JPS63199440A - 半導体基板支持装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体基板支持装置、特に、半導体基板の
接着を行なう際の、半導体基板支持装置に関するもので
ある。

（従来の技術） 従来、この種の装置として第２八図ないし第３Ｆ図に示
すものが知られている。第２Ａ図は、従来の半導体基板
支持装置を示す斜視図、第２Ｂ図は、同側断面図であり
、図において、７゜７ａはシリコン基板、８は半導体基
板支持装置である石英ボート、９は溝、この溝９内に密
着したシリコン基板７．７ａを装着するようになってい
る。また、第３八図ないし第３Ｆ図は、半導体基板密着
技術を用いる一例として、誘電体分離デバイスの製造方
法を示す工程別正断面図である。以下、第２八図ないし
第２Ｂ図、第３八図ないし第３Ｆ図を参照して、従来の
半導体基板支持装置について説明する。

はじめに、誘電体分離デバイスの製造方法について説明
する。

−（）シリコン基板７表面に、熱酸化法または、ＣＶＤ
法などを用いて、酸化膜１１を形成する。

つぎに、写真製版およびエツチング技法を用い、島とな
る部分の酸化膜１１を残して、他を除去する。（第３Ｆ
図） 口）湿式または乾式の異方性エツチングで、酸化ｊ摸１
１をマスクにして、シリコン基板７をエツチングする。

（第３Ｂ図） ハ）表面の酸化膜１１を除去し、表面全体に拡散法など
を用いて高濃度不純物拡散層１２を形成し、さらにこの
高濃度不純物拡散層１２の表面に酸化膜１３をＣＶＤ法
などで形成する。（第３Ｃ図） 二）酸化膜層３の一トに、表面が平坦となるように、数
１０μｍ程度のポリシリコン層１４をＣＶＤ法などで形
成する。（第３Ｄ図）ホ）表面が平坦なポリシリコン層
１４の表面に、Ｐ　Ｓ　Ｇ　（Ｐｈｏｓｐｈｏ　５ｉｌ
ｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）やＢＰＳＧ（口ｏｒｏｐｈｏ
ｓｐｈｏ　５ｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）やＳ　ＯＧ
　（Ｓｐｉｎ　ｏｎＧｌａｓｓ）などのガラス状態とな
りうる酸化膜層１５を形成する。さらに、その−トに、
シリコン基板７ａを密着させ、熱処理をほどこして、酸
化膜層１５を介して、シリコン基板７とシリコン基板７
ａを接着させる。（第３Ｅ図） へ）シリコン基板７を研摩し、高濃度不純物拡散層１２
および、酸化膜１３かそれぞれの島として、分離される
ようにする。（第３Ｆ図）以上が誘電体分離デバイスの
製造方法であり、第３Ｅ図に示したように、シリコン基
板７とシリコン基板７ａを接着させるための熱処理をほ
どこす際、シリコン基板７とシリコン基板７ａを密着さ
せる工程を経てから、第２八図ないし第２Ｂ図に示すよ
うな石英ボート８に設けた溝９に、密着したシリコン基
板７，７ａを装着していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、従来の半導体基板支持装置にあっては、
以上のように構成されているので、半導体基板を接着す
る際に、基板どうしの重なり精度が悪く、半導体基板ど
うしを重ね合わせる工程が必要で、このため作業効率が
低く、また、処理枚数も、石英ボートの溝の数で限定さ
れてしまうので、処理効率が低いという問題点があった
。

この発明は、以上のような問題点を解消するためになさ
れたものて、半導体基板を接着する際に、基板の重ね精
度を良くできるとともに、処理効率を高くできる半導体
基板支持装置を提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

このため、この発明に係る半導体基板支持装置は、半導
体基板支持台に半導体基板のファセットに合う溝を設け
、さらに半導体基板を密着させるための半導体基板押え
板を設けることにより、前記の目的を達成しようとする
ものである。

〔作用〕

この発明における半導体基板支持装置においては、半導
体基板のファセットに合う溝を設けたことにより、半導
体基板を精度よく重ね合わせることができ、さらに半導
体基板押え板を備えているので、半導体基板を密着させ
ることができる。

〔発明の実施例〕

以下にこの発明の一実施例について図面に基づいて説明
する。第１Ａ図はこの発明に係る半導体基板支持装置の
一実施例を示す斜視図、第１Ｂ図は同一部裁断正面図、
第１Ｃ図は同側面図である。前出従来装置第２Ａ図およ
び第２Ｂ図ならびに第３八図ないし第３Ｆ図におけると
同一　（相当）構成要素は同一符号で表わし、説明の重
複をさける。

図において、１は半導体基板支持台、２は半導体基板保
持具、３は半導体基板押え板、４は押え板支持棒、５は
押え板保持台、６はねじ、７は第１の半導体基板である
シリコン基板、７ａは第２の半導体基板であるシリコン
基板である。

以−Ｆの構成により、シリコン基板７，７ａを接着しよ
うとする際に、まず５ねじ６を回ねして半導体基板押え
板３と半導体基板保持具２との間隔を接着しようとする
シリコン基板の数に応じて所望の間隔になるように調節
し、つぎに所要枚数のシリコン基板７，７ａを第１Ａ図
に示すようにシリコン基板７，７ａのファセット１６を
満８に沿ってならべ、ねじ６をまわして半導体基板押え
板３により半導体基板保持具２との間に締めつけること
により、シリコン基板７，７ａの重ね合わせを精度良く
セットできるようになっている。

第３Ａ図ないし第３Ｆ図を参照して、一実施例による半
導体基板支持装置について説明する。

第３Ｅ図に示すように、シリコン基板７とシリコン基板
７ａを接着させるための熱処理をほどこす際、第１Ａ図
ないし第１Ｃ図に示すような半導体基板支持装置を、以
下に記述する方法で用いる。

シリコン基板７，７ａを交互に、半導体基板支持台１の
上に並べる。なお、この際半導体基板支持台には、第１
Ｃ図に示すように、シリコン基板７．７ａを精度よく重
ね合わせるように、溝８を設けであるので、従来の方法
での半導体基板どうしを重ね合わせる工程と、石英ポー
ト上に装置する工程を同時に実施できる。

つぎに、半導体基板押え板３で、半導体基板支持台１の
上のシリコン基板７，７ａを密着させ、そののち、この
シリコン基板７，７ａを装着した半導体基板支持装置自
体を熱処理炉に入れて、シリコン基板７，７ａの接着を
行なう。

」−記の方法のように、この発明の一実施例の半導体基
板支持装置を用いることにより、半導体基板であるシリ
コン基板７，７ａを接着しようとするとき、半導体基板
支持台に溝８を設け、また半導体基板押え板３を用いて
いるため、シリコン基板７，７ａの重ね合わせを容易に
精度良くでき、しかもシリコン基板７，７ａの重ね合わ
せと密着および熱処理を行なう半導体基板支持装置への
装着を同時にできる。

以上に説明したように、この発明の一実施例によれば、
半導体基板を接着する際に、基板の重ね合わせを精度良
くでき、処理効率の高い半導体基板支持装置を提供する
ことができるという効果がある。

〔発明の効果〕

以上に、説明してきたように、この発明によれば、半導
体基板支持台に溝をつけ、また半導体基板押え板を用い
ているので、半導体基板の重ね合わせが容易に粒度よく
行なえ、また、半導体基板の重ね合わせと密着および熱
処理を行なう半導体基板支持装置への装着が同時にでき
るという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図は、この発明に係る半導体基板支持装置の一実
施例を示す斜視図、第１Ｂ図は同一部裁断正面図、第１
Ｃ図は側面図、第２Ａ図は、従来の半導体基板支持装置
を示す斜視図、第２Ｂ図は正断面図、第３Ａ図ないし第
３Ｆ図は、半導体基板接着技術を用いる誘電体分離デバ
イスの製造方法の例を示す工程別の説明用正断面図であ
る。 １は半導体基板支持台、３は半導体基板押え板、６はね
じ、７は第１の半導体基板、７ａは第２の半導体基板、
８は溝、１６はファセットである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）第１の半導体基板と第２の半導体基板を熱処理し
   て接着する工程において、第１の半導体基板と第２の半
   導体基板を支持する台に、第１および第２の半導体基板
   のファセットに合致する溝を設け、さらに第１および第
   ２の半導体基板を密着するための半導体基板押え板を備
   えたことを特徴とする半導体基板支持装置。
2. （２）前記第１および第２の半導体基板をねじなどを利
   用することにより密着させることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の半導体基板支持装置。