JPS6287457U - - Google Patents

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JPS6287457U
JPS6287457U JP17811285U JP17811285U JPS6287457U JP S6287457 U JPS6287457 U JP S6287457U JP 17811285 U JP17811285 U JP 17811285U JP 17811285 U JP17811285 U JP 17811285U JP S6287457 U JPS6287457 U JP S6287457U
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JP
Japan
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thyristor
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gate turn
turn
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JP17811285U
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の実施例の構造を示す断面図、
第２図は製造段階を示す工程図、第３図は本考案
の他の実施例を示す平面図、第４図は逆導通形ゲ
ートターンオフサイリスタを示す回路図、第５図
は従来の逆導通形ゲートターンオフサイリスタの
構造を示す断面図である。 １……主ＧＴＯ部、２……補助ＧＴＯ部、３…
…ダイオード部、７，９……カソード電極、８，
１０……ゲート電極。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 エミツタ層であるｐ形半導体のＰ１層とベース
    層であるｎ形半導体のＮ１層及びｐ形半導体のＰ
    ２層とエミツタ層であるｎ形半導体のＮ２層とを
    積層して成る主ゲートターンオフサイリスタ部と
    、前記ベース層を共有し、前記主ゲートターンオ
    フサイリスタ部に逆並列接続されたダイオード部
    と、前記ベース層を共有すると共にエミツタ層と
    してｎ形半導体のＮ３層を有し、オン時に前記主
    ゲートターンオフサイリスタ部にゲート電流を供
    給する補助ゲートターンオフサイリスタ部とを備
    えて成る逆導通形ゲートターンオフサイリスタに
    おいて、 前記補助ゲートターンオフサイリスタ部を、前
    記主ゲートターンオフサイリスタ部とダイオード
    部との間に挾まれるように形成すると共に、当該
    補助ゲートターンオフサイリスタ部のゲート電極
    を、そのカソード電極と主ゲートターンオフサイ
    リスタ部のカソード電極との間に配置し、 前記Ｎ２層と補助ゲートターンオフサイリスタ
    部のゲート電極との間に、当該ゲート電極よりの
    ゲート電流が前記Ｎ２層に流れ込まないようにｎ
    形半導体層を設け、 前記主ゲートターンオフサイリスタ部とダイオ
    ード部とを分離するために、前記補助ゲートター
    ンオフサイリスタ部のＮ３層の深さを制御して当
    該Ｎ３層の直下のＰ２層を高抵抗層に形成したこ
    とを特徴とする逆導通形ゲートターンオフサイリ
    スタ。
JP1985178112U 1985-11-19 1985-11-19 Expired - Lifetime JPH0526771Y2 (ja)

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JPS6287457U true JPS6287457U (ja) 1987-06-04
JPH0526771Y2 JPH0526771Y2 (ja) 1993-07-07

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5453972A (en) * 1977-10-07 1979-04-27 Nec Corp Reverse conducting thyristor
JPS5596678A (en) * 1979-01-18 1980-07-23 Toyo Electric Mfg Co Ltd Reverse conducting thyristor
JPS627162A (ja) * 1985-07-03 1987-01-14 Fuji Electric Co Ltd 逆導通ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5453972A (en) * 1977-10-07 1979-04-27 Nec Corp Reverse conducting thyristor
JPS5596678A (en) * 1979-01-18 1980-07-23 Toyo Electric Mfg Co Ltd Reverse conducting thyristor
JPS627162A (ja) * 1985-07-03 1987-01-14 Fuji Electric Co Ltd 逆導通ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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Publication number Publication date
JPH0526771Y2 (ja) 1993-07-07

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