JPS629231B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS629231B2
JPS629231B2 JP56006309A JP630981A JPS629231B2 JP S629231 B2 JPS629231 B2 JP S629231B2 JP 56006309 A JP56006309 A JP 56006309A JP 630981 A JP630981 A JP 630981A JP S629231 B2 JPS629231 B2 JP S629231B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoconductor
electrodes
optical
shows
exposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56006309A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57120811A (en
Inventor
Akira Uchama
Masahiro Akyama
Satoru Nishikawa
Katsuzo Uenishi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP56006309A priority Critical patent/JPS57120811A/ja
Publication of JPS57120811A publication Critical patent/JPS57120811A/ja
Publication of JPS629231B2 publication Critical patent/JPS629231B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/10Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Optical Transform (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光学情報の良好な検出率を得ること
ができる光学読取センサに関するものである。
従来の光導電形光学読取センサ素子を第1図に
示す。第1図において1―1は光導電体、1―2
と1―3は両電極、1―4は絶縁体基板、矢印Y
は光の照射を示す。第2図は第1図で示した光学
読取センサに断面が円形の光が照射している様子
を示し、2―1は光導電体部、2―2と2―3は
両電極の如く構成されており、円a,b,c,
d,e,fはそれぞれ円形の露光した部分であ
る。第2図において、円aの如く露光した場合、
a内の光導電体部は導電率が極端に大きくなり、
両電極間に接するので、光学情報を検出すること
ができる。ところがa〜fのいずれかが露光して
も、またcとdが同時に露光しても光学情報を得
る事はできない。円bのような小さな露光を検出
するには光導電体の幅lを小さくすればよい。し
かし、lは小さくしても、円e,fのような電極
部だけに照射された光は検出することができず、
しかも素子の大きさつまりx,yの長さは、制作
上ある程度以下にすることができないので、必然
的な読み落としが存在するという欠点があつた。
従つて本発明は従来の技術の上記欠点を改善す
るもので、その目的は光学センサ素子の両電極に
達する連続した露光がなくても光学情報をよみと
ることにより読み落しを低減する光学読取センサ
を提供することにあり、その特徴は、絶縁基板
と、その上にもうけられる光導電体材料と、該光
導電体材料の両端に形成される1対の電極とを有
する光学読取センサにおいて、絶縁基板と光導電
体材料との間に導電層が、光導電体材料の受光面
のほぼ全面に対向して、前記電極に接触しないよ
うにもうけられるごとき光学読取センサにある。
以下図面により実施例を説明する。
第3図は本発明の第1の実施例であつて、3―
1は光導電体部、3―2と3―3は両電極、3―
4は導体金属膜、3―5は絶縁体基板であり、矢
印Yは、光の照射を示す。第4図は第3図で示さ
れた実施例の動作を示すものであり、4―1は光
導電体、4―2・4―3は両電極、4―4は導体
金属膜、4―5は絶縁体基板であり、a,b,c
は光の照射部、b′,c′は導電率が大きくなつた光
導電体部を示す。第4図において円aの如く露光
すると、第2図における露光aと同様にして光学
情報を得ることができる。さらに、第4図におい
てb,cが同時に露光された場合を考えると、
b,cの露光によりb′,c′の光導電体部の導電率
が増し、両電極は、b′,c′、導体金属部4―4を
経て導通し、光学情報を得ることができる。
以上説明したように、第1の実施例では両電極
間に達する光導電体部が連続して露光されなくと
も、両電極に接する光導電体の一部が同時に露光
されるだけでも光学情報を得ることができるの
で、読み落としを低減させることができる利点が
ある。
第1の実施例において両電極の形状は従来のも
のと同じであるが、第5図に示す如く両電極を作
成することにより、第1の実施例における効果以
上の効果が生じる。第5図において、aは両電極
が交叉歯状に構成されており、bは両電極が渦巻
き状に構成されており、5―1は光導電体、5―
2・5―3は両電極、5―4は光導電体、5―
5・5―6は両電極である。
本発明は露光部が光導電体をはさむ両電極に達
しなくても光を検出することができ、読み落とし
を低減させることができる利点があり、OCR、
フアクシミリ等の読み取り効率のよい光学読取セ
ンサに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の光導電形光学読取センサ素子、
第2図は従来の光学読取センサ素子の動作説明、
第3図は本発明の第1の実施例、第4図は第1の
実施例における動作説明、第5図は本発明の第2
の実施例である。 1―1……光導電体部、1―2・1―3……両
電極、1―4……絶縁体基板、Y……光の照射、
2―1……光導電体部、2―2・2―3……両電
極、a,b,c,d,e,f……光の照射、l…
…光導電体の幅、x,y……センサ素子のサイ
ズ、3―1……光導電体部、3―2・3―3……
両電極、3―4……金属膜、3―5……絶縁体基
板、Y……光の照射、4―1……光導電体部、4
―2・4―3……両電極、4―4……金属膜、4
―5……絶縁体基板、a,b,c……光の照射、
b′,c′……b,cによる露光で導電率の増した光
導電体部、5―1……光導電体部、5―2・5―
3……両電極、5―4……光導電体部、5―5・
5―6……両電極、a……両電極が交叉歯状に配
置されているセンサ素子、b……両電極が渦巻状
に配置されているセンサ素子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 絶縁基板と、その上にもうけられる光導電体
    材料と、該光導電体材料の両端に形成される1対
    の電極とを有する光学読取センサにおいて、絶縁
    基板と光導電体材料との間に導電層が、光導電体
    材料の受光面のほゞ全面に対向して、前記電極に
    接触しないようにもうけられることを特徴とする
    光学読取センサ。
JP56006309A 1981-01-21 1981-01-21 Optical reading sensor Granted JPS57120811A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56006309A JPS57120811A (en) 1981-01-21 1981-01-21 Optical reading sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56006309A JPS57120811A (en) 1981-01-21 1981-01-21 Optical reading sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57120811A JPS57120811A (en) 1982-07-28
JPS629231B2 true JPS629231B2 (ja) 1987-02-27

Family

ID=11634765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56006309A Granted JPS57120811A (en) 1981-01-21 1981-01-21 Optical reading sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS57120811A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59167054A (ja) * 1983-03-11 1984-09-20 Mitsubishi Electric Corp 光電変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57120811A (en) 1982-07-28

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