JPS63173375A - シヨツトキ−接合型電界効果トランジスタ - Google Patents
シヨツトキ−接合型電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS63173375A JPS63173375A JP667187A JP667187A JPS63173375A JP S63173375 A JPS63173375 A JP S63173375A JP 667187 A JP667187 A JP 667187A JP 667187 A JP667187 A JP 667187A JP S63173375 A JPS63173375 A JP S63173375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drain
- layer
- active layer
- ohmic electrode
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はショットキー接合型電界効果トランジスタに関
する。
する。
ソース・ドレイン領域にｎ＋化活性層に有するショット
キー接合型電界効果トランジスタのゲー１へ・ドレイン
間の耐圧を向上させる為に、従来は第３図に示すように
、ゲート電極４とオーミック電極６の間隔、又はゲート
電極４とｎ＋型活性層３Ａの間隔を広げてオフセット構
造をとる方法が一般に用いられていた。
キー接合型電界効果トランジスタのゲー１へ・ドレイン
間の耐圧を向上させる為に、従来は第３図に示すように
、ゲート電極４とオーミック電極６の間隔、又はゲート
電極４とｎ＋型活性層３Ａの間隔を広げてオフセット構
造をとる方法が一般に用いられていた。
しかしながら、オーミック電極６は通常リフトオフ法に
より形成される為、エッチ付近の加工状態は比較的荒れ
ており、この部分に電界集中点（ホットスポット）が形
成され易く、ゲート・ドレイン間の耐圧のばらつきが大
きくなる。また、ゲート電極４とオーミック電極６又は
ｎ＋型活性層３Ａの間隔をあまり大きくとるとチャネル
抵抗が増大し、素子の特性が劣化するという問題点があ
る。
より形成される為、エッチ付近の加工状態は比較的荒れ
ており、この部分に電界集中点（ホットスポット）が形
成され易く、ゲート・ドレイン間の耐圧のばらつきが大
きくなる。また、ゲート電極４とオーミック電極６又は
ｎ＋型活性層３Ａの間隔をあまり大きくとるとチャネル
抵抗が増大し、素子の特性が劣化するという問題点があ
る。
本発明の目的は、上記問題点を除去し、ゲート・ドレイ
ン間の耐圧の向上したショットキー接合型電界効果Ｉ・
ランジスタを提供することにある。
ン間の耐圧の向上したショットキー接合型電界効果Ｉ・
ランジスタを提供することにある。
本発明のショットキー接合型電界効果トランジスタは、
半絶縁性基板上に形成されたｎ型動作層とｎ＋化活性層
に、このｎ＋化活性層に接して形成されたオーミック電
極とを有するショットキー接合型電界効果トランジスタ
であって、ドレイン領域側の前記ｎ型動作層上に形成さ
れ、前記オーミック電極に少くとも表面の一部を覆われ
、かつ前記ｎ＋化活性層に電気的に接続するドレイン・
ショットキー金属層を設けたものである。
半絶縁性基板上に形成されたｎ型動作層とｎ＋化活性層
に、このｎ＋化活性層に接して形成されたオーミック電
極とを有するショットキー接合型電界効果トランジスタ
であって、ドレイン領域側の前記ｎ型動作層上に形成さ
れ、前記オーミック電極に少くとも表面の一部を覆われ
、かつ前記ｎ＋化活性層に電気的に接続するドレイン・
ショットキー金属層を設けたものである。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図において、半絶縁性のガリウム砒素基板１上にイ
オン注入法により、ｎ型動作層とドレイン及びソース領
域にｎ＋化活性層に形成する。次に全面にタングステン
シリサイド層を形成した後、ドライエツチング法により
ｎ型動作層２の上部にタングステンシリサイドよりなる
ゲー１へ電極４を形成すると同時にトレイン側のｎ型動
作層２とｎ＋型活性層３の境界付近上に、ドレイン・シ
ョットキー金属層５を形成する。そして、ゲート電極４
を覆うＳｉＯ□からなるパッシベーション膜７を形成後
、リフトオフ法によりソース及びドレイン領域に、Ａ
ｕ Ｇ ｅ・Ｎｉからなるオーミック電極６を成形して
合金化を行なう。このときドレイン側のオーミック電極
６は先に形成したトレイン・ショットキー金属層５の上
部に重なるように形成する。以下、ソース電極８及びド
レイン電極８Ａを形成して、ショットキー接合型電界効
果トランジスタを完成させる。
オン注入法により、ｎ型動作層とドレイン及びソース領
域にｎ＋化活性層に形成する。次に全面にタングステン
シリサイド層を形成した後、ドライエツチング法により
ｎ型動作層２の上部にタングステンシリサイドよりなる
ゲー１へ電極４を形成すると同時にトレイン側のｎ型動
作層２とｎ＋型活性層３の境界付近上に、ドレイン・シ
ョットキー金属層５を形成する。そして、ゲート電極４
を覆うＳｉＯ□からなるパッシベーション膜７を形成後
、リフトオフ法によりソース及びドレイン領域に、Ａ
ｕ Ｇ ｅ・Ｎｉからなるオーミック電極６を成形して
合金化を行なう。このときドレイン側のオーミック電極
６は先に形成したトレイン・ショットキー金属層５の上
部に重なるように形成する。以下、ソース電極８及びド
レイン電極８Ａを形成して、ショットキー接合型電界効
果トランジスタを完成させる。
このように構成された第１の実施例においては、ドレイ
ンの接続はゲート電極４に近い側がショッＩ−キー接続
となっているため、オーミック接続に比べ抵抗が高く、
またドレイン・ショットキー金属層５の加工をドライエ
ツチングにより行なっている為リフトオフ法のみでオー
ミック電極６を形成してトレイン接続を形成した場合に
比べて、ゲ−１−電極側のエツジ部分の加工荒れは少な
くなっており、電界集中点（ホットスポット）も形成さ
れにくくなっている。従ってドレインゲート間の耐圧は
向上したものとなる。
ンの接続はゲート電極４に近い側がショッＩ−キー接続
となっているため、オーミック接続に比べ抵抗が高く、
またドレイン・ショットキー金属層５の加工をドライエ
ツチングにより行なっている為リフトオフ法のみでオー
ミック電極６を形成してトレイン接続を形成した場合に
比べて、ゲ−１−電極側のエツジ部分の加工荒れは少な
くなっており、電界集中点（ホットスポット）も形成さ
れにくくなっている。従ってドレインゲート間の耐圧は
向上したものとなる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図セある。
この第２の実施例ではガリウム砒素基板１上にイオン注
入やエピタキシャル成長等により形成したｎ型動作層２
上にショットキー金属を成長させ、その後ドライエツチ
ング法によりゲート電極４及びドレイン・ショッ）−キ
ー金属層５を同時に形成する。その後ｎ”型活性層３を
エピタキシャル成長法により形成するが、このときドレ
イン側のｎ１型活性層３はドレイン・ショットキー金属
層５に対し自己整合的に成長させる。以後のプロセスは
第１の実施例と同様である。
入やエピタキシャル成長等により形成したｎ型動作層２
上にショットキー金属を成長させ、その後ドライエツチ
ング法によりゲート電極４及びドレイン・ショッ）−キ
ー金属層５を同時に形成する。その後ｎ”型活性層３を
エピタキシャル成長法により形成するが、このときドレ
イン側のｎ１型活性層３はドレイン・ショットキー金属
層５に対し自己整合的に成長させる。以後のプロセスは
第１の実施例と同様である。
このように構成された第２の実施例においては、ｎ＋型
活性層３かｎ型動作層２上に形成されてドレイン・ショ
ットキー金属層５と接続されているため、短チヤネル効
果が起きず、かつゲート・ドレイン間の耐圧が向上する
という利点がある。
活性層３かｎ型動作層２上に形成されてドレイン・ショ
ットキー金属層５と接続されているため、短チヤネル効
果が起きず、かつゲート・ドレイン間の耐圧が向上する
という利点がある。
以上説明したように本発明は、ショットキー接合型電界
効果トランジスタのドレイン側のｎ型動作層上に、オー
ミック電極に少くとも表面の一部を覆われ、かつｎ＋化
活性層に電気的に接続するドレイン・ショットキー金属
層を設けることにより、ゲート・ドレイン間の耐圧を向
上させることができる効果がある。
効果トランジスタのドレイン側のｎ型動作層上に、オー
ミック電極に少くとも表面の一部を覆われ、かつｎ＋化
活性層に電気的に接続するドレイン・ショットキー金属
層を設けることにより、ゲート・ドレイン間の耐圧を向
上させることができる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の断
面図、第３図は従来のショットキー接合型電界効果トラ
ンジスタの一例の断面図である。 １・・・ガリウム砒素基板、２・・・ｎ型動作層、３・
・・ｎ＋化活性層に４・・・ゲート電極、５・・・ドレ
イン・ショットキー金属層、６・・・オーミック電極、
７・・・パッシベーション膜、８・・・ドレイン電極、
８Ａ・・・ソース電極。 箭ｉ’Ｉｌ −含恭ｉっ
面図、第３図は従来のショットキー接合型電界効果トラ
ンジスタの一例の断面図である。 １・・・ガリウム砒素基板、２・・・ｎ型動作層、３・
・・ｎ＋化活性層に４・・・ゲート電極、５・・・ドレ
イン・ショットキー金属層、６・・・オーミック電極、
７・・・パッシベーション膜、８・・・ドレイン電極、
８Ａ・・・ソース電極。 箭ｉ’Ｉｌ −含恭ｉっ
Claims (1)
- 半絶縁性基板上に形成されたｎ型動作層とｎ＾＋化活性
層と、該ｎ＾＋化活性層に接して形成されたオーミック
電極とを有するショットキー接合型電界効果トランジス
タにおいて、ドレイン領域側の前記ｎ型動作層上に形成
され、前記オーミック電極に少くとも表面の一部を覆わ
れ、かつ前記ｎ＾＋化活性層に電気的に接続するドレイ
ン・ショットキー金属層を設けたことを特徴とするショ
ットキー接合型電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP667187A JPS63173375A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | シヨツトキ−接合型電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP667187A JPS63173375A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | シヨツトキ−接合型電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63173375A true JPS63173375A (ja) | 1988-07-16 |
Family
ID=11644834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP667187A Pending JPS63173375A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | シヨツトキ−接合型電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63173375A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5273937A (en) * | 1988-01-08 | 1993-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Metal semiconductor device and method for producing the same |
| US5376812A (en) * | 1989-04-12 | 1994-12-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2010278137A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Sharp Corp | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277682A (en) * | 1975-12-24 | 1977-06-30 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS546777A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Nec Corp | Field effect type transistor |
-
1987
- 1987-01-13 JP JP667187A patent/JPS63173375A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277682A (en) * | 1975-12-24 | 1977-06-30 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS546777A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Nec Corp | Field effect type transistor |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5273937A (en) * | 1988-01-08 | 1993-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Metal semiconductor device and method for producing the same |
| US5376812A (en) * | 1989-04-12 | 1994-12-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2010278137A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Sharp Corp | 半導体装置 |
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