JPH02106949A - 半導体装置の封止方法 - Google Patents

半導体装置の封止方法

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Publication number
JPH02106949A
JPH02106949A JP63261811A JP26181188A JPH02106949A JP H02106949 A JPH02106949 A JP H02106949A JP 63261811 A JP63261811 A JP 63261811A JP 26181188 A JP26181188 A JP 26181188A JP H02106949 A JPH02106949 A JP H02106949A
Authority
JP
Japan
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cap
stem
stems
welded
contact
Prior art date
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Pending
Application number
JP63261811A
Other languages
English (en)
Inventor
Michiro Takiguchi
滝口　理郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH02106949A publication Critical patent/JPH02106949A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M50/00—Constructional details or processes of manufacture of the non-active parts of electrochemical cells other than fuel cells, e.g. hybrid cells
    • H01M50/10—Primary casings; Jackets or wrappings
    • H01M50/183—Sealing members
    • H01M50/186—Sealing members characterised by the disposition of the sealing members

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  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はハツト型キャンケースタイプのシグナルトラン
ジスタ、ＦＥＴ、サイリスタ等の組立工程におけるシス
テムとキャップの封止方法の改善に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種のハツト型キャンケース半導体装置では第
１図においてハツト型に成形された鉄系金属薄板１の内
部に複数の断面円形金属リード３ａ、３ｂ、３ｃがハツ
ト内部に埋められた溶着ガラス２によりこの金属薄板ｌ
と電気的に絶縁された構造のステム４の頂面に半導体素
子５が鑞接され、半導体素子５の電極とリード３ａ、３
ｂけＡｕ、Ａ６等よりなる金属細線６ａ、６ｂにて超音
波溶接等でポンディング後、中空ハツト型キャップ７を
かぶせ、高導電性溶接電極８，９に挟まれて直流又は交
流溶接機プラテン１０ａ、１０ｂにより加圧され通電後
抵抗溶接される。しかるに、第３図は溶接部の拡大図で
あるが、下部電極８の内径Ｄ２はステム７の金属薄板１
のガラスと接する内径ｄより小さい。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のハツト型キャンケース半導体装置では、
抵抗溶接時の通電電流によりステムの金属薄板外縁部１
ａとキャップ外縁部７ａが溶融し互に溶着後、圧力が加
えられ、溶着ガラス２のステム金属薄板ｌとの境界部よ
りガラスクラック１１が発生し易いという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明によるハツト型キャンケース半導体装置の封止方
法では、封止時のステム１に接する溶接電極８の内径寸
法Ｄ１がステムのガラス２と接する内径ｄの１．０８〜
１．１２倍である。
すなわち、本発明によれば、金属薄板がハツト型に成形
され、ハツト頂面の複数の穴を通して複数の断面円形リ
ードが前記ハツト内部に埋められた溶着ガラスにより金
属薄板と電気的に絶縁された構造のステム頂面部に半導
体素子が鍛接され、半導体素子電極とリードとを金属細
線にて超音波溶接等でボンディング後、中空ハツト型キ
ャップをかぶせ、ステム及び前記キャップ外縁部を断面
リング状の金属円筒形溶接電極にて挟んで抵抗溶接する
際、ステムに接する溶接電極の内径が、ステムのガラス
と接する内径の１．０８〜１．１２倍であることを特徴
とする半導体装置の封止方法を得る。
本発明は半導体装置の構成を全く変更することなく、封
止時のステムに接する溶接電極の内径寸法を適切に選択
することによりガラスクラックが防止できる。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すものであり、金属薄板
ｌ、溶着ガラス２．金属リード３ａ、３ｂ。
３ｃよりなるステム４と半導体素子５．金属細線６ａ、
６ｂ、キャップ７より構成される半導体装置は従来と全
く同じ構成である。
しかるに、ステム４をキャップ７を抵抗溶接する際、ス
テム４を下部溶接電極８にのせキャップ７の七より上部
溶接電極９をかぶせ、溶接機（図示しない）の上、下プ
ラテン１０ａ、１０ｂ間に配性し、プラテンを加圧して
通電後ステム４とキャップ７を抵抗溶接する。第２図は
本発明によるステム４．キャップ７及び下部電極８の封
入時の位置関係を示すものである。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、ノ・ット型キャン
ケース半導体装置の組立工程における、ステムとキャッ
プを封止時にステムの溶着ガラスにクラック又はワレ等
の不具合発生を防止することができ、経済的効果が高い
。
・・・金属細線、７・・・・・・キャップ、７ａ・・・
・・・キャップ外縁部、８・・・・・・下部溶接電極、
９・・・・・・上部溶接電極、１０ａ、１０ｂ・・・・
・・溶接機プラテン、１１・・・・・・クラック。
代理人　弁理士　　内　原　　　晋
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は第１
図の溶接部の拡大断面図、第３図は従来実施例の溶接部
拡大断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属薄板がハット型に成形され、ハット頂面の複数の穴
    を通して複数のリードが前記ハット内部に埋められた溶
    着ガラスにより前記金属薄板と電気的に絶縁された構造
    のステム頂面部に半導体素子が鑞接され、該半導体素子
    電極と前記リードとを接続後、中空ハット型キャップを
    かぶせ、前記ステム及び前記キャップ外縁部を断面リン
    グ状の金属製円筒形溶接電極にて挟んで抵抗溶接する際
    、前記ステムに接する前記溶接電極の内径が、前記ステ
    ムの前記溶着ガラスの接する部分の内径の１．０８〜１
    ．１２倍であることを特徴とする半導体装置の封止方法
JP63261811A 1988-10-17 1988-10-17 半導体装置の封止方法 Pending JPH02106949A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01178750A (ja) * 1988-01-07 1989-07-14 Fujitsu Ten Ltd 内燃機関の空燃比学習制御方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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