JPS629519A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS629519A JPS629519A JP60148732A JP14873285A JPS629519A JP S629519 A JPS629519 A JP S629519A JP 60148732 A JP60148732 A JP 60148732A JP 14873285 A JP14873285 A JP 14873285A JP S629519 A JPS629519 A JP S629519A
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- JP
- Japan
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- containing layer
- magnetic recording
- recording medium
- thin film
- metal oxide
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、情報産業分野等で利用される高記碌密度の磁
気記録媒体忙関する。
気記録媒体忙関する。
従来の技術
情報の高密度記録の要求にともない有機バインダーにr
F e 203等強磁性粉末を分散させた塗布型磁
気記録媒体に代って、プラスチック等の非磁性基板に真
空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法
等で直接強磁性金属薄膜を設けた磁気記録媒体が研究開
発され、一部実用に供されている。
F e 203等強磁性粉末を分散させた塗布型磁
気記録媒体に代って、プラスチック等の非磁性基板に真
空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法
等で直接強磁性金属薄膜を設けた磁気記録媒体が研究開
発され、一部実用に供されている。
発明が解決しようとする問題点
強磁性金属の媒体は、記録再生時に於いて、ヘッドとの
接触走査で該薄膜層が容易に剥離、摩耗。
接触走査で該薄膜層が容易に剥離、摩耗。
損傷等を起こす。上記欠陥を改善するため、媒体の表面
上に保護膜を設けることが提案されている。
上に保護膜を設けることが提案されている。
例えばSio2.An203.等の金属酸化物層を形成
し、その表面に脂肪酸系潤滑剤の皮膜を形成し、複合保
護膜とする(特開昭59−154642号公報)提案が
、なされている。しかしながらこの場合、脂肪酸系潤滑
剤が、下地の酸化物層との結合が弱くかつ、耐熱性が低
いために、磁気記録ヘッドとの接触走行中に、剥離及び
摩擦熱による分解が生じて長期の耐久性に対して効果が
少ない。
し、その表面に脂肪酸系潤滑剤の皮膜を形成し、複合保
護膜とする(特開昭59−154642号公報)提案が
、なされている。しかしながらこの場合、脂肪酸系潤滑
剤が、下地の酸化物層との結合が弱くかつ、耐熱性が低
いために、磁気記録ヘッドとの接触走行中に、剥離及び
摩擦熱による分解が生じて長期の耐久性に対して効果が
少ない。
問題点を解決するための手段
非磁性基板上に設けた強磁性金属薄膜面上に、金属酸化
物含有層を形成し、その金属酸化物含有層表面に、ポリ
ホスファゼン含有層を形成して保護膜とする。
物含有層を形成し、その金属酸化物含有層表面に、ポリ
ホスファゼン含有層を形成して保護膜とする。
作 用
強磁性金属薄膜表面の金属酸化物含有層による耐摩耗性
向上と滑剤ホスファゼンとの結合力を高めると同時に、
滑剤自身の耐熱性、耐酸化性により離脱及び分解が抑制
されるために、耐久性の優れた高記録密度の磁気記録媒
体を得ることが出来る。
向上と滑剤ホスファゼンとの結合力を高めると同時に、
滑剤自身の耐熱性、耐酸化性により離脱及び分解が抑制
されるために、耐久性の優れた高記録密度の磁気記録媒
体を得ることが出来る。
実施例
図は、本発明の磁気記録媒体の断面図である。
図において、1は非磁性基板、2は強磁性金属薄膜、3
は金属酸化物含有層、4はポリホスファゼン含有層であ
る。本発明による磁気記録媒体に使用し得る非磁性基板
1としては、ポリ塩化ビニル。
は金属酸化物含有層、4はポリホスファゼン含有層であ
る。本発明による磁気記録媒体に使用し得る非磁性基板
1としては、ポリ塩化ビニル。
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド
等の高分子材料、アルミニウム等の非磁性金属材料、ガ
ラス、磁器等のセラミック材料等周知の材料からなるフ
ィルム、板状等が挙げられる。
等の高分子材料、アルミニウム等の非磁性金属材料、ガ
ラス、磁器等のセラミック材料等周知の材料からなるフ
ィルム、板状等が挙げられる。
また本発明の磁気記録媒体に使用し得る強磁性金属薄膜
2としては、鉄、コバルト、ニッケルの1種以上の合金
または、これらとマンガン、クロム。
2としては、鉄、コバルト、ニッケルの1種以上の合金
または、これらとマンガン、クロム。
チタン、リン、イツトリウム、サマリウム、ビスマス等
とを組合せた合金等がある。非磁性基板1上に強磁性金
属薄膜2を形成させるには、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、メッキ法等周知の方法
を用いる。本発明においては、上述した如き強磁性金属
薄膜2面上に、金属酸化物含有層3を形成し、さらにそ
の表面にポリホスファゼン含有層4を設けるものである
。
とを組合せた合金等がある。非磁性基板1上に強磁性金
属薄膜2を形成させるには、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、メッキ法等周知の方法
を用いる。本発明においては、上述した如き強磁性金属
薄膜2面上に、金属酸化物含有層3を形成し、さらにそ
の表面にポリホスファゼン含有層4を設けるものである
。
本発明で使用し得る金属酸化物層3としては、A2゜0
3.Fe2o3,5IO2,ZrO2,TiO2,WO
2゜CrO2,フェライト、複合ガラスが挙げられる。
3.Fe2o3,5IO2,ZrO2,TiO2,WO
2゜CrO2,フェライト、複合ガラスが挙げられる。
フェライトは、一般式MO・Fe2o3(式中Mは、M
n 、Co 、Nl 、Cu 、Zn から
選ばれた少くとも一種である)なる組成を持つものであ
る。
n 、Co 、Nl 、Cu 、Zn から
選ばれた少くとも一種である)なる組成を持つものであ
る。
上記の金属酸化物含有層を形成させる方法としては、ス
パッタリング法9反応性蒸着2反応性イオンブレーティ
ング及び、AIl、Si 、Zr、Ti 、Wアルコラ
ードを加水分解して重合する塗膜法があり、特に、St
アルコラードと2τアルコラード、Tiアルコラード、
Wアルコラードのいずれかを混合して作製した複合ガラ
ス皮膜は、熱膨張係数等の物性制御、量産性において有
効であった。CrO2の場合は、上記方法以外に、Co
−Cr系強磁性金属膜をある一定条件で希硝酸処理をす
る事により選択的にCr O2皮膜を磁性薄膜上に形成
することが出来た。
パッタリング法9反応性蒸着2反応性イオンブレーティ
ング及び、AIl、Si 、Zr、Ti 、Wアルコラ
ードを加水分解して重合する塗膜法があり、特に、St
アルコラードと2τアルコラード、Tiアルコラード、
Wアルコラードのいずれかを混合して作製した複合ガラ
ス皮膜は、熱膨張係数等の物性制御、量産性において有
効であった。CrO2の場合は、上記方法以外に、Co
−Cr系強磁性金属膜をある一定条件で希硝酸処理をす
る事により選択的にCr O2皮膜を磁性薄膜上に形成
することが出来た。
ポリホスファゼンとしては、一般式;
(式中、m 、 m’ は0〜7の整数、nは、4〜
3oの整数である) で表ワされるポリフロロアルコキシホスファゼンが特に
好ましい。側鎖分子のm 、 m’ が7以上の場合
は、耐熱性、潤滑性が低下をきたした。主鎖のnが4未
満の場合は、耐熱性、下地との結合力の低下をきたし耐
久性を充分発揮出来ず又、31以上の場合は、ポリホス
ファゼンが溶媒に難溶になるため下地表面に均一膜を作
り難くなシ保護膜の機能を発揮できなかった。ポリホス
ファゼン含有層の形成法は、エタノール、メチルイソブ
チルケトン、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン
、ジメチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルフォオキシドの溶媒に、溶解し、塗布工程で薄膜を形
成した。金属酸化物含有層厚みとポリホスファゼン含有
層厚みの和は、50〜600人が好適であった。601
Å以上になると信号再生時にスペーシングロスにより出
力低下が生じ、ω人未満の時は、均一な保護膜を形成し
難く、耐摩耗性、潤滑性に問題を生じた。
3oの整数である) で表ワされるポリフロロアルコキシホスファゼンが特に
好ましい。側鎖分子のm 、 m’ が7以上の場合
は、耐熱性、潤滑性が低下をきたした。主鎖のnが4未
満の場合は、耐熱性、下地との結合力の低下をきたし耐
久性を充分発揮出来ず又、31以上の場合は、ポリホス
ファゼンが溶媒に難溶になるため下地表面に均一膜を作
り難くなシ保護膜の機能を発揮できなかった。ポリホス
ファゼン含有層の形成法は、エタノール、メチルイソブ
チルケトン、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン
、ジメチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルフォオキシドの溶媒に、溶解し、塗布工程で薄膜を形
成した。金属酸化物含有層厚みとポリホスファゼン含有
層厚みの和は、50〜600人が好適であった。601
Å以上になると信号再生時にスペーシングロスにより出
力低下が生じ、ω人未満の時は、均一な保護膜を形成し
難く、耐摩耗性、潤滑性に問題を生じた。
以下に実施例をもって説明する。
実施例−1
厚さ20μmのポリイミドフィルム基板上に、真空蒸着
法によりコバルト(90wt%)−クロム(1owtl
からなる膜厚1600人の強磁性金属薄膜を作った。こ
の媒体の表面に、反応性蒸着法によりAt203の酸化
物層を112人形成し、さらにその表面にポリジトリフ
ロロエトキシホスファゼン(m 、 m’= O、n
= 4 )のo、1wt %エタノール溶液を塗布乾燥
し厚みが164人の薄膜を形成した。膜厚測定は、エリ
プソメーターで測定した(以下すべてこの方法を用いた
。)。試料形状は3.6インチのディスクとした。
法によりコバルト(90wt%)−クロム(1owtl
からなる膜厚1600人の強磁性金属薄膜を作った。こ
の媒体の表面に、反応性蒸着法によりAt203の酸化
物層を112人形成し、さらにその表面にポリジトリフ
ロロエトキシホスファゼン(m 、 m’= O、n
= 4 )のo、1wt %エタノール溶液を塗布乾燥
し厚みが164人の薄膜を形成した。膜厚測定は、エリ
プソメーターで測定した(以下すべてこの方法を用いた
。)。試料形状は3.6インチのディスクとした。
実施例−2
実施例1と同構成の強磁性金属薄膜表面に、スパッタ法
により膜厚105人のZnフェライト薄膜を設けた。さ
らにその表面にポリジペンタフロロプロポオキシホスフ
ァゼン(m 、 m’= 1 、 n=6)の0.06
wt%テトラヒドロフラン溶液を塗布乾燥し210人の
薄膜を形成した。試料形状は、実施例1と同じ様に作製
した。
により膜厚105人のZnフェライト薄膜を設けた。さ
らにその表面にポリジペンタフロロプロポオキシホスフ
ァゼン(m 、 m’= 1 、 n=6)の0.06
wt%テトラヒドロフラン溶液を塗布乾燥し210人の
薄膜を形成した。試料形状は、実施例1と同じ様に作製
した。
実施例−3
厚さ60μmのポリエチレンテレフタレート基板上に、
スパッタ法でコバルト(86%)−クロム(151から
なる膜厚20oO人の強磁性金属薄膜表面にSiイソプ
ロピレートとZrインプロピレートの複合溶液(商品名
グラス力401、力板研究所製)を触媒存在下で100
℃で加水分解し重合させ、Zr0−3iO3の組成から
なるガラス皮膜(厚み2oo人)形成した。さらにその
表面ニポリフロロアルコキシホスファゼン(m 、 m
’=4 、rx=1o)の0 、05wt% (7)ジ
メチルホルムアミドとアセトン(体積比1:4)の混合
溶媒溶液を塗布乾燥し120人の厚みの薄膜を形成した
。
スパッタ法でコバルト(86%)−クロム(151から
なる膜厚20oO人の強磁性金属薄膜表面にSiイソプ
ロピレートとZrインプロピレートの複合溶液(商品名
グラス力401、力板研究所製)を触媒存在下で100
℃で加水分解し重合させ、Zr0−3iO3の組成から
なるガラス皮膜(厚み2oo人)形成した。さらにその
表面ニポリフロロアルコキシホスファゼン(m 、 m
’=4 、rx=1o)の0 、05wt% (7)ジ
メチルホルムアミドとアセトン(体積比1:4)の混合
溶媒溶液を塗布乾燥し120人の厚みの薄膜を形成した
。
試料は、実施例1,2と同様な形状に作製した。
実施例−4
実施例3と同構成の強磁性金属薄膜を0.1さらにその
表面にポリフロロアルコキシホスファゼン(m、m’=
6.n=25)の0 、01 wt %のジメチルスル
ホオキシドとテトラヒドロフラン(体積比1:3)の混
合溶媒溶液を塗布乾燥し266人の厚みの薄膜を形成し
、前記実施例と同様な試料を作製した。
表面にポリフロロアルコキシホスファゼン(m、m’=
6.n=25)の0 、01 wt %のジメチルスル
ホオキシドとテトラヒドロフラン(体積比1:3)の混
合溶媒溶液を塗布乾燥し266人の厚みの薄膜を形成し
、前記実施例と同様な試料を作製した。
比較例−1
実施例1,2と同構成の強磁性金属薄膜上にステアリン
酸含有層厚み200人のみを設け、実施例と同形状の試
料を作製した。
酸含有層厚み200人のみを設け、実施例と同形状の試
料を作製した。
比較例−2
実施例3,4と同構成の強磁性金属薄膜上に、スパッタ
法により膜厚200人の8102薄膜を設け、さらにそ
の表面にパーフルオロラウリン酸含有層を100人の厚
みに形成した。実施例と同様な形状の試料を作製した。
法により膜厚200人の8102薄膜を設け、さらにそ
の表面にパーフルオロラウリン酸含有層を100人の厚
みに形成した。実施例と同様な形状の試料を作製した。
上記実施例および比較例で得られた各磁気ディスクだつ
いて媒体表面の摩擦係数、耐久性を調べた結果を、表1
に示した。試験条件は下記に示した。
いて媒体表面の摩擦係数、耐久性を調べた結果を、表1
に示した。試験条件は下記に示した。
a 摩擦試験条件
測定機;往復静、動摩擦係数自動測定機ヘッド材料、形
状:鋼球(SUJ)直径3 m / m l 荷重 :20gr l走行速度 ;1oIIII/S 測定雰囲気 ;26℃ 6o%RH b 耐久試験条件 測定機;ディスクタイプ磁気記録測定機ヘッド荷重;1
0gr l走行速度: 3 m/S 測定雰囲気:25℃ 60%RH 出力が初期値より3dB低下するまでの走行回数を測定
した。
状:鋼球(SUJ)直径3 m / m l 荷重 :20gr l走行速度 ;1oIIII/S 測定雰囲気 ;26℃ 6o%RH b 耐久試験条件 測定機;ディスクタイプ磁気記録測定機ヘッド荷重;1
0gr l走行速度: 3 m/S 測定雰囲気:25℃ 60%RH 出力が初期値より3dB低下するまでの走行回数を測定
した。
表−1
表−1の結果から明らかなように、本発明品は、潤滑性
、耐久性に共に優れている。実施何以外にも、5io2
−TiO□、5io2−WO2の複合ガラスとポリフロ
ロアルコキシホスファゼンの組み合せにおいても同等の
効果をもたらした。
、耐久性に共に優れている。実施何以外にも、5io2
−TiO□、5io2−WO2の複合ガラスとポリフロ
ロアルコキシホスファゼンの組み合せにおいても同等の
効果をもたらした。
発明の効果
本発明の磁気記録媒体は、潤滑性、耐久性に優れている
ことが確認され、実用上きわめて有益なものである。
ことが確認され、実用上きわめて有益なものである。
図は、本発明の実施例における磁気記録媒体の断面図で
ある。 1・・・・・・非磁性基板、2・・・・・・強磁性金属
薄膜、3・・・・・・金属酸化物含有層、4・・・・・
・ポリホスファゼン含有層。
ある。 1・・・・・・非磁性基板、2・・・・・・強磁性金属
薄膜、3・・・・・・金属酸化物含有層、4・・・・・
・ポリホスファゼン含有層。
Claims (5)
- (1)非磁性基板上に設けた強磁性金属薄膜面上に、金
属酸化物含有層を形成し、その金属酸化物含有層表面に
、ポリホスファゼン含有層を形成した磁気記録媒体。 - (2)金属酸化物含有層が、Al、Fe、Si、Zr、
Ti、W、Crの内の何れかの酸化物である特許請求の
範囲第1項記載の磁気記録媒体。 - (3)金属酸化物含有層が、つぎの一般式;MO・Fe
_2O_3 (式中Mは、Mn^2^+、Fe^2^+、Co^2^
+、Ni^2^+、Cu^2^+、Zn^2^+から選
ばれた少なくとも一種である。)で表わされるフェライ
トである特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。 - (4)金属酸化物含有層が、酸化硅素と酸化ジルコニア
、酸化チタン、酸化タングステンよりなる群から選んだ
少なくとも一つからなる複合ガラスからなる特許請求の
範囲第1項記載の磁気記録媒体。 - (5)ポリホスファゼンがつぎの一般式; ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中m、m′は0〜7の整数、nは4〜30の整数で
ある。)で表わされるポリフロロアルコキシホスファゼ
ンである特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14873285A JPH0675285B2 (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14873285A JPH0675285B2 (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629519A true JPS629519A (ja) | 1987-01-17 |
| JPH0675285B2 JPH0675285B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=15459366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14873285A Expired - Lifetime JPH0675285B2 (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675285B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63262386A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | 株式会社日立製作所 | エレベ−タ−の運転装置 |
| JPH02168419A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-06-28 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0383796A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-09 | Hitachi Elevator Eng & Service Co Ltd | エレベータの扉制御装置 |
| KR101209266B1 (ko) | 2010-06-30 | 2012-12-06 | 한국과학기술연구원 | 생분해성 및 온도 감응성 폴리포스파젠계 자성 고분자, 그의 제조 방법 및 용도 |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP14873285A patent/JPH0675285B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63262386A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | 株式会社日立製作所 | エレベ−タ−の運転装置 |
| JPH02168419A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-06-28 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0383796A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-09 | Hitachi Elevator Eng & Service Co Ltd | エレベータの扉制御装置 |
| KR101209266B1 (ko) | 2010-06-30 | 2012-12-06 | 한국과학기술연구원 | 생분해성 및 온도 감응성 폴리포스파젠계 자성 고분자, 그의 제조 방법 및 용도 |
| US9017726B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-04-28 | Korea Institute Of Science And Technology | Biodegradable and thermosensitive poly(organophosphazene)-superparamagnetic nanoparticle complex, preparation method and use thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0675285B2 (ja) | 1994-09-21 |
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