JPS632070A - 電子写真感光膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 構造に関するもので−あり、特にアモルファスシリコン
を用いた光導電体層の暗減衰特性および分光感度の改良
に関するものである。

従来、電子写真感光膜として用いられる光導電材料とし
ては、Ｓ　ｅ　、　Ｃｄ　Ｓ　、　Ｚ　ｎ　Ｏなどの無
機物や、ポリ−Ｎビニルカルバゾル（ＰＶＫ）、　　ト
リニトロンフルオレノン（ＴＮＦ）などの有機物がある
。これらは高い光導電性を有する。しかし、これ等の材
料自体で感光膜を形成したり、あるいはこれ等の材料の
粉体を有機バインダー中に分散させて感光膜を形成した
場合、膜の硬度が十分でなく、電子写真感光膜として使
用中に膜の表面に傷がついたり磨耗するという欠点があ
った。またこれらの材料の多くは人体に有害な物質であ
り、たとえ少量であっても磨耗して複写紙に付着するこ
とは好ましいことではない。これらの欠点を改善するた
めにアモルファスシリコンを感光膜として用いることが
提案された（たとえば特開昭５４−７８１３５号公報）
。アモルファスシリコン膜は前記の従来感光膜にくらべ
て硬度が高く、毒性をほとんど有しないため、従来感光
膜の有する欠点は改善される。しかしアモルファスシリ
コン膜は電子写真感光膜としては暗抵抗が低すぎ、また
、１０１０Ω・ｃｍ程度の高抵抗の膜は光電利得が低す
ぎて電子写真感光膜としては不満足のものしか得られな
かった。この欠点を克服するため、ｎ型。

ｎ゛型、Ｐ型、Ｐ゛型、ｉ型等の伝導型の異なった２種
以上のアモルファスシリコン膜を接合させ、その接合部
に形成される空乏層中で光キャリアを発生させる膜構造
が提案された（たとえば特開昭５４−１２１７４３号公
報）。しかしこのように伝導型の異なった２層以上の膜
を接合させて空乏層を形成する場合、感光膜表面に空乏
層を形成することは困難であり、そのため、電荷パター
ンを保持しなくてはならない肝心の感光膜表面部分の比
抵抗が低下して電荷パターンの横流れが起り、その結果
電子写真の解像度が低下するおそれがある。

本発明は上記の欠点をなくし、解像度劣化のおそれがな
く、暗減衰特性が良好で、しかも長波長光に対する感度
を高め得るようなアモルファスシリコン電子写真感光膜
を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の電子写真感光膜は、
それを構成するアモルファスシリコン光導電体層の表面
（または界面）部分に炭素若しくはホウ素を少くとも含
有するアモルファスシリコンの電荷注入阻止層を有する
構成を採用する。

純粋にシリコン元素のみから成るアモルファスシリコン
膜は局在準位密度が高く、はとんど光導電性を有しない
。しかしこの中に水素を添加することによって局在準位
を大幅に減少させ、高い光導電性をもたせたり、不純物
を添加してＰ型、ｎ型などの伝導型にすることができる
。このようにアモルファスシリコン中の局在準位密度を
減少させる効果のある元素としては水準の他にフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素など、いわゆるハロゲン族の元素が
あるが、ハロゲン族はアモルファスシリコン中の局在準
位密度を減少させる効果はあってもアモルファスシリコ
ンの光学的禁止帯幅を大きく変化させることはできない
。これに対し、水素はアモルファスシリコン中に添加さ
れることによってアモルファスシリコンの光学的禁止帯
幅を大幅に増大させたり、比抵抗を増加させたりするこ
とができるので、本発明のような高抵抗光導電膜を得る
ためには特に有用である。

そして、炭素やホウ素をこのようなアモルファスシリコ
ンの表面若しくは界面部分に含有させることにより、比
抵抗を高め更には光学的禁止帯幅を大きくすることがで
き、光導電膜の表面若しくは界面側から内部に注入する
電荷を阻止するに有効である。

水素を含有するアモルファスシリコン（通常ａ−３ｉ：
Ｈと表記される）を形成する方法としてよく知られてい
るのは、（１）モノシランＳ　ｉ　Ｎ４の低温分解によ
るグロー放電法、（２）水素を含有する雰囲気中でシリ
コンのスパッタ蒸着を行なう反応性スパッタリング法、
（３）イオンブレーティング法などである。これらの方
法によって作成されたアモルファスシリコン膜は、通常
数原子％から数十原子％の水素を含有し、光学的禁止帯
幅も純粋なシリコンの１．１ｅＶよりもかなり大きくな
っている。ところで、水素を含まない純粋なアモルファ
スシリコン中の局在準位密度は１０２０／　ｃ　ｍ　３
程度と推定され、これに水素が添加された場合、水素原
子が１：１に局在準位を、／ｌ！１減させるものとすれ
ば、約０．１原子％の水素添加量で局在準位はすへて消
滅するはずであるが、実際に光導電性があられれ、光学
的禁止帯幅の変化がおこり、光導電体として有用なアモ
ルファスシリコンが得られるのは、含有水素濃度が１原
子％を越えるあたりからとなっている。

アモルファスシリコン膜中の水素濃度を変化させるため
には上記の膜形成法を用いて膜を形成する際の基板温度
、雰囲気中の水素濃度、入力パワーなどを制御すればよ
いが、上記の膜形成法のうち、特にプロセスの制御性が
よく、しかも高抵抗の良質な光導電性アモルファスシリ
コン膜が容易に得られるのは反応性スパッタリング法で
ある。

本発明者らはアルゴンと水素の混合雰囲気中でのシリコ
ンの反応性スパッタリングによって、電子写真感光膜と
して使用可能な１０１０Ω・Ｃｍ以上の比抵抗を有する
ａ−３ｉ：Ｈ膜を得ることができた。この膜は高抵抗で
あると同時に高い光導電性を有し、フェルミ準位が禁止
帯の中央付近にある、いわゆる真性半導体である。禁止
帯幅が−定の半導体において、通常量も比抵抗が高いの
は真性（ｉ型）の状態であり、不純物のドープによって
ｎ型またはＰ型に伝導型を変化させれば比抵抗は低下す
る。したがって真性の状態で電子写真感光膜として使用
できるような十分高抵抗の膜が得られれば、故意に空乏
層を利用する必要がなくなり、それゆえ伝導型の異なる
二層以上のアモルファスシリコン層を重ねて電子写真感
光膜を形成する必要もなくなる。本発明は単独の層であ
りながら、電子写真感光膜に必要な高い比抵抗を有する
ａ−３ｉ：Ｈ膜を用いて、分光感度の改良と暗減衰特性
の改良を行うものである。

そもそも電子写真感光膜のような蓄積型の受光デバイス
において、感光膜の比抵抗は次の２つの要求値を満たさ
なくてはならない。

（１）感光膜表面にコロナ放電などにより付着させた電
荷が、露光前に膜の厚み方向を通して放電してしまわな
いために、膜の比抵抗は１０１°Ω・Ｃｍ程度以上ある
ことが必要である。

（２）露光後、感光膜の表面に形成された電荷パターン
が、電荷の横流れのため、現像前に消滅することがない
ように、感光膜の表面抵抗も十分に高くなければならな
い。これを比抵抗に換算すると、前項の場合と同じよう
に１０１０Ω・Ｃｍ程度以上になる。

以上２項は、いずれも露光前後における暗中での電荷の
移動に関するものであり、前者を膜の厚み方向の暗減衰
とよび、後者を膜の表面方向の暗減衰とよぶことにする
。

上記２項の条件を満足させるため、感光膜の電荷を保持
する表面付近の比抵抗は１ｏ１０Ω・Ｃｍ程度以上でな
くてはならないが、膜の厚み方向が一様に１０１０Ω・
０ｍ以上の比抵抗を有すること向の抵抗をＲ４とすれば
、 τ、＝Ｒ，Ｃ１・・・・・・・・・（１）の関係が成り
立ち、τ、が帯電から現像までの時間にくらべて十分長
ければよいわけであるから、Ｒ，は膜の厚み方向をマク
ロに見て十分大きければよいことになる。

本発明者らによれば、電子写真感光膜のような高抵抗薄
膜デバイスにおいて、膜の厚み方向のマクロな抵抗を決
定する要因としては、膜内体の比抵抗の他、電極との界
面から注入される電荷が重要な役割を果していることが
明らかになった。アモルファスシリコンを用いた電子写
真感光膜において、帯電表面とは別の側の界面、すなわ
ち感光膜を保持する基板側からの電荷の注入を阻止する
ためには、基板との界面付近のアモルファスシリコン膜
の比抵抗を１ｏ１０Ω・０ｍ以上の高い値にしておくこ
とが満足な効果が得られることがわかった。このような
高抵抗領域は通常真性半導体（ｉ型）であるが、この領
域は電極から感光膜への電荷注入阻止層としての役割を
果すもので、その厚みはトンネル効果によって電荷がこ
の領域を通りぬけることがないよう、１０ｎｍ以上ある
ことが必要である。更に電極からの電荷注入を効果的に
阻止するためには、電極とアモルファスシリコン膜との
間に、５ｉ０２．ＣａＯ２，５ｂ２ｓ３゜Ｓ　ｂ２Ｓ　
ｅ３．ＡＳ２Ｓ３．Ａｓ２５　ｅ３などの薄膜を介在さ
せることも有効である。

以上の説明により、感光膜の厚み方向の暗減衰および表
面方向の暗減衰を抑制するために、アモルファスシリコ
ン膜の表面（あるいは界面）付近の比抵抗は１０１０Ω
・０ｍ以上と高くなくてはならないことが明らかにされ
たが、その高抵抗部分の必要な厚みは、それに隣接する
低抵抗部分の比抵抗に依存するため必ずしも一定ではな
い。しかし、トンネル効果が観測されはじめる１０ｎｍ
未満では高抵抗膜の存在意味がなくなるので少くとも１
０ｎｍ以上あることは必要である。また、アモルファス
シリコン膜の極めて表面付近、例えば数原子層の領域を
とって考えれば、雰囲気ガスの吸着により伝導度が変調
されて低抵抗になっていることもあり得るが、電子写真
の原理から考えて。

通常の方法で表面抵抗を測定した場合、十分に高い抵抗
が観測されることが本発明の要件であると解すべきであ
る。

さて、本発明においてアモルファスシリコン膜の表面（
あるいは界面）付近の比抵抗は十分に高くなくてはなら
ないが膜の内部における比抵抗は必らずしも高くある必
要はない。電子写真の原理にもとづき、感光膜のマクロ
な抵抗Ｒ８が（１）式を満足すればよいことになる。こ
のことは本発明のもう一つの目的、すなわち分光感度特
性の改良に以下の理由から好都合である。つまり、１０
１０Ω・Ｃｍ以上の高い比抵抗を有するａ−８ｉ：Ｈ膜
は通常、１．７ｅＶ程度の光学的禁止帯幅をもち、可視
光の長波長領域よりも波長の光に対しては感度を有しな
い。このことは、８００ｎｍ付近の波長を有する半導体
レーザを用いたレーザ光プリンタ用感光膜にａ−３ｉ：
Ｈ膜を使用する場合に大変不都合である。−方長波長光
に感度の高いａ−３ｉ：Ｈ膜に１０１０Ω・Ｃｍ以上の
高い比抵抗をもたせることは困難である。これを解決す
るため。

ａ−５ｉ：Ｈ膜内部に長波長光感度を有する領域を作り
、しかも膜全体としてのマクロな抵抗を十分高く保つこ
とによって、電子写真感光板の分光感度特性を長波長側
に移動させることが本発明者らによって見て出された。

第１図は反応性スパッタリング法における雰囲気の水素
分圧と、その時形成されるａ−５ｉ：Ｈ膜の光学的禁止
帯幅との関係である。この図かられかるように、膜形成
の初期において水素分圧を高め、その後、−時的に水素
分圧を低くして、膜形成の終期に再び水素分圧を高めれ
ば、膜の内部に光学的禁止帯幅の小さい領域を作成する
ことが可能である。この方法で形成することのできる光
学的禁止帯幅の最小値は純粋なシリコンの光学的禁止帯
幅である１、１ｅＶである。このように膜内部に禁止帯
幅の狭い領域を作ったとき、長波長光はこの領域におい
て吸収されて電子−正孔対を発生する。この様子を第２
図にバンドモデルで示す。禁止帯幅の広い領域も、狭い
領域も、その部分自体の抵抗はできるだけ高いことが望
ましいのですべて真性（ｉ型）であった方がよい。この
とき、バンドモデルはフェルミ準位を中位にして上下対
称にくびれる形となる。

このくびれの中で発生した光キャリアは、そこに存在す
る作りつけの電界によってくびれの中に捕えられている
。これらの光キャリアを外部電界によってくびれの中か
ら引き出し、有効な光キャリアとして利用するためには
、外部電界は、くびれの部分の作りつけの電界よりも大
きくなくてはならない。逆にいうと、くびれを作る場合
にそこに発生する作りつけの電界が外部電界よりも小さ
くなるようにしなくてはならない。くびれ部分の作りつ
けの電界は、くびれの深さくポテンシャル差）Ｄとくび
れの幅Ｗとに依存する。急峻なくびれは大きな作りつけ
電界を発生し、なだらかなくびれは小さな作りつけ電界
を発生する。くびれの形状を二等辺三角形で近似したと
き、外部に光キャリアが引き出されるための条件は、外
部電界をＥａとして、 ≧ Ｅａ橿２Ｄ／Ｗ　　　　　　・・・・・・・・（２）で
ある。

アモルファスシリコン感光膜内において、このくびれの
存在する部分はできるだけ光の入射面に近い位置にある
ことが、入射光の利用率からいって望はしいが、例えば
レーザ光プリンタの場合のように、入射光が単色光で、
しかもくびれ以外の部分における吸収係数が小さい場合
には、くびれは膜内の厚み方向のどの位置にあっても効
果に大きな差はない。くびれの部分で有効な光キャリア
を発生させるためにはくびれの幅Ｗは実効的に１０ｎｍ
以上あることが必要である。くびれの幅の最大限界は、
もちろんアモルファスシリコン膜全体であるが、膜厚方
向の全抵抗Ｒ４を十分高くしておくため、くびれの幅Ｗ
は全膜厚の１／２以下であることが望ましい。

アモルファスシリコン感光膜の全膜厚は帯電電圧によっ
て決定され、帯電電圧は使用するトナーの種類や感光膜
の使用条件によって異なる。しかし、アモルファスシリ
コン膜の耐圧は１μｍあたりＩＯＶ〜５０Ｖと考えられ
、したがって帯電電圧が５００ｖのときには全膜厚は１
０μｍ〜５０μｍとなる。

以下にアモルファスシリコン光導電体層を有する電子写
真感光膜の具体的構造について述べる。

第３図において、１は基板、２はアモルファスシリコン
層を具備する感光層である。１の基板はアルミニウム、
ステンレス、ニクロ１１板などの金属板でも、ポリイミ
ドなどの有機物、あるいはガラス・セラミックス等でも
差支えないが、基板が電気的な絶縁物である場合は１１
のように基板上に電極を被着する必要がある。電極はア
ルミニウム、クロムなどの金属材料の薄膜や、５ｎ０２
゜Ｉ　ｎ　−Ｓ　ｎ　−０のような酸化物系の透明電極
が用いられる。この上に感光層２が設けられるが、基板
１が透光性であり、電極１１が透明である場合には感光
層２に入射する光は基板１を通して照射される場合もあ
り得る。感光層２は最大で５層の構造から成り立つ。基
板１側に存在する最初の層２１は基板側からの過剰キャ
リアの注入を抑制すルタメノ層テアリ、Ｓ　ｉ　Ｏ、Ｓ
　ｉ　０２ｙ　Ａ　１２０３１Ｃｅ○２１　Ｖ２Ｏ３１
Ｔ　ａ２０．　Ａ　ｓ２Ｓ　ｅ３．　Ａｓ２Ｓ３などの
高抵抗の酸化物・硫化物・セレン化物の層や、場合によ
っては、ポリビニルカルバゾルなどの有機物の層が用い
られる。最後の層２５は表面側からの電荷の注入を抑制
するための層であり。

これも同じく、Ｓｉｎ、５ｉ０２．Ａｌ□０３゜ＣｅＯ
２，Ｖ２Ｏ３ｇ　Ｔ　ａ　２０　ＨＡ　Ｓ　２　Ｓ　ｅ
　３１Ａ　ｓ２Ｓ　ｅ３．ポリビニルカルバゾルなどが
用いられる。これらの層２１と２５とは本発明の感光膜
の電子写真特性を改善するためのものではあるが、必ら
ずしも必要不可欠のものではなく、本質的には層２２，
２３．２４があれば本発明の要件は満足される。層２２
，２３．２４はいずれもアモルファスシリコンを主体と
する層であって、層２２゜２４はいずれも１．６ｅＶ以
上の光学的禁止帯幅を有し、比抵抗１０１０Ω・ｃｍ以
上であり、１０ｎｍ以上の膜厚を有する層である。また
、層２３は光学的禁止帯幅１．１ｅＶ以上であって層２
２および層２４の光学的禁止帯を越えないような層であ
り、膜厚１０ｎｍ以上を有する。層２３の比抵抗が１０
１０Ω・ａｍ未満であることも当然あす得るが、その場
合でも層２２および２４の存在によって電子写真感光膜
としての暗減衰特性に悪影響をおよぼさないということ
が本発明の主眼点である。層２２および２４の比抵抗や
光学的禁止帯幅を高めるためにアモルファスシリコン層
の中に炭素や微量のホウ素を添加することが本発明の構
成要件である。また層２３の光学的禁止帯幅を減少させ
るためにアモルファスシリコン層の中にゲルマニウムを
添加したりすることもあり得るが、膜内平均として５０
原子％以上のシリコンを含むことが、光導電特性の確保
のため必要でありその要件が満足されれば、他のいかな
る元素を含んでも作成された膜は本発明の範囲内に含ま
れる。

水素を含有するアモルファスシリコン膜の形成方法とし
ては、最初に述べたようにグロー放電によるＳｉＨ４の
分解を用いる方法、反応性スパッタンリング法、イオン
ブレーティング法などが知られている。いずれの方法に
よる場合でも、膜形成中の基板温度が１５０〜２５０℃
である時、最も光電変換特性の良好な膜が得られるが、
グロー放電法の場合は形成された膜中の水素含有量が。

膜形成時の基板温度に強く依存するので、光電変換特性
と膜中の水素含有量とを独立に決定するこが困難である
。また、光電変換特性の良好な膜は比抵抗が１０６〜１
０７”Ω・ｃｍと低く、電子写真用としては適さないの
でホウ素を微量ドープして比抵抗を高めることが必要で
ある。これに対し。

反応性スパッタリング法とイオンブレーティング法とは
、膜形成時の基板温度と膜中の水素含有量とを独立に決
定できるので、本発明のように膜の厚み方向に光学的禁
止帯幅の異なる層を重ねる必要のある場合は特に有効で
ある。さらに１反応性スパッタリング法は十分に大面積
のスパッタリングターゲットを用いることによって均一
で大面積の膜を形成することができるので電子写真用の
感光膜を形成するためには特に有用であるといえる。

通常、反応性スパッタリングは第４図のように装置を用
いて行い、同図においては３１はペルジャー、３２は排
気系、３３は高周波電源、３４はスパッタリングターゲ
ット、３５は基板ホルダ。

３６は基板である。なお、スパッタリング装置の中には
本図のように平板状の基板にスパッタ蒸着するためのも
のばかりでなく１円筒のドラム状基板上にスパッタ蒸着
できるような構造のものもあるので用途に応じて使い分
ければよい。

さて反応性スパッタリングはペルジャー３１の内部を排
気し、その中へ水素およびアルゴンなどの不活性ガスを
導入して、高周波電源３３から高周波電圧を供給して放
電させることによって行なう。このとき形成される膜中
に含有される水素の量は、放電時に存在する水素の分圧
によってほぼ決定され１本発明に適した水素を含有する
アモルファスシリコン膜は、スパッタ時の水素分圧がＩ
Ｘ　１０−５Ｔｏｒｒから５　Ｘ　１０−２Ｔｏｒｒの
範囲のときに得られる。この時の膜の堆積速度は１人／
ＳｅＣ〜３０人／ｓｅｅである。

以下に本発明を参考例及び実施例によって具体的に説明
する。

参考例　１ 表面を鏡面研磨したアルミニウム円筒を酸素雰囲気中で
３００℃２時間加熱して、円筒表面にＡｌ２Ｏ３膜を形
成する。その円筒を回転式のマグネットロンスパッタ装
置中に設置し、ｌＸｌ０−’Ｔ　ｏｒｒまで排気した後
、円筒を２００℃に保ちつつ２　Ｘ　１０−３Ｔｏｒｒ
の水素および３　Ｘ　１０−３Ｔｏｒｒのアルゴンの混
合雰囲気中で３５０Ｗの高周波出力により２人／ｓｅｅ
の堆積度で２ｏμｍの厚みに光学的禁止帯幅１．９５ｅ
Ｖな比抵抗１０１１Ω・ｃｍのアモルファスシリコン膜
を堆積する。その後、スパッタ装置からこの円筒をとり
出し、真空蒸着装置に装置し、２　Ｘ　１０−６Ｔｏｒ
ｒの真空度のもとで、基板温度を８０℃に保ち、Ａｓ２
Ｓｅ３膜を１０００人の厚みに蒸着する。このようにし
て作成された円筒を電子写真感光ドラムとして使用する
。

参考例　２ 硬質ガラス円筒上に４５０℃における５ｎＣ１ｑの熱分
解によってＳｎＯ２透明電極を形成する。

その円筒を回転式のスパッタ装置中に設置し、２Ｘ　１
０−６Ｔｏｒｒまで排気した後、円筒を２５０’Ｃに保
ちつつ、　　　　−＜２ Ｘ　１０−３Ｔｏｒｒの水素および２　Ｘ　１０−３Ｔ
ｏｒｒのアルゴンの混合雰囲気中で３００Ｗの高周波出
力によって１人／ｓｅｃ堆積速度で５００人の厚みに光
学的禁止帯幅１．９５ｓＶで比抵抗１ｏ１１Ω”ａｍの
アモルファスシリコン膜を堆積する。

その後２０分間にわたって、アルゴンの分圧を一定に保
ちながら水素の分圧を徐々に下げ３×１Ｏ−５Ｔｏｒｒ
にする。水素分圧の極小におけるアモルファスシリコン
の光学的禁止帯幅は１．６ｅＶ、比抵抗は１０日Ω・ｃ
ｍである。さらに２０分間にわたって再びアルゴン分圧
を一定に保ちながら水素分圧を徐々に上げ、２　Ｘ　Ｉ
　Ｏ＝　Ｔｏｒｒまでもどす。その状態のままスパッタ
リングを続行し全体の膜厚を２５μｍとする。光学的禁
止帯幅が１．９５ｅＶ未滴の領域の膜厚は約２４００人
である。この円筒を電子写真感光ドラムとして用いる。

第５図はこのようにして形成された感光膜の分光感度を
示すもので、点線５１は水素分圧の極小部を作らない場
合、実ａ５２は極小部を作った場合の分光感度を示す。

このようにして長波長光厚みに真空蒸着して基板とする
。その膜をスパッタ装置中に設置し、５Ｘ１０−’　Ｔ
ｏｒｒまで排気した後、基板を１５０℃に保ちつつ炭素
を１０％含有する多結晶シリコンのターゲットを用い、
ＩＸ　１０−３Ｔｏｒｒの水素と４　Ｘ　１０−３Ｔｏ
ｒｒのアルゴンとの混合気体中で３５０Ｗの高周波出力
のもとで３人／ｓｅｃの堆積速度で光学的禁止帯幅２、
Ｏｅ　Ｖで比抵抗１ｏ１３Ω・ｃｍのアモルファスシリ
コン−炭素の膜を５μｍ形成する。その後シリコンのみ
のターゲットを用い２　Ｘ　１０−３Ｔｏｒｒのアルゴ
ンと３　Ｘ　１０−３Ｔｏｒｒの水素との混合気体中で
スパッタリングを行ない６０ｎｍの厚みの光学的禁止帯
幅１．９５ｅＶで比抵抗１０１２Ω・ｃｍのアモルファ
スシリコンの膜を形成する。更にその上に、最初のアモ
ルファスシリコン−炭素と同様の膜を５μｍ形成する。

このポリイミド膜をアルミニウム円筒に接着し、電子写
真感光ドラムとして使用する。

以上の実施例によって説明した本発明の電子写真感光ド
ラムは、その表面または界面付近で高い比抵抗を有する
アモルファスシリコン層を用いたもので、すぐれた暗減
衰特性を有すると同時に、膜厚方向にほぼ均一な組成を
有する従来の電子写真感光板にくらべて、大幅に分光感
度の長波長領域への拡大が可能になり、工業上きわめて
大なる効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はスパッタリング中の水素分圧と形成される膜の
光学的禁止帯幅の関係を示す図、第２図は本発明のアモ
ルファスシリコン感光膜のバンドモデルを示す図、第３
図は本発明の電子写真感光膜の構造を示す断面図、第４
図はりアクティブスパッタリング装置の説明図、第５図
は本発明による分光感度特性を示す図である。 １：基板、２：感光層、１１：電極、２１：過剰キャリ
ア注入抑制層、２２．２３．２４：アモルファス・シリ
コンを主体とする層、２５：電荷注入抑制層。 Ｆ−）Ｖ−１ 誤厚

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、膜内平均として５０原子％以上のシリコンと１原子
   ％以上の水素とを少くとも含有するアモルファスシリコ
   ン光導電体層を有する電子写真感光膜であって、上記光
   導電体層の少くとも表面若しくは界面側に炭素及びホウ
   素の少くともいずれか一方の元素を含むアモルファスシ
   リコンの電荷注入阻止層を有することを特徴とする電子
   写真感光膜。