JPS63122125A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63122125A JPS63122125A JP26816086A JP26816086A JPS63122125A JP S63122125 A JPS63122125 A JP S63122125A JP 26816086 A JP26816086 A JP 26816086A JP 26816086 A JP26816086 A JP 26816086A JP S63122125 A JPS63122125 A JP S63122125A
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- Japan
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- insulating film
- film
- opening
- etching
- photoresist
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Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に絶縁膜に
開孔部分を形成する方法に関するものである。
開孔部分を形成する方法に関するものである。
本発明は、絶縁膜に開孔部分を形成するに際し、まず、
レジストをマスクとしてエツチングして絶縁膜に一定の
深さの孔を形成した後レジストを除去し今度は絶縁膜を
全面的にエツチングすることにより、理想的な形状を有
する開孔部分を得るとともに、絶縁膜のステップカバレ
ジの改善をはかろうとするものである。
レジストをマスクとしてエツチングして絶縁膜に一定の
深さの孔を形成した後レジストを除去し今度は絶縁膜を
全面的にエツチングすることにより、理想的な形状を有
する開孔部分を得るとともに、絶縁膜のステップカバレ
ジの改善をはかろうとするものである。
従来の技術によれば、例えば、第１の絶ＲＫ上の第１の
配線上に形成された第２の絶縁膜にＵ８孔部分を形成し
ようとする場合には、以下のようであった。すなわち、
第２図−（ａ）に示す第１の絶縁膜２０１上の第１の配
ｌｌＡ２０２に対して、第２図−（ｂ）に示すように第
２の絶縁膜２０３を形成する。このとき、第２の絶縁膜
′２０３の膜厚については、第１の配＠２０２と第２の
配線を絶縁するのに必要な膜厚、通常ｏ、４〜１．０μ
隅である。次に第２図−＜ｃ＞のように、フォトレジス
ト２０４により開孔パターンを形成した後、第２図−（
ｄ）のように７オトレジスト２０４をマスクとしてエツ
チングを行ない、第２の絶縁膜２０３に開孔部分を形成
する。そして、フォトレジスト２０４を除去する事によ
り、第２図−（ｇ）の構造を得ていた。
配線上に形成された第２の絶縁膜にＵ８孔部分を形成し
ようとする場合には、以下のようであった。すなわち、
第２図−（ａ）に示す第１の絶縁膜２０１上の第１の配
ｌｌＡ２０２に対して、第２図−（ｂ）に示すように第
２の絶縁膜２０３を形成する。このとき、第２の絶縁膜
′２０３の膜厚については、第１の配＠２０２と第２の
配線を絶縁するのに必要な膜厚、通常ｏ、４〜１．０μ
隅である。次に第２図−＜ｃ＞のように、フォトレジス
ト２０４により開孔パターンを形成した後、第２図−（
ｄ）のように７オトレジスト２０４をマスクとしてエツ
チングを行ない、第２の絶縁膜２０３に開孔部分を形成
する。そして、フォトレジスト２０４を除去する事によ
り、第２図−（ｇ）の構造を得ていた。
しかしながら、前述の従来技術では、第２図−（Ｃ）に
示すように、開孔部分上端２０５の形状がほぼ直角にな
るとともに、段差部分２０６でも“くびれ”が生じるた
めに、前記の工程後に第２の配線を形成しようとするよ
うな場合には、前記開孔部分上端２０５および段差部分
２０６において、第２の配線が断線したり、短絡したり
するという問題があった。
示すように、開孔部分上端２０５の形状がほぼ直角にな
るとともに、段差部分２０６でも“くびれ”が生じるた
めに、前記の工程後に第２の配線を形成しようとするよ
うな場合には、前記開孔部分上端２０５および段差部分
２０６において、第２の配線が断線したり、短絡したり
するという問題があった。
そこで、本発明はこのような問題点を解決、しようとす
るもので、その目的とするところは、開孔部分上端２０
５および段差部分２０６の形状を改養することで、第２
の配線形成時の断線や短絡を防止し、高歩留シで、信頼
性の高い工Ｃの製造方法を提供するところにある。
るもので、その目的とするところは、開孔部分上端２０
５および段差部分２０６の形状を改養することで、第２
の配線形成時の断線や短絡を防止し、高歩留シで、信頼
性の高い工Ｃの製造方法を提供するところにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、トランジスタ、ダイ
オード、または配線等が形成された層の上に絶縁膜を形
成する工程、前記絶縁膜上にフォトレジストにより開孔
パターンを形成する工程、前記フォトレジストをマスク
として前記絶縁膜をエツチングすることにより、前記絶
縁膜の一部分に、定められた深さの孔を形成する工程、
前記フォトレジストを除去する工程、前記絶縁膜の全面
をエツチングすることにより、前記絶縁膜を薄くすると
ともに、前記絶縁膜の一部分に完全な開孔部分を形成す
る工程とから成ることを特徴とする〔実施例〕 第１図（α）〜（１）は、本発明の実施例における工程
断面図であって、第１の絶縁膜上の第１の配線上に形成
された第２の絶縁膜に開孔部分を形成する場合を例とし
て示したものである。以下、第１図（α’）−（１）に
掟りて説明していく。
オード、または配線等が形成された層の上に絶縁膜を形
成する工程、前記絶縁膜上にフォトレジストにより開孔
パターンを形成する工程、前記フォトレジストをマスク
として前記絶縁膜をエツチングすることにより、前記絶
縁膜の一部分に、定められた深さの孔を形成する工程、
前記フォトレジストを除去する工程、前記絶縁膜の全面
をエツチングすることにより、前記絶縁膜を薄くすると
ともに、前記絶縁膜の一部分に完全な開孔部分を形成す
る工程とから成ることを特徴とする〔実施例〕 第１図（α）〜（１）は、本発明の実施例における工程
断面図であって、第１の絶縁膜上の第１の配線上に形成
された第２の絶縁膜に開孔部分を形成する場合を例とし
て示したものである。以下、第１図（α’）−（１）に
掟りて説明していく。
まず最初第１図（α）に示すように、第１の絶縁膜１０
１上の第１の配線１０２に対して、第１図−（ｂ）に示
すように第２の絶縁膜１０３を形成する。このとき、第
２の絶縁膜１０３の膜厚は、工程終了後に必要となる膜
厚よりも（Ｌ５μｍ〜１．０μ町厚く形成することによ
り段差部分１０６の１くびれ”は緩和されている。次に
、第１図−＜ｃ＞のように、フォトレジスト１０４によ
り開孔パターンを形成した後、第２図−（ｄ）に示すよ
うに７オトレジスト１０４をマスクとして、第２の絶縁
膜１０３の一部をエツチングする。このとき、あらかじ
め定められた深さの孔が形成されるようにエツチングの
深さを！！整している。
１上の第１の配線１０２に対して、第１図−（ｂ）に示
すように第２の絶縁膜１０３を形成する。このとき、第
２の絶縁膜１０３の膜厚は、工程終了後に必要となる膜
厚よりも（Ｌ５μｍ〜１．０μ町厚く形成することによ
り段差部分１０６の１くびれ”は緩和されている。次に
、第１図−＜ｃ＞のように、フォトレジスト１０４によ
り開孔パターンを形成した後、第２図−（ｄ）に示すよ
うに７オトレジスト１０４をマスクとして、第２の絶縁
膜１０３の一部をエツチングする。このとき、あらかじ
め定められた深さの孔が形成されるようにエツチングの
深さを！！整している。
次に、第１図−（、ａ）に示すように、フォトレジスト
１０４を除去した後に、第２の絶縁膜１０３の全面をエ
ツチングし、第２の絶縁膜１０３の開孔部分を第１の配
線１０２まで貫通させるとともに、第２の絶縁膜の膜厚
を簿〈シ、第１図−（ｆ）を得る。このときのエツチン
グを適当な条件のドライエツチングで行なえば、開孔部
分上端１０５のエツジ部分のエツチング速度が速くする
ことが可能で、これにより、はぼ直角であった形状が、
第１図−（１）に示すように開孔部上端１０５′に丸み
をもりた形状となる一方で、段差部分１０６の形状は、
エツチング前の形状をそのまま転写することができる。
１０４を除去した後に、第２の絶縁膜１０３の全面をエ
ツチングし、第２の絶縁膜１０３の開孔部分を第１の配
線１０２まで貫通させるとともに、第２の絶縁膜の膜厚
を簿〈シ、第１図−（ｆ）を得る。このときのエツチン
グを適当な条件のドライエツチングで行なえば、開孔部
分上端１０５のエツジ部分のエツチング速度が速くする
ことが可能で、これにより、はぼ直角であった形状が、
第１図−（１）に示すように開孔部上端１０５′に丸み
をもりた形状となる一方で、段差部分１０６の形状は、
エツチング前の形状をそのまま転写することができる。
以上述べたように、本発明によれば、絶縁膜に形成する
開孔部分の形状を理想的なテーパー角を有する形状にす
るとともに、絶縁膜の段差部分における１くびれ”を解
消することができることにより、絶縁膜上に配線を形成
する際の配線の断線および短絡を防止し、高歩留シ、高
信頼性の工Ｃを製造できるという効果を有する。
開孔部分の形状を理想的なテーパー角を有する形状にす
るとともに、絶縁膜の段差部分における１くびれ”を解
消することができることにより、絶縁膜上に配線を形成
する際の配線の断線および短絡を防止し、高歩留シ、高
信頼性の工Ｃを製造できるという効果を有する。
第１図−（α）〜（１）は、本発明による絶縁膜に完孔
部分を形成する工程断面図。 第２図−（α）〜（’ ｇ ）は、従来技術による絶縁
膜に開孔部分を形成する工程断面図。 １０１．２０１・・・・・・第１の絶縁膜１０２．２０
２・・・・・・第１の配線１０３．２０３・・・・・・
第２の絶縁膜１０４．２０４・・・・・・フォトレジス
ト１０５・・・・・・・・・・・・・・・・・・レジス
ト除失直後の開孔部分上端 １０５’、２０５・・・工程終了後の開孔部分上端１０
６．２０６・・・・・・段差部分 部り口
部分を形成する工程断面図。 第２図−（α）〜（’ ｇ ）は、従来技術による絶縁
膜に開孔部分を形成する工程断面図。 １０１．２０１・・・・・・第１の絶縁膜１０２．２０
２・・・・・・第１の配線１０３．２０３・・・・・・
第２の絶縁膜１０４．２０４・・・・・・フォトレジス
ト１０５・・・・・・・・・・・・・・・・・・レジス
ト除失直後の開孔部分上端 １０５’、２０５・・・工程終了後の開孔部分上端１０
６．２０６・・・・・・段差部分 部り口
Claims (1)
- トランジスタ、ダイオード、または配線等が形成された
層の上に絶縁膜を形成する工程、前記絶縁膜上にフォト
レジストにより開孔パターンを形成する工程、前記フォ
トレジストをマスクとして前記絶縁膜をエッチングする
ことにより、前記絶縁膜の一部分に定められた深さの孔
を形成する工程、前記フォトレジストを除去する工程、
前記絶縁膜の全面をエッチングすることにより、前記絶
縁膜を薄くするとともに、前記絶縁膜の一部分に完全な
開孔部分を形成する工程とから成ることを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26816086A JPS63122125A (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26816086A JPS63122125A (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122125A true JPS63122125A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17454738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26816086A Pending JPS63122125A (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122125A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361279B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-11-18 | 현대자동차주식회사 | 자동차용 라디에이터 고정 구조 |
| US7238609B2 (en) | 2003-02-26 | 2007-07-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
-
1986
- 1986-11-11 JP JP26816086A patent/JPS63122125A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361279B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-11-18 | 현대자동차주식회사 | 자동차용 라디에이터 고정 구조 |
| US7238609B2 (en) | 2003-02-26 | 2007-07-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
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