JPS63153192A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS63153192A JPS63153192A JP61254342A JP25434286A JPS63153192A JP S63153192 A JPS63153192 A JP S63153192A JP 61254342 A JP61254342 A JP 61254342A JP 25434286 A JP25434286 A JP 25434286A JP S63153192 A JPS63153192 A JP S63153192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording medium
- dye
- incidence
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は光情報記録媒体、特にヒートモードの光情報記
録媒体に関する。
録媒体に関する。
〈従来の技術〉
光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘッドが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が行
われている。
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が行
われている。
このような光記録媒体のうち、暗室による現像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。このヒートモードの光記録媒体は、記
録光を熱として利用する光記録媒体であり、その−例と
して、レーザー等の記録光で媒体の一部を融解、除去等
して、ピットと称される小穴を形成して書き込みを行い
、このピットにより情報を記録し、このピットを読み出
し光で検出して読み出しを行うピット形成タイプのもの
がある。
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。このヒートモードの光記録媒体は、記
録光を熱として利用する光記録媒体であり、その−例と
して、レーザー等の記録光で媒体の一部を融解、除去等
して、ピットと称される小穴を形成して書き込みを行い
、このピットにより情報を記録し、このピットを読み出
し光で検出して読み出しを行うピット形成タイプのもの
がある。
このようなビット形成タイプの記録媒体、特にそのうち
、装置を小型化できる半導体レーデ−を光源とするもの
においてはこれまで、Ｔｅを主体とする材料を記録層と
するものが大半をしめている。
、装置を小型化できる半導体レーデ−を光源とするもの
においてはこれまで、Ｔｅを主体とする材料を記録層と
するものが大半をしめている。
しかし、近年、Ｔｅ系材料が有害であること、そしてよ
り高感度化する必要があること、より製造コストを安価
にする必要があることから、Ｔｅ系にかえ色素を主とし
た有機系材料の記録層を用いる記録媒体についての提案
や報告が増加している。
り高感度化する必要があること、より製造コストを安価
にする必要があることから、Ｔｅ系にかえ色素を主とし
た有機系材料の記録層を用いる記録媒体についての提案
や報告が増加している。
例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザー用としては、ス、り７ ！
Ｊ リウム色ａ Ｃ特開昭５６−４６２２１ 号、Ｖ、
ＢＪｉｐｓｏｎ ａｎｄ Ｃ，Ｒ，Ｊｏｎｅｓ、 Ｊ、
Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏ３、、１８（１） １
０５ （１９８１））や、金属フタロシアニン色素（特
開昭５７−８２０９４号、同５７−８２０９５号）など
を用いるものがある。
Ｊ リウム色ａ Ｃ特開昭５６−４６２２１ 号、Ｖ、
ＢＪｉｐｓｏｎ ａｎｄ Ｃ，Ｒ，Ｊｏｎｅｓ、 Ｊ、
Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏ３、、１８（１） １
０５ （１９８１））や、金属フタロシアニン色素（特
開昭５７−８２０９４号、同５７−８２０９５号）など
を用いるものがある。
また、半導体レーザー用としては、金属フタロシアニン
色素（特開昭５６”８６７９５号）、シアニン色素（特
開昭５９−２４６９０号）やナフトキノン系色素（特開
昭５９−４８１８７号）などを用いるものがある。
色素（特開昭５６”８６７９５号）、シアニン色素（特
開昭５９−２４６９０号）やナフトキノン系色素（特開
昭５９−４８１８７号）などを用いるものがある。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、色素膜のレーザーに対する反射率は一般に小さ
く、ピットによる反射光量の変化（減少）によって読み
出し信号を得る、現在行われている通常の方式では、大
きなＣ／Ｎ比を得ることができない。
く、ピットによる反射光量の変化（減少）によって読み
出し信号を得る、現在行われている通常の方式では、大
きなＣ／Ｎ比を得ることができない。
色素膜からなる記録層の、読み出しのＣ／Ｎ比を向上さ
せるためには、通常、基板と記録層との間に、ＡＩ等の
金属膜を介在させている。
せるためには、通常、基板と記録層との間に、ＡＩ等の
金属膜を介在させている。
この場合、金属膜は、反射率を上げてＣ／Ｎ比を向上さ
せるためのものであり、ピット形成により金属膜が露出
して反射率を増大させるものであるが、当然のことなが
ら、基板側からの記録・再生はできない。
せるためのものであり、ピット形成により金属膜が露出
して反射率を増大させるものであるが、当然のことなが
ら、基板側からの記録・再生はできない。
従って、基板側からの記録・再生が可能であり、Ｔｅ系
材料からなる記録層をもつ記録媒体との互換性を有する
有機系材料の記録層をもつ記録媒体を実現するには、有
機材料自身が大きな反射率を示す必要がある。
材料からなる記録層をもつ記録媒体との互換性を有する
有機系材料の記録層をもつ記録媒体を実現するには、有
機材料自身が大きな反射率を示す必要がある。
く問題点を解決するための手段〉
本発明者らは上記の欠点を改良すべく鋭意検討を行った
結果、基板上に複素屈折率（■＝ｎ−ｉｋ；ｎは複素屈
折率、ｎは屈折率、には吸光係数）の異なる色素膜を複
数層債層してａｃ！緑層とすることにより反射率が増大
することを見い出し、本発明を完成するに到った。
結果、基板上に複素屈折率（■＝ｎ−ｉｋ；ｎは複素屈
折率、ｎは屈折率、には吸光係数）の異なる色素膜を複
数層債層してａｃ！緑層とすることにより反射率が増大
することを見い出し、本発明を完成するに到った。
本発明の記録媒体の基本構成は、例えば第１図及び第２
図に示したものであって、さらに必要に応じて記録層以
外に下引層、保護層などを設けてもよい。また、記録層
の保護のため、常法通りカバーを設けるか或いは第１図
に示す同一構成の２枚の記録媒体を色素膜２を内側に対
向して配置（いわゆるエアサンドイッチ構造）すること
も可能である。情報の記録はレーザ光の熱作用による色
素膜の形状変化によっておこなわれ、情報の再生は、形
状変化部と非形状変化部からの反射光の差を検出するこ
とによって行われる。
図に示したものであって、さらに必要に応じて記録層以
外に下引層、保護層などを設けてもよい。また、記録層
の保護のため、常法通りカバーを設けるか或いは第１図
に示す同一構成の２枚の記録媒体を色素膜２を内側に対
向して配置（いわゆるエアサンドイッチ構造）すること
も可能である。情報の記録はレーザ光の熱作用による色
素膜の形状変化によっておこなわれ、情報の再生は、形
状変化部と非形状変化部からの反射光の差を検出するこ
とによって行われる。
本発明の色素膜の複素屈折率（■＝ｎ−ｉｋ；ｎ：屈折
率、に：吸光係数、ただしｎ、ｋ は透過率。
率、に：吸光係数、ただしｎ、ｋ は透過率。
反射率、膜厚の値から算出できる、特定波長に対する色
素固有の物性値）は、記録媒体の構成が第１図のような
場合、すなわち情報の記録・再生を基板側からのレーザ
ー光入射によって行なう場合、色素膜１のｎ、ｋを’ｌ
＋ｋｌ＋色素膜２のｎ、ｋをｎ２． ｋ２とすると、ｎ
２≧ｎ１の場合はに２＜ｋ、の関係にあるとき反射率は
増大する。またｎ２＜ｎ、の場合は（ｎ＋−０２）≦（
ｋｌ−ｋｚ）の関係にあるとき反射率は増大する。ｎｌ
＋０２ の関係がいずれの場合においてもｎ２の値が大
きいほど、また（ｋｌ −に２ ）の値が大きいほど反
射率増大効果は大きい。
素固有の物性値）は、記録媒体の構成が第１図のような
場合、すなわち情報の記録・再生を基板側からのレーザ
ー光入射によって行なう場合、色素膜１のｎ、ｋを’ｌ
＋ｋｌ＋色素膜２のｎ、ｋをｎ２． ｋ２とすると、ｎ
２≧ｎ１の場合はに２＜ｋ、の関係にあるとき反射率は
増大する。またｎ２＜ｎ、の場合は（ｎ＋−０２）≦（
ｋｌ−ｋｚ）の関係にあるとき反射率は増大する。ｎｌ
＋０２ の関係がいずれの場合においてもｎ２の値が大
きいほど、また（ｋｌ −に２ ）の値が大きいほど反
射率増大効果は大きい。
記録媒体の構成が第２図のような場合、すなわち情報の
記録・再生を媒体側からのレーザー光入射によって行な
う場合、色素膜３のｎ、ｋを０３＋ ｋ３＋色素膜４の
ｎ、ｋ を’４＋ ｋ４ とするとｎ、≧ｎ、の場合は
に３＜ｋ、の関係にあるとき反射率は増大する。またｎ
、 ＜ｎ、の場合は（ｎａ ｎａ） ≦（０，４−
ｋｎ）の関係にあるとき反射率は増大する。Ｊ＋ ’４
がいずれの関係の場合においてもｎ、の値が大きいほど
、また（ｋａ ｋ＝）の値が大きいほど反射率増大効
果は大きい。
記録・再生を媒体側からのレーザー光入射によって行な
う場合、色素膜３のｎ、ｋを０３＋ ｋ３＋色素膜４の
ｎ、ｋ を’４＋ ｋ４ とするとｎ、≧ｎ、の場合は
に３＜ｋ、の関係にあるとき反射率は増大する。またｎ
、 ＜ｎ、の場合は（ｎａ ｎａ） ≦（０，４−
ｋｎ）の関係にあるとき反射率は増大する。Ｊ＋ ’４
がいずれの関係の場合においてもｎ、の値が大きいほど
、また（ｋａ ｋ＝）の値が大きいほど反射率増大効
果は大きい。
このように、本発明における記録層はＡ１等の金属膜を
介在させていないので、第１図、第２図に示す様に基板
側入射用、媒体側入射用として利用できる。
介在させていないので、第１図、第２図に示す様に基板
側入射用、媒体側入射用として利用できる。
本発明に用いる色素としては、３５０□〜９００゜の領
域に吸収極大を有するもので、ナフトキノン系、アント
ラキノン系、インドアニリン系、アゾ系、インジゴ系、
カーボニウム系、キノンイミン系、フタロシアニン系、
ナフタロシアニン系、シアニン系化合物、ベンゼンジチ
オール錯体など多種の色素化合物が挙げられるが、これ
らに限定されるものではなく、使用するレーザーの波長
に応じて好ましいｎとｋの値の色素を適宜選択して組み
合わせて使用する。
域に吸収極大を有するもので、ナフトキノン系、アント
ラキノン系、インドアニリン系、アゾ系、インジゴ系、
カーボニウム系、キノンイミン系、フタロシアニン系、
ナフタロシアニン系、シアニン系化合物、ベンゼンジチ
オール錯体など多種の色素化合物が挙げられるが、これ
らに限定されるものではなく、使用するレーザーの波長
に応じて好ましいｎとｋの値の色素を適宜選択して組み
合わせて使用する。
上記の色素の中で発振波長７５０〜８５０１ｍのレーザ
ー用色素としては、表−１〜表−６に示すような色素類
をあげることができる。
ー用色素としては、表−１〜表−６に示すような色素類
をあげることができる。
これらのうちで例えば表−１〜表−５に示すような化合
物は色素膜ｌ１色素膜４として適しており、例えば表−
５に示すような化合物は、色素膜２、色素膜３として適
しているが、本発明はこれに限定されるものではない。
物は色素膜ｌ１色素膜４として適しており、例えば表−
５に示すような化合物は、色素膜２、色素膜３として適
しているが、本発明はこれに限定されるものではない。
表−！
３° ２′
表−２
注）金属（Ｍ）；金属上の置換基も含む表−３
，１化合物： 置 換
基 Ｉ表−４ 表−５ （Ｐ）：パラ 注）Ｐｈ：フェエル基 以下の化合物は、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、はＡ、Ｂの
混合物また必要に応じて他の成分例えばバインダー、安
定剤などを含んでもよい。
基 Ｉ表−４ 表−５ （Ｐ）：パラ 注）Ｐｈ：フェエル基 以下の化合物は、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、はＡ、Ｂの
混合物また必要に応じて他の成分例えばバインダー、安
定剤などを含んでもよい。
本発明の色素膜は、真空蒸着法または湿式塗布法によっ
て薄膜を作ることができる。色素膜の厚さは５０人〜５
０００人、好ましくは１００人〜１０００人の範囲にす
るのが好ましい。
て薄膜を作ることができる。色素膜の厚さは５０人〜５
０００人、好ましくは１００人〜１０００人の範囲にす
るのが好ましい。
本発明において使用される基板材料は使用するレーザ光
線に対して透明なものであり、ガラス、石英及び各種の
プラスチックスなどが挙げられる。
線に対して透明なものであり、ガラス、石英及び各種の
プラスチックスなどが挙げられる。
代表的なプラスチックスとしては、ポリカーボネート樹
脂、塩化ビニル樹脂、ポリメチルメタアクリル樹脂（Ｐ
ＭＭ＾）、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ
プロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、
ポリアミド樹脂及びエポキシ樹脂その他の単独重合体及
び共重合体が挙げられる。
脂、塩化ビニル樹脂、ポリメチルメタアクリル樹脂（Ｐ
ＭＭ＾）、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ
プロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、
ポリアミド樹脂及びエポキシ樹脂その他の単独重合体及
び共重合体が挙げられる。
本発明の情報記録媒体に適用されるレーザーは半導体レ
ーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒレーザー等があるが
、特に小型で安価でかつ高速変副可能な半導体レーザー
が好ましく、レーザーの発振波長に合わせて色素を選択
する必要がある。
ーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒレーザー等があるが
、特に小型で安価でかつ高速変副可能な半導体レーザー
が好ましく、レーザーの発振波長に合わせて色素を選択
する必要がある。
〈発明の効果〉
本発明の記録媒体は、用いられる色素により任意の波長
で高い反射率を有しているため大きな信号強度が得られ
る点で優れている。
で高い反射率を有しているため大きな信号強度が得られ
る点で優れている。
以下実施例及び比較例により具体的説明を行うが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
なお、実施例においてスペクトルの測定は島津製イ乍所
製ＬＩＶ−３６５型分光光度計を用い、膜厚測定はティ
ラー・ホブソン社製クリステツブ膜厚計を用い、ディス
ク評価はナカミチ社製０ＭＳ−１０００を用いた。
製ＬＩＶ−３６５型分光光度計を用い、膜厚測定はティ
ラー・ホブソン社製クリステツブ膜厚計を用い、ディス
ク評価はナカミチ社製０ＭＳ−１０００を用いた。
〈実施例〉
実施例１
ＰＭＭＡ基板上に、５−アミノ−８−（４’−エトキシ
フェニルアミノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノンを蒸着し、４５０ 人の膜を得た（色素膜１）。
フェニルアミノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノンを蒸着し、４５０ 人の膜を得た（色素膜１）。
蒸着時の真空度は２ Ｘ １０−’Ｔ。
ｒｒ以下とした。基板の加熱は行なわず、蒸着による基
板温度上昇はほとんど認められなかった。抵抗加熱ボー
ト温度は２２５〜２３０ ℃とし、蒸着速度は約０．５
人／ｓｅｃとして蒸着した。得られた膜の上に１．４
．５．８−テトラ（３′−メチルフェニルアミノ）アン
トラキノンの５００ 人の膜を蒸着して色素膜を形成し
た（色素膜２）。真空度は２×１０−’Ｔｏｒｒ以下、
ボート温度は２６０〜２７０ ℃とした。得られた記録
媒体の透過及び反射スペクトル（基板側入射）を第３図
に示す。
板温度上昇はほとんど認められなかった。抵抗加熱ボー
ト温度は２２５〜２３０ ℃とし、蒸着速度は約０．５
人／ｓｅｃとして蒸着した。得られた膜の上に１．４
．５．８−テトラ（３′−メチルフェニルアミノ）アン
トラキノンの５００ 人の膜を蒸着して色素膜を形成し
た（色素膜２）。真空度は２×１０−’Ｔｏｒｒ以下、
ボート温度は２６０〜２７０ ℃とした。得られた記録
媒体の透過及び反射スペクトル（基板側入射）を第３図
に示す。
このとき用いた色素の８３０ｎｌｎ における複素屈折
率は、色素膜１のｎ、ｋをｎｌ＋ｋｌ＋ 色素膜２の
ｎ、ｋを’２＋ ｋ２としたとき、Ｔ１．＝２．１ 、
ｋｌ ＝０．６ 、ｎｚ＝２．２ 、ｋ２＝０．４で
あり（ｎｉ −ｎ、） ＝０．１ 、（ｋｌ −に２
） ＝０．２ であった。
率は、色素膜１のｎ、ｋをｎｌ＋ｋｌ＋ 色素膜２の
ｎ、ｋを’２＋ ｋ２としたとき、Ｔ１．＝２．１ 、
ｋｌ ＝０．６ 、ｎｚ＝２．２ 、ｋ２＝０．４で
あり（ｎｉ −ｎ、） ＝０．１ 、（ｋｌ −に２
） ＝０．２ であった。
この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーデ−を用い
線速２．８釦／ｓｅｃ 、 １ＭＨｚの信号を記録した
。これを再生したところ６０ｄＢのＣＮＲが得られた。
線速２．８釦／ｓｅｃ 、 １ＭＨｚの信号を記録した
。これを再生したところ６０ｄＢのＣＮＲが得られた。
実施例２
ＰＭＭＡ基板上に、５−アミノ−８−（４′−エトキン
フェニルアミノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノンを蒸着し、４５０ 人の膜を１尋だ（色素膜１）
。蒸着時の真空度は２ Ｘ Ｉ Ｏ−’Ｔ。
フェニルアミノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノンを蒸着し、４５０ 人の膜を１尋だ（色素膜１）
。蒸着時の真空度は２ Ｘ Ｉ Ｏ−’Ｔ。
ｒｒ以下とした。基板の加熱は行なわず、蒸着による基
板温度上昇はほとんど認められなかった。抵抗加熱ボー
ト温度は２２５〜２３０ ℃とし、蒸着速度は約０．５
人／ｓｅｃとして蒸着した。得られた膜の上に１．４
．５．８−テトラ（３′、５’−ジメトキンフェニルア
ミノ）アントラキノンの６００ 人の膜を蒸着して色
素膜を形成した（色素膜２）。真空度は２ ｘ ｌ ０
−５Ｔｏｒｒ以下、ボート温度は２９０〜３００℃とし
た。得られた記録媒体の透過及び反射スペクトル（基板
側入射）を第４図に示す。
板温度上昇はほとんど認められなかった。抵抗加熱ボー
ト温度は２２５〜２３０ ℃とし、蒸着速度は約０．５
人／ｓｅｃとして蒸着した。得られた膜の上に１．４
．５．８−テトラ（３′、５’−ジメトキンフェニルア
ミノ）アントラキノンの６００ 人の膜を蒸着して色
素膜を形成した（色素膜２）。真空度は２ ｘ ｌ ０
−５Ｔｏｒｒ以下、ボート温度は２９０〜３００℃とし
た。得られた記録媒体の透過及び反射スペクトル（基板
側入射）を第４図に示す。
このとき用いた色素の８３０ｎｍ における複素屈折率
は、色素膜１のｎ、ｋ をｎＩｎ ｋＩｔ 色素膜２
のｎ、ｋをｎ２＋ ｋ２としたとき、７１１＝２．１
、ｋｌ ＝０．６ 、ｎｚ＝２．２ 、ｋ２ ＝
０．４ であり、（ｎ２−ｎ＋） ＝０．１ 、（ｋ
、−に２） ＝０．２ であった。
は、色素膜１のｎ、ｋ をｎＩｎ ｋＩｔ 色素膜２
のｎ、ｋをｎ２＋ ｋ２としたとき、７１１＝２．１
、ｋｌ ＝０．６ 、ｎｚ＝２．２ 、ｋ２ ＝
０．４ であり、（ｎ２−ｎ＋） ＝０．１ 、（ｋ
、−に２） ＝０．２ であった。
この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーザーを用い
線速２，３３ｍ／ｓｅｃ 、 ｌ！ＪＨｚ信号を記録し
た。これを再生したところ５２ｄＢのＣＮＲが得られた
。
線速２，３３ｍ／ｓｅｃ 、 ｌ！ＪＨｚ信号を記録し
た。これを再生したところ５２ｄＢのＣＮＲが得られた
。
実施例３
ＰＭＭＡ基板上に、５−アミノ−８−（４′−エトキシ
フェニルアミノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノンを蒸着し、４５０ 人の膜を得た（色素膜１）。
フェニルアミノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノンを蒸着し、４５０ 人の膜を得た（色素膜１）。
蒸着時の真空度は２ Ｘ １０−’Ｔ。
ｒｒ以下とした。基板の加熱は行なわず、蒸着による基
板温度上昇はほとんど認められなかった。抵抗加熱ボー
ト温度は２２５〜２３０ ℃とし、蒸着速度は約０．５
人／ｓｅｃとして蒸着した。得ちれた膜の上に１．４
，５．８−テトラフェニルアミノアントラキノンの６０
０ 人の膜を蒸着して色Ｓ膜を形成した（色素膜２）。
板温度上昇はほとんど認められなかった。抵抗加熱ボー
ト温度は２２５〜２３０ ℃とし、蒸着速度は約０．５
人／ｓｅｃとして蒸着した。得ちれた膜の上に１．４
，５．８−テトラフェニルアミノアントラキノンの６０
０ 人の膜を蒸着して色Ｓ膜を形成した（色素膜２）。
真空度は２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以下、ボート温度は
２６０〜２７０ ℃とした。得られた記録媒体の透過及
び反射スペクトル（基板側入射）を第５図に示す。
２６０〜２７０ ℃とした。得られた記録媒体の透過及
び反射スペクトル（基板側入射）を第５図に示す。
さらに上記記録媒体に発振波長８３０ｎｍの半導体レー
ザーを用いてスポット径１μｍとし、４ＱｍＪ／ｃｍ′
で照射したところ明瞭なピットの形式が認められた。
ザーを用いてスポット径１μｍとし、４ＱｍＪ／ｃｍ′
で照射したところ明瞭なピットの形式が認められた。
このとき用いた色素の８３０ｎｍ における複素屈折率
は、色素膜１のｎ、ｋ を’ｌ＋ｋｌ＋ 色素膜２の
ｎ、ｋをｎ２＋ ｋ２としたとき、ｎ１＝２．１ 、
ｋｌ ＝０．６ 、ｎ２＝２．：ｌ 、ｋ２ ＝０
．２ であり、（ｎ、 −ｎ、） −０，２、（ｋ
ｌ−に２） ＝０．４ であった。
は、色素膜１のｎ、ｋ を’ｌ＋ｋｌ＋ 色素膜２の
ｎ、ｋをｎ２＋ ｋ２としたとき、ｎ１＝２．１ 、
ｋｌ ＝０．６ 、ｎ２＝２．：ｌ 、ｋ２ ＝０
．２ であり、（ｎ、 −ｎ、） −０，２、（ｋ
ｌ−に２） ＝０．４ であった。
実施例４
ガラス基板上に、下記構造式
で示されるインドアニリン系化合物を湿式塗布し、４０
０ 人の膜を得た（色素膜１）。湿式塗布の溶媒として
は、トリクロルエチレンを用いた。１尋られた膜の上に
１，４，５．８−テトラ（３′−エチルフェニルアミノ
）アントラキノンの５００ 人の膜を蒸着して色素膜
を形成した（色素膜２）。真空度は２ Ｘ １０−’Ｔ
ｏｒｒ以下、ボート温度は２５５−２６５℃とした。得
られた記録媒体の透過及び反射スペクトル（基板側入射
）を第６図に示す。
０ 人の膜を得た（色素膜１）。湿式塗布の溶媒として
は、トリクロルエチレンを用いた。１尋られた膜の上に
１，４，５．８−テトラ（３′−エチルフェニルアミノ
）アントラキノンの５００ 人の膜を蒸着して色素膜
を形成した（色素膜２）。真空度は２ Ｘ １０−’Ｔ
ｏｒｒ以下、ボート温度は２５５−２６５℃とした。得
られた記録媒体の透過及び反射スペクトル（基板側入射
）を第６図に示す。
このとき用いた色素の８３０ｎｍにおける複素屈折率は
、色素膜１のｎ、ｋをｎＩｎ ｋｌ＋ 色素膜２のｎ
、ｋをｎ、、 ｋ２としたとき、ｎ、＝２．３ 、ｋ
、 ＝０．６ 、ｎ２＝２．３ 、ｋ２ ＝０．３
であり、（ｎ２ −ｎ、） ＝０゜（ｋｌ−ｋｍ）
＝０．３ であった。
、色素膜１のｎ、ｋをｎＩｎ ｋｌ＋ 色素膜２のｎ
、ｋをｎ、、 ｋ２としたとき、ｎ、＝２．３ 、ｋ
、 ＝０．６ 、ｎ２＝２．３ 、ｋ２ ＝０．３
であり、（ｎ２ −ｎ、） ＝０゜（ｋｌ−ｋｍ）
＝０．３ であった。
実施例５
Ｐ Ｍ Ｍ Ａ Ｍ板上に、５−アミ７−８− （４’
−エトキシフェニルアミノ）−２，３−ジンアノ−１
，４−ナフトキノンを蒸着し、５００人の膜を得た（色
素膜１）。蒸着時の真空度は２ Ｘ １０−５Ｔ。
−エトキシフェニルアミノ）−２，３−ジンアノ−１
，４−ナフトキノンを蒸着し、５００人の膜を得た（色
素膜１）。蒸着時の真空度は２ Ｘ １０−５Ｔ。
ｒｒ以下とした。基板の加熱は行なわず、蒸着による基
板温度上昇はほとんど認められなかった。抵抗加熱ボー
ド温度は２２５〜２３０ ℃とし、蒸着速度は約０，５
人／ ｓｅｃ として蒸着した。得られた膜の上に
１．４，５．８−テトラ（３“−メトキシフェニルアミ
ノ）アントラキノンの１００人の膜を蒸着して色素膜を
形成したく色素膜２）。真空度は２ Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒ以下、ボート温度は２４０〜２５０ ℃とした。得
られた記録媒体の透過及び反射スペクトル（基板側入射
）を第７図に示す。
板温度上昇はほとんど認められなかった。抵抗加熱ボー
ド温度は２２５〜２３０ ℃とし、蒸着速度は約０，５
人／ ｓｅｃ として蒸着した。得られた膜の上に
１．４，５．８−テトラ（３“−メトキシフェニルアミ
ノ）アントラキノンの１００人の膜を蒸着して色素膜を
形成したく色素膜２）。真空度は２ Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒ以下、ボート温度は２４０〜２５０ ℃とした。得
られた記録媒体の透過及び反射スペクトル（基板側入射
）を第７図に示す。
このとき用いた°色素の８３０ｎｍにおける複素屈折率
は、色素膜１のｎ、ｋを’ｌ＋ Ｋｌ＋ 色素膜２の
ｎ、ｋを０２＋ Ｋ２＋ とじたとき、ｎ１＝２゜１
、ＫＩ＝０．６、ｎ２＝２．３ 、ｋ、＝Ｑ、３ であ
り、（１１２−ｎｌ） ＝０．２ 、（ｋ、−に２）
＝０．３ であった。
は、色素膜１のｎ、ｋを’ｌ＋ Ｋｌ＋ 色素膜２の
ｎ、ｋを０２＋ Ｋ２＋ とじたとき、ｎ１＝２゜１
、ＫＩ＝０．６、ｎ２＝２．３ 、ｋ、＝Ｑ、３ であ
り、（１１２−ｎｌ） ＝０．２ 、（ｋ、−に２）
＝０．３ であった。
どの記録媒体の発振波長８３０ｎｍの半導体レーザーを
用い線速５．５５ｍ／ｓｅｃ 、 ＩＭＨｚの信号を記
録した。
用い線速５．５５ｍ／ｓｅｃ 、 ＩＭＨｚの信号を記
録した。
これを再生したところ５７ｃｌＢのＣＮＲが得られた。
実施例６
ＰＭＭＡ基板上に、５−アミノ−８−（４°−エトキシ
フェニルアミノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノンを蒸着し、５００人の膜を得た（色素膜１）。蒸
着時の真空度は２ Ｘ １０−’Ｔ。
フェニルアミノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノンを蒸着し、５００人の膜を得た（色素膜１）。蒸
着時の真空度は２ Ｘ １０−’Ｔ。
ｒｒ以下とした。基板の加熱は行なわず、蒸着による基
板温度上昇はほとんど認められなかった。抵抗加熱ボー
ド温度は２２５〜２３０ ℃とし、蒸着速度は約０．５
人／ ｓｅｃ として蒸着した。得ちれた膜の上に１
．４，５．８−テトラ（３“−エチルフェニルアミノ）
アントラキノンの１００人の膜を蒸着して色素膜を形成
した（色素膜２）。真空度は２Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以
下、ボート温度は２３５〜２４５ ℃とした。得られた
記録媒体の透過及び反射スペクトル（基板側入射ンを第
８ｒ！ｇＪに示す。
板温度上昇はほとんど認められなかった。抵抗加熱ボー
ド温度は２２５〜２３０ ℃とし、蒸着速度は約０．５
人／ ｓｅｃ として蒸着した。得ちれた膜の上に１
．４，５．８−テトラ（３“−エチルフェニルアミノ）
アントラキノンの１００人の膜を蒸着して色素膜を形成
した（色素膜２）。真空度は２Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以
下、ボート温度は２３５〜２４５ ℃とした。得られた
記録媒体の透過及び反射スペクトル（基板側入射ンを第
８ｒ！ｇＪに示す。
このとき用いた色素の８３０ｎｍにおける複素屈折率は
、色素膜１のｎ、ｋをｎｌ＋ Ｋｌ＋ 色素膜２のｎ
、ｋを’２＋に２．としたとき、ｎ１＝２．１ 、Ｋｌ
＝０．６ 、ｎ２＝２．２ 、ｋ２＝０．２ であり、
（ｎ２−ｎｌ） ＝０．１ 、（ｋｌ−に２） ＝
０．４であった。
、色素膜１のｎ、ｋをｎｌ＋ Ｋｌ＋ 色素膜２のｎ
、ｋを’２＋に２．としたとき、ｎ１＝２．１ 、Ｋｌ
＝０．６ 、ｎ２＝２．２ 、ｋ２＝０．２ であり、
（ｎ２−ｎｌ） ＝０．１ 、（ｋｌ−に２） ＝
０．４であった。
この記録媒体の発振波長８３０ｎｍの半導体レーザーを
用い線速５．６５ｍ／ｓｅｃ 、 ｌ！、４Ｈｚの信号
を記録した。
用い線速５．６５ｍ／ｓｅｃ 、 ｌ！、４Ｈｚの信号
を記録した。
これを再生したところ５５ｄＢのＣ’ＮＲが得られた。
実施例７
ＰＭＭＡ基板上に、５−アミノ−８−（４’ −エトキ
シフェニルアミノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフ
トキノンを蒸着し、５００人の膜を得た（色素膜１）。
シフェニルアミノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフ
トキノンを蒸着し、５００人の膜を得た（色素膜１）。
蒸着時の真空度は２ Ｘ １０−’Ｔ。
ｒｒ以下とした。基板の加熱は行なわず、蒸着による基
板温度上昇はほとんど認められなかった。抵抗加熱ボー
ド温度は２５０〜２５５ ℃とし、蒸着速度は約０．５
人／ ｓｅｃ として蒸着した。得られた膜の上に１
．４．５．８−テトラ（３°−エチルフェニルアミノ）
アントラキノンの２００人の膜を蒸着して色ｓＭを形成
したく色素膜２）。真空度は２Ｘ Ｉ Ｏ−’Ｔｏｒｒ
以下、ボート温度は２３５〜２４５ ℃とした。得ちれ
た言己録媒体の透過及び反射スペクトル（基板側入射）
を第９図に示す。
板温度上昇はほとんど認められなかった。抵抗加熱ボー
ド温度は２５０〜２５５ ℃とし、蒸着速度は約０．５
人／ ｓｅｃ として蒸着した。得られた膜の上に１
．４．５．８−テトラ（３°−エチルフェニルアミノ）
アントラキノンの２００人の膜を蒸着して色ｓＭを形成
したく色素膜２）。真空度は２Ｘ Ｉ Ｏ−’Ｔｏｒｒ
以下、ボート温度は２３５〜２４５ ℃とした。得ちれ
た言己録媒体の透過及び反射スペクトル（基板側入射）
を第９図に示す。
このとき用いた色素の８３０ｎｍにおける複素屈折率は
、色素膜１のｎ、ｋをｎｌ＋ Ｌ＋ 色素膜２のｎ、
ｋをｎ２＋ Ｋ２．としたとき、ｎ、 ＝２．３ 、Ｋ
ｌ ＝０．８、ｎ２＝２．２ 、ｋ２＝０．２ であり
、（ｆｌｙ−Ｉｌｌ） ＝０．１ 、 （ｋｌ−に２
） ＝０．６ であった。
、色素膜１のｎ、ｋをｎｌ＋ Ｌ＋ 色素膜２のｎ、
ｋをｎ２＋ Ｋ２．としたとき、ｎ、 ＝２．３ 、Ｋ
ｌ ＝０．８、ｎ２＝２．２ 、ｋ２＝０．２ であり
、（ｆｌｙ−Ｉｌｌ） ＝０．１ 、 （ｋｌ−に２
） ＝０．６ であった。
この記録媒体の発振波長８３０ｎｍの半導体レーザーを
用い線速５．６５ｍ／ｓｅｃ 、 ｌ！ＪＨｚの信号を
記録した。
用い線速５．６５ｍ／ｓｅｃ 、 ｌ！ＪＨｚの信号を
記録した。
これを再生したところ５７ｄＢのＣＮＲが肖られた。
比較例
実施例１．２または３において色素を単層とする以外は
同様にして実施した。５−アミノ−８−（４′−エトキ
シフェニルアミノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフ
トキノンの７００Ａの単層薄膜の透過及び反射スペクト
ル（基板側入射）を第１０図に示した。
同様にして実施した。５−アミノ−８−（４′−エトキ
シフェニルアミノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフ
トキノンの７００Ａの単層薄膜の透過及び反射スペクト
ル（基板側入射）を第１０図に示した。
また１、４．５．８−テトラ（３′−メチルフェニルア
ミノ）アントラキノンの７５０ 人の単層薄膜の透過
及び反射スペクトル（基板側入射）を第１１図に示した
。
ミノ）アントラキノンの７５０ 人の単層薄膜の透過
及び反射スペクトル（基板側入射）を第１１図に示した
。
以上から明らかなように、実施例１及び２のような高い
反射率を得ることはできデ；かった。
反射率を得ることはできデ；かった。
第１図及び第２図は本発明による光情報記録媒体の基本
構成を示す断面図である。 １ 基板、２ 色素膜１．３ 色素膜２，４色素膜３．
５ 色素膜４．６ レーザービーム第３図は実施例１で
得られた記録媒体の透過スペクトルと反射スペクトル（
基板側入射）を示す。 第４図は実施例２で得られた記録媒体の透過スペクトル
と反射スペクトル（基板側入射）を示す。 第５図は実施例３で得られた記録媒体の透過スペクトル
と反射スペクトル（基板側入射）を示す。 第６図は実施例４で得られた記録媒体の透過スペクトル
と反射スペクトル（基板側入射）を示す。 第７図は実施例５でれられた記録媒体の透過スペクトル
と反射スペクトル（基板側入射）を示す。 第８図は実施例６でれられた記録媒体の透過スペクトル
と反射スペクトル（基板側入射）を示す。 第９図は実施例７でれられた記録媒体の透過スペクトル
と反射スペクトル（基板側入射）を示す。 第１０図、第１１図は比較例であって、実施例１で用い
た２種の色素単層の透過スペクトルと反射スペクトル（
基板側入射）を示す。 第１図 禰 ２ 図 （％） 第３図 ００（ｎ 波長 （％） 第４図 ００（ｎ 波長 （％） 第５図 ．９（″“ゝ （％） 第６図 ００（ｎ 波長 （％） 第７図 ００（ｎ 波長 （％） 第８図 ５００ ６００ ７００ ８００’ ９００
１０１０００（ｎ 波長 （％） 第 ９図 （０ｍ） （％） 第１０図 ００（ｎ 愉且
構成を示す断面図である。 １ 基板、２ 色素膜１．３ 色素膜２，４色素膜３．
５ 色素膜４．６ レーザービーム第３図は実施例１で
得られた記録媒体の透過スペクトルと反射スペクトル（
基板側入射）を示す。 第４図は実施例２で得られた記録媒体の透過スペクトル
と反射スペクトル（基板側入射）を示す。 第５図は実施例３で得られた記録媒体の透過スペクトル
と反射スペクトル（基板側入射）を示す。 第６図は実施例４で得られた記録媒体の透過スペクトル
と反射スペクトル（基板側入射）を示す。 第７図は実施例５でれられた記録媒体の透過スペクトル
と反射スペクトル（基板側入射）を示す。 第８図は実施例６でれられた記録媒体の透過スペクトル
と反射スペクトル（基板側入射）を示す。 第９図は実施例７でれられた記録媒体の透過スペクトル
と反射スペクトル（基板側入射）を示す。 第１０図、第１１図は比較例であって、実施例１で用い
た２種の色素単層の透過スペクトルと反射スペクトル（
基板側入射）を示す。 第１図 禰 ２ 図 （％） 第３図 ００（ｎ 波長 （％） 第４図 ００（ｎ 波長 （％） 第５図 ．９（″“ゝ （％） 第６図 ００（ｎ 波長 （％） 第７図 ００（ｎ 波長 （％） 第８図 ５００ ６００ ７００ ８００’ ９００
１０１０００（ｎ 波長 （％） 第 ９図 （０ｍ） （％） 第１０図 ００（ｎ 愉且
Claims (5)
- （１）基板上に複素屈折率（■＝ｎ−ｉｋ；■は複素屈
折率、ｎは屈折率、ｋは吸光係数）の異なる色素膜を複
数層積層して記録層としたことを特徴とする光情報記録
媒体。 - （２）基板上に色素膜１（ｎ＿１、ｋ＿１）、色素膜２
（ｎ＿２、ｋ＿２）を順次二層積層して記録層とし、情
報の記録・再生を基板側からのレーザー光入射によって
行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
光情報記録媒体。 - （３）ｎ、ｋが次の関係にあることを特徴とする特許請
求の範囲第２項に記載の光情報記録媒体。 ｎ＿２≧ｎ＿１の場合；ｋ＿２＜ｋ＿１ ｎ＿２＜ｎ＿１の場合；（ｎ＿１−ｎ＿２）≦（ｋ＿１
−ｋ＿２） - （４）基板上に色素膜３（ｎ＿３、ｋ＿３）、色素膜４
（ｎ＿４、ｋ＿４）を二層積層して記録層とし、情報の
記録・再生を媒体側からのレーザー光入射によって行な
うことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光情
報記録媒体。 - （５）ｎ、ｋが次の関係にあることを特徴とする特許請
求の範囲第４項に記載の光情報記録媒体。 ｎ＿３≧ｎ＿４の場合；ｋ＿３＜ｋ＿４ ｎ＿３＜ｎ＿４の場合；（ｎ＿４−ｎ＿３）≦（０．４
−ｋ＿３）
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-188208 | 1986-08-11 | ||
| JP18820886 | 1986-08-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153192A true JPS63153192A (ja) | 1988-06-25 |
Family
ID=16219658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61254342A Pending JPS63153192A (ja) | 1986-08-11 | 1986-10-24 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153192A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0755052A2 (en) | 1995-07-20 | 1997-01-22 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Optical recording medium |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60150244A (ja) * | 1984-01-14 | 1985-08-07 | Pioneer Electronic Corp | 光学式情報記録担体 |
| JPS60161194A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-22 | Nec Corp | 光学記録媒体 |
| JPS60239948A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-28 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS61277492A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-08 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS62227790A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-06 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP61254342A patent/JPS63153192A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60150244A (ja) * | 1984-01-14 | 1985-08-07 | Pioneer Electronic Corp | 光学式情報記録担体 |
| JPS60161194A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-22 | Nec Corp | 光学記録媒体 |
| JPS60239948A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-28 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS61277492A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-08 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS62227790A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-06 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0755052A2 (en) | 1995-07-20 | 1997-01-22 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Optical recording medium |
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