JPH0138373B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0138373B2 JPH0138373B2 JP58073212A JP7321283A JPH0138373B2 JP H0138373 B2 JPH0138373 B2 JP H0138373B2 JP 58073212 A JP58073212 A JP 58073212A JP 7321283 A JP7321283 A JP 7321283A JP H0138373 B2 JPH0138373 B2 JP H0138373B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lid
- welding
- pair
- electrode
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K11/00—Resistance welding; Severing by resistance heating
- B23K11/002—Resistance welding; Severing by resistance heating specially adapted for particular articles or work
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Butt Welding And Welding Of Specific Article (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明はシーム溶接法、詳しくは平行移動方式
シーム溶接機を用いるシーム溶接において溶接電
極がパツケージ基体上のふたに最初に接触する時
および離脱する時にスパークが発生することを防
止する方法に関する。
シーム溶接機を用いるシーム溶接において溶接電
極がパツケージ基体上のふたに最初に接触する時
および離脱する時にスパークが発生することを防
止する方法に関する。
(2) 技術の背景
半導体パツケージにふたを取り付ける方法の一
つとしてシーム溶接法がある。第１図は半導体パ
ツケージ（以下には単にパツケージという）の断
面図で、同図において、１はパツケージ基体、２
はパツケージ基体１にろう付けされたシールフレ
ーム、３はふた、４は半導体チツプ、５は半導体
チツプ４の接続用のワイヤ、６はパツケージ基体
１内の配線層を介してワイヤ５に接続された外リ
ードをそれぞれ示す。
つとしてシーム溶接法がある。第１図は半導体パ
ツケージ（以下には単にパツケージという）の断
面図で、同図において、１はパツケージ基体、２
はパツケージ基体１にろう付けされたシールフレ
ーム、３はふた、４は半導体チツプ、５は半導体
チツプ４の接続用のワイヤ、６はパツケージ基体
１内の配線層を介してワイヤ５に接続された外リ
ードをそれぞれ示す。
ふた３はシーム溶接機によつてシールフレーム
２に溶接されるが、そのためのシーム溶接機とし
て平行移動方式シーム溶接機を使用した場合のシ
ーム溶接法は第２図に平面図で示され、図示しな
い治具に固定されたパツケージは、第２図ａに矢
印で示す方向に動かされ、このとき溶接電極７
（以下単に電極という）の間に例えば８ボルト、
140〜180アンペア程度のパワーが加えられる。電
極７は、コバールまたは42アロイで作られたふた
３に接触して平行移動して、ふた３とシールフレ
ーム２との接触部に発生するモジユール熱によつ
てふた３は溶融され、コバールまたはアロイ42で
作られたシールフレーム２に溶接される。
２に溶接されるが、そのためのシーム溶接機とし
て平行移動方式シーム溶接機を使用した場合のシ
ーム溶接法は第２図に平面図で示され、図示しな
い治具に固定されたパツケージは、第２図ａに矢
印で示す方向に動かされ、このとき溶接電極７
（以下単に電極という）の間に例えば８ボルト、
140〜180アンペア程度のパワーが加えられる。電
極７は、コバールまたは42アロイで作られたふた
３に接触して平行移動して、ふた３とシールフレ
ーム２との接触部に発生するモジユール熱によつ
てふた３は溶融され、コバールまたはアロイ42で
作られたシールフレーム２に溶接される。
ふた３の長辺のすべてが溶接され溶接電極７が
ふた３から離脱すると、治具を第２図ｂに矢印
で示す如くに90゜回してパツケージの向きを変え
る。
ふた３から離脱すると、治具を第２図ｂに矢印
で示す如くに90゜回してパツケージの向きを変え
る。
次いで第２図ｃに示される如く電極７，７間の
間隔を拡げ、矢印の方向にパツケージを移動し
ふた３の短辺をシールフレーム２に溶接する。
間隔を拡げ、矢印の方向にパツケージを移動し
ふた３の短辺をシールフレーム２に溶接する。
上記の工程は空気中でも可能であるが、酸化を
防ぐためにドライボツクスと呼称される密封チエ
ンバ内で行なわれる。
防ぐためにドライボツクスと呼称される密封チエ
ンバ内で行なわれる。
上記した溶接法は第３図の正面図に模式的に示
され、最初電極７は実線で示される位置で電極７
が最初にふた３の縁と接触するときに溶接電流が
ONになり、パツケージを矢印の方向に動か
し、電極７がふた３の反対側の縁部に来たときの
位置は図に点線で示し、この位置から電極７が離
脱すると溶接電流がOFFになる。
され、最初電極７は実線で示される位置で電極７
が最初にふた３の縁と接触するときに溶接電流が
ONになり、パツケージを矢印の方向に動か
し、電極７がふた３の反対側の縁部に来たときの
位置は図に点線で示し、この位置から電極７が離
脱すると溶接電流がOFFになる。
(3) 従来技術と問題点
溶接電極がふたに最初接触するときおよびふた
から離脱するとき電極７はふた３の縁部のみと接
触しており、電流径路が制限されてスパークが発
生する。そのときの状態は第４図に示されるが、
矢印で示す方向に飛行するスパークによつて、シ
ールフレーム２とふた３の端縁部分が線８で示さ
れる部分に沿つて欠けることがある。そうなる
と、後の溶接によつてふた３がシールフレーム２
に溶接されても、この欠けた部分の密封は不完全
でその部分から封入したN2ガスがもれたりまた
は外からの湿気がパツケージ内に入ることにな
り、半導体パツケージの製造歩留りおよび製品の
信頼性に悪影響を及ぼす。
から離脱するとき電極７はふた３の縁部のみと接
触しており、電流径路が制限されてスパークが発
生する。そのときの状態は第４図に示されるが、
矢印で示す方向に飛行するスパークによつて、シ
ールフレーム２とふた３の端縁部分が線８で示さ
れる部分に沿つて欠けることがある。そうなる
と、後の溶接によつてふた３がシールフレーム２
に溶接されても、この欠けた部分の密封は不完全
でその部分から封入したN2ガスがもれたりまた
は外からの湿気がパツケージ内に入ることにな
り、半導体パツケージの製造歩留りおよび製品の
信頼性に悪影響を及ぼす。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、半導体パツ
ケージのふたをパツケージ基体にろう付けされた
シールフレームに溶接する平行移動方式シーム溶
接機を用いるシーム溶接において、電極がふたの
縁部分と接触するときおよびふたから離脱すると
きスパークが発生することの防止されるシーム溶
接方法を提供することを目的とする。
ケージのふたをパツケージ基体にろう付けされた
シールフレームに溶接する平行移動方式シーム溶
接機を用いるシーム溶接において、電極がふたの
縁部分と接触するときおよびふたから離脱すると
きスパークが発生することの防止されるシーム溶
接方法を提供することを目的とする。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、半導体パツ
ケージ基体に取り付けられたシールフレーム上の
金属のふたを載置し、該ふたの対向する２辺に一
対の溶接電極を接触させたまま移動させてシーム
溶接を行うに際して、該一対の溶接電極間に低電
圧を印加した状態で該一対の溶接電極を該ふたに
接触させた後、該一対の溶接電極間に印加する電
圧を上げて溶接を行い、該一対の溶接電極間に印
加する電圧を下げて低電圧にした状態で該一対の
溶接電極を該ふたから離脱させることを特徴とす
るシーム溶接法を提供することによつて達成され
る。
ケージ基体に取り付けられたシールフレーム上の
金属のふたを載置し、該ふたの対向する２辺に一
対の溶接電極を接触させたまま移動させてシーム
溶接を行うに際して、該一対の溶接電極間に低電
圧を印加した状態で該一対の溶接電極を該ふたに
接触させた後、該一対の溶接電極間に印加する電
圧を上げて溶接を行い、該一対の溶接電極間に印
加する電圧を下げて低電圧にした状態で該一対の
溶接電極を該ふたから離脱させることを特徴とす
るシーム溶接法を提供することによつて達成され
る。
(6) 発明の実施例
本願発明者は、上記従来技術の問題点を解決す
るために第５図ａに矩形波とｂの正弦波に示され
るスロープ電流を通電することを考えた。横軸に
は時間（Ｔ）を、縦軸には電流(I)をとる第５図
は、電極７に流される電流波形であるが、溶接電
極がふたに最初に接触する時点Ａ付近ではスパー
クを発生しえない弱い電流を流し、次いで溶接に
必要な電流を流す。また溶接電極がふたから離脱
する時点をＢとすると、Ｂに近ずく直前において
電極値をスパークすることのないよう弱くして０
にもつて行く。
るために第５図ａに矩形波とｂの正弦波に示され
るスロープ電流を通電することを考えた。横軸に
は時間（Ｔ）を、縦軸には電流(I)をとる第５図
は、電極７に流される電流波形であるが、溶接電
極がふたに最初に接触する時点Ａ付近ではスパー
クを発生しえない弱い電流を流し、次いで溶接に
必要な電流を流す。また溶接電極がふたから離脱
する時点をＢとすると、Ｂに近ずく直前において
電極値をスパークすることのないよう弱くして０
にもつて行く。
このようなスロープ電流を流すことによつて、
すなわち溶接電極がふたに最初に接触する時点Ａ
付近および溶接電極がふたから離脱する時点Ｂに
おいて、電極７に流す電流の値をスパークが発生
しえない弱い値に抑えることによつて、電極７が
ふた３の縁と接触するときのスパークの発生を防
止することが可能になる。
すなわち溶接電極がふたに最初に接触する時点Ａ
付近および溶接電極がふたから離脱する時点Ｂに
おいて、電極７に流す電流の値をスパークが発生
しえない弱い値に抑えることによつて、電極７が
ふた３の縁と接触するときのスパークの発生を防
止することが可能になる。
上記の如きスロープ電流は第６図に示す装置に
よつて得られる。パツケージが固定される治具９
は、通常のXY駆動系の軸１０とかみ合い、軸１
０はモータ１１によつて図に見て左右方向（Ｘ方
向）に駆動可能である。軸１０はモータ１１をこ
えてエンコーダー１２に連結され、軸１０のＸ方
向移動、従つて治具９のＸ方向動きはエンコーダ
ー１２に伝えられ、エンコーダー１２はフオトセ
ンサー１３によつて検知され、検知の結果は信号
として電源１４に送られ、電源１４が電極７へ流
される電流を制御する。ふた３のＸ方向の長さを
前以つて測定しておくと、電極がふたに接触して
離脱するまで電流値は自動的に制御されることに
なる。Ｙ方向の動きについては、パツケージの向
きが90゜変えられるだけであるので上記と全く同
様の原理で電流値や制御されうるので、第２図ａ
とｃに示されるシーム溶接において、電極がふた
に接触し、離脱するときのスパークの発生を予防
することが可能となる。
よつて得られる。パツケージが固定される治具９
は、通常のXY駆動系の軸１０とかみ合い、軸１
０はモータ１１によつて図に見て左右方向（Ｘ方
向）に駆動可能である。軸１０はモータ１１をこ
えてエンコーダー１２に連結され、軸１０のＸ方
向移動、従つて治具９のＸ方向動きはエンコーダ
ー１２に伝えられ、エンコーダー１２はフオトセ
ンサー１３によつて検知され、検知の結果は信号
として電源１４に送られ、電源１４が電極７へ流
される電流を制御する。ふた３のＸ方向の長さを
前以つて測定しておくと、電極がふたに接触して
離脱するまで電流値は自動的に制御されることに
なる。Ｙ方向の動きについては、パツケージの向
きが90゜変えられるだけであるので上記と全く同
様の原理で電流値や制御されうるので、第２図ａ
とｃに示されるシーム溶接において、電極がふた
に接触し、離脱するときのスパークの発生を予防
することが可能となる。
(7) 発明の効果
以上詳細に説明した如く、本発明の方法によれ
ば、平行移動方式による半導体装置にふたを溶接
するシーム溶接において、電極がふたの縁部と接
触するとき、すなわち電流がON、OFFになると
きのスパークの発生が防止され、半導体パツケー
ジの製造歩留りと信頼性の向上に効果大である。
ば、平行移動方式による半導体装置にふたを溶接
するシーム溶接において、電極がふたの縁部と接
触するとき、すなわち電流がON、OFFになると
きのスパークの発生が防止され、半導体パツケー
ジの製造歩留りと信頼性の向上に効果大である。
第１図は半導体パツケージの断面図図、第２図
は平行移動方式によるシーム溶接を説明するため
の半導体パツケージの平面図、第３図はシーム溶
接における電極と半導体パツケージの配置を示す
正面図、第４図は第１図の半導体パツケージのふ
たとシールフレームの拡大図、第５図は本発明の
方法に用いられるスロープ電流の線図、第６図は
本発明の方法を実施する装置の配置図である。 １……パツケージ基体、２……シールフレー
ム、３……ふた、４……半導体チツプ、５……ワ
イヤ、６……外リード、７……溶接電極、８……
欠け線、９……治具、１０……軸、１１……モー
タ、１２……フオトセンサー、１３……エンコー
ダ、１４……電極。
は平行移動方式によるシーム溶接を説明するため
の半導体パツケージの平面図、第３図はシーム溶
接における電極と半導体パツケージの配置を示す
正面図、第４図は第１図の半導体パツケージのふ
たとシールフレームの拡大図、第５図は本発明の
方法に用いられるスロープ電流の線図、第６図は
本発明の方法を実施する装置の配置図である。 １……パツケージ基体、２……シールフレー
ム、３……ふた、４……半導体チツプ、５……ワ
イヤ、６……外リード、７……溶接電極、８……
欠け線、９……治具、１０……軸、１１……モー
タ、１２……フオトセンサー、１３……エンコー
ダ、１４……電極。
Claims (1)
- １ 半導体パツケージ基体に取り付けられたシー
ルフレーム上の金属のふたを載置し、該ふたの対
向する２辺に一対の溶接電極を接触させたまま移
動させてシーム溶接を行うに際して、該一対の溶
接電極間に低電圧を印加した状態で該一対の溶接
電極を該ふたに接触させた後、該一対の溶接電極
間に印加する電圧を上げて溶接を行い、該一対の
溶接電極間に印加する電圧を下げて低電圧にした
状態で該一対の溶接電極を該ふたから離脱させる
ことを特徴とするシーム溶接法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073212A JPS59198735A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | シ−ム溶接法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073212A JPS59198735A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | シ−ム溶接法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59198735A JPS59198735A (ja) | 1984-11-10 |
| JPH0138373B2 true JPH0138373B2 (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=13511622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073212A Granted JPS59198735A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | シ−ム溶接法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59198735A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010201509A (ja) * | 2010-06-21 | 2010-09-16 | Akim Kk | 溶接異常検出方法、シーム溶接異常検出装置、シーム溶接装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4926397B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2012-05-09 | 株式会社Ｆｔｓ | シーム溶接機の溶接制御装置 |
| JP2007075857A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | シーム溶接機 |
| CN113996992B (zh) * | 2021-11-17 | 2024-04-19 | 新疆冶金建设(集团)有限责任公司 | 一种可调高度的护窗栏杆安装定位辅助工具 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5941815B2 (ja) * | 1980-09-01 | 1984-10-09 | 東洋製罐株式会社 | 簡易開封性蓋の製造方法 |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP58073212A patent/JPS59198735A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010201509A (ja) * | 2010-06-21 | 2010-09-16 | Akim Kk | 溶接異常検出方法、シーム溶接異常検出装置、シーム溶接装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59198735A (ja) | 1984-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0138373B2 (ja) | ||
| JPH0794545A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JP2510376Y2 (ja) | イグナイタ | |
| US4551745A (en) | Package for semiconductor device | |
| JP2536459B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH01225140A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3384442B2 (ja) | ボンディングワイヤ不良検出方法 | |
| JPH0635061B2 (ja) | 狭開先ｔｉｇ溶接装置 | |
| JPS60149152A (ja) | シ−ム溶接方法 | |
| JPH06224315A (ja) | シーム接合法 | |
| JP2000307161A (ja) | 圧電アクチュエータおよびその製造方法 | |
| JP2503646B2 (ja) | リ―ドフレ―ムおよび半導体集積回路装置 | |
| JPH0112609B2 (ja) | ||
| JPS59115533A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JPS5917977B2 (ja) | ワイヤボンダ−におけるボ−ル形成方法 | |
| JPH05109809A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JPS5886985A (ja) | シ−ム溶接装置 | |
| JPS6043012B2 (ja) | 半導体組立装置 | |
| JPS5816334B2 (ja) | 半導体ワイヤボンダにおけるワイヤ切れ検出方法 | |
| JPS63249355A (ja) | 集積回路の外囲器 | |
| JPS6052581B2 (ja) | 半導体装置用容器の気密封止方法 | |
| JPS5854656A (ja) | 半導体装置のキヤツプ封着方法 | |
| JPH04180655A (ja) | 半導体装置の封止方法 | |
| JPS5988842A (ja) | ワイヤの接続不良検出方法 | |
| JPS59198736A (ja) | シ−ム溶接法 |