JPS63202928A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPS63202928A
JPS63202928A JP62036266A JP3626687A JPS63202928A JP S63202928 A JPS63202928 A JP S63202928A JP 62036266 A JP62036266 A JP 62036266A JP 3626687 A JP3626687 A JP 3626687A JP S63202928 A JPS63202928 A JP S63202928A
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JP
Japan
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die pad
platen
wire bonding
semiconductor manufacturing
semiconductor
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JP62036266A
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Yukimitsu Ono
小野　如満
Sumio Ueno
上野　澄男
Yoichi Nishikawa
洋一 西川
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばワイヤボンディング工程で使用する半
導体製造装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体製造装置は第３図および第４図に
示すように構成されている。これを同図に基づいて説明
すると、同図において、符号１で示すものはヒータ２を
内蔵するベースブロック、３はこのヘースブロソク１上
に固定されリードフレーム４のダイパッド５を収納可能
な凹陥部６を有するワイヤボンディング用のプラテンで
ある。
また、７は前記リードフレーム４のダイパッド５上に接
合された半導体素子、８はこの半導体素子７にＡｕ製の
ワイヤ９によって接続されたリードである。なお、前記
プラテン３の凹陥部６は放電加工によって形成される。
このように構成された半導体製造装置においては、送り
装置（図示せず）によってリードフレーム４をプラテン
３に搬送した後、ワイヤ９によって半導体素子７とリー
ド８とを接続することによりワイヤボンディングを行う
ことができる。このとき、ダイパッド５がプラテン３の
凹陥部６内に収納されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、従来の半導体製造装置においては、プラテン
３の加工時に凹陥部６の底面縁部が放電加工治具の摩耗
によって第４図に矢印Ａで示すように曲面状に形成され
ることがあり、この場合ダイパッド５が凹陥部６の底面
とこの縁部に載置されることになって、ワイヤボンディ
ング時に半導体素子７に作用する衝撃力や振動（例えば
超音波等）によってダイパッド５も弾性振動し、良好な
ワイヤボンディングを行うことができないという問題が
あった。すなわち、ダイパッド５が凹陥部６の底面とこ
の縁部に載置されると、ダイパッド５とプラテン３との
間に間隙が形成されるため、半導体素子７からダイパッ
ド５に伝達される衝撃力や振動をプラテン３（ベースブ
ロック）によって吸収することができないからである。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、ワイヤ
ボンディング時に半導体素子に作用する衝撃力および振
動をプラテンによって吸収することができ、もってワイ
ヤボンディングを良好に行うことができる半導体製造装
置を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係る半導体製造装置は、プラテン凹陥部の底面
縁部に凹溝を設け、この凹溝は開口一部がダイバンドに
よって閉塞される位置に位置付けられているものである
。
〔作　用〕
本発明においては、ワイヤボンディング時に凹陥部の底
面にリードフレームのダイパッドを密着させ凹陥部内に
収納することができる。
〔実施例〕
第１図は第２図のＩ−１断面図、第２図は本発明に係る
半導体製造装置を示す斜視図で、同図において第３図お
よび第４図と同一の部材については同一の符号を付し、
詳細な説明は省略する。同図において、符号１１で示す
ものは枠状の凹溝で、前記凹陥部６の底面縁部に設けら
れており、その開口一部が前記ダイパッド５によって閉
塞される位置に位置付けられている。
このように構成された半導体製造装置においては、ワイ
ヤボンディング時に凹陥部６の底面にリードフレーム４
のダイパッド５を密着させ凹陥部６内に収納することが
できる。
したがって、半導体素子７からダイパッド５に伝達され
る衝撃力や振動をプラテン３等によって吸収することが
できる。
すなわち、本発明においては、プラテン３に対し凹溝１
１を設けることにより、−次加工によって形成される曲
面状の底面縁部を無くして、ワイヤボンディング時に発
生するダイパッド５の振動を防止することができるので
ある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、プラテン凹陥部の
底面縁部に凹溝を設け、この凹溝は開口一部がダイパッ
ドによって閉塞される位置に位置付けられているので、
ワイヤボンディング時に凹陥部の底面にリードフレーム
のダイパッドを密着させ凹陥部内に収納することができ
る。したがって、半導体素子からダイパッドに伝達され
る衝撃力および振動をプラテンによって吸収することが
できるから、ダイパッドの振動を防止することができ、
ワイヤボンディングを良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は第２図のＩ−■断面図、第２図は氷見−ζ　− 明に係る半導体製造装置を示す斜視図、第３図および第
４図は従来の半導体製造装置を示す斜視図と断面図であ
る。 ３・・・・プラテン、４・・・・リードフレーム、５・
・・・ダイパッド、６・・・・凹陥部、７・・・・半導
体素子、１１・・・・凹溝。 代　　理　　　人　　大　岩　増　雄 ６一

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　リードフレームのダイパッドを収納可能な凹陥部を有
    するワイヤボンディング用のプラテンを備えた半導体製
    造装置において、前記凹陥部の底面縁部に凹溝を設け、
    この凹溝は開口一部が前記ダイパッドによって閉塞され
    る位置に位置付けられていることを特徴とする半導体製
    造装置。
JP62036266A 1987-02-18 1987-02-18 半導体製造装置 Expired - Lifetime JP2581054B2 (ja)

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JP62036266A JP2581054B2 (ja) 1987-02-18 1987-02-18 半導体製造装置

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JPS63202928A true JPS63202928A (ja) 1988-08-22
JP2581054B2 JP2581054B2 (ja) 1997-02-12

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55145047U (ja) * 1979-04-02 1980-10-17
JPS59159947U (ja) * 1983-04-11 1984-10-26 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55145047U (ja) * 1979-04-02 1980-10-17
JPS59159947U (ja) * 1983-04-11 1984-10-26 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造装置

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JP2581054B2 (ja) 1997-02-12

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