JPS6311523A - 易焼結性圧電セラミツクス粉末の製造法 - Google Patents

易焼結性圧電セラミツクス粉末の製造法

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JPS6311523A
JPS6311523A JP61155635A JP15563586A JPS6311523A JP S6311523 A JPS6311523 A JP S6311523A JP 61155635 A JP61155635 A JP 61155635A JP 15563586 A JP15563586 A JP 15563586A JP S6311523 A JPS6311523 A JP S6311523A
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JP
Japan
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powder
precipitate
piezoelectric ceramic
ceramic powder
pzt
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JP61155635A
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English (en)
Inventor
Shinichi Shirasaki
信一 白崎
Soichiro Sugano
総一郎 菅野
Hiromichi Okamura
岡村 博道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Soda Co Ltd
National Institute for Materials Science
Original Assignee
National Institute for Research in Inorganic Material
Nippon Soda Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、低温焼結性で高性能のPZT系圧電セラミッ
クス原料粉末の製造方法に関する。
PZT系セラミックスは、高周波フィルター、超音波振
動子、共振子エレメント(ピックアップエレメント、着
火素子メカニカルフィルタ、遅延線用変換素子、バイモ
ルフ素子等)として広範囲に利用されている。
〔従来技術〕
従来のPZT系セラミックスの原料粉末の製造方法とし
ては、乾式法と湿式共沈法が知られている。
乾式法は、構成成分の酸化物又は炭酸塩等の粉末を混合
し、これを仮焼する方法である。湿式共沈法は、PZT
の構成成分の全ての混合液を作り、これにアルカリ等の
沈殿形成液を添加して共沈させ、乾燥、仮焼する方法で
ある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来から知られている乾式法では、均一な組成の原料粉
末が得難く、またPZTの生成反応を完遂させるために
仮焼温度を高くすることが必要であるので、粒子が粗大
化して易焼結性になりにくい欠点があった。
また、湿式共沈法では、沈殿形成液の添加時の?暦度が
一定であるため、各成分の沈殿形成能が異なる場合には
、ある成分は100%沈殿を生成するが、他の成分は1
00%沈殿を生成しえないことがあり、所望組成のもの
を得にくい欠点がある。
更に、PZTは鉛とチタンとを含有しているので、これ
を共沈法で製造する場合、チタン原料として安価な四塩
化チタンを使用すると、四塩化チタンの塩素イオンが鉛
イオンと反応して白色沈殿を生成するため、四塩化チタ
ンは使用できない。この場合、オキシ硝酸チタンを使用
すればこの沈殿の生成を防ぐことができるが、高価であ
るため実用的でない。
また、湿式法として、有機金属化合物を用いる方法もあ
り、この場合、有害な陰イオンの生成はないが、原料が
高価であり工業的生産には適していない。
更に、M g + N s + Z n + M nは
、共通の沈殿形成液を用い、同−pH5I域内で沈殿を
形成させることが困難であり、Nb、Taは、水系溶媒
に熔解する塩が少なく、そのため、これらの金属を含有
するPZT系セラミックス粉末を、水系溶液から沈殿形
成させる方法で、正しい化学量論比を持つペロブスカイ
ト系酸化物として得ることは困難であった。
本発明の目的は、Mg、N5ZnJn、Nb、Ta等の
金属を含有するPZT系圧電セラミ・ノクスの原料粉末
の製法における従来法の欠点を解消し、チタン原料とし
て安価な四塩化チタンも使用でき、高密度で電気特性の
優れたPZT系圧電セラミックスの製造に適した、低温
焼結性の粉末を製造する方法を提供するにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、一般式 Pb(Zrt Tit−t)O:+
(但し、t・0.1〜0.9)で表されるペロブスカイ
ト系圧電セラミックス粉末、又は一般式Pb(Zrt 
Tit−t)O、(但し、t・0.1〜0.9)で表さ
れる酸化物と、一般式PbA+zJzziO3(但し、
AはMg、 Ni、Zn及びMnからなる群から選ばれ
た1種又は2種以上を、BはNb及び又はTaを表す)
で表される酸化物とからなるペロブスカイト構造を持つ
PZT系圧電セラミックス粉末の製造において、ジルコ
ニウム及びチタニウム化合物の各溶液と沈殿形成液とを
混合し、得られた沈殿を仮焼した後、該Ti−Zr仮焼
粉末にその他の成分化合物を混合し、仮焼することから
なる鉛含有ペロブスカイト系酸化物の製造法である。本
発明において、PZT系圧電セラミックスとは、前記一
般式のpbの原子比を1.0より高くあるいは低くずら
したもの、またitの他金属元素を添加した系をも含む
ものである。
本発明方法においては、Zr及びTi成分はそれらの原
料化合物の溶液を沈殿形成液と混合し、共沈法又は逐次
沈殿法により沈殿形成させる。
沈殿形成液としては、例えば、アンモニア、苛性アルカ
リ、炭酸ソーダ、蓚酸アンモニウム、アミン等の溶液が
挙げられるが、微量の混入が電気特性に影古するナトリ
ウム、カリウムを含まず、仮焼段階で容易に分解し、か
つ安価なアンモニア水が好ましい。
Zr−Tiの混合水酸化物沈殿の形成にあたっては、沈
殿形成後、洗浄により陰イオンの除去を十分に行う必要
がある。洗浄は、通常、水又はアンモニア水を使用し、
リパルプ水洗を繰り返すことが好ましい。該洗浄が十分
でないと、塩化鉛等を生成し焼結時に重量減少し、焼結
性及び電気特性が低下する。
また、より性能の優れた粉末を得るためには、沈殿生成
後、熟成を行うことが好ましい。熟成tよ、低温の場合
は長時間、高温の場合は短時間であり、通常、10〜8
0℃で30分以上、好ましくは1〜24時間である。
本発明における沈殿形成は、水系溶媒、例えば、水又は
水−アルコール中で行われる。
得られたZr−Ti混合沈殿を400〜1000″C1
好ましくは600〜900℃で仮焼した後、その他の成
分化合物と混合し、仮焼することにより、本発明のセラ
ミックス粉末を得ることが出来る。
原料化合物として使用するZr、Ti化合物としては、
水酸化物、オキシ塩化物、炭酸塩、オキシ硝酸塩、硫酸
塩、硝酸塩、酢酸塩、ギ酸塩、蓚酸塩、塩化物、酸化物
等が挙げられる。これらが水に可溶でない場合は、鉱酸
等を添加して可溶とするができるが、最も安価で、本発
明方法に適したものは、オキシ塩化ジルコニウム又はオ
キシ硝酸シルコニニウム、及び四塩化チタンである。
Zr及びTi以外の成分の原料化合物としては、酸化物
の他、炭酸塩等の熱分解性化合物が使用出来るが、鉛成
分原料としては、PbO又はPbz04を用いる。
Zr−Ti仮焼粉末とその他の成分化合物との混合方法
としては、 (1) Zr−Ti仮焼粉末とその他の全成分化合物と
を混合した後仮焼する方法、 (2) Zr−Ti仮焼粉末とA及びB成分化合物との
混合粉末を400〜1000℃、好ましくは600−9
00℃で仮焼した後、鉛酸化物を混合し、仮焼する方法
等がある。
(3)前記(1)において、A及びB成分化合物として
、予め、A成分原料とB成分原料とを混合し、400〜
1000℃、好ましくは700〜1000℃で仮焼して
得られた、複合酸化物AO−B、O5を用いる方法等が
ある。
最終仮焼は400〜1000℃、好ましくは700〜1
000℃で行う。
本発明において、PZT系セラミックスの焼結性や特性
を制御するために、微量成分、例えば、Ba、Ca、 
Sr、Sn、Mn、 At、La、 Nb、Cs、Ge
、V、 Y、 Bi、 Fe、Cr。
Ni、 Ir、Rh、Na、Sc+ In、に+Ga、
TI、W、Th等の元素の化合物を添加してもよい。
本発明により得られるPZT系圧電セラミックス原料粉
末は低温焼結性の粉末であり、800〜1220℃で焼
結することにより、高密度で電気特性の優れたPZT系
圧電セラミックス焼結体を得ることが出来る。
以下、実施例を挙げ本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれら実施例によりなんら限定されるものではな
い。
実施例1゜ オキシ塩化ジルコニウム0.0135モルと四塩化チタ
ン0.0365モルとを水500IIll中に溶解し、
この?容液を、60℃に保持攪拌している3Nアンモニ
ア水17!に徐々に滴下した後、60℃で1時間攪拌を
継続し反応を熟成させた。
濾過後、濾過ケーキを再び希アンモニア水に分散させて
濾過する方法(リパルプ洗浄)を数回繰り返し、塩素イ
オンを十分除去した。尚、リパルプ洗浄時の濾紙への付
着による各成分の世論比が変わることを防ぐため、常に
同じ濾紙上で濾過を行った。
次いで、この混合水酸化物を乾燥した後800℃で約1
時間仮焼し、仮焼粉末とhgo 0.0167モル、N
bzOsO,0167モルとをボールミルで混合し、9
00℃で約2時間仮焼した。
得られた仮焼粉末とPb3O4とを混合し、800℃で
2時間仮焼し、再びボールミルで粉砕し、Pb(Mg+
7Jbzzs)o、 soo Zro、+3sTio、
 5hs(h組成のセラミックス粉末を得た。
実施例2 オキシ塩化ジルコニウム0.05モルと四塩化チタン0
.05モルとを水500m l!中に溶解し、この溶液
を、60℃に保持攪拌している3N7ンモニア水12に
徐々に滴下した後、60℃で1時間攪拌を!続し反応を
熟成させた。
濾過後、濾過ケーキを再び希アンモニア水に分散させて
濾過する方法(リパルプ洗浄)を数回繰り返し、塩素イ
オンを十分除去した。尚、リパルプ洗浄時の濾紙への付
着による各成分の量論比が変わることを防ぐため、常に
同じ濾紙上で濾過を行った。
次いで、この混合水酸化物を乾燥した後800℃で2時
間仮焼した。得られた仮焼粉末とPb104とを混合し
、800℃で2時間仮焼し、再びボールミルで粉砕し、
Pb(Zro、 sc+。Tio、 5oo)Oz組成
のセラミックス粉末を得た。
比較例1 市販のPbO、TiO2、Zr(h、MgO、NbzO
sの粉末をPb (Mg+7Jbzzs) o、 so
o Zr o、 lff5Tio、 1h50:+の組
成になるように配合し、ボールミルで混合した後、80
0°Cで約2時間仮称し、再びボールミルで粉砕した後
乾燥し、Pb(門g+zJbzzz)o、 soo Z
ro、 135Tio、zbs03HA成のセラミック
ス粉末を得た。
比較例2 市販のPbO、Ti0z、Zr0zの粉末をPb(Zr
o、 5ooTio、 500)03の組成になるよう
に配合し、ボールミルで混合した後、800℃で2時間
仮称し、再びボールミルで粉砕した後乾燥し、 Pb(Zro、 s。。Ti、、 、。。)03組成の
セラミックス粉末を得た。
(評価試験) (A)原料粉末の特性 粒度分布は遠心沈降式粒度分布測定機(品性製作所・5
A−CP型)を用いて測定した。
(A−1)平均粒径D5゜;累積重量百分率が50Zを
示す粒径 (A−2)粒度分布り、。10+。:累積重量百分率が
90χを示す粒径り、。を累積重量百分率が10χを示
す粒径D1゜で除した値 (A−3)比表面積:比表面積自動測定装置(話法マイ
クロメリティクス2200型)を用いて測定した。
(B)誘電体磁器の特性 実施例及び比較例で得られた粉末を使用して圧電体磁器
を製造した。
原料粉末1gを直径201の金型に入れ、2ton/c
m2の圧力で加圧成形し成形体を得た。この成形体をマ
グネシアルツボに入れ蓋をし、焼成炉で焼結し圧電体磁
器を得た。
(B−1)焼結密度:水中置換法により測定した。
(B−2)誘電特性ε及びtan δ:LCZメーター
(横河ヒユーレットパフカード製4276A)を使用し
、20℃、lKH2の条件で比誘電率ε及び誘電正接t
anδを測定した。
結果を第1表に記載した。
〔発明の効果〕
本発明方法は、工業的方法としても優れたものであり、
本発明の方法で製造された原料粉末は、低温焼結性であ
り、該粉末の焼結により得られるPZT系圧電セラミッ
クス焼結体は、高密度で電気特性に優れている。
本発明方法は、PZT単独組成のセラミックス粉末の製
造においても効果があり、950℃以下の低温焼結性が
得られた。
特許出願人 科学技術庁無機材質研究所(430)日本
曹達株式会社 代 理 人 (6286)  伊藤 晴之(7125)
  構出 吉美

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式Pb(Zr_tTi_1_−_t)O_3
    (但し、t=0.1〜0.9)で表されるペロブスカイ
    ト系圧電セラミックス粉末、又は一般式Pb(Zr_t
    Ti_1_−_t)O_3(但し、t=0.1〜0.9
    )で表される酸化物と、一般式PbA_1_/_3B_
    2_/_3O_3(但し、AはMg、Ni、Zn及びM
    nからなる群から選ばれた1種又は2種以上を、BはN
    b及び又はTaを表す)で表される酸化物とからなるペ
    ロブスカイト系圧電セラミックス粉末の製造において、
    ジルコニウム及びチタニウム化合物の各溶液と沈殿形成
    液とを混合し、得られた沈殿を仮焼した後、該Ti−Z
    r仮焼粉末にその他の成分化合物を混合し、仮焼するこ
    とを特徴とする鉛含有ペロブスカイト系酸化物の製造法
JP61155635A 1986-07-02 1986-07-02 易焼結性圧電セラミツクス粉末の製造法 Pending JPS6311523A (ja)

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