JPS63226035A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents
ワイヤボンデイング方法Info
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- JPS63226035A JPS63226035A JP62059518A JP5951887A JPS63226035A JP S63226035 A JPS63226035 A JP S63226035A JP 62059518 A JP62059518 A JP 62059518A JP 5951887 A JP5951887 A JP 5951887A JP S63226035 A JPS63226035 A JP S63226035A
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- wire
- semiconductor element
- electrode
- wire bonding
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
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- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ポールボンディング方法とスティッチボンデ
ィング方法とを組み合わせたワイヤボンディング方法に
関する。
ィング方法とを組み合わせたワイヤボンディング方法に
関する。
従来、この種のワイヤボンディング方法は第2図に示す
手順で行われている。以下、その方法について説明する
。
手順で行われている。以下、その方法について説明する
。
先ず、同図(a)に示すように予め一端部が球状に形成
されたワイヤ1を半導体素子2の上方に位置付ける。次
に、同図(b)に示すようにクランパ3を降下させ、キ
ャピラリー4によってワイヤlの球状部1aを半導体素
子2の電極5に加圧接続した後、同図(C)に示すよう
にクランパ3からワイヤ1を開放してキャピラリー4を
移動させ、同図(d)に示すようにワイヤ1の他端部を
インナリード6に接続する。そして、同図(e)に示す
ようにクランパ3によって把持したワイヤ1を上昇させ
切断した後、同図(f)に示すようにトーチ棒7によっ
て電気スパークを発生させワイヤlの一端部を球状に形
成する。
されたワイヤ1を半導体素子2の上方に位置付ける。次
に、同図(b)に示すようにクランパ3を降下させ、キ
ャピラリー4によってワイヤlの球状部1aを半導体素
子2の電極5に加圧接続した後、同図(C)に示すよう
にクランパ3からワイヤ1を開放してキャピラリー4を
移動させ、同図(d)に示すようにワイヤ1の他端部を
インナリード6に接続する。そして、同図(e)に示す
ようにクランパ3によって把持したワイヤ1を上昇させ
切断した後、同図(f)に示すようにトーチ棒7によっ
て電気スパークを発生させワイヤlの一端部を球状に形
成する。
このようにして、半導体素子4とインナーリード6とを
接続することができる。
接続することができる。
なお、同図において、符号8はリードフレーム9のダイ
パッドである。
パッドである。
ところで、従来のワイヤボンディング方法においては、
ワイヤ1の先端部に球状部1aを形成する時機がワイヤ
1をインナーリード6に接続した直後であるため、球状
部1aが半導体素子2の電極5に接続するまでの間に周
辺温度に上昇してその硬度が高くなったり、球状部1a
の表面に酸化膜が形成されたりしていた。この結果、半
導体素子2の電極5が損傷し、また半導体素子2の電極
5とワイヤ1の球状部laとの接合率が悪くなってワイ
ヤボンディング上の信頼性が低下するという問題があっ
た。
ワイヤ1の先端部に球状部1aを形成する時機がワイヤ
1をインナーリード6に接続した直後であるため、球状
部1aが半導体素子2の電極5に接続するまでの間に周
辺温度に上昇してその硬度が高くなったり、球状部1a
の表面に酸化膜が形成されたりしていた。この結果、半
導体素子2の電極5が損傷し、また半導体素子2の電極
5とワイヤ1の球状部laとの接合率が悪くなってワイ
ヤボンディング上の信頼性が低下するという問題があっ
た。
すなわち、従来のワイヤボンディング装置においては、
近年のワイヤボンディング装置のように種々色々な制御
機器を備えたものではなく、このためワイヤ1の先端部
に球状部1aを形成する時機をワイヤ1をインナーリー
ド6に接続した直後にする必要があったのは、ワイヤ1
の先端部に球状部1aが形成されたか否かを判定するに
所定の時間(ワイヤ1をインナーリード6に接続した直
後からワイヤ1を電極5に接続する直前までの時間)を
要していたからである。また、従来のワイヤボンディン
グ装置を使用して球状部1aの形成時機を半導体素子2
の電極5に接続する直前にすると、ワイヤボンディング
時にボンディングヘッド(図示せず)の機械的な振動に
よって均一な球状部1aを形成することができなかった
からである。
近年のワイヤボンディング装置のように種々色々な制御
機器を備えたものではなく、このためワイヤ1の先端部
に球状部1aを形成する時機をワイヤ1をインナーリー
ド6に接続した直後にする必要があったのは、ワイヤ1
の先端部に球状部1aが形成されたか否かを判定するに
所定の時間(ワイヤ1をインナーリード6に接続した直
後からワイヤ1を電極5に接続する直前までの時間)を
要していたからである。また、従来のワイヤボンディン
グ装置を使用して球状部1aの形成時機を半導体素子2
の電極5に接続する直前にすると、ワイヤボンディング
時にボンディングヘッド(図示せず)の機械的な振動に
よって均一な球状部1aを形成することができなかった
からである。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、ワイヤ
ボンディング時において半導体素子の電極の損傷を防止
することができると共に、ワイヤの球状部と半導体素子
の電極との接合率を高めることができ、もってワイヤボ
ンディング上の信頼性を向上させることができるワイヤ
ボンディング方法を提供するものである。
ボンディング時において半導体素子の電極の損傷を防止
することができると共に、ワイヤの球状部と半導体素子
の電極との接合率を高めることができ、もってワイヤボ
ンディング上の信頼性を向上させることができるワイヤ
ボンディング方法を提供するものである。
c問題点を解決するための手段〕
本発明に係るワイヤボンディング方法は、球状部を形成
する時機を半導体素子にワイヤを接続する直前とするも
のである。
する時機を半導体素子にワイヤを接続する直前とするも
のである。
本発明においては、ワイヤボンデイン時にワイヤに球状
部を形成してから半導体素子の電極に接続するまでの時
間を短縮することができる。
部を形成してから半導体素子の電極に接続するまでの時
間を短縮することができる。
第1図(al〜(e)は本発明に係るワイヤボンディン
グ方法を説明するための概略図で、同図を用いてそのワ
イヤボンディングについて説明する。
グ方法を説明するための概略図で、同図を用いてそのワ
イヤボンディングについて説明する。
先ず、同図(a)に示すようにトーチ棒7によって電気
スパークを発生させワイヤlの一端部を球状に形成する
0次に、同回出)に示すようにワイヤlを把持した状態
でクランパ3を降下させ、キャピラリー4によってワイ
ヤ1の球状部1aを半導体素子2の電極5に加圧接続し
た後、同図(C)に示すようにクランパ3からワイヤ1
を開放してキャピラリー4を移動させ、同図(dlに示
すようにワイヤ1の他端部をインナーリード6に接続す
る。そして、同図(a)に示すようにクランパ3によっ
て把持したワイヤ1を上昇させ切断する。
スパークを発生させワイヤlの一端部を球状に形成する
0次に、同回出)に示すようにワイヤlを把持した状態
でクランパ3を降下させ、キャピラリー4によってワイ
ヤ1の球状部1aを半導体素子2の電極5に加圧接続し
た後、同図(C)に示すようにクランパ3からワイヤ1
を開放してキャピラリー4を移動させ、同図(dlに示
すようにワイヤ1の他端部をインナーリード6に接続す
る。そして、同図(a)に示すようにクランパ3によっ
て把持したワイヤ1を上昇させ切断する。
このようにして、半導体素子4とインナーリード6とを
接続することができる。
接続することができる。
このような本発明のワイヤボンディング方法においては
、ワイヤlの先端部に球状部1aを形成する時機がワイ
ヤlを半導体素子2に接続する直前であるため、ワイヤ
1に球状部1aを形成してから半導体素子2の電極5に
接続するまでの時間を短縮することができる。
、ワイヤlの先端部に球状部1aを形成する時機がワイ
ヤlを半導体素子2に接続する直前であるため、ワイヤ
1に球状部1aを形成してから半導体素子2の電極5に
接続するまでの時間を短縮することができる。
したがって、本発明においては、ワイヤ1の球状部1a
を半導体素子2の電極5に接続するまでの間に周辺温度
に上昇してその硬度が高くなることがないから、ワイヤ
ボンディング時に半導体素子2の電極5の損傷を防止す
ることができる。
を半導体素子2の電極5に接続するまでの間に周辺温度
に上昇してその硬度が高くなることがないから、ワイヤ
ボンディング時に半導体素子2の電極5の損傷を防止す
ることができる。
また、本発明においては、球状部1aの表面に酸化膜が
形成されることがないから、半導体素子2の電極5とワ
イヤlの球状部1aとの接合率を良好なものとすること
ができる。
形成されることがないから、半導体素子2の電極5とワ
イヤlの球状部1aとの接合率を良好なものとすること
ができる。
そして、ワイヤボンディング時の球状部1aの温度、硬
度や酸化膜の厚さをトーチスパークのタイミングによっ
て自由に設定することができる。
度や酸化膜の厚さをトーチスパークのタイミングによっ
て自由に設定することができる。
なお、本実施例においては、電気式のトーチ棒7によっ
てワイヤ1に球状部1aを形成する場合を示したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、水素トーチやハ
イパワーレーザによっても実施例と同様に行うことがで
きることは勿論である。
てワイヤ1に球状部1aを形成する場合を示したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、水素トーチやハ
イパワーレーザによっても実施例と同様に行うことがで
きることは勿論である。
また、本発明においては、球状部la自体がもつ熱を利
用してワイヤボンディングを行うため、それだけワーク
側の温度を現行の約300℃から約150〜200℃に
低くすることができ、またワイヤへの加圧時間を短縮す
ることができる。
用してワイヤボンディングを行うため、それだけワーク
側の温度を現行の約300℃から約150〜200℃に
低くすることができ、またワイヤへの加圧時間を短縮す
ることができる。
以上説明したように本発明によれば、ワイヤに球状部を
形成する時機を半導体素子にワイヤを接続する直前とす
ることにより、ワイヤボンデイン時にワイヤに球状部を
形成してから半導体素子の電極に接続するまでの時間を
短縮することができる。したがって、ワイヤの球状部を
半導体素子の電極に接続するまでの間に周辺温度に上昇
してその硬度が高くなることがないから、また球状部の
表面に酸化膜が形成されることがないから、ワイヤボン
ディング時に半導体素子の電極の損傷を防止することが
できると共に、半導体素子の電極とワイヤの球状部との
接合率を良好なものとすることができ、ワイヤボンディ
ング上の信頼性を向上させることができる。
形成する時機を半導体素子にワイヤを接続する直前とす
ることにより、ワイヤボンデイン時にワイヤに球状部を
形成してから半導体素子の電極に接続するまでの時間を
短縮することができる。したがって、ワイヤの球状部を
半導体素子の電極に接続するまでの間に周辺温度に上昇
してその硬度が高くなることがないから、また球状部の
表面に酸化膜が形成されることがないから、ワイヤボン
ディング時に半導体素子の電極の損傷を防止することが
できると共に、半導体素子の電極とワイヤの球状部との
接合率を良好なものとすることができ、ワイヤボンディ
ング上の信頼性を向上させることができる。
第1図(a)〜(e)は本発明に係るワイヤボンディン
グ方法を説明するための概略図、第2図(a)〜(f)
は従来のワイヤボンディング方法を説明するための概略
図である。 l・・・・ワイヤ、1a・・・・球状部、2・・・・半
導体素子、6・・・・インナーリード、9・・・・リー
ドフレーム。 代 理 人 大 岩 増 雄 第1図 第2図
グ方法を説明するための概略図、第2図(a)〜(f)
は従来のワイヤボンディング方法を説明するための概略
図である。 l・・・・ワイヤ、1a・・・・球状部、2・・・・半
導体素子、6・・・・インナーリード、9・・・・リー
ドフレーム。 代 理 人 大 岩 増 雄 第1図 第2図
Claims (1)
- ワイヤの一端部を球状に形成し、次いでこの球状部をリ
ードフレーム上の半導体素子に接続し、しかる後前記リ
ードフレームのインナーリードに前記ワイヤの他端部を
接続するワイヤボンディング方法であって、前記球状部
を形成する時機を半導体素子にワイヤを接続する直前と
することを特徴とするワイヤボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62059518A JPS63226035A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | ワイヤボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62059518A JPS63226035A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | ワイヤボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63226035A true JPS63226035A (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=13115562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62059518A Pending JPS63226035A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | ワイヤボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63226035A (ja) |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP62059518A patent/JPS63226035A/ja active Pending
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