン形
成方法を示す図である。 図において、１は基板、２はレジスト層、３は紫外線、
４は紫外線照射部、５は現像液、６はレジストパターン
、７は低感度化されたレジスト表面層、８はこの発明に
よるレジスト・パターンを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示づ”
。 代理人 大 岩 増 謹 第１図
法を示す図である。第２図は従来のレジストパターン形
成方法を示す図である。 図において、１は基板、２はレジスト層、３は紫外線、
４は紫外線照射部、５は現像液、６はレジストパターン
、７は低感度化されたレジスト表面層、８はこの発明に
よるレジスト・パターンを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示づ”
。 代理人 大 岩 増 謹 第１図
Claims (3)
- （１）半導体デバイスなどの製造における基板上へのレ
ジストパターン形成方法であつて、基板上に第１のレジ
スト層を設ける第１のステップと、 現像液に対して、前記第１のレジスト層よりも溶解速度
が小さい第２のレジスト層を前記第１のレジスト層上に
設ける第２のステップと、 前記第１および第２のレジスト層を露光する第３のステ
ップと、 前記露光された第１および第２のレジスト層を現像液に
より現像する第４のステップとを備え、レジストパター
ン形成の際にパターン頭部形状を矩形的に残存させるこ
とを特徴とする、レジストパターン形成方法。 - （２）前記第２のレジスト層は、前記第１のレジスト層
の表面層を加熱することにより形成されることを特徴と
する、特許請求の範囲第１項記載のレジストパターン形
成方法。 - （３）前記第２のレジスト層は、前記第１のレジスト層
上に溶解速度の小さいレジスト液を塗布することにより
形成されることを特徴とする、特許請求の範囲第１項記
載のレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227203A JPS6286726A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | レジストパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227203A JPS6286726A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | レジストパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286726A true JPS6286726A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16857109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60227203A Pending JPS6286726A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | レジストパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286726A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54150079A (en) * | 1978-05-18 | 1979-11-24 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of forming pattern |
| JPS5533035A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-08 | Nec Corp | Forming of resist pattern shaped like inverted truncated pyramid |
| JPS57191636A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Toshiba Corp | Formation of resist pattern |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP60227203A patent/JPS6286726A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54150079A (en) * | 1978-05-18 | 1979-11-24 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of forming pattern |
| JPS5533035A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-08 | Nec Corp | Forming of resist pattern shaped like inverted truncated pyramid |
| JPS57191636A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Toshiba Corp | Formation of resist pattern |
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