JPH0675285B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0675285B2 JPH0675285B2 JP14873285A JP14873285A JPH0675285B2 JP H0675285 B2 JPH0675285 B2 JP H0675285B2 JP 14873285 A JP14873285 A JP 14873285A JP 14873285 A JP14873285 A JP 14873285A JP H0675285 B2 JPH0675285 B2 JP H0675285B2
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、情報産業分野等で利用される高記録密度の磁
気記録媒体に関する。
気記録媒体に関する。
従来の技術 情報の高密度記録の要求にともない有機バインダーにγ
−Fe2O3等強磁性粉末を分散させた塗布型磁気記録媒体
に代って、プラスチック等の非磁性基板に真空蒸着法,
スパッタリング法,イオンプレーティング法等で直接強
磁性金属薄膜を設けた磁気記録媒体が研究開発され、一
部実用に供されている。
−Fe2O3等強磁性粉末を分散させた塗布型磁気記録媒体
に代って、プラスチック等の非磁性基板に真空蒸着法,
スパッタリング法,イオンプレーティング法等で直接強
磁性金属薄膜を設けた磁気記録媒体が研究開発され、一
部実用に供されている。
発明が解決しようとする問題点 強磁性金属の媒体は、記録再生時に於いて、ヘッドとの
接触走査で該薄膜層が容易に剥離,摩耗,損傷等を起こ
す。上記欠陥を改善するため、媒体の表面上に保護膜を
設けることが提案されている。例えばSiO2,Al2O3,等
の金属酸化物層を形成し、その表面に脂肪酸系潤滑剤の
皮膜を形成し、複合保護膜とする(特開昭59-154642号
公報)提案が、なされている。しかしながらこの場合、
脂肪酸系潤滑剤が、下地の酸化物層との結合が弱くか
つ、耐熱性が低いために、磁気記録ヘッドとの接触走行
中に、剥離及び摩擦熱による分解が生じて長期の耐久性
に対して効果が少ない。
接触走査で該薄膜層が容易に剥離,摩耗,損傷等を起こ
す。上記欠陥を改善するため、媒体の表面上に保護膜を
設けることが提案されている。例えばSiO2,Al2O3,等
の金属酸化物層を形成し、その表面に脂肪酸系潤滑剤の
皮膜を形成し、複合保護膜とする(特開昭59-154642号
公報)提案が、なされている。しかしながらこの場合、
脂肪酸系潤滑剤が、下地の酸化物層との結合が弱くか
つ、耐熱性が低いために、磁気記録ヘッドとの接触走行
中に、剥離及び摩擦熱による分解が生じて長期の耐久性
に対して効果が少ない。
問題点を解決するための手段 非磁性基板上に設けた強磁性金属薄膜面上に、金属酸化
物含有層を形成し、その金属酸化物含有層表面に、ポリ
ホスファゼン含有層を形成して保護膜とする。
物含有層を形成し、その金属酸化物含有層表面に、ポリ
ホスファゼン含有層を形成して保護膜とする。
作用 強磁性金属薄膜表面の金属酸化物含有層による耐摩耗性
向上と滑剤ホスホファゼンとの結合力を高めると同時
に、滑剤自身の耐熱性,耐酸化性により離脱及び分解が
抑制されるために、耐久性の優れた高記録密度の磁気記
録媒体を得ることが出来る。
向上と滑剤ホスホファゼンとの結合力を高めると同時
に、滑剤自身の耐熱性,耐酸化性により離脱及び分解が
抑制されるために、耐久性の優れた高記録密度の磁気記
録媒体を得ることが出来る。
実施例 図は、本発明の磁気記録媒体の断面図である。図におい
て、1は非磁性基板、2は強磁性金属薄膜、3は金属酸
化物含有層、4はポリホスファゼン含有層である。本発
明による磁気記録媒体に使用し得る非磁性基板1として
は、ポリ塩化ビニル,ポリエチレンテレフタレート,ポ
リイミド,ポリアミド等の高分子材料,アルミニウム等
の非磁性金属材料,ガラス,磁器等のセラミック材料等
周知の材料からなるフィルム,板状等が挙げられる。ま
た本発明の磁気記録媒体に使用し得る強磁性金属薄膜2
としては、鉄,コバルト,ニッケルの1種以上の合金ま
たは、これらとマンガン,クロム,チタン,リン,イッ
トリウム,サマリウム,ビスマス等とを組合せた合金等
がある。非磁性基板1上に強磁性金属薄膜2を形成させ
るには、真空蒸着法,スパッタリング法,イオンプレー
ティング法,メッキ法等周知の方法を用いる。本発明に
おいては、上述した如き強磁性金属薄膜2面上に、金属
酸化物含有層3を形成し、さらにその表面にポリホスフ
ァゼン含有層4を設けるものである。本発明で使用し得
る金属酸化物層3としては、Al2O3,Fe2O3,SiO2,Zr
O2,TiO2,WO2,CrO2,フェライト,複合ガラスが挙げ
られる。フェライトは、一般式MO・Fe2O3(式中Mは、M
n2+,Co2+,Ni2+,Cu2+,Zn2+から選ばれた少なくとも
一種である)なる組成を持つものである。上記の金属酸
化物含有層を形成させる方法としては、スパッタリング
法,反応性蒸着,反応性イオンプレーティング及び、A
l,Si,Zr,Ti,Wアルコラートを加水分解して重合する塗膜
法があり、特に、SiアルコラートとZrアルコラート,Ti
アルコラート,Wアルコラートのいずれかを混合して作製
した複合ガラス皮膜は、熱膨張係数等の物性制御,量産
性において有効であった。CrO2の場合は、上記方法以外
に、Co−Cr系強磁性金属膜をある一定条件で希硝酸処理
をする事により選択的にCrO2皮膜を磁性薄膜上に形成す
ることが出来た。
て、1は非磁性基板、2は強磁性金属薄膜、3は金属酸
化物含有層、4はポリホスファゼン含有層である。本発
明による磁気記録媒体に使用し得る非磁性基板1として
は、ポリ塩化ビニル,ポリエチレンテレフタレート,ポ
リイミド,ポリアミド等の高分子材料,アルミニウム等
の非磁性金属材料,ガラス,磁器等のセラミック材料等
周知の材料からなるフィルム,板状等が挙げられる。ま
た本発明の磁気記録媒体に使用し得る強磁性金属薄膜2
としては、鉄,コバルト,ニッケルの1種以上の合金ま
たは、これらとマンガン,クロム,チタン,リン,イッ
トリウム,サマリウム,ビスマス等とを組合せた合金等
がある。非磁性基板1上に強磁性金属薄膜2を形成させ
るには、真空蒸着法,スパッタリング法,イオンプレー
ティング法,メッキ法等周知の方法を用いる。本発明に
おいては、上述した如き強磁性金属薄膜2面上に、金属
酸化物含有層3を形成し、さらにその表面にポリホスフ
ァゼン含有層4を設けるものである。本発明で使用し得
る金属酸化物層3としては、Al2O3,Fe2O3,SiO2,Zr
O2,TiO2,WO2,CrO2,フェライト,複合ガラスが挙げ
られる。フェライトは、一般式MO・Fe2O3(式中Mは、M
n2+,Co2+,Ni2+,Cu2+,Zn2+から選ばれた少なくとも
一種である)なる組成を持つものである。上記の金属酸
化物含有層を形成させる方法としては、スパッタリング
法,反応性蒸着,反応性イオンプレーティング及び、A
l,Si,Zr,Ti,Wアルコラートを加水分解して重合する塗膜
法があり、特に、SiアルコラートとZrアルコラート,Ti
アルコラート,Wアルコラートのいずれかを混合して作製
した複合ガラス皮膜は、熱膨張係数等の物性制御,量産
性において有効であった。CrO2の場合は、上記方法以外
に、Co−Cr系強磁性金属膜をある一定条件で希硝酸処理
をする事により選択的にCrO2皮膜を磁性薄膜上に形成す
ることが出来た。
ポリホスファゼンとしては、一般式; (式中、m,m′は0〜7の整数,nは、4〜30の整数であ
る) で表わされるポリフロロアルコキシホスファゼンが特に
好ましい。側鎖分子のm,m′が7以上の場合は、耐熱
性,潤滑性が低下をきたした。主鎖のnが4未満の場合
は、耐熱性、下地との結合力の低下をきたし耐久性を充
分発揮出来ず又、31以上の場合は、ポリホスファゼンが
溶媒に難溶になるため下地表面に均一膜を作り難くなり
保護膜の機能を発揮できなかった。ポリホスファゼン含
有層の形成法は、エタノール,メチルイソブチルケト
ン,テトラヒドロフラン,メチルエチルケトン、ジメチ
ルケトン、ジメチルホルムアミド,ジメチルスルフォオ
キシドの溶媒に、溶解し、塗布工程で薄膜を形成した。
金属酸化物含有層厚みとポリホスファゼン含有層厚みの
和は、50〜500Åが好適であった。501Å以上になると信
号再生時にスペーシングロスにより出力低下が生じ、50
Å未満の時は、均一な保護膜を形成し難く、耐摩耗性,
潤滑性に問題を生じた。
る) で表わされるポリフロロアルコキシホスファゼンが特に
好ましい。側鎖分子のm,m′が7以上の場合は、耐熱
性,潤滑性が低下をきたした。主鎖のnが4未満の場合
は、耐熱性、下地との結合力の低下をきたし耐久性を充
分発揮出来ず又、31以上の場合は、ポリホスファゼンが
溶媒に難溶になるため下地表面に均一膜を作り難くなり
保護膜の機能を発揮できなかった。ポリホスファゼン含
有層の形成法は、エタノール,メチルイソブチルケト
ン,テトラヒドロフラン,メチルエチルケトン、ジメチ
ルケトン、ジメチルホルムアミド,ジメチルスルフォオ
キシドの溶媒に、溶解し、塗布工程で薄膜を形成した。
金属酸化物含有層厚みとポリホスファゼン含有層厚みの
和は、50〜500Åが好適であった。501Å以上になると信
号再生時にスペーシングロスにより出力低下が生じ、50
Å未満の時は、均一な保護膜を形成し難く、耐摩耗性,
潤滑性に問題を生じた。
以下に実施例をもって説明する。
実施例−1 暑さ20μmのポリイミドフィルム基板上に、真空蒸着法
によりコバルト(90wt%)−クロム(10wt%)からなる
膜厚1500Åの強磁性金属薄膜を作った。この媒体の表面
に、反応性蒸着法によりAl2O3の酸化物層を112Å形成
し、さらにその表面にポリジトリフロロエトキシホスフ
ァゼン(m,m′=0,n=4)の0.1wt%エタノール溶液を
塗布乾燥し厚みが154Åの薄膜を形成した。膜厚測定
は、エリプソメーターで測定した(以下すべてこの方法
を用いた。)。試料形状は3.5インチのディスクとし
た。
によりコバルト(90wt%)−クロム(10wt%)からなる
膜厚1500Åの強磁性金属薄膜を作った。この媒体の表面
に、反応性蒸着法によりAl2O3の酸化物層を112Å形成
し、さらにその表面にポリジトリフロロエトキシホスフ
ァゼン(m,m′=0,n=4)の0.1wt%エタノール溶液を
塗布乾燥し厚みが154Åの薄膜を形成した。膜厚測定
は、エリプソメーターで測定した(以下すべてこの方法
を用いた。)。試料形状は3.5インチのディスクとし
た。
実施例−2 実施例1と同構成の強磁性金属薄膜表面に、スパッタ法
により膜厚105ÅのZnフェライト薄膜を設けた。さらに
その表面にポリジペンタフロロプロポオキシホスファゼ
ン(m,m′=1,n=6)の0.05wt%テトラヒドロフラン溶
液を塗布乾燥し210Åの薄膜を形成した。試料形状は、
実施例1と同じ様に作製した。
により膜厚105ÅのZnフェライト薄膜を設けた。さらに
その表面にポリジペンタフロロプロポオキシホスファゼ
ン(m,m′=1,n=6)の0.05wt%テトラヒドロフラン溶
液を塗布乾燥し210Åの薄膜を形成した。試料形状は、
実施例1と同じ様に作製した。
実施例−3 暑さ50μmのポリエチレンテレフタレート基板上に、ス
パッタ法でコバルト(85%)−クロム(15%)からなる
膜厚2000Åの強磁性金属薄膜表面にSiイソプロピレート
とZrイソプロピレートの複合溶液(商品名グラスカ40
1、月板研究所製)を触媒存在下で100℃で加水分解し重
合させ、ZrO2‐SiO2の組成からなるガラス皮膜(厚み20
0Å)形成した。さらにその表面にポリフロロアルコキ
シホスファゼン(m,m′=4,n=10)の0.05wt%のジメチ
ルホルムアミドとアセトン(体積比1:4)の混合溶媒溶
液を塗布乾燥し120Åの厚みの薄膜を形成した。試料
は、実施例1,2と同様な形状に作製した。
パッタ法でコバルト(85%)−クロム(15%)からなる
膜厚2000Åの強磁性金属薄膜表面にSiイソプロピレート
とZrイソプロピレートの複合溶液(商品名グラスカ40
1、月板研究所製)を触媒存在下で100℃で加水分解し重
合させ、ZrO2‐SiO2の組成からなるガラス皮膜(厚み20
0Å)形成した。さらにその表面にポリフロロアルコキ
シホスファゼン(m,m′=4,n=10)の0.05wt%のジメチ
ルホルムアミドとアセトン(体積比1:4)の混合溶媒溶
液を塗布乾燥し120Åの厚みの薄膜を形成した。試料
は、実施例1,2と同様な形状に作製した。
実施例−4 実施例3と同構成の強磁性金属薄膜を0.1NHNO3溶液に1
分間浸漬した後95℃で1分間熱風乾燥して、その表面に
CrO2の皮膜を形成した。さらにその表面にポリフロロア
ルコキシホスファゼン(m,m′=6,n=25)の0.01wt%の
ジメチルスルホオキシドとテトラヒドロフラン(体積比
1:3)の混合溶媒溶液を塗布乾燥し255Åの厚みの薄膜を
形成し、前記実施例と同様な試料を作製した。
分間浸漬した後95℃で1分間熱風乾燥して、その表面に
CrO2の皮膜を形成した。さらにその表面にポリフロロア
ルコキシホスファゼン(m,m′=6,n=25)の0.01wt%の
ジメチルスルホオキシドとテトラヒドロフラン(体積比
1:3)の混合溶媒溶液を塗布乾燥し255Åの厚みの薄膜を
形成し、前記実施例と同様な試料を作製した。
比較例−1 実施例1,2と同構成の強磁性金属薄膜上にステアリン酸
含有層厚み200Åのみを設け、実施例と同形状の試料を
作製した。
含有層厚み200Åのみを設け、実施例と同形状の試料を
作製した。
比較例−2 実施例3,4と同構成の強磁性金属薄膜上に、スパッタ法
により膜厚200ÅのSiO2の薄膜を設け、さらにその表面
にパーフルオロラウリル酸含有層を100Åの厚みに形成
した。実施例と同様な形状の試料を作製した。
により膜厚200ÅのSiO2の薄膜を設け、さらにその表面
にパーフルオロラウリル酸含有層を100Åの厚みに形成
した。実施例と同様な形状の試料を作製した。
上記実施例および比較例で得られた各磁気ディスクにつ
いて媒体表面の摩擦係数,耐久性を調べた結果を、表1
に示した。試験条件は下記に示した。
いて媒体表面の摩擦係数,耐久性を調べた結果を、表1
に示した。試験条件は下記に示した。
a摩擦試験条件 測定機;往復静,動摩擦係数自動測定機ヘッド材料,形
状,鋼球(SUJ)直径 3m/m 〃荷重;20gr 〃走行速度;10mm/S 測定雰囲気;25℃ 60%RH b耐久試験条件 測定機;ディスクタイプ磁気記録測定機 ヘッド荷重;10gr 〃走行速度;3m/S 測定雰囲気;25℃ 60%RH 出力が初期値より3dB低下するまでの走行回数が測定し
た。
状,鋼球(SUJ)直径 3m/m 〃荷重;20gr 〃走行速度;10mm/S 測定雰囲気;25℃ 60%RH b耐久試験条件 測定機;ディスクタイプ磁気記録測定機 ヘッド荷重;10gr 〃走行速度;3m/S 測定雰囲気;25℃ 60%RH 出力が初期値より3dB低下するまでの走行回数が測定し
た。
表−1の結果から明らかなように、本発明品は、潤滑
性,耐久性に共に優れている。実施例以外にも、SiO2‐
TiO2,SiO2‐WO2の複合ガラスとポリフロロアルコキシ
ホスファゼンの組み合せにおいても同等の効果をもたら
した。
性,耐久性に共に優れている。実施例以外にも、SiO2‐
TiO2,SiO2‐WO2の複合ガラスとポリフロロアルコキシ
ホスファゼンの組み合せにおいても同等の効果をもたら
した。
発明の効果 本発明の磁気記録媒体は、潤滑性,耐久性に優れている
ことを確認され、実用上きわめて有益なものである。
ことを確認され、実用上きわめて有益なものである。
図は、本発明の実施例における磁気記録媒体の断面図で
ある。 1……非磁性基板、2……強磁性金属薄膜、3……金属
酸化物含有層、4……ポリホスファゼン含有層。
ある。 1……非磁性基板、2……強磁性金属薄膜、3……金属
酸化物含有層、4……ポリホスファゼン含有層。
Claims (5)
- 【請求項1】非磁性基板上に設けた強磁性金属薄膜面上
に、金属酸化物含有層を形成し、その金属酸化物含有層
表面に、ポリホスファゼン含有層を形成した磁気記録媒
体。 - 【請求項2】金属酸化物含有層が、Al,Fe,Si,Zr,Ti,W,C
rの内の何れかの酸化物である特許請求の範囲第1項記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項3】金属酸化物含有層が、つぎの一般式; MO・Fe2O3 (式中Mは、Mn2+,Fe2+,Co2+,Ni2+,Cu2+,Zn2+から
選ばれた少なくとも一種である。) で表わされるフェライトである特許請求の範囲第1項記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項4】金属酸化物含有層が、酸化硅素と酸化ジル
コニア,酸化チタン,酸化タングステンよりなる群から
選んだ少なくとも一つからなる複合ガラスからなる特許
請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項5】ポリホスファゼンがつぎの一般式; (式中m,m′は0〜7の整数,nは4〜30の整数であ
る。) で表わされるポリフロロアルコキシホスファゼンである
特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14873285A JPH0675285B2 (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14873285A JPH0675285B2 (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629519A JPS629519A (ja) | 1987-01-17 |
| JPH0675285B2 true JPH0675285B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=15459366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14873285A Expired - Lifetime JPH0675285B2 (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675285B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2565503B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1996-12-18 | 株式会社日立製作所 | エレベ−タ−の運転装置 |
| JPH02168419A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-06-28 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0383796A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-09 | Hitachi Elevator Eng & Service Co Ltd | エレベータの扉制御装置 |
| KR101209266B1 (ko) | 2010-06-30 | 2012-12-06 | 한국과학기술연구원 | 생분해성 및 온도 감응성 폴리포스파젠계 자성 고분자, 그의 제조 방법 및 용도 |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP14873285A patent/JPH0675285B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS629519A (ja) | 1987-01-17 |
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