JPH0274054A - 半導体装置の封止方法 - Google Patents

半導体装置の封止方法

Info

Publication number
JPH0274054A
JPH0274054A JP22575888A JP22575888A JPH0274054A JP H0274054 A JPH0274054 A JP H0274054A JP 22575888 A JP22575888 A JP 22575888A JP 22575888 A JP22575888 A JP 22575888A JP H0274054 A JPH0274054 A JP H0274054A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
metal ring
pulse current
metal cap
cap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22575888A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuo Sugimoto
杉本　三男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP22575888A priority Critical patent/JPH0274054A/ja
Publication of JPH0274054A publication Critical patent/JPH0274054A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の封止方法に関し、特にセラミック
パッケージＩＣの金属キャップ封止方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置の封止方法は、第２図に示す
とおり、メタルリング３が固着されたセラミック基板４
にＩＣを装着しメタルリング３上に金属キャップ２を置
き、一対のローラを極１でメタルリング３上の金属キャ
ップ２を押え、そのローラ電極間にパルス電流を印加し
てメタルリング３と金属キャップ２を溶接し封止してい
た。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装置の封止方法は、パルス電流を
ローラ電極間に印加していることより、その電流経路は
一方のローラ電極から金属キャップ２とメタルリング３
を通り、再び金属キャップを通りもう一方のローラ電極
へ流れる有効電流と、一方のローラ電極から金属キャッ
プ２のみを通りもう一方のローラ電極へ流れる無効電流
とに分流されるので、無効電流による電力効率源及び封
止性の低下という欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、半導体装置を装着したセラミックパッケージ
の金属キャップ封止において、金属キャップをパッケー
ジのメタルリングに電気溶接する際のパルス電流を直接
金属キャップとメタルリング間に流すことを特徴とする
。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す図である。メタルリン
グ３が固着されたセラミック基板４にＩＣを装着しメタ
ルリング３上に金属キャップ２をかぶせる。ローラ電極
１を金属キャップ２を押えるように設置し、パルス電流
電源５をローラ電極１とメタルリング３との間に接続し
てパルス電流を流す。このように結線すると、パルス電
流はパルス電流電源５の一方の電極からローラ電１１．
金属キャップ２．メタルリング３を通りパルス電流電源
５の他方の電極へと流れるので無効電流はなくなる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、パルス電流をセラミック
パッケージの金属キャップとメタルリング間に印加する
ことにより電力効率が上がり封止性を向上できる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の半導体装置の封止方法を説明する図、
第２図は従来の封止方法の説明図である。 １・・・ローラ電極、２・・・金属キャップ、３・・・
メタルリング、４・・・セラミック基板、５・・・パル
ス電流電源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体装置を装着したセラミックパッケージの金属キャ
    ップ封止において、金属キャップをパッケージのメタル
    リングに電気溶接する際のパルス電流を直接金属キャッ
    プとメタルリング間に印加することを特徴とする半導体
    装置の封止方法。
JP22575888A 1988-09-09 1988-09-09 半導体装置の封止方法 Pending JPH0274054A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22575888A JPH0274054A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 半導体装置の封止方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22575888A JPH0274054A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 半導体装置の封止方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0274054A true JPH0274054A (ja) 1990-03-14

Family

ID=16834355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22575888A Pending JPH0274054A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 半導体装置の封止方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0274054A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102837136A (zh) * 2012-09-11 2012-12-26 陕西华经微电子股份有限公司 一种异形结构封装外壳平行缝焊工艺及装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5421169A (en) * 1977-07-18 1979-02-17 Nec Corp Package for semiconductor
JPS5474374A (en) * 1977-11-26 1979-06-14 Nec Corp Sealing method for semiconductor container
JPS5477572A (en) * 1977-12-02 1979-06-21 Nec Corp Hermetic sealing method of package for semiconductor devices
JPS54155767A (en) * 1978-05-29 1979-12-08 Nec Corp Semiconductor device
JPS6230352A (ja) * 1985-07-31 1987-02-09 Nec Corp 半導体装置用パツケ−ジ

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5421169A (en) * 1977-07-18 1979-02-17 Nec Corp Package for semiconductor
JPS5474374A (en) * 1977-11-26 1979-06-14 Nec Corp Sealing method for semiconductor container
JPS5477572A (en) * 1977-12-02 1979-06-21 Nec Corp Hermetic sealing method of package for semiconductor devices
JPS54155767A (en) * 1978-05-29 1979-12-08 Nec Corp Semiconductor device
JPS6230352A (ja) * 1985-07-31 1987-02-09 Nec Corp 半導体装置用パツケ−ジ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102837136A (zh) * 2012-09-11 2012-12-26 陕西华经微电子股份有限公司 一种异形结构封装外壳平行缝焊工艺及装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0274054A (ja) 半導体装置の封止方法
JPS628534A (ja) 半導体実装構造
CN207075047U (zh) 一种摄像头
JPH0252425B2 (ja)
JPH01321664A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS61237441A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH01257361A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS63305604A (ja) 圧電発振器
JPS63186453A (ja) Ｌｓｉ
JPH0138373B2 (ja)
JPS6230352A (ja) 半導体装置用パツケ−ジ
JPH04180655A (ja) 半導体装置の封止方法
JPH01273343A (ja) リードフレーム
JPH0358450A (ja) 半導体装置のセラミックパーケージ
JPS61237442A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH02153555A (ja) 気密封止型半導体装置
JPS5748253A (en) Lead frame for semiconductor device
JPS63219131A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01187954A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6412560A (en) Semiconductor device
JPS57162451A (en) Semiconductor device
JPS63122252A (ja) 半導体装置用容器
JPH01110767A (ja) 固体撮像装置
JPS55148449A (en) Semiconductor device
JPS59126669A (ja) 半導体装置