JPS63102010A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS63102010A JPS63102010A JP61247807A JP24780786A JPS63102010A JP S63102010 A JPS63102010 A JP S63102010A JP 61247807 A JP61247807 A JP 61247807A JP 24780786 A JP24780786 A JP 24780786A JP S63102010 A JPS63102010 A JP S63102010A
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- Japan
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- thin film
- magnetic
- insulating layer
- coil
- magnetic head
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体として、磁気テープ、磁気ディス
クを使用した磁気記録再生装置において、高記録密度化
に対応した薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものであ
る。
クを使用した磁気記録再生装置において、高記録密度化
に対応した薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものであ
る。
従来の技術
２ ／・−７
最近の磁気記録技術分野において、トラック密度の向上
に伴うトラック幅の短縮化とマルチトラック化に対応す
る磁気ヘッドとして、薄膜形成技術及びフォトリソグラ
フィー技術を駆使した薄膜型の磁気ヘッドが広く使用さ
れつつある。
に伴うトラック幅の短縮化とマルチトラック化に対応す
る磁気ヘッドとして、薄膜形成技術及びフォトリソグラ
フィー技術を駆使した薄膜型の磁気ヘッドが広く使用さ
れつつある。
第４図ａは従来のリング型薄膜ヘッドを示す平面図で、
第４図すは第４図ａのａ−ａ’断面図であり、空隙を有
するリング状コアにコイルを多数回巻装した構造となっ
ている。以下従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を第４図
を用いて説明する。
第４図すは第４図ａのａ−ａ’断面図であり、空隙を有
するリング状コアにコイルを多数回巻装した構造となっ
ている。以下従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を第４図
を用いて説明する。
第４図において、鏡面研磨された磁性基板４１上に第１
の絶縁層４２を形成する。次いで、Ａｌまた１ｄｃｒ下
地のＡｕなどの金属薄膜を蒸着しフォトリソグラフィー
技術によってコイル４３にパターン化される。この後、
第２絶縁層４４を形成し、フロントギャップ部４５及び
バックギャップ部４６をパターン化する。この後、上部
磁性コア４７となるＮｉ−Ｆｅ 、 Ｆｅ −Ａｌ−Ｓ
ｉ などのような強磁性金属薄膜を蒸着し、所定の形
状に形成される。
の絶縁層４２を形成する。次いで、Ａｌまた１ｄｃｒ下
地のＡｕなどの金属薄膜を蒸着しフォトリソグラフィー
技術によってコイル４３にパターン化される。この後、
第２絶縁層４４を形成し、フロントギャップ部４５及び
バックギャップ部４６をパターン化する。この後、上部
磁性コア４７となるＮｉ−Ｆｅ 、 Ｆｅ −Ａｌ−Ｓ
ｉ などのような強磁性金属薄膜を蒸着し、所定の形
状に形成される。
最後に保護層（図示せず）、保護基板（図示せず）３１
、−２ が形成され、テープ摺動面４８が研磨加工され薄膜磁気
ヘッドが完成される。４９，５０は外部回路との接続端
子であり、その上部に形成された絶縁層は取り除かれる
。
、−２ が形成され、テープ摺動面４８が研磨加工され薄膜磁気
ヘッドが完成される。４９，５０は外部回路との接続端
子であり、その上部に形成された絶縁層は取り除かれる
。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら前記した従来の薄膜磁気ヘッド製造方法で
は、コイル形成以後に形成される薄膜は、下部のコイル
形状をそのま１反映し、第４図すに示すような段差のあ
る薄膜となる。特に、上部磁性コア４７に生じる段差は
、−に１部磁性コアの磁気特性を大きく劣化させる要因
となっていた。即ち、段差部付近で、表面磁荷が発生し
、これに起因する反磁界効果により、透磁率が低下する
現象や、段差の斜め部分は強磁性薄膜の膜厚が薄く、記
録時においてこの段差斜め部が磁気飽和する現象などが
あった。このため、フロントギャップ部４６で漏洩する
信号磁界は磁性媒体を飽和レベルまで記録できる強度に
達することができず極めて磁気効率の悪いものになると
いう欠点を有していた。
は、コイル形成以後に形成される薄膜は、下部のコイル
形状をそのま１反映し、第４図すに示すような段差のあ
る薄膜となる。特に、上部磁性コア４７に生じる段差は
、−に１部磁性コアの磁気特性を大きく劣化させる要因
となっていた。即ち、段差部付近で、表面磁荷が発生し
、これに起因する反磁界効果により、透磁率が低下する
現象や、段差の斜め部分は強磁性薄膜の膜厚が薄く、記
録時においてこの段差斜め部が磁気飽和する現象などが
あった。このため、フロントギャップ部４６で漏洩する
信号磁界は磁性媒体を飽和レベルまで記録できる強度に
達することができず極めて磁気効率の悪いものになると
いう欠点を有していた。
このように、従来の薄膜磁気ヘッド製造方法においては
、コイル段差形状が、磁性コアに転写し、このだめ十分
な記録効率を得られないという問題点を有していた。
、コイル段差形状が、磁性コアに転写し、このだめ十分
な記録効率を得られないという問題点を有していた。
本発明は、上記の問題点に鑑み、コイル段差形状を、上
部磁性コアに生じさせず、このだめに、記録効率の高い
薄膜磁気ヘッドを実現する薄膜磁気ヘッドの製造方法を
提供せんとするものである。
部磁性コアに生じさせず、このだめに、記録効率の高い
薄膜磁気ヘッドを実現する薄膜磁気ヘッドの製造方法を
提供せんとするものである。
問題点を解決するだめの手段
この目的を達成するために、本発明の磁気ヘッド製造方
法は、まず磁性基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の
絶縁層上にコイル形状との凸凹が逆になるような逆コイ
ルパターンの第２絶縁層を形成する。この後、導体薄膜
を基板全表面に例えば蒸着あるいはスパッタにより形成
する。次いで、形成された導体薄膜上にフォトレジスト
を塗布する。しかる後、フォトレジストと、導体薄膜と
をこれらのエツチングレートが等しいような条件で第２
絶縁層の凸部が露出する１で除去し、コイルパターンを
形成し、しかる後に、第３絶縁層、コア磁性薄膜を形成
するものである。
法は、まず磁性基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の
絶縁層上にコイル形状との凸凹が逆になるような逆コイ
ルパターンの第２絶縁層を形成する。この後、導体薄膜
を基板全表面に例えば蒸着あるいはスパッタにより形成
する。次いで、形成された導体薄膜上にフォトレジスト
を塗布する。しかる後、フォトレジストと、導体薄膜と
をこれらのエツチングレートが等しいような条件で第２
絶縁層の凸部が露出する１で除去し、コイルパターンを
形成し、しかる後に、第３絶縁層、コア磁性薄膜を形成
するものである。
６１・−
作用
本発明は上記の製造方法により逆コイルパターンの第２
絶縁層を形成した後、基板全表面に導体薄膜を形成し、
この後、フォトレジストを塗布するが、フォトレジスト
は所定粘度の流体を用いることにより、塗布膜は、それ
より下部の段差を吸収し、その表面はほぼ均一な平面に
なる。これを熱硬化させた後、導体薄膜とフォトレジス
トとを、これらの等エツチングレート条件でエツチング
することにより、導体薄膜は第２絶縁層の逆コイルパタ
ーンの凹部に埋め込められたような構造となり、段差を
ほとんど生じないものとなる。従ってコイル上部に形成
される上部磁性コアにも段差は生じず段差に起因する反
磁界効果による透磁率の低下の問題は解消する。捷だ、
コイル上部の上部磁性コアの膜厚は一定で、特に薄くな
る部分が存在せず、上部磁性コアの中途部で磁気飽和せ
ず、効率良く、記録磁束がフロントギャップ部捷で導か
れることになる。
絶縁層を形成した後、基板全表面に導体薄膜を形成し、
この後、フォトレジストを塗布するが、フォトレジスト
は所定粘度の流体を用いることにより、塗布膜は、それ
より下部の段差を吸収し、その表面はほぼ均一な平面に
なる。これを熱硬化させた後、導体薄膜とフォトレジス
トとを、これらの等エツチングレート条件でエツチング
することにより、導体薄膜は第２絶縁層の逆コイルパタ
ーンの凹部に埋め込められたような構造となり、段差を
ほとんど生じないものとなる。従ってコイル上部に形成
される上部磁性コアにも段差は生じず段差に起因する反
磁界効果による透磁率の低下の問題は解消する。捷だ、
コイル上部の上部磁性コアの膜厚は一定で、特に薄くな
る部分が存在せず、上部磁性コアの中途部で磁気飽和せ
ず、効率良く、記録磁束がフロントギャップ部捷で導か
れることになる。
実施例
６ へ−７
以下、本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例について、第
１図および第２図ａ−ｄを用いて述べる。
１図および第２図ａ−ｄを用いて述べる。
第１図および第２図ａ〜ｄは第４図すと同じように薄膜
磁気ヘッドの要部断面を示している〇捷ず、第２図ａの
ように、鏡面研磨された強磁性基板２１上に、第１の絶
縁層２２としてＡｌ２Ｏ３絶縁膜が形成される。この時
バックギャップ部２３のＡｌ２Ｏ３絶縁膜はリフトオフ
法により取り除かれる。またＡｌ２Ｏ３絶縁膜の膜厚は
丁度ギャップ長になるように形成される。
磁気ヘッドの要部断面を示している〇捷ず、第２図ａの
ように、鏡面研磨された強磁性基板２１上に、第１の絶
縁層２２としてＡｌ２Ｏ３絶縁膜が形成される。この時
バックギャップ部２３のＡｌ２Ｏ３絶縁膜はリフトオフ
法により取り除かれる。またＡｌ２Ｏ３絶縁膜の膜厚は
丁度ギャップ長になるように形成される。
次いで第２図すに示すように第２の絶縁層２４として５
１０２絶縁膜が形成され、フォトリソグラフィー技術に
よって逆コイルパターンが形成されるＯ この後、第２図Ｃの如く、コイル導体となるＯｒ下地の
Ａｕ薄膜２５が基板全面に蒸着される。
１０２絶縁膜が形成され、フォトリソグラフィー技術に
よって逆コイルパターンが形成されるＯ この後、第２図Ｃの如く、コイル導体となるＯｒ下地の
Ａｕ薄膜２５が基板全面に蒸着される。
Ａｕ薄膜２５上には環化ゴム−ビスアシド系のフォトレ
ジスト２６がスピンコードされ熱硬化される。熱硬化後
のフォトレジスト２６は下地のコイル２７の凹凸を吸収
し、コイル上のフォトレジストはほぼ均一な表面となる
。コイル」―のフォトレジストはその粘度が小さい稈、
捷だコイルのピンチ間隔が小さい程、均一々表面となる
傾向があった。このため、本実施例では粘度が３０Ｃｐ
〜２００Ｃｐのフォトレジストを用いた。そして、これ
を、フォトレジストと、Ａｕ薄膜とを同じエツチングレ
ートで、第２絶縁層２４の８１０２絶縁膜の凸部が露出
する壕で基板をエツチングすることにより、第２図ｄの
ように、５１０２絶縁膜の逆コイルパターンの［１聞１
〜にコイル導体を埋め込んだような形状にして、コイル
２７を形成する。
ジスト２６がスピンコードされ熱硬化される。熱硬化後
のフォトレジスト２６は下地のコイル２７の凹凸を吸収
し、コイル上のフォトレジストはほぼ均一な表面となる
。コイル」―のフォトレジストはその粘度が小さい稈、
捷だコイルのピンチ間隔が小さい程、均一々表面となる
傾向があった。このため、本実施例では粘度が３０Ｃｐ
〜２００Ｃｐのフォトレジストを用いた。そして、これ
を、フォトレジストと、Ａｕ薄膜とを同じエツチングレ
ートで、第２絶縁層２４の８１０２絶縁膜の凸部が露出
する壕で基板をエツチングすることにより、第２図ｄの
ように、５１０２絶縁膜の逆コイルパターンの［１聞１
〜にコイル導体を埋め込んだような形状にして、コイル
２７を形成する。
エツチング法としては、イオン化されたＡｒイオンなど
を加速して、基板にぶつけエツチングを行うイオンシリ
ング法を用いた。イオンシリング法は、加速されたＡｒ
イオンの基板に対する入射角によって、エツチングレー
トが異なりイオン入射角度を適当に選ぶことによって異
種材料を等エツチングレートでエツチングできるもので
ある。
を加速して、基板にぶつけエツチングを行うイオンシリ
ング法を用いた。イオンシリング法は、加速されたＡｒ
イオンの基板に対する入射角によって、エツチングレー
トが異なりイオン入射角度を適当に選ぶことによって異
種材料を等エツチングレートでエツチングできるもので
ある。
第３図において、人は金薄膜、Ｂは環化ゴム−ビスアン
ド系フォトレジストのエツチングレートと、Ａｒイオン
入射角度との関係を示しており、この場合の等エツチン
グレートの入射角は７６度である。
ド系フォトレジストのエツチングレートと、Ａｒイオン
入射角度との関係を示しており、この場合の等エツチン
グレートの入射角は７６度である。
この後、コイル上部に第３絶縁層２９としてＳｉＯ２絶
縁膜を形成し、フロントギャップ２８゜バンクギャップ
２３の余分なＳｉＯ２絶縁膜をエツチングして取り除き
、この上部に、上部磁性コア３０を形成し、最後に保護
層（図示せず）を形成し、保護基板（図示せず）が接着
され、テープ摺動面２０が研磨加工され第１図に示すよ
うな薄膜磁気ヘッドが完成される。
縁膜を形成し、フロントギャップ２８゜バンクギャップ
２３の余分なＳｉＯ２絶縁膜をエツチングして取り除き
、この上部に、上部磁性コア３０を形成し、最後に保護
層（図示せず）を形成し、保護基板（図示せず）が接着
され、テープ摺動面２０が研磨加工され第１図に示すよ
うな薄膜磁気ヘッドが完成される。
尚、エツチングによってコイル段差を解消する方法とし
て本実施例においてはイオンシリング法を用いたが、こ
の他Ａｒガスのプラズマ中にサンプルを設置してエツチ
ングを行うプラズマエツチング法、あるいは反応性ガス
のプラズマ中にサンプルを設置してエツチングを行う反
応性プラズマエツチング法などを用いることができる。
て本実施例においてはイオンシリング法を用いたが、こ
の他Ａｒガスのプラズマ中にサンプルを設置してエツチ
ングを行うプラズマエツチング法、あるいは反応性ガス
のプラズマ中にサンプルを設置してエツチングを行う反
応性プラズマエツチング法などを用いることができる。
発明の効果
以上のように本発明の薄膜磁気ヘッド製造方法 ｌ−
によれば、上部磁性コアにはコイルに起因する段差が生
じることはなく、コアの膜厚は一定となる。
じることはなく、コアの膜厚は一定となる。
従って、前述したような反磁界効果による透磁率低下の
現象や、磁性コアの膜厚が極端に薄くなる部分はなく、
コイルによって生じた信号磁束がフロントギャップに到
達する以前に、磁気飽和することはなく磁気効率の極め
て高い薄膜磁気ヘッドを安価に提供できる効果を有する
ものである。
現象や、磁性コアの膜厚が極端に薄くなる部分はなく、
コイルによって生じた信号磁束がフロントギャップに到
達する以前に、磁気飽和することはなく磁気効率の極め
て高い薄膜磁気ヘッドを安価に提供できる効果を有する
ものである。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によっ
て製造された薄膜磁気ヘッドの要部断面図、郁回α〜ｄ
は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例を
説明するための製造工程図、第３図はイオンシリング法
による金と環化ゴム−ビスアンド系フォトレジストのエ
ツチングレートとＡｒイオン入射角度の関係を示す特性
図、笥／ＩｆｌＪ （Ｌ、ｂは従来の薄膜磁気ヘッドの
軍曹ｍおよム’ Ａ−４’区へ［有］図１′ある。 ２０・・・・テープ摺動面、２１・・・・・磁性基板、
２２・・・・・第１の絶縁層、２３・・・・バックギャ
ップ部、２４・・・・・第２絶縁層、２７・・印・コイ
ル、２８・・・・・・フロントギャップ部、２９・・・
・・第３の絶縁層、３ｏ・・・・・上部磁性コア。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２４
−＠２（１）把縁層 ｚ７− コ、イアし ？８− フロントギ境・ツブ部 第１図 第２図 第３図 θ１０２０３０４０．５０６０７ｔ） Ｅｌθハｒ＋入
射角 （浸少 第４図 （α〕 （ｂ）
て製造された薄膜磁気ヘッドの要部断面図、郁回α〜ｄ
は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例を
説明するための製造工程図、第３図はイオンシリング法
による金と環化ゴム−ビスアンド系フォトレジストのエ
ツチングレートとＡｒイオン入射角度の関係を示す特性
図、笥／ＩｆｌＪ （Ｌ、ｂは従来の薄膜磁気ヘッドの
軍曹ｍおよム’ Ａ−４’区へ［有］図１′ある。 ２０・・・・テープ摺動面、２１・・・・・磁性基板、
２２・・・・・第１の絶縁層、２３・・・・バックギャ
ップ部、２４・・・・・第２絶縁層、２７・・印・コイ
ル、２８・・・・・・フロントギャップ部、２９・・・
・・第３の絶縁層、３ｏ・・・・・上部磁性コア。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２４
−＠２（１）把縁層 ｚ７− コ、イアし ？８− フロントギ境・ツブ部 第１図 第２図 第３図 θ１０２０３０４０．５０６０７ｔ） Ｅｌθハｒ＋入
射角 （浸少 第４図 （α〕 （ｂ）
Claims (1)
- 磁性基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に
逆コイル形状にパターン化された第２の絶縁層を形成し
、第２の絶縁層上に、コイル導体材料を形成した後、フ
ォトレジストを塗布し、フォトレジストと、前記導体材
料とを等しいエッチングレートで除去してコイルパター
ンを形成し、しかる後に、第３の絶縁層及び、上部磁性
コアを形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247807A JPS63102010A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247807A JPS63102010A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102010A true JPS63102010A (ja) | 1988-05-06 |
Family
ID=17168952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61247807A Pending JPS63102010A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63102010A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5898823A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-11 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS5941478A (ja) * | 1982-03-31 | 1984-03-07 | Fujitsu Ltd | 反応性プラズマエツチング方法 |
| JPS59112416A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜ヘツドの製造方法 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61247807A patent/JPS63102010A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5898823A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-11 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS5941478A (ja) * | 1982-03-31 | 1984-03-07 | Fujitsu Ltd | 反応性プラズマエツチング方法 |
| JPS59112416A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜ヘツドの製造方法 |
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