JPS63117914A - Ｐｔｃサ−ミスタ用金属酸化物粉末の製造方法 - Google Patents
Ｐｔｃサ−ミスタ用金属酸化物粉末の製造方法Info
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- JPS63117914A JPS63117914A JP61262193A JP26219386A JPS63117914A JP S63117914 A JPS63117914 A JP S63117914A JP 61262193 A JP61262193 A JP 61262193A JP 26219386 A JP26219386 A JP 26219386A JP S63117914 A JPS63117914 A JP S63117914A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
- H01C7/023—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites
- H01C7/025—Perovskites, e.g. titanates
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- Electromagnetism (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＰＴＣサーミスタに用いられるチタン酸バリ
ウムを主成分とする酸化物粉末の製造法に関するもので
ある。
ウムを主成分とする酸化物粉末の製造法に関するもので
ある。
従来の技術
チタン酸バリウムはキ。り一点付近で高誘電率を示し、
主にコンデンザ材料として利用されてきた。キュリー点
は、チタン酸ストロンチウムを固溶させることにより低
温側に、ヂタン酸鉛を固溶させることにより高温側に移
動できる。また、ニオブ、イツトリウム等の添加物を結
晶粒内に微量固溶させることにより原子価制御が行われ
、半導体化する。電気抵抗の温度係数は負であるが、粒
界の効果でキュリー点イ１近で温度係数が正の部分が出
現する。この現象はＰＴＣ効果と呼ばれ、無接点スイッ
チ素子、サーミスタ等の製品に応用されている。（増補
版ｒチタバリ系半導体」、ニレセラ出版委員会編、技献
（１９８０） ）ＰＴＣサーミスタの製造には、多くの
場合、所定量の炭酸バリウム、酸化チタン、酸化ニオブ
等を混合し、仮焼および焼成の段階で脱炭酸、相互拡散
させる手法（固相法）がとられている。反応を充分進行
させるためには仮焼を高温で長時間行うのが最も効果的
であるが、仮焼後の粉末が硬くなり粉砕に多大なエネル
ギーを要し、また粉砕時に粉砕装置から不純物が混入し
、特性の制御が困難となる。ナトリウム、カリウム、鉄
、マンガン、クロム等が結晶粒内に共存すると、原子価
補償を起こし、半導体化のために加えた元素の効果が打
ち消されてしまう。最低の電気抵抗を与える半導体化元
素の添加量は、大略０．２〜０．４ａｔｌという微量か
つ狭い範囲である。つまり、不純物混入はＰＴＣサーミ
スタの特性に決定的な影響を及ぼすと言える。
主にコンデンザ材料として利用されてきた。キュリー点
は、チタン酸ストロンチウムを固溶させることにより低
温側に、ヂタン酸鉛を固溶させることにより高温側に移
動できる。また、ニオブ、イツトリウム等の添加物を結
晶粒内に微量固溶させることにより原子価制御が行われ
、半導体化する。電気抵抗の温度係数は負であるが、粒
界の効果でキュリー点イ１近で温度係数が正の部分が出
現する。この現象はＰＴＣ効果と呼ばれ、無接点スイッ
チ素子、サーミスタ等の製品に応用されている。（増補
版ｒチタバリ系半導体」、ニレセラ出版委員会編、技献
（１９８０） ）ＰＴＣサーミスタの製造には、多くの
場合、所定量の炭酸バリウム、酸化チタン、酸化ニオブ
等を混合し、仮焼および焼成の段階で脱炭酸、相互拡散
させる手法（固相法）がとられている。反応を充分進行
させるためには仮焼を高温で長時間行うのが最も効果的
であるが、仮焼後の粉末が硬くなり粉砕に多大なエネル
ギーを要し、また粉砕時に粉砕装置から不純物が混入し
、特性の制御が困難となる。ナトリウム、カリウム、鉄
、マンガン、クロム等が結晶粒内に共存すると、原子価
補償を起こし、半導体化のために加えた元素の効果が打
ち消されてしまう。最低の電気抵抗を与える半導体化元
素の添加量は、大略０．２〜０．４ａｔｌという微量か
つ狭い範囲である。つまり、不純物混入はＰＴＣサーミ
スタの特性に決定的な影響を及ぼすと言える。
発明が解決しようとする問題点
近年、人工衛星搭載用のＰＴＣザーミスタとして、従来
よりも低抵抗かつ高信頼性のものが要求されている。従
来の固相法によるならば、焼結体への不純物混入の問題
は避けられず、電気抵抗が高くなり、信頼性には難があ
った。本発明はこれらの問題点を解決するものである。
よりも低抵抗かつ高信頼性のものが要求されている。従
来の固相法によるならば、焼結体への不純物混入の問題
は避けられず、電気抵抗が高くなり、信頼性には難があ
った。本発明はこれらの問題点を解決するものである。
問題点を解決するだめの手段
バリウムアルコキシドおよびストロンチウムアルコキシ
ドのうちの少なくとも一種と、チタンアルコキシドと半
導体化元素Ｍ（ニオブあるいはイツトリウム）のアルコ
キシドの混合、加水分解を含む工程により、 （ＢａｘＳｒ＋−ｘ）ＴｉＯａ −ｎ Ｈ２Ｏ＋２Ｍ（
ただし、■≧Ｘ≧０、ｎ≧０．０．００４０≧ｚ≧０）
なる組成のＰＴＣサーミスタ用金属酸化物粉末を製造す
る。
ドのうちの少なくとも一種と、チタンアルコキシドと半
導体化元素Ｍ（ニオブあるいはイツトリウム）のアルコ
キシドの混合、加水分解を含む工程により、 （ＢａｘＳｒ＋−ｘ）ＴｉＯａ −ｎ Ｈ２Ｏ＋２Ｍ（
ただし、■≧Ｘ≧０、ｎ≧０．０．００４０≧ｚ≧０）
なる組成のＰＴＣサーミスタ用金属酸化物粉末を製造す
る。
作用
本発明によれば、ニオブまたはイツトリウムを半導体化
元素として含有し、バリウムあるいはストロンチウムと
、チタン七を主成分とするＰＴＣサーミスタ用金属酸化
物粉末を容易に製造することができる。得られた粉末を
原料とし、仮焼、成形、焼成することにより、電気抵抗
が低（高信頼性のＰＴＣサーミスタ材料を得ることがで
きる。
元素として含有し、バリウムあるいはストロンチウムと
、チタン七を主成分とするＰＴＣサーミスタ用金属酸化
物粉末を容易に製造することができる。得られた粉末を
原料とし、仮焼、成形、焼成することにより、電気抵抗
が低（高信頼性のＰＴＣサーミスタ材料を得ることがで
きる。
実施例
実施例１
バリウムイソプロポキシドおよびストロンチウムイソプ
ロポキシドと、チタンイソプロポキシドとニオブイソプ
ロポキシドを （ＢａｘＳｒ１−ｘ）ＴｉＯ３＋ｚＮ ｂ（ｘ−０，６，０，００４０≧ｚ≧０）なる組成とな
るように不活性雰囲気中で配合し、その合計重量の２Ｏ
倍のベンゼンを溶媒として加え、８０℃に保持して撹拌
した。約２時間後、温度を８０℃に保持したまま、水を
１０重量％含むイソプロピルアルコールを滴下した。滴
下量は配合したアルコキシドがすべて加水分解されるの
に最低限必要な水量の３倍の水量とした。温度を８０℃
に保持し、６ 時間撹拌し、白色の沈殿を得た。２４
時間放置し得られた沈殿を沈降させ、うわずみ液を捨
てた。乾燥は空気中で１５０℃で５時間行った。乾燥後
の粉末のＢＥＴ粒径は約１０ｎｍであった。Ｘ線回折パ
ターンはぺＬ１ブスカイト構造を示し、副成分は認めら
れなかった。
ロポキシドと、チタンイソプロポキシドとニオブイソプ
ロポキシドを （ＢａｘＳｒ１−ｘ）ＴｉＯ３＋ｚＮ ｂ（ｘ−０，６，０，００４０≧ｚ≧０）なる組成とな
るように不活性雰囲気中で配合し、その合計重量の２Ｏ
倍のベンゼンを溶媒として加え、８０℃に保持して撹拌
した。約２時間後、温度を８０℃に保持したまま、水を
１０重量％含むイソプロピルアルコールを滴下した。滴
下量は配合したアルコキシドがすべて加水分解されるの
に最低限必要な水量の３倍の水量とした。温度を８０℃
に保持し、６ 時間撹拌し、白色の沈殿を得た。２４
時間放置し得られた沈殿を沈降させ、うわずみ液を捨
てた。乾燥は空気中で１５０℃で５時間行った。乾燥後
の粉末のＢＥＴ粒径は約１０ｎｍであった。Ｘ線回折パ
ターンはぺＬ１ブスカイト構造を示し、副成分は認めら
れなかった。
乾燥後の粉末を１１００℃で２時間仮焼した。仮焼後の
粉末は青味かかった白色を呈していた。発光分光分析に
より不純物は無視できるほど少なく、かつ配合組成どお
りの仮焼粉末が得られていることが確認できた。仮焼粉
末のＸ線回折パターンは、非常に鋭いペロブスカイトの
ピークのみであった。ＢＥＴ粒径は約１００ｒ＋ｍであ
った。仮焼粉末に対し約５重量％の３％ポリビニルアル
コール水溶液を加え、３２メツシユのふるいにかけ、−
軸加工プレスにより成形した。
粉末は青味かかった白色を呈していた。発光分光分析に
より不純物は無視できるほど少なく、かつ配合組成どお
りの仮焼粉末が得られていることが確認できた。仮焼粉
末のＸ線回折パターンは、非常に鋭いペロブスカイトの
ピークのみであった。ＢＥＴ粒径は約１００ｒ＋ｍであ
った。仮焼粉末に対し約５重量％の３％ポリビニルアル
コール水溶液を加え、３２メツシユのふるいにかけ、−
軸加工プレスにより成形した。
成形体を室温から１１００℃までは４００℃／ｈｒ１１
１００℃から１３００℃までは１００℃／ｈｒで昇温し
、１３００℃で１時間保持した後、４００℃／ｈｒで降
温し、濃い青色をした焼結体を得た。密度は理論密度の
９５％であった。インジウム−ガリウム合金を含む銀電
極を焼き付け、その上に銀電極を焼き付け、リード線を
はんだ付けした。ニオブの添加量２が０．００３２の時
の電気抵抗−温度特性を図に示す。固相法による原料粉
末から作製されたものと比べて、−桁以上比抵抗が低い
ものを得ることができた。（Ｅ。
１００℃から１３００℃までは１００℃／ｈｒで昇温し
、１３００℃で１時間保持した後、４００℃／ｈｒで降
温し、濃い青色をした焼結体を得た。密度は理論密度の
９５％であった。インジウム−ガリウム合金を含む銀電
極を焼き付け、その上に銀電極を焼き付け、リード線を
はんだ付けした。ニオブの添加量２が０．００３２の時
の電気抵抗−温度特性を図に示す。固相法による原料粉
末から作製されたものと比べて、−桁以上比抵抗が低い
ものを得ることができた。（Ｅ。
アンドリッチ（Ａｎｄｒｉｃｈ ） 、エレクトロニッ
ク アプリケーションズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ａ＋
）＋）ｌｉｃａｔｉｏｎｓ） 。
ク アプリケーションズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ａ＋
）＋）ｌｉｃａｔｉｏｎｓ） 。
しかし、最低の比抵抗を与えるニオブの添加量は、固相
法の場合のそれに比べて多かった。信頼性の評価として
１２５℃放置試験を行った。５００時間後、１０００時
間後の抵抗変化率はそれぞれ、１．８６％、２．７１％
であった。
法の場合のそれに比べて多かった。信頼性の評価として
１２５℃放置試験を行った。５００時間後、１０００時
間後の抵抗変化率はそれぞれ、１．８６％、２．７１％
であった。
実施例２
はじめに、ニオブイソプロポキシドをベンゼン溶媒中に
溶かし、撹拌した。溶媒の量は、後に加えるバリウムイ
ソプロポキシド、ストロンチウムイソプロポキシドおよ
びチタンイソプロポキシドの合計重量の２Ｏ倍とした。
溶かし、撹拌した。溶媒の量は、後に加えるバリウムイ
ソプロポキシド、ストロンチウムイソプロポキシドおよ
びチタンイソプロポキシドの合計重量の２Ｏ倍とした。
約２時間後、ニオブイソプロポキシドがすべて加水分解
されるのに最低限必要な水量を含む、１０重量％Ｈ２Ｏ
−イソプロピルアルコールを滴下した。６時間後にバリ
ウムイソプロポキシド、ストロンチウムイソプロポキシ
ドおにびチタンイソプロポキシドを、（ＢａｘＳｒ１−
ｘ）ＴｉＯａ＋ｚＮ ｂ（ｘ−０，６，０，００２Ｏ≧Ｚ≧０）なる組成とな
るように加えた。２時間後、アルコキシドがすべて加水
分解されるのに最低限必要な水量の３倍の水量を含む１
０重量％Ｈ２Ｏ−イソプロピルアルコールを滴下した。
されるのに最低限必要な水量を含む、１０重量％Ｈ２Ｏ
−イソプロピルアルコールを滴下した。６時間後にバリ
ウムイソプロポキシド、ストロンチウムイソプロポキシ
ドおにびチタンイソプロポキシドを、（ＢａｘＳｒ１−
ｘ）ＴｉＯａ＋ｚＮ ｂ（ｘ−０，６，０，００２Ｏ≧Ｚ≧０）なる組成とな
るように加えた。２時間後、アルコキシドがすべて加水
分解されるのに最低限必要な水量の３倍の水量を含む１
０重量％Ｈ２Ｏ−イソプロピルアルコールを滴下した。
６時間撹拌し、白色の沈殿を得た。以−Ｈの工程は温度
を８０℃に保持したまま行った。得られた沈殿を、実施
例１の場合と同様にして、乾燥した。乾燥後の粉末の８
６１粒径は約１ＯｎＩ１１で、Ｘ線回折パターンはペロ
ブスカイト構造を示し、副成分は認められなかった。
を８０℃に保持したまま行った。得られた沈殿を、実施
例１の場合と同様にして、乾燥した。乾燥後の粉末の８
６１粒径は約１ＯｎＩ１１で、Ｘ線回折パターンはペロ
ブスカイト構造を示し、副成分は認められなかった。
得られた粉末を、実施例１の場合と同様にして、仮焼、
成形、焼成した。
成形、焼成した。
得られた焼結体の密度は理論密度の９５％であった。ニ
オブの添加ｆｔｔｚが０．０００８の時、電気抵抗が最
低のものが得られた。その比抵抗−温度特性は、図に示
したものとほぼ同様であった。１２５℃における５００
時間後、１０００時間後の抵抗変化率はそれぞれ１．５
７％、２．２Ｏ％であった。
オブの添加ｆｔｔｚが０．０００８の時、電気抵抗が最
低のものが得られた。その比抵抗−温度特性は、図に示
したものとほぼ同様であった。１２５℃における５００
時間後、１０００時間後の抵抗変化率はそれぞれ１．５
７％、２．２Ｏ％であった。
実施例３
ニオブの添加量Ｚを０．００３２とし、実施例１の場合
と同様にして、金属アルコキシドの混合から沈殿を得る
までの工程を４０℃に保持したまま行った。乾燥後の粉
末の８６１粒径は約６ｎｍで、Ｘ線回折パターンは、半
値幅の広いペロブスカイトのピークのみであった。得ら
れた粉末を同様にして仮焼、成形、焼成した。得られた
焼結体の密度は理論密度の９８．９％以上であった。−
２５℃における比抵抗値は９．８２Ω・Ｃｌｌ１であっ
た。１２５℃における５００時間後、１０００時間後の
抵抗変化率はそれぞれ０．８６％、１．４９％であった
。
と同様にして、金属アルコキシドの混合から沈殿を得る
までの工程を４０℃に保持したまま行った。乾燥後の粉
末の８６１粒径は約６ｎｍで、Ｘ線回折パターンは、半
値幅の広いペロブスカイトのピークのみであった。得ら
れた粉末を同様にして仮焼、成形、焼成した。得られた
焼結体の密度は理論密度の９８．９％以上であった。−
２５℃における比抵抗値は９．８２Ω・Ｃｌｌ１であっ
た。１２５℃における５００時間後、１０００時間後の
抵抗変化率はそれぞれ０．８６％、１．４９％であった
。
実施例４
ニオブの添加量２を０．０００８とし、実施例２の場合
と同様にして、ニオブアルコキシドと溶媒との混合から
沈殿を得るまでの工程を４０℃に保持したまま行った。
と同様にして、ニオブアルコキシドと溶媒との混合から
沈殿を得るまでの工程を４０℃に保持したまま行った。
乾燥後の粉末の８６１粒径は約５ｎｍで、Ｘ線回折パタ
ーンは、半値幅の広いペロブスカイトのピークのみであ
った。得られた粉末を同様にして仮焼、成形、焼成した
。得られた焼結体の密度は理論密度の９９．１％以上で
あった。−２５℃における比抵抗値は７．５５Ω・ｃｍ
であった。１２５℃における５００時間後、１０００時
間後の抵抗変化率はそれぞれ０．８３％、１．２１％で
あった。
ーンは、半値幅の広いペロブスカイトのピークのみであ
った。得られた粉末を同様にして仮焼、成形、焼成した
。得られた焼結体の密度は理論密度の９９．１％以上で
あった。−２５℃における比抵抗値は７．５５Ω・ｃｍ
であった。１２５℃における５００時間後、１０００時
間後の抵抗変化率はそれぞれ０．８３％、１．２１％で
あった。
実施例５
半導体化元素をイツトリウムとし、実施例２の場合と同
様にして、イツトリウムアルコキシドと溶媒との混合か
ら沈殿を得るまでの工程を４０℃に保持したまま行った
。乾燥後の粉末の８６１粒径は約５ｎｍで、Ｘ線回折パ
ターンは、半値幅の広いペロブスカイＩ・のピークのみ
であった。得られた粉末を同様にして仮焼、成形、焼成
した。得られた焼結体の密度は理論密度の９８．８％以
上であった。イツトリウムの添加量Ｚが０．００１０の
時、電気抵抗が最低のものが得られた。−２５℃におけ
る比抵抗値は９．１１Ω・Ｃ１１１であった。１２５℃
における５００時間後、１０００時間後の抵抗変化率は
それぞれ０．８９％、１．３４％であった。
様にして、イツトリウムアルコキシドと溶媒との混合か
ら沈殿を得るまでの工程を４０℃に保持したまま行った
。乾燥後の粉末の８６１粒径は約５ｎｍで、Ｘ線回折パ
ターンは、半値幅の広いペロブスカイＩ・のピークのみ
であった。得られた粉末を同様にして仮焼、成形、焼成
した。得られた焼結体の密度は理論密度の９８．８％以
上であった。イツトリウムの添加量Ｚが０．００１０の
時、電気抵抗が最低のものが得られた。−２５℃におけ
る比抵抗値は９．１１Ω・Ｃ１１１であった。１２５℃
における５００時間後、１０００時間後の抵抗変化率は
それぞれ０．８９％、１．３４％であった。
比較例
−］Ｏ＝−
比較のために、固相法により原料を製造し、その焼結体
を作製し、特性を調べた。炭酸バリウム、炭酸ストロン
チウム、酸化チタンおよび酸化ニオブを （ＢａｘＳｒｓ−ｘ）ＴｉＯｓ＋ｚＮｂ（ｘ−０，６、
ｚ−０，００２２） なる組成となるように配合し、さらにその８ｍｏ １％
にあたるアルミナ、シリカ、酸化チタンを１／３ Ａｌ
２Ｏａ ： ３／４５ｉ０２： ｌ／４ ＴｉＯ
２なる割合で添加し、蒸留水を溶媒としてポリエチレン
製容器とメノウを用いてＩＯ時間混合した。乾燥は、２
Ｏ０℃で６時間行った。１１００℃で２時間仮焼した後
、混合と同様にして３時間粉砕を行った。
を作製し、特性を調べた。炭酸バリウム、炭酸ストロン
チウム、酸化チタンおよび酸化ニオブを （ＢａｘＳｒｓ−ｘ）ＴｉＯｓ＋ｚＮｂ（ｘ−０，６、
ｚ−０，００２２） なる組成となるように配合し、さらにその８ｍｏ １％
にあたるアルミナ、シリカ、酸化チタンを１／３ Ａｌ
２Ｏａ ： ３／４５ｉ０２： ｌ／４ ＴｉＯ
２なる割合で添加し、蒸留水を溶媒としてポリエチレン
製容器とメノウを用いてＩＯ時間混合した。乾燥は、２
Ｏ０℃で６時間行った。１１００℃で２時間仮焼した後
、混合と同様にして３時間粉砕を行った。
成形、焼成は実施例１の場合と同様にして行った。得ら
れた焼結体の密度は理論密度の９２％であった。比抵抗
は一２６℃で極小値８４０Ω・ｃａｎを示した。１２５
℃における５００時間後、１０００時間後の抵抗変化率
はそれぞれ２．５３％、３．７６％であった。
れた焼結体の密度は理論密度の９２％であった。比抵抗
は一２６℃で極小値８４０Ω・ｃａｎを示した。１２５
℃における５００時間後、１０００時間後の抵抗変化率
はそれぞれ２．５３％、３．７６％であった。
発明の効果
本発明によれば、ニオブまたはイツトリウムを半導体化
元素として含有し、バリウムあるいはストロンチウムと
、チタンとを主成分とするＰＴＣザーミスタ用金属酸化
物粉末を容易に製造することができる。得られた粉末は
高純度のものであり、これを原料とし仮焼、成形、焼成
することにより電気抵抗が低くかつ高信頼性のＰＴＣサ
ーミスタ材料を得ることができる。
元素として含有し、バリウムあるいはストロンチウムと
、チタンとを主成分とするＰＴＣザーミスタ用金属酸化
物粉末を容易に製造することができる。得られた粉末は
高純度のものであり、これを原料とし仮焼、成形、焼成
することにより電気抵抗が低くかつ高信頼性のＰＴＣサ
ーミスタ材料を得ることができる。
図は本発明の一実施例において製造されたＰＴＣサーミ
スタ用金純金属酸化物粉末作製した焼結体の比抵抗と温
度の関係を示すグラフである。
スタ用金純金属酸化物粉末作製した焼結体の比抵抗と温
度の関係を示すグラフである。
Claims (3)
- （１）バリウムアルコキシドおよびストロンチウムアル
コキシドのうちの少なくとも一種と、チタンアルコキシ
ドと半導体化元素Ｍ（ニオブあるいはイットリウム）の
アルコキシドを混合、加水分解する工程を含み、 （ＢａｘＳｒ＿１＿−＿ｘ）ＴｉＯ＿３・ｎＨ＿２Ｏ＋
ＺＭ（ただし、１≧ｘ≧０、ｎ≧０、０．００４０≧ｚ
≧０）なる組成の粉末を作製することを特徴とするＰＴ
Ｃサーミスタ用金属酸化物粉末の製造方法。 - （２）はじめに半導体化元素のアルコキシドの混合、加
水分解を行った後に、バリウムアルコキシドおよびスト
ロンチウムアルコキシドのうちの少なくとも一種と、チ
タンアルコキシドとを加え、混合、加水分解することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＰＴＣサーミス
タ用金属酸化物粉末の製造方法。 - （３）混合および加水分解時の温度が４０℃以下である
特許請求の範囲第１項記載のＰＴＣサーミスタ用金属酸
化物粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61262193A JPS63117914A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | Ｐｔｃサ−ミスタ用金属酸化物粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61262193A JPS63117914A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | Ｐｔｃサ−ミスタ用金属酸化物粉末の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63117914A true JPS63117914A (ja) | 1988-05-21 |
Family
ID=17372366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61262193A Pending JPS63117914A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | Ｐｔｃサ−ミスタ用金属酸化物粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63117914A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991013042A1 (en) * | 1990-02-28 | 1991-09-05 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Improved ceramic dielectric composition and method of preparation |
| WO1991013043A1 (en) * | 1990-02-28 | 1991-09-05 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Improved ceramic dielectric compositions and method for enhancing dielectric properties |
| WO1993004490A1 (en) * | 1991-08-26 | 1993-03-04 | Nippon Tungsten Co., Ltd. | Heating apparatus using ptc thermistor |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP61262193A patent/JPS63117914A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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